1

CLASE PRCTICA 2 RESUELTA. PLAN D

PROBLEMAS DE POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

Sumario:
1. Introduccin.
2. Solucin de problemas.
3. Conclusiones.

Bibliografa:
1. Rashid M. H. Circuitos Microelectrnicos. Anlisis y diseo, pag. 186-188 y 192-196.

Objetivos:
Que los estudiantes ejerciten el clculo del punto de operacin y la potencia disipada empleando
diferentes mtodos de solucin, y la obtencin de la lnea de carga esttica del BJT.
Profundizar en el principio de operacin del regulador de voltaje serie y realizar los clculos de
sus principales variables.
Problemas:
1. En el circuito mostrado en la figura 1, calcule:
a) El punto de operacin del transistor. Represente el
punto de operacin y la lnea de carga esttica en la
caracterstica de salida.
b) La potencia que se disipa en el colector del
transistor en reposo y la potencia que entrega la
batera V
CC
.
c) El valor mximo de R
C
con el cual el transistor
permanece trabajando en la regin activa.

Datos:
F
= h
FE
= 150; V
BE
= 0,7 V; V
BE sat
= 0,8 V;
V
CE sat
= 0,1 V e I
CO
= 0.

Fig. 1: Problema 1.
Respuesta:
a) El punto de operacin del transistor bipolar se caracteriza por la I
BQ
, I
CQ
y el V
CEQ
. Este es un
circuito autopolarizado. Para calcular el punto de operacin se abre el circuito como se muestra y se
sustituye por una fuente referida a tierra en serie con una resistencia equivalente aplicando el Teorema
de Thevenin.

2

2
TH CC
1 2
R
50
V V 12 3, 53 V
R R 120 50
= = =
+ +

1 2
TH B 1 2
1 2
R R
120 50
R R R R 35, 29 k
R R 120 50

= = = = =
+ +

EL VOLTAJE DE THEVENIN SIEMPRE EST REFERIDO A TIERRA
El transistor bipolar puede trabajar en activa, saturacin o corte. Se supondr que el transistor est
operando en la zona de activa:

Aplicando LKV en I (malla en a base del transistor):
( )
TH B B BE E E
V I R V I R 0 1 + + + =

pero
E B C
I I I = + e
( )
F B F C CO
I I 1 I = + +
luego
( )
E F B
I 1 I (2) = +
Sustituyendo (2) en (1) nos queda que:
( )
TH B B BE F B E
V I R V 1 I R 0 + + + + =
Despejando la corriente de I
B
:
( )
( )
TH BE
B
B F E
V V
3,53 0,7
I
35,29 1 150 1,5 R 1 R

= =
+ + + +

De donde:
BQ
I 0, 010 mA 10 A = =

F CQ BQ
I I 150 0, 01 1, 5 mA = = =
Aplicando LKV en II (malla de salida) para calcular el valor de V
CEQ
:
E CC CQ C CEQ EQ
V I R V I R 0 + + + =

0

3
Como
F E C
150 1 I I = >> de donde:

( )
E CC CEQ CQ C
V V I R R 0 + + + =

( ) ( )
E CEQ CC CQ C CE sat
V V I R R 12 1, 5 5 1, 5 2, 25 V V 0,1 V Activa = + = + = > =
( )
BQ CQ CEQ
R/ Punto de Operacin: Q I 10 A; I 1, 5 mA; V 2, 25 V = = =
Para representar el punto de operacin y la lnea de carga esttica en la caracterstica de salida del BJT,
a partir de la LKV obtenida en la malla II, despejamos la I
C
en funcin del V
CE
:
E E CC C C CE
V I R V I R 0 + + + =
Como
F E C
150 1 I I = >> , de donde:
( )
E CC CE C C
V V I R R 0 + + + =
y al despejar I
C
nos queda que:
CE CC
C
E E C C
V V
I
R R R R
= +
+ +

Si
C CE CC
I 0 V V = =
Si
CC
CE C
E C
V
V 0 I
R R
= =
+



b) Potencia que se disipa en el colector del transistor bipolar:
C CQ CEQ
2 R / P I V 1, 5 , 25 3, 375 mW
max
= = =
Potencia que entrega la batera:
( ) ( )
CC CC CC CC CQ 1 CC CQ 1
P V I V I I ya que I I I = = + = +

