POLARIZACION DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE

CAMPO DE UNION J-FET

(JUNTION FIELD EFFECT TRANSISTOR)
TEORIA PREVIA
El transistor de efecto de campo (JFET) tiene las siguientes ventajas y desventajas con
respecto del transistor bipolar
VENTAJAS
- su impedancia de entrada es extremadamente alta (tpicamente 1! o m"s)#
- $u tama%o fsico es aproximadamente un & o '( del espacio )ue ocupa un *JT#
Esto lo +ace id,neo para su integraci,n en gran escala- sobre el !.$FET )ue es
m"s pe)ue%o )ue el JFET#
- $u consumo de potencia es muc+o m"s pe)ue%a )ue la del *JT#
- $u velocidad de conmutaci,n es muc+o mayor )ue la del *JT#
- Es menos ruidoso )ue el *JT- esto lo +ace id,neo para amplificadores de alta
fidelidad#
- Es afectado en menor grado por la temperatura#
DESVENTAJAS
- $u ganancia de voltaje es muc+o menor )ue en el *JT#
- Es susceptible al da%o en su manejo- sobre todo el !.$FET#
- $u anc+o de banda o respuesta en frecuencia es menor )ue en el *JT#
CONSTRUCCIN
FUNCIONAMIENTO
1.- V
GS
= 0 y V
DS
variabl
El canal n se comporta como una resistencia cuyo valor depende del voltaje existente entre
/ y $# 0uando V
DS
llega a ser lo suficientemente grande la corriente i
DS
comien1a a ser
constante- V
DS
puede incrementarse +asta BV
DS0
(punto en el )ue ocurre el rompimiento
por avalanc+a)- la nomenclatura significa 2voltaje de ruptura entre / y $ con V
GS
= 03#
4a curva )ue se obtiene para cuando se mantiene en corto las terminales de 5ate y $ource-
mientras varia el voltaje entre /ren y $ource- es la siguiente6
I
DSS
7 0orriente entre / y $ con 8
5$
7 #
V
PO
7 8oltaje entre / y $ a partir del cual la corriente comien1a a ser constante# 9)u
comien1a la regi,n de saturaci,n
BV
DS0
7 8oltaje de ruptura entre / y $ con 8
5$
7 #
:.T96 0omo el canal : se comporta como una resistencia a medida )ue se incrementa
V
DS
- entonces el mismo potencial presente en el canal +ace )ue se forme una regi,n de
agotamiento o campo el;ctrico )ue va increment"ndose en intensidad +asta )ue se cierra
por completo en el punto 9- cual)uier aumento posterior en la tensi,n V
DS
mantendr" al
potencial de 9 con respecto de tierra constante- ra1,n por la cual la corriente i
/$
comien1a
a ser constante#
2.- V
GS
y V
DS
variables:
El voltaje V
GS
es negativo en los FET<$ de canal :- esto para controlar la anc+ura del
canal- a medida )ue se incrementa V
GS
negativamente se origina una regi,n de agotamiento
entre compuerta y fuente )ue va reduciendo la corriente i
/$
gradualmente6
/enotaremos por V
PX
a un voltaje cual)uiera producido bajo la condici,n de un voltaje V
GS

de valor 2x y en el cual la corriente comien1a a +acerse constante (saturarse)# 4a relaci,n
existente entre el nuevo V
PX
y cual)uier V
GS
es6
V
PX
7 Vpo + V
GS
BV
DSX
= BV
DS0
+ V
GS
El canal se cierra por completo cuando V
GS
= V
Gsoff
en este momento la corriente i
DS
es
aproximadamente cero#
CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA
Es una grafica de la corriente de salida en funci,n del voltaje de entrada#
4a ecuaci,n )ue representa a esta curva es6
&
1
GS
DS DSS
GSoff
v
i I
V
_



