Tema 1.5.1

1
Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura
en semiconductores: Radiadores de calor
Desarrollo y Construccin
de Prototipos Electrnicos
U.D. 1.5.- Elementos complementarios de circuitos
Introduccin
En un dispositivo semiconductor la circulacin de corriente el!ctrica produce una perdida
de ener"#a $ue se trans%orma en calor. El calor produce un aumento de temperatura en el dispositivo
semiconductor y si este aumento es incontrolado inicialmente se pueden dar dos situaciones:
1. Reduccin de la vida &til del componente.
'a vida media de un semiconductor se ci%ra en unas 1((.((( )oras *unos 1+ a,os- de
%uncionamiento ininterrumpido y al"unos %a.ricantes lle"an a a%irmar $ue la vida &til de un
semiconductor se reduce a la mitad por cada 1( /C de elevacin de temperatura so.re la especi%icada
en sus valores m01imos a.solutos.
+. Destruccin del dispositivo.
2i el semiconductor se caliente )asta alcan3ar o superar la m01ima temperatura de la unin
especi%icada por el %a.ricante provocar0 la destruccin irreversi.le del mismo.
Conclusiones:
1- El estudio t!rmico de los dispositivos en potencias medias y elevadas resulta %undamental para un
ptimo rendimiento de los mismos.
+- En electrnica de potencia la re%ri"eracin tiene un papel important#simo para optimi3ar el
%uncionamiento y alar"ar lo m0s posi.le la vida &til del semiconductor.
+
Es evidente $ue la capacidad de evacuacin de calor al medio am.iente variar0 se"&n el tipo
de c0psula pero en cual$uier caso ser0 demasiado pe$ue,a por lo $ue ser0 necesaria una ayuda
adicional para trans%erir el calor mediante un dispositivo denominado re%ri"erador *)eatsin4s-
radiador o disipador de calor $ue presente un mayor volumen y super%icie actuando de puente entre la
c0psula y el medio am.iente para evacuar el calor.
En la ta.la se resumen las tres %ormas .0sicas de transmisin de calor desde un %oco
calor#%ico al espacio $ue lo rodea.
C56DUCCI76
2e trata del principal medio de trans%erencia de calor y se .asa en la trans%erencia de ener"#a
cin!tica entre mol!culas es decir se transmite por el interior del cuerpo mediante circulacin de
calor. 'a tendencia ser0 conse"uir una temperatura esta.le en todos los puntos del cuerpo
momento en el $ue la cantidad de calor $ue atraviesa el cuerpo ser0 m01ima. En este tipo de
transmisin de calor es %undamental tener en cuenta la conductividad t!rmica de cada sustancia.
C568ECCI76
Consiste en transmitir el calor de un slido mediante la circulacin de un %luido $ue lo transporte a
otro lu"ar. 2i el proceso se reali3a de %orma natural se denomina conveccin natural y si la
circulacin del %luido es provocada se denomina conveccin %or3ada.
R9DI9CI76
Cual$uier cuerpo $ue est! a una temperatura por encima de cero "rados :elvin emite calor
mediante emisiones electroma"n!ticas. 'a emisin depende del estado de la super%icie siendo las
mate m0s %avora.les $ue las p0lidas y el color ne"ro tiene el mayor poder de radiacin ra3n $ue
;usti%ica el enne"recimiento de los radiadores de calor.
En lo re%erente a disipacin de temperatura en semiconductores tan solo se tienen en
cuenta las dos primeras dado $ue la transmisin por radiacin es desprecia.le a las temperaturas
en $ue se va a tra.a;ar.
<
Recordatorio so.re conceptos de temperatura
En el sistema internacional la unidad de temperatura es el :elvin *:- $ue es i"ual a 1=+><?1@
de la temperatura del punto triple del a"ua *e$uili.rio slido l#$uido vapor-.
A Escala cent#"rada. 2e atri.uyen valores a las temperaturas de dos puntos %i;os: cero "rados para el
)ielo en el punto de %usin y 1(( "rados para el a"ua en e.ullicin *para una presin de 1 atms%era en
am.os casos-.
A Escala Ba)ren)eit. 2e eli"en los puntos %i;os de <+ /B para el )ielo en el punto de %usin C@ /B para el
cuerpo )umano. Puede pasarse de temperatura cent#"rada *TC- a Ba)ren)eit *TB- y viceversa mediante
las %ormulas:
T
C
=
T
F
32
1.8
; T
F
=321.8T
C
A Escala :elvin. 'a temperatura del punto triple del a"ua es +><?1@ :. 2e eli"e este n&mero para o.tener
un intervalo de 1(( : entre el punto de %usin del )ielo +><?15: y el punto de e.ullicin normal del
a"ua <><?15:. Con esta eleccin una di%erencia de 1: es i"ual a la di%erencia de 1 "rado en la escala
cent#"rada.
A Escala Celsius. 2e de%ine a partir de la escala :elvin por:
T
Celsius
=T
Kelvin
273.15
En la pr0ctica la escala Celsius se con%unde con la escala cent#"rada. En la ta.la si"uiente se dan las
ecuaciones $ue permiten cam.iar entre escalas:
De T en C T en F T en K
a T en C T en F32/1.8 T en K273.16
a T en F 1.8T en C32 1.8T en K460
a T en K T en C273.16 [T en F32/1.8]273.16
D
'a c0psula de un dispositivo semiconductor no es su%iciente para disipar el e1ceso de temperatura $ue
se "enera en la unin.
Para $ue un semiconductor disipe la potencia "enerada es imprescindi.le mantener la temperatura de
la unin por de.a;o del valor m01imo dado por el %a.ricante por lo $ue si esta aumenta para
mantenerla a un nivel se"uro de.emos evacuar al e1terior la ener"#a calor#%ica $ue se "enera en la
unin.
2iempre $ue e1ista una di%erencia de temperatura entre dos puntos se producir0 un %lu;o de ener"#a
calor#%ica del punto m0s caliente al m0s %r#o aun$ue e1isten %actores $ue di%icultan el paso de ener"#a y
$ue se denominan resistencias t!rmicas.
Eaciendo un s#mil con la ley de 5)m podemos esta.lecer un circuito t!rmico en el $ue las
temperaturas las aseme;amos a las tensiones las resistencias el!ctricas a las resistencias t!rmicas y
le %lu;o de ener"#a calor#%ica a una corriente el!ctrica. En la %i"ura vemos es$uemati3ado lo dic)o
anteriormente.
Circuito t!rmico
F
da
F
;c
F
cd
Donde:
T;GTemperatura de la unin del semiconductorH TaGTemperatura am.ienteH
TcGTemperatura de la capsula del semiconductorH TdGTemperatura del disipadorH
PDGPotencia disipada en el semiconductorH F;cGResistencia t!rmica entre la unin y la
capsulaH FcdGResistencia t!rmica entre capsula y disipadorH y FdaGResistencia t!rmica
entre el disipador y el am.iente.
5
Por similitud con el circuito el!ctrico podemos decir $ue:
