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3. Las regiones normales en que se debe disear el punto Q del transistor tipo FET son:
a) Activa, Saturacin, Corte e Inversa b) Activa, Saturacin, Corte y Ruptura c) Activa, Saturacin y Corte d) Saturacin, Corte, Inversa y Ruptura e) Todas las Anteriores f) Ninguna de las anteriores
4. Los tipos de polarizacin del JFET vistos en clase y su zona de operacin son:
a) Fija-Activa, Auto-hmica, Divisor-Activa b) Fija-Activa, Auto-Activa, Divisor-hmica c) Fija- hmica, Auto-Activa, Divisor-hmica II. PREGUNTAS DE FALSO O VERDADERO (3.2 puntos) d) Fija- hmica, Auto-Activa, Divisor- Activa e) Todas las Anteriores f) Ninguna de las anteriores
1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.
El Valor de VGS para un MOSFET de tipo Incremental canal N debe ser un valor negativo para que se pueda formar el canal. F( ) V( ) El Valor de VGS en un Diseo con MOSFET Decremental o un JFET canal N solo puede ser de valor negativo para que este no se encuentre en Corte. F( ) V( ) El Valor de VGS para un Diseo con JFET canal N solo puede ser un valor negativo para que este no se encuentre en Corte. F( ) V( ) Las caractersticas principales de un circuito con FET son su alta impedancia o resistencia de salida y su baja impedancia de entrada. F( ) V( ) Un circuito de Polarizacin tiene como funciones principales ubicar el punto Q del circuito y activar el dispositivo para que funcione en seal. F( ) V( ) Para un FET si VGS se hace igual al valor de -VP el dispositivo alcanza su mximo valor de corriente de Drenaje igual a IDSS. F( ) V( ) Para un FET si VDS se hace igual a cero se dice que el dispositivo se encuentra en saturacin. F( ) V( ) Para un FET si VDS se hace igual a un medio de VDD se dice que el dispositivo se encuentra en Corte. F( ) V( )