ELECTRNICA ORGNICA.

LUIS GUILLERMO DURANGO MERCADO

UNIVERSIDAD PONTIFICIA BOLIVARIANA FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA MEDELLN 2005

ELECTRNICA ORGNICA

LUIS GUILLERMO DURANGO MERCADO

Trabajo de grado para optar al titulo de Ingeniero Electrnico

Director MAURICIO VANEGAS Ingeniero Electrnico

UNIVERSIDAD PONTIFICIA BOLIVARIANA FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA MEDELLN 2005

Nota de Aceptacin

______________________

______________________ ______________________ ______________________

______________________ Presidente del Jurado

______________________ Jurado

______________________ Jurado

Medelln, __________________

DEDICATORIA

A Dios por estar siempre conmigo y a mi grupo familiar, especialmente a mis padres Jorge Ricardo y Mara del Socorro por la oportunidad, por su comprensin y sus invaluables consejos. LUIS GUILLERMO D.M

AGRADECIMIENTOS

El autor expresa sus agradecimientos a:

A mi director de tesis Mauricio Vanegas, Ingeniero Electrnico, por su tiempo, colaboracin y aportes. A mi amigo Ivn Ignacio Sierra, Ingeniero Electrnico, por su tiempo y colaboracin tcnica. A la Universidad Pontificia Bolivariana y en especial a la Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica por la enseanza a lo largo de mi carrera.

CONTENIDO

Pag. INTRODUCCIN 1. SEMICONDUCTORES ORGNICOS 1.1 Orbital 1.2 Hibridacin 1.3 Enlaces atmicos 1.4 Caractersticas elctricas del tomo de carbono 1.5 Clasificacin de los semiconductores orgnicos 1.5.1 Oligmeros semiconductores 1.5.2 Polmeros semiconductores 2. FSICA DE LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS 2.1 Movilidad en los semiconductores orgnicos 2.2 Conductividad en semiconductores orgnicos 3. PORTADORES DE CARGA Y TRASPORTE DE CARGA 3.1 Clasificacin de los portadores de carga en lo semiconductores orgnicos 3.1.1 Semiconductores de estado base no degenerado 3.1.2 Semiconductores de estado base degenerado 3.2 Transporte electrnico de carga 4. PROPIEDADES OPTOELECTRNICAS DE LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS 4.1 Luminiscencia y estados optoelectrnicos excitados 4.1.1 Clasificacin de los excitones 4.1.2 Proceso luminiscente en semiconductores orgnicos 4.1.3 Dinmica de los excitones en los semiconductores orgnicos 80 80 81 83 89 28 30 30 32 35 39 47 47 50 54 58 65 67 71 73 75 77

Pag. 5. DISPOSITIVOS ELECTRONICOS ORGNICOS 5.1 OLED (ORGANIC LIGHT EMITER DIODE) 5.1.1 Estructura de un OLED 5.1.2 Funcionamiento de un OLED 5.1.3 Fabricacin de un SMOLED tpico 5.1.4 Fabricacin de un PLED 5.1.5 Materiales para la fabricacin de OLEDs 5.1.6 Tipos de OLEDs 5.1.7 Diferencias entre OLEDs, ILEDs (inorganic LEDs) y LCDs 5.2 TRANSISTORES ORGNICOS DE EFECTO DE CAMPO 5.2.1 Diseo del transistor 5.2.2 Descripcin de la operacin de un OFET 5.2.3 Velocidad de circuitos con OFET 5.2.4 Caractersticas de los materiales usados en OFET 5.3 CAPACITORES DE POLYPYRROLE 5.3.1 Teora de Operacin 5.3.2 Conclusiones 5.4 CELDAS FOTOVOLTAICAS ORGNICAS 5.5 LSER ORGNICO 5.5.1 Estructura del lser 5.5.2 Conclusiones 6. AVANCES RECIENTES CONCLUSIONES BIBLIOGRAFA 92 92 93 94 95 96 97 100 104 108 109 111 118 121 122 123 131 132 137 138 141 142 145 148

LISTA DE FIGURAS.

