Transistores C.C.

1




















PROBLEMAS DE ELECTRNICA
ANALGICA
(Transistores C.C.)













Escuela Politcnica Superior
Profesor. Daro Garca Rodrguez

Transistores C.C.
2
0
R1
I1
I2
25k
IC+I1 2k
IE
0.2k
Q1
IB
IC
12V
1.2.- En el circuito de la figura si 98 . 0 = y V
BE
= 0.7 Voltios, calcular el valor de
la resistencia R
1
, para una corriente de emisor 2 mA











En este circuito tenemos que poner las ecuaciones necesarias para poder resolver
el valor de R
1
que nos viene dado por
1
1
I
V V
R
B C

= luego nuestro nico objetivo es
calcular V
C
, V
B
y I
1 .

mA I I
E C
96 . 1 2 98 . 0 = = =

mA I I I
C E B
04 . 0 96 . 1 2 = = =

Voltios R I V V
E E BE B
1 . 1 2 . 0 2 7 . 0 = + = + = mA
V
I
B
044 . 0
25
1 . 1
25
2
= = =

mA I I I
B
084 . 0 044 . 0 04 . 0
2 1
= + = + =

Voltios I I V V
C CC C
912 . 7 2 ) 084 . 0 96 . 1 ( 12 2 ) (
1
= + = + =

Luego ya tenemos todos los datos necesarios para calcular la Resistencia R
1


K
I
V V
R
B C
1 . 81
084 . 0
1 . 1 912 . 7
1
1
=

=

Aqu hemos calculado todo los valores del circuito, Intensidades, y tensiones en
todos los puntos. Lo nico que nos falta es V
CE
=V
C
-V
E
=7.912-20.2=7.512 Voltios

Y efectivamente el transistor est en la zona activa por tener V
CE
>0.2 Voltios y ser
un transistor NPN.




Transistores C.C.
3
2.2.- En el circuito de la Fig.1 los transistores Q
1
y Q
2
trabajan en la regin activa
con V
BE1
= V
BE2
= 0.7 Voltios, 100
1
= , 50
2
= . Pueden despreciarse las corrientes
inversa de saturacin.
a) Calcular todas las intensidades del circuito.
b) Calcular las tensiones en los diferentes puntos.
Fig.1 Fig.2


Lo primero que hay que hacer es reducir el circuito a una forma mas simple, para
ello se ha calculado el thevening mirado de la base B
2
haca la izquierda.

Voltios V
BB
61 . 2
10 82
10 24
2
=
+
= K R
B
9 . 108 100
82 10
82 10
2
= +
+
=

Apartir de aqu analizaremos el circuito de la Fig.2.

Podemos escribir, en la malla de los emisores de los transistores:


1 1 1 2 2 2 2

E E BE BE B B BB
R I V V R I V + + + = ; 1 . 0 9 . 108 61 . 2
1 1 2 2 E BE BE B
I V V I + + + =


2 2 2 1 2 1 1 1 1
101 51 ) 1 )( 1 ( ) 1 ( ) 1 (
B B E B E
I I I I I = + + = + = + = Sustituyendo

esta ecuacin en la anterior y despejado I
B2
tenemos:

mA
V V
I
BE BE
B
0019 . 0
624
7 . 0 7 . 0 61 . 2
1 . 0 101 51 9 . 108
61 . 2
1 2
2
=

=
+

=


mA I I
B C
095 . 0 0019 . 0 50
2 2 2
= = = mA I I I
B E B
097 . 0 0019 . 0 51 ) 1 (
2 2 2 1
= = + = =

mA I I
B C
7 . 9 097 . 0 100
1 1 1
= = = mA I I
B E
8 . 9 097 . 0 101 ) 1 (
1 1 1
= = + =

Voltios R I V V
C C CC C
4 . 14 1 7 . 9 24
1 1
= = =
0
Q1
Q2
100k
82k
10k
0.1K
1k
24V
0
Q1
I
c2
Q2
I
E2
=I
B1
I
B2
108,9K
I
E1
0.1k
I
C1 1k
24V
2.61V
Transistores C.C.
4
Voltios R I V
E E E
98 . 0 1 . 0 8 . 9
1 1 1
= = =

Voltios V V V
E C CE
52 . 13 98 . 0 4 . 14
1 1 1
= = =

Voltios V
C
24
2
=
Voltios V V V
E BE E
66 . 1 96 . 0 7 . 0
1 1 2
= + = + =

Voltios V V V
E C CE
34 . 22 66 . 1 24
2 2 2
= = =

Voltios V V V
E BE B
36 . 2 66 . 1 7 . 0
2 2 2
= + = + =


































Transistores C.C.
5
3.2.- El circuito de la figura con un transistor PNP tiene un =100,
V
BE
=-0.7V . Calcular todas las intensidades y tensiones en los diferentes puntos.

Lo primero que hay que hacer es el thevenin, desde la base del transistor
hacia la izquierda, quedando el circuito de la figura de la derecha:

V
R R
R V
V
CC
BB
5
30 10
10 20
2 1
1
=
+
=
+
= .
4
30
30 10
10 30
2 1
1 2
=
+
=
+
= K
R R
R R
R
BB


A partir de aqu analizaremos el circuito de la parte derecha.