Circuito t!rmico
T
j
T
a
=P
D
ja
2ustituyendo y despe;ando: P
D
=
T
j
T
a
jc
cd
da
'a resistencia t!rmica se de%ine como el
cociente entre la variacin de temperatura entre dos
puntos y la potencia $ue pasa entre ellos. 2e mide en
/C=I o :=I y como )emos indicado se representa con
la letra "rie"a T)eta *F-.
Para el estudio detallado de las resistencias
t!rmicas vamos a tomar como .ase el e;emplo $ue
aparece en el 9P'IC9TI56 JU''ETI6 2J59(+1 de
a"osto de 1CC+ de la %irma JURR-JR5I6 reali3ado por
Eu.ert Jia"i. 2e trata del circuito de la %i"ura en el $ue
se reali3a un estudio .as0ndose en un modelo t!rmico
para encapsulado T(<.
Resistencias t!rmicas
'a temperatura de la unin vendr0 dada por:
T
j
=T
a
P
D
ja
'a resistencia t!rmica total es:
ja
=
jc
cd
da
@
Resistencias t!rmicas
Unidades K
9'T9 P5TE6CI9 J9L9 P5TE6CI9
Potencias M
1(( I 1( I 1( I 1 I
T
;
/C 1D>
<>.+ 15>
<N.+
F
;c
/C=I (.N (.N (.N (.N
T
c
/C @> +C.+ 1DC <>.D
F
cd
/C=I (.1+ (.1+ (.D (.D
T
d
/C 55 +N 1D5 <>
F
da
/C=I (.< (.< 1+ 1+
T
a
/C +5 +5 +5 +5
El c0lculo de un circuito como el anterior arro;a los datos de la ta.la $ue con posterioridad veremos
como o.tenerlos.
Es$uema para un monta;e
con encapsulado T5++(.
>
Resistencias t!rmicas: Resistencia unin-capsula F;c
Es la resistencia t!rmica entre la unin del cristal semiconductor y la c0psula en la $ue se
alo;a el dispositivo. El calor "enerado en la unin de.e pasar desde este punto al e1terior.
Oeneralmente es un dato $ue suministra el %a.ricante y en cual$uier caso depende del tipo de
c0psula empleada en su %a.ricacin.
E1teriormente no se puede variar o in%luir en dic)o valor. Puesto $ue los semiconductores
tienen di%erentes encapsulados es posi.le o.tener di%erentes resistencias t!rmicas entre la unin y la
c0psula. En la ta.la si"uiente y a titulo orientativo se muestran al"unas resistencias t!rmicas t#picas.
Encapsulado 2
;c
*/C=I-
T(-<................... (5 a @
T(@@.................. 15 a 15
T(C+.................. 1>5 a +((
T(++(................ 1> a 5
'os %a.ricantes suministran este dato de %orma e1plicita o de %orma impl#cita con datos $ue
permiten su calculo o .ien de %orma indirecta mediante curvas.
En cual$uier caso los datos $ue suministran los %a.ricantes no son independientes y se
relacionan entre s#.
'os datos asociados son:
A Potencia $ue puede disipar el dispositivo
A P01ima T; permitida
A Resistencia t!rmica
A Temperatura para la $ue se especi%ican los datos anteriores.
N
E;emplo:
8amos a utili3ar las )o;as de datos de distintos %a.ricantes de un mismo dispositivo
semiconductor para ver en $ue %orma nos suministran los datos antes citados. En concreto vamos a
anali3ar los transistores JD1<@=1<>=1D(. 2e trata de transistores de silicio de media potencia con
encapsulado T(1+@ mi1to de pl0stico y metal.
En la )o;a de caracter#sticas de la %irma B9IRCE'D 2EPIC56DUCT5R dentro
de los valores m01imos a.solutos podemos leer:
2ym.ol Parameter 8alue Units
P
C
Collector Dissipation *T
c
G +5 /C-
1+5 I
P
C
Collector Dissipation *T
a
G +5 /C-
1+5 I
T
;
Luntion Temperature 15( /C
Este %a.ricante no e1plicita caracter#sticas t!rmicas aun$ue veremos como se
pueden o.tener.
En la )o;a de caracter#sticas de 56 2EPIC56DUCT5R
TP
en valores m01imos
leemos:
Ratin" 2ym.ol 8alue Units
Total Device Dissipation Q T
9
G +5 /C
P
D
1+5 I
Total Device Dissipation Q T
C
G +5 /C
P
D
1+5 I
5peratin" and stora"e Luntion Temperature Ran"e
T
;
T
st"
15( /C
Este %a.ricante suministra los si"uientes datos t!rmicos:
2
;c
G 1( /C=I y 2
;a
G 1(( /C=I
C
En la )o;a de caracter#sticas de la %irma PEI'IP2 2EPIC56DUCT5R2
*R-
dentro de
valores l#mite leemos:
2ym.ol P9R9PETER C56DITI562 P9S. U6IT
P
tot
Total poTer Dissipation
*T
m.
>( /C-
N I
T
;
Luntion Temperature 15( /C
R
t) ;-a
*Resistencia t!rmica unin - am.iente- G 1(( :=I
R
t) ;-m.
*Resistencia t!rmica unin - .ase de monta;e- G 1( :=I
El %a.ricante 2T
U
suministra los si"uientes datos:
2ym.ol Parameter 8alue Units
P
tot
Total Dissipation at T
c
+5 /C 1+5 I
P
tot
Total Dissipation at T
am.
+5 /C 1+5 I
T
;
Pa1. 5peratin" Luntion Temperature 15( /C
R
t) ;-case
*Resistencia t!rmica unin - capsula- G 1( /C=I
8amos a ver como todos los datos nos permiten lle"ar a las mismas conclusiones. 2i el circuito
t!rmico lo %orman el encapsulado y la unin semiconductora aplicando la similitud con el circuito
el!ctrico podemos poner:
P
D
=
T
j
T
c
jc
; P
D
=
T
j
T
a
ja
1(
B9JRIC96TE D9T52 2UPI6I2TR9D52 D9T52 C9'CU'9D52
B9IRCE'D P
c
*T
c
G+5 /C--1+5I
P
c
*T
a
G+5 /C--1+5I
T
;
G15( /C
jc
=
T
j
T
c
P
D
=
15025
12.5
=10C/W
ja
=
T
j
T
a
P
D
=
15025
1.25
=100C/W
56 2emiconductor P
D
*T
c
G+5 /C--1+5I
P
D
*T
9
G+5 /C--1+5I
T
;
G15( /C
2
;c
G1( /C=I
2
;a
G1(( /C=I
2uministra todos los datos de %orma
e1plicita
P)ilips P
tot
*T
m.
>( /C- - NI
T
;
G15( /C
2
;c
G1( :=I
2
;a
G1(( :=I
P
D
=
T
j
T
c
jc
=
15070
10
=8W
P
D
=
T
j
T
a
ja
=
15070
100
=0.8W
2T P
tot
*T
c
+5 /C- - 1+5 I
P
tot
*T
a
+5 /C- - 1+5 I
T
;
G15( /C
2
;c
G1( /C=I
ja
=
T
j
T
a
P
D
=
15025
1,25
=100C/W
11
Resistencias t!rmicas: Resistencia unin-c0psula F;c
8emos $ue P)ilips suministra los datos en dos escalas de temperatura. 8amos a reali3ar los
c0lculos pertinentes para ver la potencia disipada a +5 /C de temperatura de c0psula y am.iente.
Para poder e%ectuar el c0lculo y tener unidades con"ruentes de.emos pasar las temperaturas
a la escala :elvin.
15( /C G 15( - +><1@ G - 1+<1@ :
+5 /C G +5 - +><1@ G -+DN1@ :
9)ora calculamos la potencia disipada:
Para una Tc G +5 /C G - +DN1@ : tenemos:
Para una Ta G +5 /C G - +DN1@ : tenemos
Podemos concluir diciendo $ue todos los %a.ricantes nos
suministran como m#nimo los datos necesarios para conocer
todos los par0metros $ue necesitamos.
P
D
=
T
j
T
c
jc
=
123.16248.16 K
10 K/W
=12.5W
P
D
=
T
j
T
a
ja
=
123.16248.16 K
100 K/W
=1.25W
5tra %orma de suministrar estos datos es mediante la curva de reduccin de potencia *PoTer Deratin"-.
En el e;emplo anterior esta curva tan solo la suministra B9IRCEI'D y es la $ue ad;untamos
se"uidamente.
1+
Resistencias t!rmicas: Resistencia unin-c0psula F
;c
20.0
P

