Universidad Politcnica de Chiapas

Ing. Biomdica Fundamentos de Electrnica Ing. Othoniel Hernndez Ovando

Suchiapa, 14 de Febrero de 2012

Historia
De 1904 a 1947, el bulbo fue el dispositivo electrnico ms usado. El 23 de Diciembre de 1947, Walter H. Brattain y Joseph Bardeen crearon el primer transistor. El nuevo elemento era ms pequeo y ligero, no se calentaba y era mas eficiente.

Introduccin
Acrnimo de BJT (Bipolar transistor bipolar de unin).
Transfer

Junction

Transistor,

Transistor
Resistor

La corriente circula entre dos terminales esta controlada por una seal aplicada al tercer terminal.

Bipolar

Los portadores tienen dos polaridades: electrones y huecos.

Introduccin
Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de tres terminales, ncleo de circuitos de conmutacin y procesado de seal. El transistor se ha convertido en el dispositivo ms empleado en Electrnica. No existe desgaste por partes mviles. Los transistores son dispositivos activos con caractersticas altamente no lineales.
Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en funcin de la seal de entrada. Esta variacin de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que est conectado. (Transfer Resistor).

Ventajas
Ms pequeo y ligero No se calienta No disipa calor Resistente Consume menos potencia Voltajes de operacin bajos Dispositivos de tres o ms terminales

Usos: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, celulares, etc.

Clasificacin
En funcin de la situacin de las uniones, existen dos tipos:

NPN

PNP

Constitucin de un BJT
Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en sentido opuesto (Emisor, Base y Colector).

Constitucin de un BJT

Polarizacin NPN
La unin correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la Base-Colector en inversa. As, por la unin Base-Colector circula una corriente inversa.

Construccin Fsica - Real

Estructura ms moderna:

Construccin Fsica - Real

Transistores de potencia:

Construccin Fsica - Real

Transistores de potencia:

Encapsulados