En la malla base emisor podemos escribir:

( )
BE B B B BE E E B B BB
V I R I V R I R I V + + = + = 1 despejando I
B
se tiene:


( )
( )
mA
R R
V V
I
E B
BE BB
B
021 . 0
419
6 . 8
838
4 3 . 4
2 1 100
4
30
7 . 0 5
1
= = =
+ +

=
+ +
+
=

mA I I
B C
05 . 2
19 . 4
860
419
6 . 8 100
= = = =


mA I I
B E
07 . 2
419
6 . 8 101
) 1 ( = = + =

Ahora calcularemos las diferentes tensiones con respecto a masa:



. 75 . 9 20 5 05 . 2 V V R I V
CC C C C
= = =

30k 5k
0
Q1
VCC
20Vdc
R1
2k
Q1
5k
10k
2k
0
VCC
20Vdc
R2
RB
RE
IB
IC
IE
5V

30/4k
RC
RE
VBB
RC
Transistores C.C.
6


. 14 . 4 2 07 . 2 V R I V
E E E
= = =

V V V V
E C CE
61 . 5 ) 14 . 4 ( 75 . 9 = = = Por ser esta cada de tensin negativa
el transistor esta en la zona activa por ser un PNP.

V V V V
E BE B
84 . 4 14 . 4 7 . 0 = = + =

A continuacin calcularemos la intensidad que circular por las resistencias R
1
y R
2

con sentido haca arriba.

Para la resistencia R
1
. 48 . 0
10
84 . 4 0
1
1
mA
R
V
I
B
= =

=

Para la resistencia R
2
I
2
=I
1
+I
2
=0.48 +0.02 =0.50 mA.


Tambin podra calcularse: mA
R
V V
I
CC B
5 . 0
30
) 20 ( 84 . 4 ) (
2
2
=

=

=
























Transistores C.C.
7
Q1
1 Vo
R
B
=50
k
R
C
=1k
I
C
V
BB
I
B
V
CC 10V
V
4.2.- En el circuito de la fig. el transistor tiene una 60 = . Expresar los valores
posibles de V
BB
para que el transistor se encuentre:
a) Zona de corte
b) Zona activa.
c) Zona de saturacin.
d) Si V
BB
= 5 Voltios y manteniendo el valor de R
C
= 1 K. entre que valores
puede variar R
B
para que el transistor se encuentre en la zona de activa?
e) Si V
BB
= 5 Voltios y manteniendo el valor de R
B
= 50 K. entre que valores
puede variar R
C
para que el transistor se encuentre en la zona de saturacin?

(V
BE activa
=0.7 Voltios, V
CEsatuacin
=0.2 Voltios, V
BE saturacin
=0.8 Voltios, y Corriente
inversa de saturacin despreciable.)


a) Tal como esta polarizado el transistor, es de
una forma correcta, s las fuentes empleadas
son positivas. Suponemos a la vez que el
transistor va a conducir cuando entre base
emisor haya una cada de tensin igual o
superior a 0,7 Voltios aunque en realidad
necesite una cada de tensin
aproximadamente de 0,5 Voltios.

Luego para que el transistor este en corte necesita slo V
BB
<0.7 Voltios
Ya que el diodo de emisor y colector estn polarizado inversamente.

b) y c) Aqu vamos a ver para que tensin V
BB
estar en saturacin, luego entre el valor
de corte y saturacin estar la zona activa.

mA
R
V V
I
C
CEsat CC
Csat
8 . 9
1
2 . 0 10
=

=
50
8 . 0
=

=
BB
B
BEsat BB
Bsat
V
R
V V
I

Si
Bsat Csat
I I el dispositivo est en saturacin en caso contrario en la zona
activa.

Luego tenemos 60
50
8 . 0
8 . 9

BB
V
voltios V
BB
97 . 8 8 . 0
60
50 8 . 9
= +

Entonces para Voltios V
BB
97 . 8 7 . 0 el transistor estar en zona activa.

voltios V
BB
97 . 8 el transistor estar en saturacin.



Transistores C.C.
8
d) En este caso la zona de corte no vara, solo varan las zonas de saturacin y
activa. Calcularemos la zona de saturacin para saber la zona activa.


Bsat Csat
I I zona de saturacin


mA
R
V V
I
C
CEsat CC
Csat
8 . 9
1
2 . 0 10
=

=
B B
BEsat BB
Bsat
R R
V V
I
8 . 0 5
=

=

60
2 . 4 8 . 0 5
8 . 9
B B
R R
=

. 71 . 25 60
8 . 9
2 . 4
K R
B
=

Luego cuando R
B
sea mayor que 27,71 K el transistor va a estar en la zona activa.

e) En este caso la zona de corte no vara solo varan las zonas de saturacin y
activa. Calcularemos la zona de saturacin..


Bsat Csat
I I zona de saturacin


C C C
CEsat CC
Csat
R R R
V V
I
8 . 9 2 . 0 10
=

= ; mA
R
V V
I
B
BEsat BB
Bsat
084 . 0
50
8 . 0 5
=

=



60 084 . 0
8 . 9

C
R
; = k R
C
94 . 1
04 . 5
8 . 9
con estos valores estar en zona
de saturacin.

Luego cuando K R
C
94 . 1 el transistor estar en la zona activa.














Transistores C.C.
9
5.2.- En el circuito de la Fig.1 Q
1
y Q
2
se encuentra en la zona Activa, siendo
100
2 1
= =
F F
, voltios V V
BE BE
7 . 0
2 1
= = .
Calcular las tensiones en los diferentes puntos e intensidades.

Fig.1 Fig.2

El transistor Q
1
es un NPN y el Q
2
un PNP y ambos aparentemente bien polarizado.
Lo primero que tengo que hacer es realizar el thevening mirado desde la base de Q
1

hacia la izquierda, teniendo el circuito de la Fig.2.