,

, i
/$
7 =
>.
&
1
GS
DS PO
PO
v
i I
V
_
+

,

donde I
DSS
= I
PO
y V
GSoff
= -Vpo
9lgunos par"metros importantes del FET son los siguientes6
I
DSS
7 0orriente de saturaci,n entre / y $ con la tensi,n 8
5$
7 #
V
GSoff
7 8oltaje )ue produce la oclusi,n o cierre del canal#
I
GSS
7 0orriente inversa de saturaci,n entre 5 y $ con 8
/$
7 #
BV
DS0
7 voltaje de ruptura entre / y $ con 8
5$
7 #
BV
GSS
7 8oltaje de ruptura entre 5 y $ con 8
/$
7 #
!
fS
7 9dmitancia de transferencia directa para source com?n con 8
5$
7 #
EJERCICIO6
El JFET &:@A@B tiene los siguientes par"metros6
=
/$$
7 @m9
8
5$off
7 -C8
=
5$$
7 1n9
*8
5$$
7 -&@8
D
F$
7 g
F$
7 @ $
1#- .btener la ecuaci,n de la curva de transconductancia#
&
@ 1
C
GS
DS
v
i mA
_

,
&
@ 1
C
GS
DS
v
i mA
_
+

,
&#- .btener la corriente entre drenador y fuente para los siguientes voltajes compuerta-
fuente#
8
5$
8 -& -A -C -E
i
/$
@m9 &#&&m9 #@@@m9 #@@@m9

El resultado i
/$
7 #@@@m9 para 8
5$
7 -E no existe ya )ue para el funcionamiento del FET
es solo media par"bola#
'#- 0alcular la impedancia de entrada de este dispositivo cuando V
GS
7 -1@8 a temperatura
ambiente y a 1F 0#
&@
1@
1
GS
i
C
GSS
V V
Z
I nA

o
G
i
7 1@5
T&-T1
1
1 &@
1
(1 )
(1 )
( )
7&
1E1#&
1@
1E1
E'
GSS
C C
GSS
C
C
C
i
i
i
I Z
I nA
V
Z
nA
Z M

o
o
o
TRANSCONDUCTANCIA EN UN PUNTO
$i derivamos la ecuaci,n de la curva de transconductancia se obtendr" el valor de la
conductancia en un punto en particular sobre la curva llamado "
#
6
&
1
GS
DSS
GSoff
DS
m
GS GS
V
I
V
i
g
V V
_

,



&
1
DSS GS
m
GSoff GSoff
I V
g
V V
_

,
"
#
indica )ue tanto control tiene el voltaje de entrada V
GS
sobre la corriente de salida6
En la figura se observa como para un mismo incremento de V
GS
se obtienen diferentes
amplitudes de corriente#
H
&
tiene mayor pendiente- es decir mayor conductancia- por lo tanto +ay un mayor control
de i
DS
para el mismo V
GS
#
POLARIZACIN DEL JFET
9lgunas de las formas tpicas de polari1aci,n de un JFET son las siguientes6
- POLARIZACIN FIJA O DE COMPUERTA
- AUTOPOLARIZACIN
- POLARIZACION POR DIVISIN DE VOLTAJE
- POLARIZACION POR FUENTE DE CORRIENTE
POLARIZACIN FIJA
9l igual )ue en el *JT- la malla de entrada es la )ue polari1a al JFET- en este caso la malla
de compuerta# 0abe mencionar )ue para este dispositivo la corriente de reposo es fijada por
el voltaje de compuerta#
ANALISIS
El voltaje en la compuerta siempre ser" negativo respcto al Terminal de $ource en jun
JFET de canal :6
V
GS
= V
G $+%
& V
S $-%
9:I4=$=$ E: 49 !9449 /E 0.!>JEKT9
4ey de 8oltajes de Lirc+off en malla de compuerta#
+V
GG
+ V
'G
+ V
GS
= 0
0omo se supone )ue la uni,n compuerta-fuente esta polari1ada inversamente- entonces
significa )ue no existe corriente y por lo tanto 8
K5
7
V
GS
= -V
GG
Esta ecuaci,n representa la recta de polari1aci,n
Esta recta se muestra en la siguiente figura- la cual )ueda representada por una recta
vertical a lado i1)uierdo del eje de la corriente#
/e la figura se observa la gran inestabilidad )ue puede experimentar el punto de operaci,n
para el caso de los posibles cambios en los par"metros )ue puede presentar un FET a?n
cuando trat"ndose del mismo tipo ya )ue las t;cnicas de fabricaci,n no son tan perfectas
como para )ue =
/$$
y 8
5$ off
sean constantes de un dispositivo a otro#
Este tipo de polari1aci,n es la peor forma de polari1ar a un JFET ya )ue el punto de
operaci,n (=
/$H
- 8
/$H
) bastante es inestable#
9:I4=$=$ E: 49 !9449 /E4 /KE:
>or 4ey de 8oltajes de Lirc+off
-V
DD
+ V
RD
+ V
DS
= 0
En terminus de la corriente de /ren6
V
DD
= I
DS
R
D
+ V
DS