4

Aplicando una LKV como se muestra en la figura de la
izquierda se podr calcular el valor de I
1
:
BE E E CC 1 1
V I R V I R 0 + + + =
pero al ser
F E C
150 1 I I = >>
BE E CC 1 1 C
V I R V I R 0 + + + =
y al despejar I
1
nos queda que:
BE E CC C
1
1
V V I R
12 0,7 1,5 1,5
I 75 A
R 120


= = =
Luego:
( )
( )
CC CC CQ 1
R / P V I I 12 1, 5 0, 075 18, 9 mW = + = + =
c) A partir de la lnea de carga esttica representada en la caracterstica de salida, se puede observar que
si se aumenta el resistor R
C
disminuye el V
CE
corrindose el punto de operacin hacia la zona de
saturacin sin variar el valor de I
CQ
. El valor mximo de R
C
(R
Cmax
) se calcula cuando el transistor
alcanza el lmite de la regin de saturacin, al hacerse V
CE
= V
CEsat
.

De la malla de salida nos queda que:
( )
E F CC C C max CE sat CQ EQ CQ
V I R V I R 0 Al ser 150 1 I I + + + = = >>
y al despejar nos queda que:
E CC CE sat CQ
C max
CQ
V V I R
12 0,2 1,5 1,6
R 6, 36 k
I 1,5


= = =
C max
R / R 6, 36 k =

2. En el circuito mostrado en la figura 2,
calcule R
1
para que I
E
= 2 mA.

Datos:
F
= h
FE
= 50; V
BE
= 0,7V;
V
BE sat
= 0,8V; V
CE sat
= 0,2V; I
CO
= 0.


Fig. 2: Problema 2.

5
Respuesta:
Suponiendo que el transistor est trabajando en la zona de activa:

Aplicando LKC en el nodo B:
B 1 2
I I I 0 + + =
despejando I
1
:
B 1 2
I I I = + (1)
pero al ser
E B C
I I I = +
donde
( )
F B F C CO
I I 1 I = + +
luego
E B B F B C
I I I I I = + = +
y al despejar I
B
nos queda que:
E
B
F
I
2
I 0, 039 mA
1 50 1
= = =
+ +

Aplicando LKV en la malla I podremos calcular el valor de I
2
:
BE E E 2 2
I R V I R 0 + + = (2)
despejando I
2
:
BE E E
2
2
V I R
0,7 2 0,1
I 0, 032 mA=32 A
R 28

+
+
= = =
luego al sustituir los valores de I
B
e I
2
en (1) obtenemos que:

1
I 0, 039 0, 032 0, 071 mA = + =
Aplicando LKV en la malla II podremos calcular R
1
:
CC C 1 1 2 2
V I R I R I R 0 + + + = (3)
Pero nos hace falta el valor de la corriente que circula por R
C
. la cual se puede calcular aplicando una
LKC en el nodo:
1 C
I I I 0 + + =
despejando I
1
nos queda que:
1 C
I I I = + (4)
pero
E B C
I I I 2 0, 039 1, 96 mA = = =
luego al sustituir I
C
e I
1
en (4) obtenemos que:
1 C
I I I 0, 071 1, 96 2, 03 mA = + = + =
y al despejar R
1
en (3) nos queda que:
CC C 2 2
1
1
V I R I R
12 2, 03 3,3 0, 032 28
R 62, 04 k
I 0, 071


= = =
Aplicando LKV en la malla III para comprobar que el transistor est en activa:
E E CC C CE
V I R V I R 0 + + + =

0

6
y al despejar V
CE
nos queda que:
E E CE CC C
V V I R I R =
CE CE sat
V 12 2, 03 3,3 2 0,1 5,1 V V 0, 2 V Esta en activa = = > =
1
R / R 62 k =

3. En el regulador de voltaje serie de la figura 3:
a) Explique su principio de operacin y comprelo con el
regulador paralelo.
b) Calcule el punto de operacin del transistor.
c) Calcule las potencias disipadas en el Zener y en el colector
del transistor.
d) Calcule la potencia P
CD
entregada por la batera.
e) Para el caso que V
CC
= V
NR
= 12V 1V, calcule el valor
mximo de R
S
para que el Zener se mantenga dentro de la
regin de regulacin.
Datos: Q:
F
= h
FE
= 100; V
BE
= 0,7 V; V
BE sat
= 0,8 V;
V
CE sat
= 0,2 V; I
CO
= 0.
D
Z
: V
ZO
= 5,7V; I
ZK
= 2 mA; R
Z
= 0.