(
W
)
,

P
O
W
E
R

D
I
S
S
I
P
A
T
I
O
N
10.0
T (C), CASE TEMPERATURE
125
C 2.5
0
0.0
25
C
5.0
7.5
75 50 100 150 175
17.5
12.5
15.0
Powe De!"#$%
En al"unas ocasiones los %a.ricantes nos dar0n este dato en
%orma anal#tica indicando el %actor de reduccin de potencia
para temperaturas superiores a la indicada para los datos
suministrados.
En el e;emplo $ue nos ocupa 56 2emiconductor nos indica
$ue el mar"en de reduccin *Derate 9.ove- es de 1( mI=/C
para una PD G 1+5 I dado a una Ta G +5 /C y de 1(( mI=/C
para una PD G 1+5 I dado a una Tc G +5 /C.
Este dato nos va a permitir o.tener la potencia $ue puede
disipar nuestro semiconductor a una temperatura di%erente a
la especi%icada.
E;emplo: Calcular la potencia $ue puede disipar el transistor
del e;emplo anterior a una temperatura de >( /C en la
c0psula a partir de los datos indicados de un %actor de
reduccin de 1(( mI=/C.
Podemos decir $ue la potencia se va a reducir en un valor
dado por:
7025C
100mW
1C
= 4500 mW = 4.5 W T
c
=70C P
70
=12.54.5=8W
La potencia P
D
indicada en los casos anteriores es la dada por el fabricante (normalmente a una temperatura
de 25C de cpsula o ambiental ! no es la potencia "ue disipar el dispositi#o semiconductor en un circuito
concreto$
E;emplos propuestos
5.tener los datos de m01ima disipacin de potencia T; y t!rmicos de las )o;as de datos de distintos
%a.ricantes para los transistores +6<(55 y TIP<19 incluyendo las curvas de reduccin de potencia.
E%ectuar los c0lculos necesarios para o.tener los datos no e1presado de %orma e1plicita en las )o;as
de datos. Repetir el e;ercicio anterior para dispositivos como TRI9C transistores P52BET re"uladores
de tensin *>NSS >CSS 'P <1> ' +((...- etc.
1<
Resistencias t!rmicas: Resistencia c0psula - disipador F
cd
Es una resistencia e1terna al dispositivo semiconductor so.re la $ue podemos in%luir de
cara a reducir el tama,o necesario de disipador. Esta resistencia va a depender de los
si"uientes %actores:
V 2istema de %i;acin del disipador y el componente.
V Estado de planitud y paralelismo de las super%icies de contacto limpie3a de las
mismas pinturas de terminacin etc.
V Tipo de material $ue se interpone entre am.as super%icies $ue puede ser:
a. Pastas conductores del calor $ue pueden ser o no ser conductoras de la
electricidad. 'a m0s corriente es la silicona t!rmica.
.. '0minas aislantes el!ctricas *se pueden emplear de %orma con;unta con la pasta
conductora del calor- como la mica el 4ala%ilm etc.
c. '0minas aislantes el!ctricas $ue no precisan de siliconas.
V Tipo de contacto entre c0psula y disipador $ue podr0 ser:
a. Directo
.. Directo m0s pasta de silicona.
c. Directo m0s mica aislante.
d. Directo m0s mica aislante m0s pasta de silicona.
1D
cd
En el monta;e del componente la m#nima %uer3a re$uerida para un .uen contacto t!rmico var#a se"&n el
tipo de enc0psulado. 'a resistencia t!rmica de contacto se reduce al incrementar la %uer3a de contacto
pero no si"ue una %uncin proporcional como vemos en la %i"ura.
1&0
Co$"!'"o 'o$ !#()!$"e e)*'"#'o (+#'!)
Co$"!'"o 'o$ %!(! "*+#'! ((#)#'o$!)
Co$"!'"o e$ (e'o
R
e
(
#
(
"
e
$
'
#
!

"
*
+
#
'
!

,
e

'
o
$
"
!
'
"
o

(
C
-
W
)
120 100
1
2
.0 &0 20
0
0
/0e1! ,e 'o$"!'"o (N)
80
7
.
8
5
&
3
200 1.0 180
15
cd
Entre las dos super%icies e1isten muc)os puntos de contacto pero no una super%icie de contacto
como vemos en la %i"ura de manera $ue es conveniente considerar:
W El uso de silicona $ue rellene los intersticios de aire
W 'a limpie3a de las super%icies.
C!2(0)!
D#(#2!,o
P!"#'0)! ,e (0'#e,!,
I$"e("#'#o ,e !#e
De.emos procurar $ue la resistencia entre la c0psula y el disipador sea lo m0s reducida posi.le a %in
de %acilitar la circulacin del calor. Para conse"uir este %in adem0s de reali3ar una correcta seleccin
del monta;e adecuado de.emos tener en cuenta los si"uientes %actores:
a. Pantener las super%icies tan lisas y planas como sea posi.le.
.. Pantener la 3ona de contacto entre am.as tan "rande como sea posi.le.
c. 'os pasadores tornillos o pernos usados para su;etar el semiconductor al re%ri"erador se de.en
apretar adecuadamente tanto como sea posi.le sin deteriorar los elementos y se"&n el par de apriete
recomendado por el %a.ricante.
1@
cd
En la ta.la se dan los valores t#picos de resistencia t!rmica c0psula-disipador para los principales
encapsulados se"&n los elementos empleados en el monta;e.
Bormas de contacto
C0psula Directo
Directo m0s
silicona
Directo m0s mica
Directo m0s mica
m0s silicona
T(<
(+5 /C=I (1+ /C=I (N( /C=I (D( /C=I
T(<P
(D( /C=I (+( /C=I +1( /C=I 15( /C=I
T(5
1.( /C=I (>( /C=I A A
T(<C
1.( /C=I (>( /C=I +.( /C=I 15( /C=I
1>
cd
Bormas de contacto
C0psula Directo
Directo m0s
silicona
Directo m0s mica
Directo m0s mica
m0s silicona
T(5C
1+( /C=I (>( /C=I A A
T(@@
11( /C=I (@5 /C=I A A
T(1+@
1D( /C=I 1.( /C=I 1D( /C=I 1<( /C=I
T(++(
(N( /C=I (5( /C=I 1D( /C=I 1+( /C=I
T5+(+
(N( /C=I (5( /C=I 1D( /C=I 1+( /C=I
1N
cd
En las ta.las podemos apreciar $ue el menor valor de resistencia t!rmica entre la
c0psula y el disipador se da cuando e1iste un contacto directo con pasta de silicona.
Este tipo de monta;e ser0 el ele"ido si no se re$uiere aislamiento el!ctrico entre la
c0psula y el disipador.
En estas mismas circunstancias y si no es posi.le el uso de silicona lo m0s
apropiado es el monta;e con contacto directo.
En el caso de ser imprescindi.le el aislamiento el!ctrico el monta;e m0s apropiado
es el $ue emplea mica y silicona.
El monta;e con solo mica solamente se emplea si se re$uiere poca disipacin de
calor y un .uen aislamiento el!ctrico.
Todos estos aspectos son decisivos a la )ora de seleccionar el sistema de monta;e
puesto $ue cuanto m0s pe$ue,a sea la F
cd
menor ser0 la super%icie de aleta re%ri"eradora
necesaria.
1C
Resistencias t!rmicas: Resistencia del re%ri"erador F
d
o F
da
Representa el paso por conveccin al aire del %lu;o de calor a trav!s del re%ri"erador. Este
dato una ve3 calculado nos suministra el valor inc"nita del re%ri"erador a emplear. 'os principales
%actores de los $ue depende son:
a. Coe%iciente de trans%erencia por conveccin. Este par0metro depende de la cantidad de aire $ue
se mueva por la super%icie del disipador. 2e puede e1pulsar m0s calor si se %uer3a $ue el aire se mueva
por encima de la super%icie del radiador ya sea de %orma natural por su colocacin vertical o de %orma
%or3ada mediante el empleo de ventiladores.
.. 5tro %actor $ue a%ecta a esta resistencia es la emisividad. Un cuerpo ne"ro a.sor.e y emite calor
me;or $ue cual$uier otra sustancia. Es l"ico entonces $ue los disipadores se construyan con
materiales $ue ten"an .uena emisividad. 'a emisividad del cuerpo ne"ro est0ndar es 1. Por e;emplo la
emisividad de la laca de cual$uier color est0 entre (N y (C5 y la da la pintura "rasa de cual$uier color
entre (C+ y (C@. T!n"ase en cuenta $ue el t!rmino cuerpo ne"ro tiene poco $ue ver con el color ptico
de un material. Cuerpos de cual$uier color pueden tener altas emisividades y ser considerados como
cuerpos ne"ros. Por e;emplo el aluminio anodi3ado tiene una emisividad de (N independientemente
de su color ptico.
c. Un &ltimo %actor $ue determina esta resistencia es el 0rea del disipador y la pro1imidad al
semiconductor. Este motivo ori"ina la construccin de los disipadores a .ase de aletas.
+(
Resistencias t!rmicas: Resistencia unin - am.iente F
;a
Esta resistencia t!rmica va a depender de la presencia o no de dispositivo re%ri"erador y de la
temperatura am.iental.
Cuando )a.lamos de resistencia t!rmica unin am.iente sin disipador nos re%erimos a la
suma de resistencia entre la unin y la c0psula y la resistencia entre la c0psula y el am.iente.
2e trata de un par0metro $ue especi%ican impl#cita o e1pl#citamente los %a.ricantes.
ja
=
jc

ca
Cuando )a.lamos de resistencia unin am.iente con disipador nos re%erimos a la suma de
resistencias unin c0psula m0s c0psula disipador m0s la propia resistencia del disipador.
2e trata de un valor dependiente del tipo de disipador $ue usemos $ue ser0 un valor a
determinar y de la resistencia entre la c0psula y el disipador $ue depender0 del tipo de monta;e y de
los par0metros anteriormente descritos.
ja
=
jc

cd

d
Bi;0ndonos en todos los %actores dados )asta a)ora es %0cil determinar el circuito e$uivalente
de la %i"ura $ue aparece en el 9P'IC9TI56 JU''ETI6 2J59(+1 $ue vamos a simpli%icar al de la %i"ura
si"uiente $ue nos permite esta.lecer la ley de 5)m t!rmica y escri.ir la ecuacin ad;unta.
'ey de 5)m t!rmica
F
da
GF
d
F
;c
F
cd
equivalente
=
ja
=
jc