i
/$
7
D
DS DD
R
V V

Ecuaci,n de la recta de carga en 0#0#
En la figura- el punto de operaci,n depende el punto de operaci,n fijado en la curva de
transconductancia#
EJE!>4.6 Encontrar la variaci,n del punto de operaci,n para el circuito mostrado6
8
//
7 1&8
8
55
7 -18
K
/
7 AB
K
5
7 1!
max
min
&
E
C
&
DSSMAX
DSSMIN
GSoff
GSoff
I mA
I mA
V V
V V

'

FET &:@AEC
$.4J0=M:
I
DSQmax
= 20mA mA EN # 1'
C
1
1
&

,
_

I
DSQmin
= mA mA &
&
1
1
&

,
_

I
DSQ
= !!"#mA
AUTOPOLARIZACIN
48L en malla de compuerta
+ +
RS GS RG
V V V
+
DS S GS
i R V
S
GS
DS
R
V
i
9 esta ecuaci,n se le conoce como ecuaci,n de la recta de polari1aci,n# Esta recta tiene
pendiente negativa y pasa por el origen- como se observa en la siguiente figura6
4a recta representa una S
R
pe)ue%a y proporciona un elevado valor de m
g
- ideal para
una buena ganancia de corriente- la desventaja es la inestabilidad debido a los cambios en
los par"metros del JFEt- como puede observarse#
4a recta ofrece las mejores condiciones tales )ue no compromete la inestabilidad y los
valores de transconductancia- es decir- no se sacrifican una u otra#
4a recta produce buena estabilidad del punto de operaci,n- sin embargo produce
valores de
m
g
bajos )ue se traducen en una baja ganancia de corriente#
5eneralmente muc+os dise%adores optan por el tipo de polari1aci,n dado por la recta
Este tipo de polari1aci,n es mejor )ue la polari1aci,n fija ya )ue el punto de operaci,n es
m"s estable#
En la recta la
S
R
puede llamarse ,ptima ya )ue esta recta pasa por el centro de una de
las curvas de transconductancia#
S
R
,ptima puede calcularse6
GSoff
S
DSS
V
R
I

4as coordenadas del punto de operaci,n cuando se presenta S

R
,ptima es6

DSQ
I
#'E& DSS
I

GSQ
V
#'E& GSoff
V
Estas ecuaciones pueden demostrarse a partir del siguiente an"lisis6
&
1

,
_

GSoff
GS
DSS DS
V
V
I i
:ormali1ando6
&
1

,
_

GSoff
GS
DSS
DS
V
V
I
i
$i el punto de operaci,n esta a la mitad de la curva entonces6
$
V
V
I
i
GSoff
GS
DSS
DS