Voltios V
BB
3
3 2
3 5
1
=
+
= =
+
= K R
B
2 . 1
3 2
3 2
1

En la malla B
1
,E
1
,E
2
y B
2
, se puede escribir:

2 1 1 1 1 1 1

EB E E BE B B BB
V R I V R I V + + + = ( )
1 1
1
B F E
I I + = sustituyendo esta

ecuacin en la anterior y despejando I
B1
se obtiene:


1 2 1
2 1 1
1
) 1 (
E F B
EB BE BB
B
R R
V V V
I
+ +

=

; mA I
B
0053 . 0
2 . 304
6 . 1
3 101 2 , 1
7 . 0 7 . 0 3
1
= =
+

=

mA I I
C F C
53 . 0 0053 . 0 100
1 1
= = =

mA I I I
B F E E
54 . 0 0053 . 0 101 ) 1 (
1 1 2 1
= = + = =

mA I I
E
F
F
C
53 . 0 54 . 0
101
100

1
2
2
2
2
= =
+
=

mA
I
I
F
E
B
0053 . 0
101
54 . 0
1
2
2
2
= =
+
=

Ya tenemos calculadas todas las intensidades, ahora calcularemos las tensiones en
los diferentes puntos.

Voltios R I V V
C C CC C
47 . 4 1 53 . 0 5
2 2 2 2
= + = + = Voltios V V
EB E
7 . 0
2 2
= =

0
1k
5V
5V
2K
3K
Q1
2K
Q2
3K
0
V4
5V
I
B1
I
C1
2K
I
E1
=I
E2
3K
Q2
Q1
IC2
1k
V2
5V
1.2K
3V
Transistores C.C.
10
Voltios V V V
E C CE
15 . 5 7 . 0 47 . 4
2 2 2
= = = En zona activa, por ser un PNP y dar
negativo la tensin entre colector y emisor.

Voltios V R I V
E E E E
32 . 2 7 . 0 3 54 . 0
2 1 1 1
= + = + =


Voltios R I V V
C C CC C
94 . 3 2 53 . 0 5
1 1 1 1
= = =

Voltios V V V
E C CE
62 . 1 32 . 2 94 . 3
1 1 1
= = = En zona activa, por ser un NPN y
dar positiva la tensin entre colector y emisor.

Voltios V V V
E BE B
02 . 3 32 . 2 7 . 0
1 1 1
= + = + =

































Transistores C.C.
11
6.2- En el circuito de la figura Calcular:
a) La salida V
CE
cuando la entrada es de 0.2 Voltios.
b) Lo mismo apartado anterior cuando la entrada es de 10 Voltios.
20 =
F
V
Dcond.
=0.7 Voltios . 5 . 0 voltios V =

(V
BE activa
=0.7 Voltios, V
CEsatuacin
=0.2 Voltios, V
BE saturacin
=0.8 Voltios, y Corriente
inversa de saturacin despreciable.).

a) Si la entrada V
i
=0.2 Voltios conducir el diodo D
1,
por existir una Tensin entre
nodo y ctodo, a travs de la resistencia de 6 k, de (10-0.2)Voltios, lo que hace a la vez
que la tensin en el punto P sea 0.2 +0.7 =0.9 Voltios insuficiente tensin para que D
2,
D
3

y El transistor pueda conducir ya que necesitara como mnimo 0.5 +0.5 +0.7 =1.7 voltios,
al no conducir el transistor, la salida V
CE
=V
CC
=10 voltios.

b) Si la entrada es de 10 Voltios el diodo que no conduce es D
1,
y los otros
dispositivos s. Vamos a suponer que Q
1
, est en saturacin Entonces V
CE
=0.2 Voltios:

V
P
=V
D2
+V
D1
+V
BEsat
=0.7 +0.7 +0.8 =2.2 Voltios

mA
V V
I
P CC
6
8 . 7
6
2 . 2 10
6
1
=

= mA
V
I
BEsat
4 . 0
2
8 . 0
2
2
= = =

mA I I I
B
6
4 . 5
6
4 . 2 8 . 7
4 . 0
6
8 . 7
2 1
=

= = =

mA
R
V V
I
C
CEsat CC
Csat
6
8 . 9
6
2 . 0 10
=

=
Condicin para que est en la zona de saturacin:


B Csat
I I
6
4 . 5
20
6
8 . 9


lo cumple luego Q
1
est en saturacin y V
CE
=0.2 Voltios


0
I
2
2k
I
C
6k
I
1
6k
D2
D1
D3
Q1
Vi
P
I
B
10V
Transistores C.C.
12
7.2.- a)Esbozar la caracterstica de transferencia V
CE
en funcin de V
i
del circuito
de la figura,( suprimiendo el diodo zener) , indicando las diferentes zonas del transistor. El
transistor tiene una 100 = y la corriente inversa de saturacin despreciable.
b) Igual que en el apartado a) con el diodo zener, suponiendo que este es ideal,
cuya tensin zener es igual a 4 Voltios.
(V
BE activa
=0.7 Voltios, V
CEsatuacin
=0.2 Voltios, V
BE saturacin
=0.8 Voltios,)


Fig.1 Fig.2


Fig.3 Fig.4

Lo primero que tenemos que hacer en este circuito es, tanto en la entrada como en la
salida, reducirlo a su thevening correspondiente.

En la entrada tenemos la Fig.2
i
i
BB
V
V
V 1 . 0
40 360
40
=
+
= =
+
= K R
B
36
40 360
40 360



En la salida Fig.3 Voltios V
CC
5
5 15
5 10 15 10
=
+

= k R
C
75 . 3
5 15
5 15
=
+
=

Luego el circuito queda reducido a la Fig.4, donde podemos escribir:

Zona de corte del transistor V
BB
<0.7 Voltios 0.1 V
i
<0.7 V
i
<7 voltios

Y entonces V
CE
=5 Voltios

0
R1 360k
R3
5k
R4
15k
Q1
V1
D1
V2
10V
V3
10V
R5
40k
0
360k
40K
V
i
B
0
36k
0.1V
i
B
0
3.75k
5V

C
0
5k
15k
10V
10V
C
5V
36k
3.75V
1V
i
V
CE
Transistores C.C.
13
Zona de Saturacin
Csat B
I I mA
V
R
V V
I
i
B
BEact BB
B
36
8 . 0 1 . 0
=