Pag. Figura 1. Orbital 1s. Figura 2. Orbitales p. Figura 3. Tipos de hibridacin en los atmos del grupo IV. Figura 4. Energa de enlace. Figura 5. Enlaces moleculares sigma () entre orbitales atmicos p. Figura 6. Enlaces moleculares pi () entre orbitales atmicos p. Figura 7. Estructura de un polmero conjugado. Figura 8. Diagrama de energa de un enlace molecular. Figura 9. Tipos de dienos. Figura 10. Compuesto de PEDOT:PSS. Figura 11. Principales semiconductores de bajo peso molecular. Figura 12. Estructura energtica de una pequea molcula orgnica. Figura 13. Principales polmeros semiconductores. Figura 14. Estructura energtica de un polmero conjugado. Figura 15. Pozo de potencial o sitio. Figura 16. Hopping asistido por fonones. Figura 17. Variacin de la movilidad con el desorden energtico, asumiendo desvanecimiento del desorden posicional. Figura 18. Variacin de la movilidad con el desorden posicional asumiendo desvanecimiento del desorden energtico. Figura 19. Movilidad del TAPC:PC con desorden energtico y posicional. 64 Figura 20. Estructura de un cristal de silicio. Figura 21. Estructura de un semiconductor orgnico. Figura 22. Energa contra distancia del radical-catin. 68 68 69 62 61 32 32 34 37 38 38 41 42 42 45 49 49 52 52 55 56

Pag. Figura 23. Estructuras de enlaces. Figura 24. Configuracin de enlaces de diferentes energas en un polmero de estado base no degenerado. Figura 25. Dos fases con igual energa, de un polmero con estado base degenerado. Figura 26. Generacin de polarones positivos y bipolarones en el PEDOT. Figura 27. Niveles de energa de un polmero neutro, un polarn, un bipolaron y un polmero con bandas de energa de bipolaron. Figura 28. Formacin de solitones. Figura 29. Tres tipos de solitones y sus bandas de energa. Figura 30. Transporte de un bipolaron a lo largo de una cadena de PEDOT. Figura 31. Hopping entre cadenas polimricas. Figura 32. Representacin esquemtica de los estados excitnicos. Figura 33. Tipos de excitones. Figura 34. Diagrama de energa para una molcula en su estado base y excitado, mostrando energa potencial vs distancia nuclear. Figura 36. Espectro de absorcin y de emisin. Figura 37. Diagrama de Jablonski. Figura 38. Representacin esquemtica de la dinmica de los excitones en un semiconductor orgnico desordenado. campo elctrico. b) Disociacin de un excitn a lo largo de la misma molcula bajo la influencia de un campo elctrico. Figura 40. Estructura de OLED. Figura 41. Capas funcionales de un OLED. Figura 42. Estructura de SMOLED. Figura 43. Estructura de un PLED. Figura 44. Pequeas molculas. Figura 45. Materiales polimricos. Figura 46. Estructura de un TOLED. 91 93 94 96 97 98 98 101 90 Figura 39. a) Disociacin de un excitn entre molculas, bajo la influencia de un 84 86 89 74 76 76 78 79 82 83 72 74 72 70

Pag. Figura 47. TOLED creado por New Display Opportunities. Figura 48. Arquitectura de un SOLED. Figura 49. OLED flexible. Figura 50. a) Contactos sobre el semiconductor, b) contactos en el fondo del semiconductor. Figura 51. OFET con gate en el fondo en la arquitectura de contactos en el tope . 112 116 120 122 1 133 134 135 140 141 Figura 52. Comportamiento de la capa de acumulacin Figura 53. Esquema de un anillo oscilador Figura 54. Imagen de un circuito plstico de una matriz activa, de Lucent technology Figura 55. Capacitor orgnico Figura 56. Esquema de una celda fotovoltaica orgnica bicapa de unin Plana. Figura 57. Diagrama de energa de una celda fotovoltaica bicapa orgnica. Figura 58. Bicapa fotovoltaica con heterounin. Figura 59. Resonador en forma de anillo. Figura 60. Estructura corrugada de DFB. 110 101 103 107

LISTA DE TABLAS.