Fig. 3: Problema 3.
a) El regulador de voltaje paralelo ya estudiado es el circuito de este tipo ms sencillo; presenta como
deficiencia la de ser baja la corriente y la potencia que puede entregar en su salida, limitado por la
capacidad del Zener empleado.

El regulador de voltaje serie con diodo Zener mostrado a
continuacin mejora esta deficiencia, pues el transistor
que est conectado en serie con la carga R
L
es el
encargado de entregar la corriente de salida I
L
.


Si se abre la carga se hace I
L
= 0, pero la corriente por el Zener no crece bruscamente como ocurre con
el regulador paralelo. Esto se debe a que el transistor opera en la regin activa, por lo que su I
B
= I
L
/
F
.
Como
F
>> 1, an para caso peor en que se est entregando la mxima corriente a la carga, la I
B
ser
relativamente baja. Desde el punto de vista del diseo, esto provoca que la disipacin de potencia
mxima en el Zener sea baja y no sea una limitante como lo es para el caso del regulador paralelo.

El principio de operacin de este regulador serie se basa en la utilizacin de un Zener como referencia
interna, con un voltaje V
Z
que es independiente de las variaciones de V
NR
y de I
L
. Si se analizan estas
dos variaciones en forma independiente, para el caso en que R
L
sea constante y se vara V
NR
: se
observa de las expresiones anteriores, que I
CQ
e I
BQ
se mantienen casi constantes, pero al crecer V
NR

aumentan I
RS
e I
Z
. La lnea de carga se desplaza hacia la derecha con la misma pendiente, por lo que
V
CEQ
crece y contrarresta la posible variacin de V
NR
manteniendo a V
O
casi constante. En el caso en
que V
NR
se mantenga constante y se vare a R
L
: si R
L
decrece, I
CQ
e I
BQ
aumentan pero I
Z
disminuye.
En la caracterstica de salida del transistor, la lnea de carga incrementa su pendiente pero mantiene el
intercepto en V
NR
que no cambia. El valor de V
CEQ
se mantiene casi constante pues V
O
apenas vara.

7
b) Suponiendo que el diodo tener est en ruptura, V
ZO
= 5,7 V y la I
Z
debe ser mayor que I
ZK
. Como
R
Z
= 0 y suponiendo que el transistor est en activa, al aplicar unas LKV en I (la base del transistor) se
obtiene que:

BE E E ZO
V V I R 0 + + =
despejando la corriente I
E
:
BE ZO
E
E
V V
5,7 0,7
I 100 mA
R 0,05

= = =
pero
E B C
I I I = + y al ser
F
1 >>
E C
I I
luego
CQ
I 100 mA =
( )
F B F C CO
I I 1 I = + +
CQ
BQ
F
I
100
I 1 mA
100
= = =
Aplicando LKV en la malla II calcularemos el V
CEQ
:
E E CC CEQ
V V I R 0 + + =
y al despejar V
CE
nos queda que:
E E CEQ CC CE sat
V V I R 10 100 0,05 5 V V 0, 2 V Q est en Activa = = = > =
( )
BQ CQ CEQ
R/ Punto de Operacin: Q I 1 mA; I 100 mA; V 5 V = = =
c)
Z Z Z ZO
P I V ya que R 0
max
= =
Aplicando LKC en A podremos calcular el valor de I
Z
:
Z B Z B 1 1
I I I 0 I I I + + = = (1)
Clculo de I
1
: Aplicando LKV en la malla III podremos calcular I
1
:
CC ZO
CC 1 S ZO 1
S
V V
10 5,7
V I R V 0 I 8, 6 mA
R 0,5

+ + = = = =
Luego sustituyendo en (1) obtenemos que:
Z ZK
I 8,6 mA 1 mA 7, 6 mA I 2 mA El Zener regula = = > =
R/
Z Z ZO
CEQ C CQ
P I V 7,6 5,7 43, 3 mW
P I V 0,1 5 0, 5 W
max


= = =
= = =

d)
( )
( )
CC CC 1 CQ
R / P I I 10 8, 6 100 1, 086 W V = = + = +

0

8
e) Si V
CC
= V
NR
= 12V 1V, el valor mximo de R
S
para que el Zener se mantenga dentro de la regin
de regulacin se calcula para la peor condicin que es cuando V
NR
= V
min inst
= 11 V, I
Z
min inst
= I
ZK
y
la corriente de la carga es mxima (en este caso
E
F
I

).
ZO min inst
S max
E
ZK
F
V V
11 5,7
R 1, 767 k
I 100
2
I
100

= = =
+
+
(R
Z
= 0)
S max
R/ R 1, 767 k =
4. En el circuito de la figura 4, calcule el punto de
operacin y la potencia disipada en colector del
transistor en reposo.