=



75 . 3
2 . 0 5
100
36
8 . 0 1 . 0

i
V
8 . 0
75 . 3 100
36 8 . 4
1 . 0 +
i
V Voltios V
i
6 . 12


Luego la zona activa estar comprendida entre 7 y 12.6 Voltios y en esa zona
se cumple:


36
7 . 0 1 . 0
=

=
i
B
BE BB
B
V
R
V V
I 100
36
7 . 0 1 . 0

= =
i
B C
V
I I


36
5 . 442 5 . 37
75 . 3
36
70 10
5
+
=

= =
i i
C C CC CE
V V
R I V V


Conclusin:
V
i
<7 Voltios transistor en corte V
CE
=V
CC
=5 Voltios

7 <V
i
<12.6 Voltios transistor en activa
36
5 . 442 5 . 37 +
=
i
CE
V
V

V
i
>12.6 Voltios Transistor en saturacin V
CE
=0.2 Voltios

Su representacin grfica en la Fig. 5


c) Si le colocamos el diodo zener ente el colector y emisor del transistor, como se
ve en la figura 1, este empieza a actuar cuando la tensin entre sus terminales es
superior a 4 Voltios que entonces su cada de tensin se mantiene a esos 4
Voltios.
Vamos a calcular el valor de V
i
cuando cumple estas condiciones, ocurre en la zona
activa:


Voltios
V
V
i
CE
4
36
5 . 442 5 . 37
=
+
=
Voltios V
i
96 . 7
5 . 37
36 4 5 . 442
=

=


mA
R
V V
I
C
CEsat CC
Csat
75 . 3
2 . 0 5
=

=
Transistores C.C.
14


Su representacin grfica Fig.6



CE
V
i
V
0
1
3
5
1 3 7 12
V 2 . 0
Voltios
Voltios
36
5 . 37
= pend

Fig.5


CE
V
i
V
0
1
4
1 3 7 12
V 2 . 0
Voltios
Voltios
36
5 . 37
= pend
3

Fig.6









Transistores C.C.
15
8.2.- Los transistores de la Fig son idnticos con 100 =
F
y corriente inversa de
saturacin despreciable.
a) Hallar V
o
cuando la entrada vara entre 0 y 12 Voltios
b) Hallar V
o
cuando la entrada vara entre 12 y 0 Voltios
c) Representar grficamente los resultados de los apartados anteriores.


a) Para que pueda conducir un transistor
necesita 0.7 Voltios, entre la base y el emisor,
caso del NPN y si le introducimos inicialmente
0 Voltios el transistor Q
1
no conduce y queda el
circuito de la Fig. 2 que es un transistor con
resistencia en emisor. Lo primero que tenemos
que hacer es el thevening correspondiente,
mirado desde base de Q
2
hacia la izquierda.
Su thevening nos viene expresado por:

Voltios V
BB
8
20 8 2
20 12
2
=
+ +
= =
+ +
+
= K R
B
3
20
20 8 2
20 ) 8 2 (
2





Fig.2 Fig.3


El circuito equivalente es el de la Fig.3 que podemos decir que el transistor est en
la zona activa o saturacin, por la forma de su polarizacin.

mA
R R
V V
I
E F B
BE BB
B
035 . 0
626
3 3 . 7
2 ) 1 100 (
3
20
07 8
) 1 (
2 2
2 2
2
= =
+ +

=
+ +

=

mA I I
B F C
50 . 3 035 . 0 100
2 2
= = = mA I I
B F E
53 . 3 035 . 0 101 ) 1 (
2 2
= = + =

Voltios R I V V V
C C CC C o
5 . 8 1 50 . 3 12
2 2 2 2
= = = = Voltios R I V
E E E
06 . 7 2 53 . 3
2 2 2
= = =

0
8k
20k
2k
V
o
1k
2k
Q1 Q2
12V
Vi
0
8k
20k
2k
V
o
1k
2k
Q2
12V
0
12V
IB2
20/3K
2K
I
C2
1k
8V
Q2
Transistores C.C.
16
Voltios V V V
E C CE
44 . 1 06 . 7 5 . 8
2 2 2
= = =

Por ser positiva V
CE
y mayor que 0.2 Voltios el dispositivo esta en la zona activa, y
ser un NPN. La salida vale V
o
=8.5 Voltios

Para que Q
1
empiece a conducir necesita una tensin:

Voltios V V V
E BE
76 . 7 06 . 7 7 . 0 ) (
2 1 1
= + = +

y entonces Q
2
estar en corte (se demostrar en el apartado posterior) y la salida V
o
=12
Voltios.

b) Si la entrada V
1
es de 12 Voltios Q
2
estar en corte (lo demostraremos
posteriormente) y veremos como estar Q
1
, y nos quedara el circuito de la fig.4. Siendo
V
o
=12 Voltios







Fig.4 Fig.5

Si miramos el circuito thevening de la Fig 4 desde el colector a masa obtenemos el circuito
de la Fig. 5.

Voltios V
CC
2 . 11
2 28
28 12
1
=
+
= = =
+
= K R
C
87 . 1
30
56
2 28
2 28
1


En el circuito de la Fig. 5 si la entrada vale 12 Voltios el dispositivo
seguramente estar en saturacin y entonces V
CE
=0.2 Voltios con lo que nos quiere decir
que V
E
y V
C
tienen aproximadamente la misma tensin, luego el transistor Q
2
estar en
corte ya que.
E
C
B
V
V
V < =
28
20
1
2
( Por la rama de las resistencias de 20 y 8 K. circulan la
misma intensidad de ah el reparto, directamente proporcional, de las tensiones en ambas
resistencias).