( )
1 '
& 1
1
&
&
&
+
+

$ $
$ $ $
$ $
Kesolviendo la ecuaci,n cuadr"tica6
AE # &
'E& #
&
1

$
$
0omo6
DSS
DS
I
i
$
,
D como
DS
i
O
DSS
I
entonces la soluci,n es6
'E& #
1
$
#
El mismo ra1onamiento se obtiene para GSQ
V
GSoff GSQ
V V 'E& #
9:I4=$=$ E: 49 !9449 /E /KE:
48L en malla de compuerta
DSS DS
I $ i
1

( )

DD RD DS RS
DD DS D S DS
V V V
V i R R
v
v
+ +
+ +
9 esta ecuaci,n se le conoce como ecuaci,n de la recta de carga en 0#0#
EJEK0=0=.6 >olari1ar el FET de la figura de tal modo )ue el punto de operaci,n se ubi)ue
a la mitad de la curva de transconductancia y a la mitad de la recta de polari1aci,n#
0alcular adem"s el valor de m
g
en el punto de operaci,n#
$oluci,n6
DSS
GSoff
S
I
V
R
DD DS
DS
D S
V
i
R R
v

+
&& &1A
S
R
DSQ
RD
D
I
V
R
4a coordenada del punto H cuando se elige Ks ,ptima es6
( )
mA
mA
R
I
V V V
I
V
R
V V
mA I I
D
DSQ
RS DSQ DD
DSQ
RD
D
GSQ
DSS DSQ
'@ # @
'@ # @ && C 1&
1@ # 1
'@ # @ 'E& #

N
D
R
G
R
se propone de un valor de tal modo )ue se aprovec+e la alta impedancia del JFET#
En este caso se propone de6
M R
G
1
( )
( )

,
_

,
_

'
@ # 1
1
'
1A &
1
&
mA
g
V
V
V
I
g
m
GSoff
GS
GSoff
DSS
m
S g
m
@BCE
POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE
>ara simplificar el an"lisis en la malla de compuerta encontraremos el circuito e)uivalente
de T+;venin para facilitar#
48L en malla de compuerta6

RG GS RS
GG GS S DS
V V V
V R i
v
v
+ + +
+
GG GS
DS
S
V
i
R
v

Esta ecuaci,n representa la ecuaci,n de la recta de polari1aci,n# Esta ecuaci,n puede

escribirse como6
S
GG
GS
S
DS
R
V
V
R
i +
1
Es una recta con pendiente negativa y con la ordenada en el origen a
S
GG
R
V
como se
observa en la figura6
/e la figura puede observarse )ue este tipo de polari1aci,n es mejor )ue las dos anteriores
debido a )ue

DSQ
I
es menor- sin embargo para conseguir esto es necesario aplicar
valores elevados de
DD
V para )ue GG
V
sea lo m"s grande posible y asi el punto de
operaci,n sea m"s estable#
9:I4=$=$ E: 49 !9449 /E /KE:
( )
DS S D DS DD
RS DS RD DD
V R R i V
V V V V
+ +
+ +
Esta es la Ecuaci,n de la recta de carga
EJEK0=0=.6 >olari1ar un JFET por divisor de tensi,n y de tal modo )ue se cumplan los
siguientes datos6
>unto de operaci,n a la mitad de la recta de carga y a la mitad de la curva de
transconductancia- el voltaje de alimentaci,n V V
DD
1& y calcular el valor de m
g
en el
punto de operaci,n#