Datos:
F
= h
FE
= 100; V
BE
= 0,7V; V
CEsat
= 0,1V
y I
CO
= 0.

Fig. 4: Problema 4.

Respuesta:

Este circuito tiene la caracterstica de que el
transistor nunca estar en saturacin ya que el
colector es ms positivo que la base del transistor.
Suponiendo que el transistor est en activa:

Aplicando LKV en la malla I obtenemos que:
( )
B B B BE E E CC C C
V I I R I R V I R 0 + + + + + =
( )
B B BE E E CC C C C
V R R I I R V I R 0 + + + + + =
Al ser
E B C
I I I = + e
( )
F B F C CO
I I 1 I = + +
luego
( )
E B F B C
I I I 1 I = + = +
( ) ( )
B B F B BE F B E CC C C
V R R I I R V 1 I R 0 + + + + + + =
( ) ( )
B F E B BE CC C
V R 1 R R I V 0

+ + + + + =


0

9
Despejando la I
B
:
( ) ( )
( ) ( )
BE CC
BQ
B F E C
V V
12 0,7
I 27, 35 A
100 101 3 0,1 R 1 R R

= = =
+ + + + +

F CQ BQ
I I 100 0, 2735 2, 735 mA = = =
Aplicando LKV en la malla II calcularemos el V
CEQ
:
( ) ( )
E CC CQ BQ C CEQ CQ BQ
V I I R V I I R 0 + + + + + =
( ) ( )
E CEQ CC CQ BQ C CQ BQ
V V I I R I I R = + +
( ) ( )
CEQ
V 12 2,735 0,02735 3 2,735 0,02735 0,1 3, 44 V 0, 2 V Q est en Activa = + + = >
( )
BQ CQ CEQ
R/ Punto de Operacin: Q I 27, 35 A; I 2, 735 mA; V 3, 44 V = = =
C CQ CEQ
3 R/ P I V 2, 735 , 44 9, 44 mW = = =
5. En el circuito de la figura 5, calcule el punto de
operacin y la potencia disipada en colector del
transistor en reposo.

Datos:
F
= h
FE
= 200; V
EB
= 0,6 V; V
EC sat
= 0,1 V
e I
CO
= 0.

Fig. 5: Problema 5.
Respuesta:

Suponiendo el transistor en activa y aplicando LKV en
la malla I calcularemos la I
BQ
:
( )
EB B CC BQ CQ BQ
V V I R I I R 0 + + + + = (1)

pero
( )
F B F C CO
I I 1 I = + + (2)
luego al sustituir (2) en (1) nos queda que:
( )
EB B F CC BQ BQ
V V I R 1 I R 0 + + + + =

despejando I
BQ
obtenemos que:
( )
EB CC
BQ
B F
V V
I 14, 36 A
R 1 R

= =
+ +

F CQ BQ
I I 200 0, 01436 2, 87 mA = = =
Aplicando LKV en la malla II calcularemos el V
ECQ
:
0

10
( )
CC ECQ CQ BQ
V V I I R 0 + + + =
( )
( )
ECQ CC CQ BQ
V V I I R 15 2,87 0,01436 3 6, 34 V 0,1 V Q est en Activa = + = + = >
( )
BQ CQ ECQ
R/ Punto de Operacin: Q I 14, 36 A; I 2, 87 mA; V 6, 34 V = = =
C CQ ECQ
P I V 2, 87 6, 34 18, 21 mW = = =
C
R/ P 18, 21 mW =

6. En los circuitos de la figura 6a) y 6b), calcule el punto de operacin y la potencia disipada en
colector del transistor en reposo.

Datos:
F
= h
FE
= 260; V
BE
= 0,6 V; V
CE sat
= 0,1 V y I
CO
= 0.