0
8k
20k
2k
V
o
1k
2k
Q1 Q2
12V
V
i
11.2V
56/30K
I
C1
2k
Q1
I
E1
Vi
VCC1
RC1
Transistores C.C.
17
mA
R
V V
I
F E
BEact i
B
056 . 0
) 1 100 ( 2
7 . 0 12
) 1 (
1
=
+

=
+

mA
R R
V V
I
C E
CEsat CC
Csat
84 . 2
60 56
30 11
2
30
56
2 . 0 2 . 11
1
1
=
+
=
+

=
+

S
Csat B
I I 84 . 2 100 056 . 0 el transistor est en saturacin. En este
caso lo cumple.

S la entrada la vamos disminuyendo el transistor pasar a la zona activa y si
seguimos disminuyendo aun ms llegar un instante en que se corte, ya que V
BE2
hace igual a 0.7 Voltios por lo que Q
2
empieza a conducir y el Q
1
pasa a corte.
Vamos a calcular ese punto.

Voltios V V V V
i BE i E
7 . 0
1 1
= =
Voltios
V
R I V R I V V
i
C B CC C C CC C
30
56

) 1 100 ( 2
7 . 0
100 2 . 11
1 1 1 1 1 1 1
+

= = =

}
30
56

202
) 7 . 0 ( 100
2 . 11 {
28
20
8 20
20
1
2

=
+
=
i C
B
V V
V Luego la condicin para que
Q
2
empiece a conducir es:

Voltios V V
E B
7 . 0
2
voltios V
V
i
i
7 . 0 ) 7 . 0 ( }
30
56

202
) 7 . 0 ( 100
2 . 11 {
28
20

}
56
30
) 2 . 11
20
28
{(
202
) 7 . 0 ( 100

i
i
V
V

100
202
}
56
30
) 2 . 11
20
28
{( ) 7 . 0 (
i i
V V


Voltios V
i
85 . 3
76 . 1
76 . 6
=

Luego a partir de una cantidad inferior a ese valor el transistor Q
1
se corta y Q
2
conduce.

Conclusin: a) Cuando V
i
empieza en 0 Voltios Q
1
en corte y

Q
2
en la zona activacuya
salida es igual a 8,5 Voltios.
Cuando voltios V
i
76 , 7 Q
2
se corta y Q
1
primero pasa a la zona activa y despus
a la zona de saturacin, y su salida es 12 Voltios.

b) Cuando V
i
empieza en12 Voltios Q
1
en saturacin y

Q
2
en corte,

cuya salida es
igual a 12 Voltios.
Transistores C.C.
18
Cuando Voltios V
i
85 . 3 Q
2
se pone en zona activa y Q
1
se corta, y su salida es 8,5
Voltios.

Con estas conclusiones llegamos que los dos transistores no pueden conducir a la
vez, como habamos supuestos en los dos apartados anteriores.
Su representacin grfica la ponemos en la figura de la pgina siguiente.

i
v
o
v
Voltios
Voltios
2
6
2 6
8
8
12
12
Histerisis




















Transistores C.C.
19
9.2.- En el circuito de la figura de la izquierda, explicar(sin llegar a resultados
numricos) como se obtendra las diferentes zonas de funcionamiento del MOS, teniendo
de parmetros los siguiente valores: k=1.25 mA/V
2
y V
t
= 1,5 Voltios.
Lo primero que tengo que decir que el MOS es de canal n, aunque hayamos puesto
una figura del dispositivo diferente a las empleadas, por regla general en clase.
En segundo lugar calculamos el thvenin mirado desde Puerta hacia la izquierda
obteniendo el circuito de la derecha.

Voltios
V V
V
GG GG
G
3
2
100 200
200
=
+
= =
+
= K R
G
3
200
100 200
100 200


aunque el valor de R
G
no lo necesitamos ya que la intensidad que circula por la puerta es
nulo.
Las ecuaciones del circuito necesarias son:

5
3
2
+ =
GG GS
V V 17 3 5 12 3 + = + + = + + =
D D SS DD D D DS
I I V V R I V

Estudiemos ahora las diferentes zonas del MOS.

a) Zona de corte

Voltios V
GG
25 . 5
2
15 5 . 4
=

I
D
=0 mA V
D
=12 Voltios

b) Zona Ohmica
t GS
V V
t GD
V V
Voltios V
GG
5 . 1 5
3
2
+
0
100k
ID
3k
200k
12V
VGG
5V
0
G
2/3 VGG
I
D 3k
S
5V
D
12V
200/3k
V
SS
V
DD
t GS
V V
3 12
3
2
D GG GD
I V V + = 12 3 + =
D D
I V
} ) ( 2 {
2
DS DS t GS D
V V V V k I =
Transistores C.C.
20

De la segunda condicin. 5 , 1
GD
V Voltios I V
D GG
5 . 1 3 12
3
2
+ en esta tima
ecuacin se sustituira el valor de I
D
de la ecuacin anterior y se calculara El valor de V
GG
sera menor que un cierto valor, luego el valor de V
GG
estara comprendido entre este
valor y -5,25 Voltios.

c) Zona Activa o de saturacin


t GS
V V
t GD
V V
2
) (
t GS D
V V k I =
Voltios V
GG
5 . 1 5
3
2
+ , 25 . 5
GG
V Voltios I V
D GG
5 . 1 ) 3 12
3
2
( +


2 2
) 5 . 1 5
3
2
( 25 . 1 ) ( + = =
GG t GS D
V V V k I , sustituyendo en esta ltima ecuacin, la
ecuacin anterior, obtenemos un valor de valor V
GG
, luego a partir de dicho valor es
dispositivo estar en la zona activa.

Nota: la resolucin de estas ecuaciones no son complicadas pero s largas de resolver, ya
que para el calculo de I
D
, nos sale una ecuacin de segundo grado con dos soluciones,
siendo solo una la correcta, y despues sustituirla en la ecuacin de V
GD
que es funcin de
I
D
.




