cd

d
+1
'a trans%erencia de calor en un sistema como el anterior vendr0 dada por:
'ey de 5)m t!rmica
P
D
=
T
j
T
a
ja
=
T
j
T
a
jc

cd

d
6aturalmente la ecuacin se esta.lece para el circuito t!rmico completo de.iendo adaptarse
la misma a las condiciones particulares en caso de %altar al"&n elemento.
'a potencia $ue puede disipar un dispositivo en %uncin de la temperatura de la c0psula ser0
la dada por la ecuacin si"uiente $ue nos permitir0 calcular la T
c
conocidas la potencia $ue de.e
disipar y la F
;c
cuando el dispositivo se monta sin disipador.
P
D
=
T
j
T
c
jc
T
c
=T
j
P
D
jc
[ sin disipador ]
2i le montamos un disipador podemos poner:
P
D
=
T
c
T
a
cd
d
T
c
= P
D
cd
d
T
a
[CON disipador ]
De %orma similar a la anterior podemos o.tener la temperatura del disipador a partir de
al"una de las ecuaciones si"uientes:
T
d
= P
D
d
T
a
T
d
=T
c
P
D
cd
++
En nuestro circuito t!rmico intervienen cuatro temperaturas caracter#sticas se"&n los puntos
destaca.les del circuito y $ue anali3amos se"uidamente.
Temperaturas e im0"enes t!rmicas
Temperaturas e im0"enes t!rmicas: Temperatura de la unin T
;
El valor m01imo de temperatura de la unin es un dato $ue de.en suministrar los %a.ricantes
y es a$uel valor al $ue no de.emos lle"ar o so.repasar para no deteriorar el dispositivo. 2uelen
especi%icarlo como T
;ma1
o .ien con el mar"en de temperatura de tra.a;o *operatin" temperature ran"e-.
2i por cual$uier motivo no tenemos accesi.ilidad a este dato nos resultar0 &til la ta.la
si"uiente en la $ue se dan los valores t#picos de distintos dispositivos semiconductores %i"urando
resaltado el valor a emplear.
Dispositivo semiconductor Ran"o de T; en valores m01imos
Unin de Oermanio 1(( a 1+5 /C
Unin de 2ilicio 15( a +(( /C
LBET 15( a 1>5 /C
P52BET 1>5 a +(( /C
Diodos Xener 15( a 1>5 /C
Diodos Unin 15( a +(( /C
ULT 1(( a 1+5 /C
Tiristores 1(( a 1+5 /C
De.emos distin"uir entre la temperatura m01ima de unin permitida para un determinado
dispositivo semiconductor y la temperatura de unin a la $ue pretendemos $ue tra.a;e dic)o dispositivo
y $ue l"icamente siempre de.er0 ser menor.
+<
;
En nuestro pro.lema de dise,o del circuito t!rmico de.emos mantener la temperatura de la
unin por de.a;o del valor m01imo especi%icado.
Para nuestros c0lculos vamos a adoptar un coe%iciente Y4Y $ue nos proporcione un mar"en de
se"uridad para o.tener valores de temperatura entre el 5( Z y el >(Z de la m01ima.
'e asi"naremos valores a [4[ se"&n el mar"en de se"uridad $ue pretendamos y las
condiciones $ue esta.le3camos.
8alor de 4 Condiciones de %uncionamiento
(5
\ P01imo mar"en de se"uridad.
\ Dise,os normales a temperaturas moderadas poco caliente.
\ Payor tama,o de re%ri"erador.
(@
\ Dise,os en los $ue se puede tra.a;ar con temperaturas medias.
\ Permite economi3ar con el tama,o y precio del re%ri"erador.
(>
\ P01imo ries"o para el semiconductor.
\ P01imo econom#a en disipador.
\ E1i"e $ue el re%ri"erador se sit&e en el e1terior del e$uipo y en posicin
vertical. 2e puede me;orar la disipacin si se emplean ca;as met0licas como
veremos se"uidamente.
Por tanto en nuestros c0lculos de.emos modi%icar la temperatura de unin se"&n la ecuacin:
T
j
= kT
jma
+D
;
2i su;etamos el semiconductor al c)asis del e$uipo y este es met0lico puede proporcionar
una disipacin adicional. Para tenerlo en cuenta en los c0lculos necesitamos conocer la resistencia
t!rmica de las c)apas.
En el 0.aco de la %i"ura vemos las curvas
$ue nos permiten determinar la resistencia t!rmica
de c)apas de aluminio montadas verticalmente en
%uncin de su espesor.
'os valores para c)apas de co.re son
entre un 1( y un 15 Z menores y para c)apas de
)ierro o acero entre un 1( y un 15 Z mayores.
+5
Temperaturas e im0"enes t!rmicas: Temperatura de la c0psula T
c
6o es un dato $ue se pueda suministrar en los manuales ya $ue depende de la potencia $ue de.e
disipar el dispositivo en un circuito concreto de las caracter#sticas y tipo de monta;e del disipador y de la
temperatura am.iente. 2er0 por tanto un %actor a calcular cuando cono3camos los datos citados.
Temperaturas e im0"enes t!rmicas: Temperatura del disipador T
d
6o va a resultar un dato relevante y lo podemos o.tener a partir de las ecuaciones
correspondientes. 5.tendremos un valor de temperatura in%erior a la o.tenida para la c0psula.
En condiciones normales y si )emos ele"ido convenientemente el %actor 4 la temperatura $ue
alcan3ar0n tanto la c0psula como el disipador ser0 tan elevada como para no poder tocarlos con las manos.
Pero este e1tremo no es motivo de preocupacin ya $ue )emos tomado las medidas necesarias para no
alcan3ar el valor m01imo de T
;
.
6o o.stante si $ueremos disminuir la temperatura de.emos recalcular una aleta de re%ri"eracin
m0s "rande.
Temperaturas e im0"enes t!rmicas: Temperatura am.iente T
a
Cuando )a.lamos de temperatura am.iente re%erida a c0lculos t!rmicos so.re un dispositivo
semiconductor no nos re%erimos a condiciones am.ientales del ser )umano o temperatura del medio
am.iente sino a la temperatura e1istente en el entorno m0s cercano al disipador. Pensemos $ue el
dispositivo va a ir montado en una ca;a $ue puede ser o no ser met0lica $ue puede disponer de m0s o
menos ori%icios de re%ri"eracin $ue el disipador se puede situar en el interior o en el e1terior del
e$uipo etc. De una %orma l"ica de.emos pensar $ue la temperatura en el entorno del dispositivo va a
depender de la temperatura am.iental de la 3ona "eo"r0%ica donde se sit&e el e$uipo. 6os podemos
encontrar con temperaturas e1tremas si )a.lamos de 3onas "eo"r0%icas como 9ndaluc#a u otra re"in
del norte de 9lemania. El e$uipo se puede situar o no ;unto a una ventana un radiador de calor
cual$uier m0$uina $ue "enere calor am.iente poco ventilado etc.
Diremos como conclusin $ue a la )ora de ele"ir la temperatura am.iente de c0lculo de.emos ser
"enerosos so.re todo si no est0n per%ectamente claras las condiciones am.ientales donde va a
tra.a;ar el dispositivo e1tremo $ue suele ser el m0s normal.
+@
Im0"enes t!rmicas
6ormalmente las medidas de temperaturas se e%ect&an con sondas de prue.a o termopares
pero )oy d#a $ue los dispositivos son muc)o m0s pe$ue,os y comple;os disipando m0s potencia=cm+
$ue las "eneraciones previas los re$uerimientos de los %a.ricantes a los in"enieros de dise,o )an
llevado a estos a utili3ar las t!cnicas de im0"enes t!rmicas o.tenidas por in%rarro;os. Esta t!cnica de
medida sin contacto permite medir la temperatura de cual$uier super%icie.
'as im0"enes t!rmicas son instrumentos $ue permiten o.tener con los instrumentos
adecuados datos de temperatura en cada pi1el de la ima"en sin m0s $ue situar el cursor del ratn
so.re el pi1el correspondiente. 'as im0"enes pueden ser di"itali3adas almacenadas procesadas
manipuladas y l"icamente impresas.
En la %i"ura vemos una ima"en t!rmica de una placa de circuito impreso donde se aprecian
las variaciones de la temperatura en distintas 3onas de la placa.
2e puede interpretar la temperatura en %uncin de la "ama de colores y puede ser medida con
la aparamenta correspondiente.
+>
Im0"enes t!rmicas
El desarrollo de la tecnolo"#a de deteccin por in%rarro;os permite su empleo en la medida de
temperatura tra3ado de mapas deteccin de incendios %orestales vi"ilancia de la tierra etc. Esta
tecnolo"#a se .asa en la propiedad $ue tiene cual$uier cuerpo de irradiar ener"#a in%rarro;a cuando su
temperatura es superior a los ( /:. 'a cantidad de ener"#a irradiada viene dada por:
! = e"T
4
#atioscm
2
Donde $
! = ener%ia irradiada
e = emisividad
" = constante de "olt&man 5.6710
12
Wcm
2
K
4
En la %i"ura vemos la ima"en t!rmica reali3ada por la empresa Compi1 de un