D S
DS DD
DS
R R
V V
i
+

$oluci,n6
$e elige arbitrariamente
&
GG
V
8

mA
V
I
V V
R%
R%
V V
I
V V V
mA I I
DSQ
GSQ GG
GSQ GG
DSQ
GSoff GSQ
DSS DSQ
C # '
N1 # '
N1 # 1 'E& #
C # ' 'E& #

1&BE R%
mA
V
I
V V V
R
DSQ
RS DSQ DD
D
C # '
N1 # ' C 1&

CE'
D
R
DD
GG
G
V
V
R
R

1
1
Eligiendo
M R
G
1
M R & # 1
1
G
GG
DD
R
V
V
R
&
M R C
&
EJEK0=0=.6 >ara cada uno de los circuitos de polari1aci,n con FET- determinar el punto
de operaci,n#
a)
$oluci,n6
El punto de operaci,n se obtiene analticamente a partir de la intersecci,n de la curva de
transconductancia con la recta de polari1aci,n#
R%
V V
i
V
V
I i
GS GG
DS
GSoff
GS
DSS DS

,
_

&
1
igualando ambas ecuaciones obtenemos el punto de operaci,n#
&
1

,
_

GSoff
GSQ
DSS
GSQ GG
V
V
I
R%
V V
1
& 1 1
&
1
&
&
&
&
+

,
_

+
+

GSQ
GSoff DSS
GSQ
GSoff
GSoff
GSQ
GSoff
GSQ
DSS
GSQ GG
V
V R%I
V
V
V
V
V
V
R%I
V V
Esta ecuaci,n tiene analoga con6
GSQ
GSoff DSS
GSoff
V x
&
V R%I
'
V
a
(on()
& 'x ax

+ +
1
CA #
& 1
C&@ #
1C
1 1
&
&
Kesolviendo la ecuaci,n cuadratica6
( ) ( )
( )
V V
V
GSQ
GSQ
@AC # B
C&@ # &
C&@ # A CA # CA #
1
&

t

V V
GSQ
1& # &
&

Este ?ltimo valor de GSQ
V
es el correcto ya )ue para el otro- el canal estara cerrado por
completo e

DSQ
I
#
R%
V
R%
V
I
GSQ
RS
DSQ


mA I
DSQ
BCB # 1
o de otra manera
&
A
&1&
1 E

,
_

mA I
DSQ
mA I
DSQ
BCB # 1

,
_

GSoff
GSQ
GSoff
DSS
m
V
V
V
I
g 1
&
S g
m
1EE
( ) R% R I V V
D DSQ DD DSQ
+
b)
V V
DSQ
@ # A
1
&
1&
C
'
&@
1
1
1
1#C
@
1#&
O**
DD
DSS
GS
(%
S
D
+
DA,OS
V V
I mA
V V
- $
R $
R M
R $
R $
-%
R $

4a curva de transconductancia es6
&
1

,
_

GSoff
GS
DSS DS
V
V
I i
4a recta de polari1aci,n es6
R%
V V
i
GS GG
DS

igualando ambas ecuaciones para encontrar el punto de operaci,n6

&
&
&
&
1
1
GSoff
GSQ
GSoff
GSQ
DSS
GSQ GG
GSoff
GSQ
DSS
GSQ GG
V
V
V
V
R% I
V V
V
V
I
R%
V V
+

,
_

Keacomodando6
N
1 1
1
& 1 1
&
&
&
&

+ +
+

,
_

+
GSoff
S DSS
GG
GSQ
GSoff DSS
GSQ
GSoff
V
a
& 'x ax
R I
V
V
V R%I
V
V
( ) ( )
V V
V
&
V
V
R R
R
V
R% I
V
&
V R%I
'
GSQ
GSQ
GG
DD GG
DSS
GG
GSoff DSS
''E # C
N
1
&
E1E #
N
1
A E'' # E'' #
E1E #
N1 # 1
1
E'' #
& 1
1
&
& 1
1

,
_

,
_

V V
GSQ
1C # 1
&

( )
1
1C # 1 N1 # 1

DSQ
GSQ GG
DSQ
I
R%
V V
I
mA I
DSQ
&@ # &
( ) R% R I V V
D DSQ DD DSQ
+
V V
DSQ
1@ # C

,
_

GSoff
GSQ
GSoff
DSS
m
V
V
V
I
g 1
&
S g
m
&A@1