} ) 17 3 ( ) 17 3 )( 5 , 1 5
3
2
( 2 { 25 . 1
2
+ + + =
D D GG D
I I V I
Transistores C.C.
21
10.2.- En el circuito de la figura calcular el punto de trabajo, sabiendo que trabaja
en la zona activa y sus parametros son: k = 0.025 mA/V
2
y V
t
= -2 Voltios.
En primer lugar por ser V
t
menor que cero es un MOS de deplexin. La puerta y el
sumidero estn unida, luego V
GS
=0 Voltios y este es mayor que V
t
, luego est en la zona
activa o ohmica.
Si suponemos segn el enunciado que se encuentra en la zona activa.

mA V V k I
t GS D
1 . 0 )) 2 ( 0 ( 025 . 0 ) (
2 2
= = =

Voltios R I V V
D D DD D
9 . 3 51 1 . 0 9 = = = V
G
=V
S
=-3Voltios


t D G GD
V V V V < = = = 9 . 6 9 . 3 3 luego est en la zona activa

V
DS
=V
D
-V
S
=3.9-(-3) =6.9 Voltios

Su punto de trabajo es: I
D
=0.1 mA , y V
DS
=6.9 Voltios




















0
ID
51K
D
9V
G,S
3V
Transistores C.C.
22
11.2- En el circuito de la figura los MOS de la parte superior (M
1
y M
2
) son de
enriquecimiento y sus parmetros iguales son: k = 0.2510
-4
A/V
2
y V
t
= 3 Voltios, el otro
MOS (M
3
) es de deplexin cuyos parmetros son: k=0.05 mA/V
2
y V
t
= -2 Voltios.
Calcular los puntos de funcionamiento, suponiendo que estn en la zona activa y
comprobar la suposicin.
Calcular tambin la potencia que disipa cada MOS.


Observando la figura, M
1 y
M
2
estn funcionando en el mismo punto Q, por ser el
circuito simtrico y tener iguales caractersticas.
Se cumple las siguientes ecuaciones en el circuito:


D D D
I I I = =
2 1

D D D D
I I I I 2
3 2 1
= = +
2 1 DS DS
V V =

Voltios V V
DS DS
20 10 10
3 1
= + = + .

Suponemos que los tres dispositivos estn en la zona activa donde conocemos
V
GS3
=0 Voltios, pudiendo calcular el valor de I
D3.


mA V V k I
t GS D
2 . 0 )} 2 ( 0 { 05 . 0 ) (
2 2
3
= = =
mA
I
I
D
D
1 . 0
2
2 . 0
2
3
= = =
Sabiendo el valor de I
D
podemos calcular el valor de V
GS1
=V
GS2
de la ecuacin

2
05 . 0
2 1 . 0
3
1
= =
GS
V Voltios V
GS
5 3 2
1
= + =






1 1 1 S G GS
V V V = Voltios V V V
G GS S
5 0 5
1 1 1
= + = + = ,
ya conocemos las
0 0 0
M1 M2
I
D3
M3
ID1
10V
I
D2
10V
mA V V V k I
GS t GS D
1 . 0 ) 3 ( 025 . 0 ) (
2
1
2
1 1
= = =
Transistores C.C.
23

tensiones en todos los puntos, luego conocemos todas las diferencias de tensiones.

Voy a probar que estn en la zona activa todos los MOS.

En M
1
y en M
2.
V
GS1
=V
G1
-V
S1
=0 -(-5) =5 >V
t1
=3 Voltios

V
GD1
=V
G1
-V
D1
=0 - 10 =-10 <V
t1
=3Voltios luego cumple las
condiciones de la zona activa.

En el M
3
V
GS3
=0 >V
t3
=-2 Voltios y

V
GD3
=V
G3
-V
D3
=-10-(-5)=-5 <V
t3
=- 2V Luego est en zona Activa.

V
DS1
=V
D1
-V
S1
=10 -(-5) =15 Voltios V
DS3
=V
D3
- V
S3
=-5 -(-10) =5 Voltios

El punto de funcionamiento de M
1
y M
2
es (V
DS
=15 Voltios, I
D
=0.1mA)

El punto de funcionamiento de M
3


es (V
DS
=5 Voltios, I
D
=0.2mA)


M
1
y M
2
disipan la misma potencia ya que circulan por ello la misma intensidad y
tienen la misma tensin entre drenador y sumidero y esta es:

P
1
=P
2
=I
D
V
DS1
=0.1 15 =1.5 mW.

En M
3
Tenemos P
3
=I
D3
V
DS3
=0.2 5 =1 mW.


















Transistores C.C.
24
12.2- En El circuito de la figura calcular el punto de funcionamiento de los MOS,
siendo sus parmetros k
2
= 2 mA/V
2
, V
t2
= 2 Voltios, k
1
= 4.5 mA/V
2
y V
t1
= 1 Voltios,
para los diferentes valores de la entrada V
GG
.
.
En el Circuito de la figura cumple:
V
DS1
+V
DS2
=9 Voltios I
D1
=I
D2
=I
D


V
GD2
=0 <V
t2
=2 Voltios luego solo puede estar en activa o corte.

Cuando V
GS1
=V
GG
<V
t1
=1 Voltios el dispositivo estar en corte lo mismo que
M
2.

I
D
=0mA

Cuando se inicia la zona hmica es lo que vamos a calcular:

V
GG
>V
t1
=1 Voltios el dispositivo entra en la zona activa u hmica , en la zona activa se
cumple:

2
) (
t GS D
V V k I = ,
2 1 D D
I I = ,
2 2
2
) 1 ( 5 . 4 ) 2 ( 2 =
GG GS
V V extrayendo la raz cuadrada
a ambos miembros nos queda (se ha multiplicado por dos ambos miembros de la ecuacin y
despus se ha calculado la raz cuadrada): ) 1 ( 3 ) 2 ( 2
2
=
GG GS
V V
y V
GS2
=(9 -V
D1
) de esta dos ecuaciones obtenemos:

2
3 17
1
GG
D
V
V

= ahora podemos saber para que valores de V
GG
est en la zona activa.