semiconductor con encapsulado T(< y una mala disipacin.
+N
]rea de operacin se"ura 259 *2a%e 5peratin" 9rea-
'a m01ima capacidad de tra.a;o de un transistor viene determinado por su ]rea de 5peracin
2e"ura *259-. Esta caracter#stica la suministran los %a.ricantes en %orma "r0%ica re%le;ando la corriente
de colector I
c
como una %uncin de la tensin 8
CE
I
c
G % *8
CE
-. En las %i"uras vemos las curvas 259 de
varios transistores .ipolares.
259 JD1<@=1<N=1D(
+C
259 +6<(55
<(
259 TIP<1 ^ TIP<+
Para valores .a;os de 8
CE
el transistor puede entre"ar la m01ima corriente de colector con total
se"uridad. 'a superacin de la m01ima corriente permitida puede provocar la destruccin del componente
.ien por$ue los )ilos de cone1in interna act&en como %usi.les .ien por rotura de la unin. 9 medida $ue
8
CE
aumenta la potencia $ue tiene $ue disipar el dispositivo se incrementa )asta el punto de m01ima
temperatura de unin permitida. Todos los puntos de la l#nea $ue limita t!rmicamente la re"in de
%uncionamiento se caracteri3an por tener una disipacin de potencia *8
CE
I
C
- constante. 2i se si"ue
aumentando la 8
CE
lle"amos a otro tramo de curva $ue decrece m0s r0pidamente disminuyendo la m01ima
corriente $ue puede entre"ar el transistor de %orma se"ura. Esta re"in se denomina de ruptura secundaria
*2ecoudary .rea4doun-. El l#mite %inal lo delimita el valor m01imo de la tensin de ruptura del transistor $ue
por supuesto tampoco de.e ser e1cedida.
<1
8amos a anali3ar unas
curvas tericas como las
de la %i"ura ad;unta $ue
representan "r0%icamente
los l#mites de utili3acin
del transistor.
'a re"in para r!"imen de
%uncionamiento continuo
la podemos su.dividir
mediante la recta aaY en
dos 3onas:
A Una 3ona de .a;a potencia
donde la disipacin ser0
pe$ue,a y en la $ue se
puede situar el punto de
tra.a;o sin peli"ro al"uno.
'a temperatura de la unin
ser0 .a;a y el re%ri"erador a
utili3ar si resulta necesario
ser0 pe$ue,o.
A Una 3ona de "ran potencia
en la $ue se puede situar el
punto de tra.a;o pero en la
$ue se alcan3ar0n
temperaturas de unin
elevadas siendo
imprescindi.le valorar
adecuadamente el radiador
de calor a emplear.
<+
'a curva $ue delimita la
re"in de %uncionamiento
continuo corresponder0 a
unas condiciones de
temperatura $ue nos
indicar0 el %a.ricante. Por
encima de esta curva
se"uimos en una 3ona de
alta potencia en la $ue el
transistor se puede situar
moment0neamente. 'os
l#mites intermedios de%inen
el tiempo durante el cual
puede permanecer en dic)a
3ona el punto de tra.a;o.
Esta 3ona es para tra.a;os
en conmutacin o r!"imen
de impulsos.
Una &ltima 3ona $ue se
conoce como 259R *2a%e
5peratin" 9rea Reverse
Jiased- es la $ue se
delimita por una corriente Ic
pr0cticamente nula y un
valor e1tremo de 8CE
corresponde al estado de
.lo$ueo del transistor y la
.ase polari3ada
inversamente.
<<
Una ve3 recopilados los datos necesarios de las )o;as de caracter#sticas del %a.ricante y decidido el
tipo de monta;e a reali3ar la ecuacin a emplear para un monta;e completo ser0:
C0lculo del disipador
P
D
=
kT
j
T
a
jc
cd
d