Fig. 6: Problema 6.
Respuesta del circuito de la figura 6 a):
En alterna los condensadores se tienen en cuenta para el anlisis dinmico, cuando se hace el anlisis
esttico (directa) para calcular el punto de operacin, estos se abren. Suponiendo el transistor en activa:


11

LA FUENTE DE THEVENIN SIEMPRE EST REFERIDA A TIERRA!!
Primera forma de calcular el V
TH
:
( )
2
TH R EE R EE CC
1 2
2 2
R
V V V y V V V
R R
= = +
+

( )
2
TH EE EE CC
1 2
R
36
V V V V 14 7 4, 67 V
R R 180 36
= + = =
+ +

Segunda forma de calcular el V
TH
: (Aplicando superposicin)
2 1
TH EE CC
1 2 1 2
R R
36 180
V V V 7 7 4, 67 V
R R R R 180 36 180 36
= = =
+ + + +

1 2
TH B 1 2
1 2
R R
180 36
R R R R 30 k
R R 180 36

= = = = =
+ +

Aplicando LKV en I (malla en a base del transistor):
( )
TH B B BE E E EE
V I R V I R V 0 1 + + + =

pero
E B C
I I I = + e
( )
F B F C CO
I I 1 I = + + , luego
( )
E F B
I 1 I (2) = +
Sustituyendo (2) en (1) nos queda que:
( )
TH B B BE F B E EE
V I R V 1 I R V 0 + + + + =
Despejando la corriente de I
B
:
( )
( )
EE TH BE
B
B F E
V V V
7 4, 64 0,6
I 3, 87 A
30 1 260 1,6 R 1 R


= = =
+ + + +

F CQ BQ
I I 260 0, 00387 1 mA = = =
Aplicando LKV en II (malla de salida) para calcular el V
CEQ
:
E E EE CC C C CE
V I R V I R V 0 + + + =
pero al ser
F E C
260 1 I I = >> luego:
( )
E EE CC CEQ CQ C
V V I R R V 0 + + + =

0

12
y al despejar V
CEQ
nos queda que:
( )
EE E CEQ CC CQ C
V V V I R R = + +
( )
CEQ CE sat
V 7 7 1 7, 5 1, 6 4, 9 V V 0,1 V Activa = + + = > =
( )
BQ CQ CEQ
R/ Punto de Operacin: Q I 3,87 A; I 1 mA; V 4, 9 V = = =
C CQ ECQ
R / P I V 1 4, 9 4, 9 mW = = =
Respuesta del circuito de la figura 6 b):
( )
BQ CQ CEQ
R/ Punto de Operacin: Q I 3, 97 A; I 1 mA; V 10 V = = = y
C
R / P 10 mW =
7. a) Se desea disear un circuito de polarizacin de transistor como el que se ilustra en la figura 1.
Use un transistor 2N2222, para el cual se tiene que:
mnimo
= 100;
nominal
= 173; I
S
= 3,3 10
14

A y V
A
= 100 V. La corriente de operacin del colector se tiene que ajustar a I
CQ
= 1 mA. La fuente
de alimentacin de CD es V
CC
= 9 V. Supngase V
BE
= 0.7 V en la regin activa y que
F
=
f
.
b) Calcule los parmetros de seal pequea r

, g
m
y r
o
del transistor.

Respuesta:

a) Diseo del circuito de polarizacin empleando un autopolarizado:
1
er
Paso: Clculo de
F
, I
E
e I
B
:
F
F
F

100
0, 99
1 1 100
= = =
+ +

( )
C C
E B CO
F F
I I
1 1
I 1, 01 mA 1 mA e I 0, 01 mA I 0
0, 99 100
= = = = = = =
2
do
Paso: Clculo de V
E
, R
E
y la disipacin de potencia de R
E
:
CC E
E E
E
V V
9 3
V 3 V R 2, 97 k 3 k
3 3 I 1,01
= = = = = =
( )
E
2
2
R E E
P I R 1, 01 3 3, 06 mW = = =
3
er
Paso: Clculo de V
CE
:
CC
CE
V
9
V 3 V
3 3
= = =
4
to
Paso: Clculo de R
CE
y su disipacin de potencia:
E C C CC CE C
C
3 3
I R V V V 9 3 3 3 V R 3 k
I 1
= = = = = =
( )
C
2
2
R C C
P I R 1 3 3 mW = = =
5
to
Paso: Clculo de R
TH
y V
TH
:
( ) ( )
F E
TH
1 R
1 100 3
R 30, 3 k
10 10
+
+
= = =

13
TH B TH BE E
V I R V V 3 0, 7 0, 01 30, 3 4 V = + + = + + =
6
to
Paso: Clculo de R
1
y su disipacin de potencia:
TH CC
1
TH
R V
30, 3 9
R 68,175 k
V 4

= = =
( ) ( )
1
2
2
TH CC
R
1
V V
9 4
P 0,37 mW
R 68,175

= = =
7
to
Paso: Clculo de R
2
y su disipacin de potencia:
TH CC
2
TH CC
R V
30, 3 9
R 54,54 k
V V 9 4