En activa V
GD1
<V
t

1 1 1 D G GD
V V V = 1
2
3 17
<

GG
GG
V
V
luego V
GG
<3.8 Voltios

Cuando 1<V
GG
<3.8 Voltios los dispositivos est en la zona activa.

Y sus puntos de funcionamientos son:
2
3 17
1
GG
DS
V
V

= ,
2
) 1 ( 5 . 4 =
GG D
V I


0
M1
S
M2
D
V1
VGG
I
D
9V
G2
G1
D2
S1
S2
D1
Transistores C.C.
25

2
3 17
9
2
GG
DS
V
V

= ,
2
) 1 ( 5 . 4 =
GG D
V I

Cuando V
GG
> 3.8 Voltios M1 en saturacin y M2 en la zona 0hmica.
Cumplindose:

2
1
2
2
2
1 1
2
) 2 9 (
2
4
) 2 ( 2 } ) 1 ( 2 { 5 . 4 } ) {( = = = =
DS DS DS DS GG DS DS t GS D
V V V V V V V V V k I

de esta ecuacin obtendramos 0 196 ) 18 38 ( 13
1
2
1
= + +
GG DS DS
V V V

Donde se calcula V
DS1,
y con ello todos los dems valores. Hagamos un ejemplo concreto

por ejemplo V
GG
=5 Voltios.

0 196 ) 18 38 ( 13
1
2
1
= + +
GG DS DS
V V V 0 196 128 13
1
2
1
= +
Ds DS
V V

=

=
13 2
196 13 4 128 128
2
1 DS
V 7,95 Voltios y 1,90 Voltios ambos valores no son
correctos slo uno de ellos.

Como V
GD1
>V
t1
(V
G1
-V
D1
) >V
t1
(5 - V
D1
)>1 V
D1
<4 luego el valor que

cumple solo es el de V
DS1
=1,90 Voltios. Y V
DS2
=9 - V
DS1
=9 - 1.9 =7.1 Voltios

mA V V k V V k I
t DS t GS D
02 . 52 ) 2 1 . 7 ( 2 ) ( ) (
2 2
2 2
2
= = = = luego el punto de
funcionamiento son:

M
1
(V
DS1
,I
D1
) (1,90 Voltios, 52.02mA) y M
2
(V
DS2
,I
D2
) (7.1 Voltios,
52.02mA)














Transistores C.C.
26




13.2.- El transistor unipolar de la figura posee las siguientes caractersticas V
t
=
3Voltios y k=2mA/V
2
. Se desea que en corriente continua el sumidero tome un valor de
V
DD
/2 con una corriente de drenador de 2 mA. a) Encuentre los valores de tensin de
puerta a masa y la resistencia R
s
de sumidero s V
DD
= 12V.
a) Suponiendo que R
s
= 5 K determine que margen de valores tiene que tener la
tensin de puerta a masa para que el dispositivo se encuentre en la zona ohmica.











Las ecuaciones que podemos expresar en el circuito son las siguientes:


S DS DD
V V V + = ;
S D SS S SS GS
R I V V V V = = ;
2
) (
t GS D
V V k I =

Esta ltima para zona activa:

Segn los datos del problema podemos escribir:

Voltios
V
V
DD
s
6
2
12
2
= = = = = = K
I
V
R
D
S
S
3
2
6


2 2 2
) 3 6 ( / 2 2 ) ( V V V V mA mA V V V k I
SS t S SS D
= = =

despejando V
SS
obtenemos: 9
2
2
=
SS
V luego V
SS
=10 Voltios.

b) Para que se encuentre en la zona ohmica tiene que cumplirse que:

V
GS
>V
t
V
GD
>V
t
y en nuestro caso V
GS
es siempre mayor que V
GD


Ya que: V
GD
=V
SS
V
DD
y V
GS
=V
SS
V
S
y siempre cumple que V
DD
>V
S


Luego nuestro problema queda resuelto con tal que cumpla que V
GD
>V
t


M1
0
Rs
VDD
Vss
S
G ID
D
Transistores C.C.
27
V
GD
=(V
SS
- V
DD
) >V
t
V
SS
>(V
t
+V
DD
) =3 +12 =15 Voltios.

Luego cuando V
SS
>15 V El dispositivo estar en saturacin.











































Transistores C.C.
28
14.2.- En el circuito de la figura las resistencias R
1
, R
2
y R
D
, tienen un valor de 1K y
su alimentacin V
DD
= 10V. a) Calcular el punto de trabajo del NMOs si k=5 mA/V
2
y V
t
=
4,5 Voltios.
b)Se desea calcular el valor de V
t
y k realizando las siguientes medidas: 1) variando la
tensin V
DD
desde cero Voltios empieza a conducir con un valor de 6 Voltios. 2) Y con un
valor de 10 Voltios se obtiene una tensin de drenador a sumidero de 5 Voltios.

Sabemos que por la puerta no circula intensidad.