d
=
kT
j
T
a
P
D

jc
cd
1
E;emplo 1:
Disponemos de un re%ulador de tensi&n L'()* con encapsulado T+22+ "ue debe disipar, en un
determinado circuito, una potencia de 5 -$ .e pide calcular el refri%erador necesario para cual"uiera
de los monta/es estudiados$ 0btener las temperaturas de cpsula ! radiador en los distintos casos !
para distintos #alores de la constante 1$
Consultando la )o;a de caracter#sticas del 'P <1> o.tenemos los si"uientes datos para T
a
G +5 /C:
T
;
G 1+5 /C y F
;c
G 5 /C=I
Ponta;e directo
De las ta.las vistas o.tenemos F
cd
G (N /C=I para encapsulado T5++( en monta;e directo.
Dando valores a 4 y sustituyendo el resto de datos en la ecuacin 1 o.tenemos los si"uientes valores:
Para k=0.5
d
=
0.512525
5
50.8=1.7 C/W
2i .uscamos en el ane1o 9 podemos seleccionar un disipador E29P+5
como el de la %i"ura con una lon"itud de aleta de e1trusin de 1((mm $ue
se caracteri3a por una F
d
G 1> /C=I.
E29P+5
<D
Procedemos a)ora al calculo de temperaturas o.teniendo:
Para k=0.6
d
=
0.612525
5
50.8=4.2 C/W
2eleccionamos un disipador E29P<1-+ como el de la %i"ura con una lon"itud de aleta de
<>5mm y F
d
G D+ /C=I. El c0lculo de temperaturas nos arro;a los si"uientes datos:
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=50.81.725=37.5 C
T
d
= P
D
d
T
a
=51.725=33.5 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=550.81.725=62.5 C
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=50.84.225=50 C
T
d
= P
D
d
T
a
=54.225=46 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=550.84.225=75 C
E29P<1-+
Para k=0.7
d
=
0.712525
5
50.8=6.7 C/W
Esco"emos un disipador E2+> para monta;e )ori3ontal como el de la %i"ura con
F
d
G @N /C=I y una lon"itud de <+ mm.. El c0lculo de temperaturas nos arro;a los
si"uientes datos:
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=50.86.825=63 C
T
d
= P
D
d
T
a
=56.825=59 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=550.86.825=88 C
E2+>
<5
Ponta;e directo m0s silicona
cd
G (5 /C=I.
Para k=0.5
d
=
0.512525
5
50.5=2 C/W
Juscamos en el ane1o 9 y seleccionamos un disipador E29P+C-1 como el
de la %i"ura con una lon"itud de aleta de >5 mm y una F
d
G + /C=I. 'as
temperaturas ser0n:
E29P+C-1
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=50.5225=37.5 C
T
d
= P
D
d
T
a
=5225=35 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=550.5225=62.5 C
Para k=0.6
d
=
0.612525
5
50.5=4.5 C/W
2i .uscamos en el ane1o 9 no encontramos un disipador $ue ten"a esta resistencia t!rmica por lo $ue
tenemos dos posi.ilidades:
1 2eleccionar un disipador $ue se adapte al valor de resistencia t!rmica calculada de otro catalo"o
teniendo en cuenta las posi.ilidades de disponi.ilidad material del mismo si el %in &ltimo es montar
el circuito y no solo e%ectuar c0lculos de prue.a.
+ 2eleccionar un disipador con una resistencia t!rmica lo m0s parecida posi.le a la de calculo
teniendo en cuenta $ue a menor resistencia de disipador menores ser0n las temperaturas. 2i
esco"emos un disipador E29P<1-+ como el adoptado para 4 G (@ en monta;e directo con una
lon"itud de aleta de <>5mm y F
d
G D+ /C=I tendr#amos las si"uientes temperaturas:
<@
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=50.54.225=48.5 C
T
d
= P
D
d
T
a
=54.225=46 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=550.54.225=73.5 C
Para k=0.7
d
=
0.712525
5
50.5=7 C/W
2eleccionamos el re%ri"erador E21> como el de la %i"ura con una F
d
G
>1 /C=I. Tenemos las si"uientes temperaturas:
E21>
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=50.57.125=62.5 C
T
d
= P
D
d
T
a
=57.125=60.5 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=550.57.125=88 C
Ponta;e directo m0s mica
cd
G 1.D /C=I.
Para k=0.5
d
=
0.512525
5
51.4=1.1 C/W
De nuevo nos encontramos con la situacin de no encontrar el per%il e1acto
al calculado. 2i seleccionamos el per%il E29P1C-+ del ane1o 9 $ue vemos en
la %i"ura con una lon"itud de aleta de 1(( mm y F
d
G 1 /C=I tenemos las
temperaturas si"uientes:
E29P1C-+
<>
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=51.4125=37 C
T
d
= P
D
d
T
a
=5125=30 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=551.4125=62 C
Para k=0.6
d
=
0.612525
5
51.4=3.6 C/W
Podemos seleccionar en el ane1o 9 un radiador E29P<+-+ como el de la
%i"ura con una lon"itud de aleta de >5 mm y una F
d
G <5 /C=I $ue nos da
los si"uientes resultados de temperatura:
E29P<+-+
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=51.43.525=49.5 C
T
d
= P
D
d
T
a
=53.525=42.5 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=551.43.525=74.5 C
Para k=0.7
d
=
0.712525
5
51.4=6.1 C/W
En esta ocasin la consulta del ane1o nos conduce a una situacin de mayor
di%erencia entre la resistencia calculada y la in%erior m0s pr1ima. Ele"imos
un radiador E2<(-< como el de la %i"ura con una aleta de 5( mm y una F
d
G 55
/C=I.
E2<(-<
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=51.45.525=59.5 C
T
d
= P
D
d
T
a
=55.525=52.5 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=551.45.525=84.5 C
<N
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=51.21.325=37.5 C
T
d
= P
D
d
T
a
=51.325=31.5 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=551.21.325=62.5 C
Ponta;e directo m0s mica m0s silicona
cd
G 1.+ /C=I.
Para k=0.5
d
=
0.512525
5
51.2=1.3 C/W
2eleccionamos en el ane1o 9 el radiador E29P++ de la %i"ura con una
lon"itud de N>5 mm y F
d
G 1< /C=I. 'as temperaturas son:
E29P++
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=51.23.525=48.5 C
T
d
= P
D
d
T
a
=53.525=42.5 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=551.23.525=73.5 C
Para k=0.6
d
=
0.612525
5
51.2=3.8 C/W
En el ane1o 9 encontramos el per%il E29P<<-1 de la %i"ura con una
lon"itud de aleta de e1trusin de 1(( mm y F
d
G <5 /C=I. 'as
temperaturas son:
E29P<<-1
<C
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=51.25.525=58.5 C
T
d
= P
D
d
T
a
=55.525=52.5 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=551.25.525=83.5 C
Para k=0.7
d
=
0.712525
5
51.2=6.3 C/W
De %orma similar a las vistas anteriormente los c0lculos nos conducen a
un per%il E2<(-< con una aleta de 5( mm y una F
d
G 55 /C=I. 'as
temperaturas son:
E2<(-<
8amos a re%le;ar todos los resultados o.tenidos en una ta.la para poder anali3arlos m0s r0pidamente.
Datos de partida: 'P <1> con encapsulado T( ++(.
Condiciones de disipacin de potencia: P
D
G 5 I con T
;
G 1+5 /CH F
;c
G5 /C=I y T
a
G +5 /C
Tipo de montaje cd (C/W)
k = 0,5 k = 0,6 k = 0,7
2
d
T
c
T
d
T
j
2
d
T
c
T
d
T
j
2
d
T
c
T
d
T
j
DI!CT" 0,# $,7 %7,5 %%,5 6&,5 ',& 50 '6 75 6,# 6% 5( ##
DI!CT" ) *I+IC",- 0,5 & %7,5 %5 6&,5 ',& '#,5 '6 7%,5 7,$ 6&,5 60,5 ##
DI!CT" ) .IC- $,' $ %7 %0 6& %,5 '(,5 '&,5 7',5 5,5 5(,5 5&,5 #',5
DI!CT" ) .IC- ) *I+IC",- $,& $,% %7,5 %$,5 6&,5 %,5 '#,5 '&,5 7%,5 5,5 5#,5 5&,5 #%,5
/nidade0 C/W C C/W C C/W C
D(
Tipo de montaje cd (C/W)
k = 0,5 k = 0,6 k = 0,7
2
d
T
c
T
d
T
j
2
d
T
c
T
d
T
j
2
d
T
c
T
d
T
j
DI!CT" 0,# $,7 %7,5 %%,5 6&,5 ',& 50 '6 75 6,# 6% 5( ##
DI!CT" ) *I+IC",- 0,5 & %7,5 %5 6&,5 ',& '#,5 '6 7%,5 7,$ 6&,5 60,5 ##
DI!CT" ) .IC- $,' $ %7 %0 6& %,5 '(,5 '&,5 7',5 5,5 5(,5 5&,5 #',5
DI!CT" ) .IC- ) *I+IC",- $,& $,% %7,5 %$,5 6&,5 %,5 '#,5 '&,5 7%,5 5,5 5#,5 5&,5 #%,5
/nidade0 C/W C C/W C C/W C
Conclusiones:
2i no re$uerimos aislamiento el!ctrico el monta;e m0s %avora.le resulta el directo con
silicona esco"iendo el valor de F
d
en %uncin de las e1i"encias de temperatura.
2i se re$uiere aislamiento el!ctrico el monta;e m0s %avora.le es el directo con mica y
silicona esco"iendo de nuevo el re%ri"erador en %uncin de las e1i"encias de temperatura.
'os otros dos sistemas de monta;e arro;an datos de temperatura similares a los
anteriores pero con re%ri"eradores de menor resistencia t!rmica con lo $ue resultar0n m0s
costosos.
En cual$uier caso de.emos considerar $ue la potencia a disipar es .a;a y $ue la
temperatura considerada es la de especi%icacin de datos de %a.ricante.
'a eleccin del per%il de disipador lo )emos e%ectuado so.re cat0lo"o pero en la
pr0ctica mandar0n los criterios de econom#a sin olvidar la se"uridad y disponi.ilidad del per%il
concreto. Eemos seleccionado per%iles lo m0s cortos posi.le pero pr0cticamente los criterios
depender0n tam.i!n del tama,o de la ca;a $ue va a contener el e$uipo y si se puede o no montar
el re%ri"erador en el e1terior del e$uipo. T!n"ase en cuenta $ue si el disipador va en el interior de
la ca;a podemos considerar como temperatura am.iente 5( /C sin ser demasiado e1i"entes.
D1
E;emplo +:
2fectuar los clculos de las temperaturas de uni&n, T
/
, ambiente, T
d
! de capsula, T
c
para la
tabla del 3PL4C3T405 67LL2T45 .603+2) asumiendo "ue se monta un dispositi#o con
una 8
/c
9 +,: C;- en encapsulado T+( ! considerando una T
a
9 25 C$ Para las aplicaciones
de alta potencia consideramos el sistema de monta/e directo < silicona ! para las
aplicaciones de ba/a potencia el monta/e directo < mica < silicona$ Para alta potencia se
esco%e un radiador con 8
d
9 +,( C;- ! para ba/a potencia 8
d
9 )2 C;- $
'(T' POT)NC*'$ 100W
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=1000.120.325=67 C
T
d
= P
D
d
T
a
=1000.325=55 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=1000.80.120.325=147 C
'(T' POT)NC*'$ 10W
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=100.120.325= 29.2 C
T
d
= P
D
d
T
a
=100.325=28 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=100.80.120.325=37.2 C
D+
"'+' POT)NC*'$ 10W
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=100.41225=149 C
T
d
= P
D
d
T
a
=101225=145 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=100.80.41225=157 C
"'+' POT)NC*'$ 1W
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=10.41225=37.4 C
T
d
= P
D
d
T
a
=11225=37 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=10.80.41225=38.2 C
Unidades K
9'T9 P5TE6CI9 J9L9 P5TE6CI9
Potencias M
1(( I 1( I 1( I 1 I
T
;
/C 1D>
<>.+ 15>
<N.+
F
;c
/C=I (.N (.N (.N (.N
T
c
/C @> +C.+ 1DC <>.D
F
cd
/C=I (.1+ (.1+ (.D (.D
T
d
/C 55 +N 1D5 <>
F
da
/C=I (.< (.< 1+ 1+
T
a
/C +5 +5 +5 +5
5.servese la di%erencia
de temperatura en la
unin para la misma
potencia y distintas
condiciones de monta;e.
Evidentemente la eleccin
del disipador para la
aplicacin de 1( I en
.a;a potencia no )a sido
la adecuada.
Reproducimos la ta.la con los datos o.tenidos $ue coincide e1actamente con vista.
D<
E;emplo <:
Dise=ar el disipador necesario para mantener la temperatura de uni&n inferior a )5+ C en un sistema
con los si%uientes datos>
? 2ncapsulado T+ 22+ con monta/e directo < silicona sin aislamiento el@ctrico$
? P
D
9 5 -
? 8
/c
9 ( C;-
? T
/ mA
9 )5+ C
? T
a mA
9 5+ C
8amos a ele"ir un valor de 4G(@ puesto $ue )emos determinado una T
a
elevada y asumiendo $ue
vamos a tra.a;ar con temperatura elevadas para una potencia a disipar de 5 I.
De las ta.las o.tenemos F
cd
G (5 /C=I lue"o la resistencia t!rmica del disipador vendr0 dada por:
d
=
kT
j
T
a
P
D

