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Nombre_________________________________________ Taller de Recuperacin: Electrnica II Programa: Semestre:

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I. PREGUNTAS DE SELECCIN MLTIPLE CON NICA RESPUESTA (1.8 puntos)

1. La polarizacin fija se utiliza:


a) Para polarizar en la zona activa b) Para polarizar en la zona hmica c) Solo para el JFET d) Solo para el MOSFET decremental e) Todas las Anteriores f) Ninguna de las anteriores.

2. Cuando un JFET se encuentra polarizado en la zona hmica se comporta como:


a) Una fuente de corriente b) Una fuente de voltaje c) Una resistencia d) Un Transistor BJT e) Todas las Anteriores f) Ninguna de las anteriores

3. Las regiones normales en que se debe disear el punto Q del transistor tipo FET son:
a) Activa, Saturacin, Corte e Inversa b) Activa, Saturacin, Corte y Ruptura c) Activa, Saturacin y Corte d) Saturacin, Corte, Inversa y Ruptura e) Todas las Anteriores f) Ninguna de las anteriores

4. Los tipos de polarizacin del JFET vistos en clase y su zona de operacin son:
a) Fija-Activa, Auto-hmica, Divisor-Activa b) Fija-Activa, Auto-Activa, Divisor-hmica c) Fija- hmica, Auto-Activa, Divisor-hmica II. PREGUNTAS DE FALSO O VERDADERO (3.2 puntos) d) Fija- hmica, Auto-Activa, Divisor- Activa e) Todas las Anteriores f) Ninguna de las anteriores

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.

El Valor de VGS para un MOSFET de tipo Incremental canal N debe ser un valor negativo para que se pueda formar el canal. F( ) V( ) El Valor de VGS en un Diseo con MOSFET Decremental o un JFET canal N solo puede ser de valor negativo para que este no se encuentre en Corte. F( ) V( ) El Valor de VGS para un Diseo con JFET canal N solo puede ser un valor negativo para que este no se encuentre en Corte. F( ) V( ) Las caractersticas principales de un circuito con FET son su alta impedancia o resistencia de salida y su baja impedancia de entrada. F( ) V( ) Un circuito de Polarizacin tiene como funciones principales ubicar el punto Q del circuito y activar el dispositivo para que funcione en seal. F( ) V( ) Para un FET si VGS se hace igual al valor de -VP el dispositivo alcanza su mximo valor de corriente de Drenaje igual a IDSS. F( ) V( ) Para un FET si VDS se hace igual a cero se dice que el dispositivo se encuentra en saturacin. F( ) V( ) Para un FET si VDS se hace igual a un medio de VDD se dice que el dispositivo se encuentra en Corte. F( ) V( )

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