Las ecuaciones que podemos expresar en el
circuito son las siguientes:

V
DD
=(I
D
+I
1
)R
D
+V
DS


V
DS
=I
1
(R
1
+R
2
) V
GS
=I
1
R
2

a) Para que el transistor est en la zona
ohmica o activa necesita que se cumpla:

V
GS
>V
t
siendo las tres resistencias iguales se cumple que V
GS
=V
DS
/2,

Siendo V
t
=4,5 Voltios, se necesita una tensin como mnimo de V
DS
de

9 Voltios lo cual es imposible ya que por la resistencia de R
D
debe circular una
intensidad de I
1
+I
D
.(y el valor de I
1min
=9V/2K=4.5 mA. que la tensin a travs
de la resistencia R
D
es de 4,5 V lo cual es imposible, ya que la mxima es de
1V).
Si repartimos la tensin de 10 Voltios entre las tres resistencia iguales resulta que a
cada una le corresponde una tensin de 3,33 Voltios, es decir:

V
GS
=3,33 Voltios El dispositivo en corte
V
DS
=6,66 Voltios y la intensidad I
D
=0 mA.

b) El dispositivo empieza a conducir cuando V
t
=V
GS
lgicamente en la zona
ohmica.


t
DD
GS
V Voltios
V
V = = = = 2
3
6
3

Cuando V
DD
= 10 Voltios vamos a suponer que se encuentra en la zona de
saturacin y apliquemos las formulas y despus comprobemos lo anterior mente supuesto.

t
DS
GS
V Voltios
V
V > = = = 5 , 2
2
5
2
luego en saturacin o ohmica

mA
R
V V
I I
D
DS DD
D
5
1
5 10
1
=

= + mA
R R
V
I
DS
5 , 2
1 1
5
2 1
1
=
+
=
+
=

R1
M1
R2
RD
I1
ID
VDD
I1+ID
D

S

G
Transistores C.C.
29

luego mA I I
D
5 , 2 5 , 2 5 5
1
= = =

Ahora Voltios V Voltios R I V
t GD
5 , 2 5 , 2 1 5 , 2
1 1
= < = = = luego el dispositivo se
encuentra en la zona de saturacin o activa.

Vamos a calcular el valor de k del dispositivo:

2
) (
t GS D
V V k I = en zona de saturacin


2
2 2
/ 10
25 , 0
5 , 2
) 2 5 , 2 (
5 , 2
) (
V mA
V V
I
k
t GS
D
= =

=


Las caracterstica del dispositivo son: V
t
=2Voltios y k =10 mA/V
2
.






























Transistores C.C.
30
15.2- El Transistor FET de la figura tiene un valor de
2
/ 5 . 2 V mA = y V
p
= 2
Voltios
Calcular el punto de funcionamiento.

El FET es de canal P, luego la polarizacin realizada es la correcta.
Si est en la zona activa tiene que cumplir:
V
GS
<V
p
V
GD
>V
p

2
) (
p GS D
V V I =

En el circuito tenemos: V
GS
=I
D
R
S
=I
D
0.39


2 2
) 2 ( 5 . 2 ) ( = =
GS p GS D
V V V I
Tenemos dos ecuaciones con dos incognitas:


2
) 2 ( 5 . 2
39 . 0
=
GS
GS
V
V
0 9 . 3 9 . 4 975 . 0
2
= +
GS GS
V V

Voltios y Voltios V
GS
99 . 0 04 . 4
95 . 1
21 . 15 01 . 24 9 . 4
=

=
ambas soluciones no son correctas slo una de ellas. Y en este caso es 0.99 por ser inferior
a V
p
=2 Voltios.

mA
V
I
GS
D
54 . 2
39 . 0
99 . 0
39 . 0
= = =

V
S
=-I
D
R
S
=-2.540.39=V
SG
=-V
GS
=-0.99 Voltios V
GS
=0.99 Voltios

V
D
=-V
DD
+I
D
R
D
=-9 +2.542=-3.92 Voltios

V
GD
=V
G
-V
D
=0 - (-3.92) =3.92 Voltios que es mayor que V
P
=2 Voltios luego est en la
zona activa.

Su punto de funcionamiento es: V
DS
=V
D
-V
S
=-3.92 - (-0.99) =-2.93 Voltios y su
intensidad I
D
=2.54 mA.


0
0
I
D
D
2k
S
0.39K
G
9V
R
D
R
S
Transistores C.C.
31
16.2.- En el circuito de la figura los FET tiene unos parmetros iguales de V
P
= -3
Voltios, =0.222 mA/V
2
. Indicar en que estado se encuentran los FET , calculando sus
puntos de funcionamiento.
En el circuito de los dos FET de canal N, podemos poner las siguientes ecuaciones:

I
D1
=I
D2
=I
D
V
DD
=V
DS2
+I
D
R +V
DS1
10 =V
DS2
+I
D
1 +V
DS1


En J
1
se cumple V
GS1
=0 >V
P
=-3, luego se encuentra en la zona activa u ohmica.
Supongamos que se encuentra en la zona Activa. (Ecuacin de la zona activa).

I
D
=( V
GS1
-(-V
P
))
2
=0.222(0+3)
2
=2 mA.

Cumpliendo la misma ecuacin en J
2
, si lo suponemos tambin que est en la zona
activa, por tener iguales parmetros, entonces llegamos que V
GS1
=V
GS2.


V
GS2
=V
GG2
- V
S2
; V
S2
=V
G2
- V
GS2
=6.5 - 0 =6.5 Voltios.

La cada de tensin a travs de la resistencia es: V
R
=I
D
R =2 1 =2 Voltios.

Con todos estos datos tenemos, las diferentes tensiones en los diferentes puntos del
circuito.
V
D2
=10 Voltios V
S2
=6.5 Voltios V
D1
=V
S2
- V
R
=6.5 - 2 =4.5 Voltios.

Comprobemos que estn en la zona activa ambos, tiene que cumplirse que:

V
GS
>V
P
esta condicin se cumple y que V
GD
<V
P.


V
GD2
=V
G2
- V
D2
=6.5 - 10 =-3.5 Voltios luego cumple

V
GD1
=V
G1
- V
D1
=0 - 4.5 =-4.5 Voltios luego cumple, se encuentran ambos en zona
activa.

Sus puntos de funcionamiento son: J
1
(3,5Voltios, 2 mA) y J
2
(4.5 Voltios, 2 mA).
0
0
J 1
J 2
I
D
1k
S 1
2,2M
S 2
6.5V
D 1
10V
V D D
V G G 2
R
G 1
G 2