jc
cd
{Para k=0.6}
d
=
0.615050
5
30.5=4.5 C/W
T
c
= P
D
cd
d
T
a
=50.54.250=73.5 C
T
d
= P
D
d
T
a
=54.250=71 C
T
j
= P
D
jc
cd
d
T
a
=530.54.250=88.5 C
Ele"imos un disipador E29P<1-+ como el de la %i"ura con una lon"itud de
aleta de <>5mm y F
d
G D+ /C=I. 'as temperaturas son:
E29P<1-+
DD
E;emplo D:
Bamos a /ustificar mediante un e/emplo sencillo por "ue debemos de #alorar analCticamente la
necesidad de refri%erador$
.upon%amos "ue de un transistor dado conocemos "ue puede disipar un mAimo de ))D - para una
T
c
925 C, T
/ maA
92++ C ! 8
/a
9(5 C;-$ 2l transistor lo montamos en un circuito donde debe disipar E+ -
con un disipador de +,D C;-, con 8
/c
9 ),5 C;- ! 8
cd
9 +,)2 C;-$
9 primera vista podr#amos pensar $ue con el mar"en de potencia disponi.le el transistor no corre
nin"&n ries"o pero la realidad es .astante di%erente.
'a potencia m01ima $ue puede disipar el transistor sin disipador viene dada por:
P
D
sin disipador =
T
j
T
a
ja
=
20025
35
=5W
Este valor $ueda muy por de.a;o del indicado por el %a.ricante.
'a potencia m01ima $ue podr0 disipar el monta;e propuesto ser0:
P
D
con disipador =
T
j
T
a
jc
cd
d
=
20025
1.50.120.6
= 78.8W
2i )acemos disipar al transistor C( I provocaremos la destruccin del mismo.
2i consideramos el %actor de correccin de temperatura la potencia m01ima ser0 a&n menor
es decir:
P
D
con disipador =
kT
j
T
a
jc
cd
d
=
0.720025
1.50.120.6
=51.8W
D5
d
=
kT
j
T
a
P
D

jc
cd
{Para k=0.7}
d
=
0.720025
90
1.50.12=0.34 C/W
8eamos el error $ue cometemos calculando el disipador $ue necesitamos $ue ser0:
5.tenemos un valor ne"ativo lo $ue nos indica $ue el dispositivo no puede %uncionar .a;o esas
condiciones puesto $ue no e1iste disipador $ue lo )a"a posi.le.
2i )acemos disipar al transistor C( I provocaremos la destruccin del mismo.
_Dnde nos estamos e$uivocando`. Evidentemente en la interpretacin de los datos de
%a.ricante $ue nos indica $ue el dispositivo puede suministrar la potencia indicada siempre $ue se
manten"a la temperatura de la c0psula a una temperatura i"ual o menor $ue +5 /C lo $ue en la pr0ctica
resulta .astante complicado.
P
D
=
T
jma
T
c
jc
=
20025
1.5
=116.7W
'a m01ima potencia disipa.le en valor a.soluto ser0:
kT
j
T
a
P
D

jc
cd
P
D
kT
j
T
a
jc
cd
P
D
0.720025
1.50.12
=70.99 W
D@
Una primera apro1imacin nos conducir0
a decir $ue si tenemos un determinado
radiador con una resistencia t!rmica F
d
y
lo dividimos en dos partes i"uales
o.tendremos dos radiadores cuya
resistencia t!rmica *F
dY
- sea ;usto el do.le
de F
d
. 6ada m0s le;os de la realidad pues
depender0 de la "eometr#a y
caracter#sticas propias del %a.ricante. En
estos casos no )ay m0s remedio $ue
consultar las )o;as de datos de
%a.ricantes $ue en el caso de "randes
radiadores de e1trusin incluyen "r0%icas
de variacin de resistencia en %uncin de
la lon"itud.
El t!rmino e1trusin indica la
con%ormacin de aletas por moldeado del
metal de;ando espacios entre ellas por
donde pueda circular el aire y %acilitar la
evacuacin del calor.
Para comprender me;or lo dic)o
anteriormente vamos a anali3ar un
radiador especi%ico como el modelo P<C
de la %irma 2emi4ronU como el de la
%i"ura y las curvas dadas por el
%a.ricante.
5tras consideraciones de dise,o: 8ariacin de la resistencia t!rmica con la lon"itud
D>
8emos en primer lu"ar $ue la o.tencin de datos de.emos )acerla en %uncin de la potencia $ue
de.emos disipar.
Por e;emplo para una lon"itud de 1(( mm de aleta de e1trusin las resistencias $ue o.tenemos son:
F
>5
G (5 /C=I
F
1((
G (D@ /C=I
F
15(
G (D1 /C=I
F
+((
G (<N /C=I
El radiador disipa m0s e%icientemente cuanto mayor es la potencia lo $ue resulta l"ico pues se
calentar0 m0s. Dic)o de otra %orma el rendimiento del re%ri"erador disminuye con la lon"itud. 2i por
e;emplo para disipar +(( I tomamos una lon"itud de 1(( mm y una de +(( mm o.tenemos:
5tras consideraciones de dise,o: 8ariacin de la resistencia t!rmica con la lon"itud
Potencia a disipara +(( I
'on"itud F Conclusin
1(( mm (<N /C=I
+(( mm (+C /C=I
'a resistencia t!rmica al disminuir la
lon"itud a la mitad no aumenta al
do.le.
Binalmente una ve3 calculada la resistencia t!rmica de radiador necesaria y la potencia $ue de.emos
disipar ele"imos la lon"itud de aleta de re%ri"eracin y vemos $ue por e;emplo para una resistencia
t!rmica de (D /C=I o.tenemos las si"uientes lon"itudes en %uncin de la potencia:
'
>5
G 1@( mm
'
1((
G 1<( mm
'
15(
G 11( mm
'
+((
G C( mm
Con%irmando $ue la resistencia t!rmica del radiador es %uncin de la lon"itud de aleta de e1trusin.
DN
8amos a ver mediante un e;emplo como otro c0lculo intuitivo nos conduce a un error de
c0lculo nota.le.
Disponemos de semiconductores con encapsulado T(< $ue tienen una T
; ma1
G +(( /C una
F
;c
G 15 /C=I y los montamos con mica y aisladores en los tonillos de su;ecin para
o.tener aislamiento el!ctrico entre la c0psula y el disipador. Consultando la ta.la
correspondiente vemos $ue F
cd
G (N /C=I.
8amos a suponer $ue necesitamos montar dos semiconductores de este tipo y $ue los
vamos a montar en un mismo disipador de.iendo disipar cada transistor <( I.
Un primer c0lculo de resistencia del disipador nos conduce a:
5tras consideraciones de dise,o: 8arios semiconductores en un solo radiador
d
=
T
j
T
a
P
D

jc
cd
=
20030
60
1.50.8=
170
60
2.3=0.53 C/W
Eemos supuesto una temperatura am.iente de <( /C y )emos cometido un error $ue vamos
a anali3ar mediante el circuito t!rmico $ue se esta.lece.
DC
En la %i"ura si"uiente di.u;amos el dia"rama correspondiente $ue por analo"#a el!ctrica
tratamos i"ual $ue las asociaciones de resistencia el!ctricas.
5tras consideraciones de dise,o: 8arios semiconductores en un solo radiador
'a resistencia t!rmica e$uivalente es de 115 /C=I en lu"ar de los +< /C=I $ue supusimos en el
c0lculo anterior. 'a resistencia t!rmica entre la unin y el disipador se )a reducido a la mitad por el uso
de dos semiconductores de.ido al esta.lecimiento de dos caminos para el %lu;o de calor. El c0lculo del
disipador ser0:
d
=
T
j
T
a
P
D