= = =


( )
2
2
2
TH
R
2
V 9
P 1,49 mW
R 54,54
= = =
b) Clculo de los parmetros de seal pequea r

, g
m
y r
o
del transistor:

F T
CQ
V
100 25,8
25,8 k
I 1
r

= = = ,
CQ
m
T
I
1
38, 76 mS
V 25,8
g = = = ,
A
O
CQ
V
100
100 k
I 1
r = = =
8. En el circuito mostrado en la figura 8, calcule:
a) El punto de operacin del transistor y la potencia
que disipa el transistor en reposo.
b) El valor mximo de R
C
con el cual el transistor
permanece trabajando en la regin activa.
c) Represente el punto de operacin y la lnea de
carga esttica en la caracterstica de salida del
transistor.

Datos:
F
= h
FE
= 100; V
BE
= 0,6 V; V
BE sat
= 0,8 V;
V
CE sat
= 0,2 V e I
CO
= 0.

Fig. 8: Problema 8.
Respuesta:
a)
( )
BQ CQ CEQ C
Punto de Operacin: Q I 12, 3 A; I 1, 23 mA; V 1, 85 V y P 2, 28 mW = = = =
b)
C max
R 4, 34 k =

14
9. En el circuito mostrado en la figura 9, se conoce que
I
CQ
= 2 mA; V
RE
= 6 V y
F
= h
FE
= 100. Determine:
a) El punto de operacin del transistor y la regin de
trabajo del mismo.
b) El valor de R
E
y R
B
.
c) Represente el punto de operacin y la lnea de
carga esttica en la caracterstica de salida del
transistor.

Datos: V
BE
= 0,7 V; V
BE sat
= 0,8 V; V
CE sat
= 0,2 V
e I
CO
= 0.

Fig. 9: Problema 9.
Respuesta:
a)
( )
BQ CQ CEQ
Punto de Operacin: Q I 20 A; I 2 mA; V 9, 96 V Activa = = =
b)
E B
R 2, 97 k y R 463 k = =
10. En el regulador de voltaje serie de la figura 10:
a) El valor mximo de R
S
para que el diodo zener regule
adecuadamente si I
ZK
= 5 mA y R
E
= 5 k.
b) Las resistencias R
C
y R
E
para fijar una corriente de
colector de I
C
= 1 mA y V
CE
= 5 V.

Datos: Q:
F
= h
FE
= 100; V
BE
= 0,7 V; V
BE sat
= 0,8 V;
V
CE sat
= 0,2 V; I
CO
= 0.
D
Z
: V
ZO
= 8,7V; I
ZK
= 5 mA y R
Z
= 0.

Fig. 10: Problema 10.
Respuesta:
a)
B max
R 2, 253 k =
b)
E C
R 2, 921 k y R 7 k = =

11. En el circuito de la figura 11 se muestra dos
transistores trabajando en la regin de activa con

F1
= h
FE1
= 100 y
F2
= h
FE2
= 50. Determine el punto
de operacin de cada transistor.

Datos: V
BE1
= V
BE2
= 0,7 V; V
BEsat1
= V
BEsat2
= 0,8 V;
V
CEsat1
= V
CEsat2
= 0,2 V; I
CO1
= I
CO2
= 0.


15
Fig. 11: Problema 11.
Respuesta:
1 BQ CQ CEQ
2 BQ CQ CEQ
1 1 1
2 2 2
Punto de Operacin: Q I 28, 88 nA; I 2, 888 A; V 8, 428 V
Q I 2, 916 A; I 145, 8 A; V 8, 982 V

= = =



= = =





12. En el circuito de la figura 12, el transistor Q
1
siempre
est en activa.
a) Halle el punto de operacin del transistor Q
2
.
b) Determine a partir de qu valor de R
E1
el transistor
Q
2
est saturado.

Datos: V
EB1
= V
BE2
= 0,7 V; V
EB1 sat
= V
BE2 sat
= 0,8 V;
V
EC1 sat
= V
CE2 sat
= 0,2 V; I
CO1
= I
CO2
= 0;

F1
= h
FE1
=
F2
= h
FE2
= 50; V
ZO
= 5,7 V y
R
Z
= 0

Fig. 12: Problema 12.
Respuesta:
a)
( )
2 2 2
2 BQ CQ CEQ
Punto de Operacin: Q I 4, 9 mA; I 98 mA; V 10, 2 V = = =
b)
E1
R 495,15