jc
cd
=
20030
60
1.15=1.68 C/W
2iendo la di%erencia o.tenida nota.le en tama,o y precio
5(
En conveccin natural la posicin del radiador es %undamental para %acilitar la circulacin
de aire. Como sa.emos el aire caliente pesa menos $ue el aire %r#o por lo $ue un radiador
situado verticalmente evacuar0 me;or el calor $ue si lo situamos )ori3ontalmente.
Una ve3 calculada la resistencia t!rmica del disipador podemos adaptar su valor se"&n los
coe%icientes de posicin $ue vemos en la %i"ura y o.tendremos una resistencia de
disipador dada por:
5tras consideraciones de dise,o: Bactores de reduccin por posicin
d
posici,n =F
p
d
51
Calculada la resistencia t!rmica del disipador procedemos a calcular un nuevo valor $ue
resultar0 de aplicar a dic)o disipador un %lu;o de aire a una velocidad determinada.
Denominaremos F
d * c n-
a la resistencia t!rmica del disipador en conveccin natural y F
d * c %-
a
la resistencia t!rmica del disipador con conveccin %or3ada.
8amos a e%ectuar el c0lculo en .ase a dos %actores $ue modi%ican el valor de F
d * c n-
y $ue
son:
Bactor de %orma B%. De.e ser un valor indicado por el %a.ricante para los disipadores
especialmente dise,ados para conveccin %or3ada aun$ue si no disponemos del mismo
podemos e%ectuar su calculo de %orma simple mediante la relacin entre la super%icie de la
seccin transversal del 0rea a.arcada por las aletas y la super%icie total a.arcada por el
%lu;o de aire. En la %i"ura es$uemati3amos el valor del %actor de %orma.
Calculo de radiadores de calor por conveccin %or3ada
F
-
=
.
aletas
.
aire
8alor m01imo: 1
8alor m#nimo: (.5
8alores in%eriores a (.5 no
compensan la conveccin %or3ada
5+
Bactor de velocidad Bv. Es un %actor $ue va a depender de la velocidad del aire y
l"icamente ser0 menor cuanto mayor sea la velocidad. El Bv lo o.tenemos del "r0%ico de
la %i"ura.
Calculo de radiadores de calor por conveccin %or3ada
Con estas condiciones la resistencia t!rmica del disipador ser0:
'os c0lculos as# reali3ados tienen valide3 cuando la circulacin de aire se esta.lece en el
sentido de las aletas de e1trusin.
Tan solo nos $ueda esco"er un ventilador $ue se adapte a las condiciones $ue )emos
dise,ado para lo $ue de.emos recurrir a cat0lo"os de %a.ricante.
6o )aremos m0s )incapi! en el tema por salirse del propsito de este tema $ue no )a sido
otro $ue dar una visin "enerali3ada de los pro.lemas de disipacin de temperatura en
semiconductores.
d c-
=
d cn
F
v
F
-
5<
Pastas de silicona.
2on pastas rellenas de 1ido met0lico en las $ue se com.inan las propiedades de "ran
conductividad t!rmica y alto "rado de aislamiento lo cual ase"ura una e1celente
transmisin de calor entre los dispositivos semiconductores y los disipadores de calor.
Eay compuestos $ue contienen una .ase de silicona mientras $ue otros se .asan en
%luidos sint!ticos $ue reducen cual$uier ries"o de contaminacin.
Conductividad t!rmica (C I=m :
Pastas sin silicona.
2on compuesto sin silicona y con .uena trans%erencia de calor $ue contiene di%erentes
polvos de 1ido met0lico *cer0mico- $ue proporcionan .uena conductividad t!rmica.
Presentan unas e1celentes caracter#sticas antidesli3amiento un amplio mar"en de
temperaturas de %uncionamiento y una e1celente conductividad t!rmica incluso a
temperaturas elevadas.
Conductividad t!rmica: +5 I=m:.
Compuestos de silicona
9ceite con .ase de silicona con di%erentes polvos de 1ido met0lico *cer0mico- $ue
proporciona e1celente conductividad t!rmica y una "ama de temperaturas de
%uncionamiento muy amplia. Para usarse donde sea necesario disipar "ran cantidad de
calor de %orma r0pida y e%ectiva. Posee una conductividad t!rmica alta incluso a
temperaturas elevadas. E1celentes caracter#sticas antidesli3amiento
Conductividad t!rmica: <( I=m:
Pateriales au1iliares
5D
9"lomerantes.
9d)esivo acr#lico de endurecimiento r0pido pensado para "enerar un camino t!rmico entre
un disipador de calor y un componente o PCJ. El material un l#$uido viscoso %luye .a;o
prensin para crear una .uena unin con e1celente disipacin de calor.
El o.;etivo del ad)esivo es sustituir las cintas las pin3as mec0nicas y epo1is y por lo tanto
tam.i!n es &til en el monta;e de sensores de temperatura.
Para lo"rar una .uena unin )ay $ue aplicar el activador a una de las super%icies de
contacto cu.rir la otra con una %ina capa de ad)esivo y lue"o unirlas a presin.
Conductividad t!rmica (N+ I=m aC a <(aC.
'0minas impre"nadas de silicona *6o conductoras-.
Est0n dise,adas para dispositivos est0ndar montados con pin3as. Este m!todo de monta;e
reduce el tiempo de ensam.lado ya $ue no )acen %alta cas$uillos de aislamiento ni %i;acin
mec0nica mediante tornillos y tuercas.
Resistencia t!rmica:
T5++(: 15 aC=I
T5<P: (@5 aC=I
55
'0minas impre"nadas de silicona *Conductoras-.
2on t!rmicamente conductoras *no precisan a,adir pasta conductora- para emplear como alternativa a
la "rasa rellena de silicona para usos en los $ue se re$uiere conductividad el!ctrica ;unto a una
e1celente transmisin de calor. El comportamiento t!rmico es compara.le al de la "rasa rellena de
silicona pero no se producen los pro.lemas derivados de la contraccin o secado en lar"os per#odos
de tiempo.
T5<: ((5aC=I
T5<P: (15aC=I
T5++(: (@5aC=I
9randelas aislantes de "oma de silicona.
Re%or3adas con %i.ra de vidrio para montar semiconductores de potencia. 2e elimina as# la necesidad
de pastas disipadoras de calor.
T51+@: DNaC=I
T5++(:1N5aC=I
T5<: (DaC=I
T5<P: (N+aC=I
Orapas para transistores
Dise,adas para poder %i;ar en un solo punto transistores de potencia con encapsulados tipo T5++(
T5<P o similares a sus disipadores. 9se"uran una intensa presin en el centro $ue ma1imi3a las
propiedades de trans%erencia t!rmica al disipadorH slo se necesita un ori%icio circular para instalar dos
transistores.
5@
Lue"os de monta;e
Cu.iertas para transistores
Cu.iertas de nylon para transistores tipo T5<. Cuando est0n instaladas !stas cu.ren el
transistor y los tornillos de monta;e limitando la posi.ilidad de cortocircuitos. 'a parte
superior de la cu.ierta presenta un taladro de +mm de b $ue %acilita la insercin de una
sonda de prue.a.
5>
E;emplo de monta;e de un disipador
8amos a ver "r0%icamente como montar un dispositivo con encapsulado T5< so.re un
disipador suponiendo $ue necesitamos aislamiento el!ctrico es decir utili3aremos el
sistema de monta;e directo m0s mica aislante m0s pasta de silicona. En la %i"ura vemos los
materiales necesarios y su empleo
5N
Utili3amos el v0sta"o del destornillador plano para dar una capa uni%orme de silicona so.re
la parte plana del semiconductor y situamos la mica so.re el dispositivo y damos otra capa
de silicona.
1
2
3
5C
2ituamos el con;unto montado so.re el disipador procurando centrar los a"u;eros
*podemos ayudarnos del destornillador plano- e insertamos los aislador en la posicin $ue
vemos ayudandonos de los alicates.
1 +
En uno de los a"u;eros montamos en el si"uiente orden: el
tornillo la arandela "rover el terminal de soldadura *)ace la
%uncin de arandela plana- y la tuerca.
En el otro a"u;ero montamos en el si"uiente orden: el
tornillo la arandela "rover la arandela plana y la tuerca.
@(
Procedemos al apriete de las tuercas con ayuda de la llave y el destornillador teniendo
especial cuidado de $ue el dispositivo $uede centrado en los a"u;eros del disipador.
@1
9specto %inal del monta;e desde di%erentes puntos de vista
@+
F
i
n

d
e

l
a

p
r
e
s
e
n
t
a
c
i

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Tema 1.5.1.- Disipacin de temperatura en semiconductores: Radiadores de calor

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