Pag. Tabla 1. Propiedades de algunos semiconductores orgnicos Tabla 2. Caractersticas de los SMOLEDs y los PLEDs 99 100

GLOSARIO

ACEPTOR: molcula capaz de recibir electrones. AFINIDAD ELECTRNICA: energa liberada cuando un tomo adquiere un electrn. ANIONES: es un ion (tomo o molcula) con carga elctrica negativa, es decir, con exceso de electrones. Se describen con un estado de oxidacin negativo. NODO: electrodo positivo en una conexin electrnica. ANTIENLACE *: uno de los dos enlaces formados al unirse dos orbitales pz sin hibridar, el cual es menos estable y por lo tanto de mayor energa. Al estar la molcula sin excitacin normalmente se encuentra vaco. ANTIENLACE *: uno de los enlaces formados al unirse dos orbitales sp2, el cual es menos estable y por lo tanto de mayor energa. Al estar la molcula sin excitacin, normalmente se encuentra vaco. Es de mayor energa que el antienlace *. ANTRACENO: semiconductores. hidrocarburo aromtico. Forma cristales moleculares

BIPOLARONES: son cuasi-partculas formadas al oxidarse o reducirse dos veces consecutivas un monmero. Se forman dos cargas del mismo signo las cuales estn acopladas a travs de una distorsin local de la configuracin del enlace. CADENA PRINCIPAL: es la columna vertebral de un polmero, desde donde se ramifican los grupos pendientes o laterales. CATALIZADOR: sustancia (o mezcla de sustancias) que aumenta la velocidad de un proceso qumico sin desgastarse en la reaccin. CATIONES: es un ion (tomo o molcula) con carga elctrica positiva, esto es con deficiencia de electrones. Se describen con un estado de oxidacin positivo. CTODO: electrodo negativo en una conexin electrnica. COMPUESTO ORGANOMETALICO: compuesto que contiene un enlace carbonometal. CONJUGACIN: este trmino hace referencia a una cadena principal en donde los tomos estn enlazados por enlaces que se alternan entre simples y dobles. COPOLMEROS: polmero formado por la unin entre si de diferentes tipos de monmeros. CORRIMIENTO DE STOKES: diferencia de energa entre el espectro de absorcin y el de emisin de una molcula, originada por la interaccin de esta con las molculas vecinas. CRISTAL DE TIPO MOLECULAR: son cristales en los que sus constituyentes son molculas, las cuales aunque intramolecularmente estn unidas por fuertes enlaces covalentes, intermolecularmente estn unidas por fuerzas muy dbiles

como las de Van der Waals, lo que los hace menos acoplados que los cristales atmicos. CRISTAL DE TIPO ATMICO: son cristales en los que sus constituyentes son tomos, los cuales entre si estn unidos por enlaces covalentes y por lo tanto estn muy acoplados y por ende son muy fuertes. CROMFOROS: su nombre proviene del griego y significa dador de color. Corresponden a sectores de la cadena polimrica delimitados por defectos estructurales o energticos. DEDOPAJE: proceso por el cual materiales dopados se devuelven a su estado natural, es decir no dopado. DENDRMEROS: compuestos que crecen en forma fractal o como las ramas de un rbol, y que tienen muchos usos en la industria. DERIVADOS FLUORINADOS: compuestos que mejoran la fabricacin de dispositivos electrnicos orgnicos gracias a su alta reactividad. DIAGRAMA DE JABLONSKI: diagrama que muestra los procesos de excitacin y desexcitacin de un electrn, en un excitn. DIALCOXY: se refiere a dos radicales, los cuales estn constituidos por carbono y oxigeno. DICATIN: dos cargas positivas acopladas. DIIMIDE PERILENO: semiconductor orgnico tipo n, con gran estabilidad trmica y ptica.

DISTANCIA O LONGITUD DEL ENLACE: distancia a la cual se logra la mayor estabilidad (menor energa) al formarse un enlace. DISTRIBUCIN GAUSSIANA: es la distribucin de probabilidad que con ms frecuencia aparece en estadstica y teora de probabilidades. Se caracteriza por que cuando se realizan medidas experimentales, algunas de ellas son mayores que la media y otras menores, aunque unas y otras se producen en igual cantidad y con la misma probabilidad, y al graficarla da una grafica en forma de campana. DOPADO: es el proceso por el cual se introducen portadores de carga en un semiconductor. DOPAJE INHOMOGNEO: Dopaje que se efecta en forma irregular es decir que no es parejo en todo el material. DOS: es la densidad de los estados electrnicos, o ms bien los niveles de energa disponibles para los electrones. EFECTO TUNEL: mecanismo cuntico mediante el cual una partcula subatmica tiene la posibilidad de alcanzar niveles energticos poco probables. ELECTROCROMISMO: proceso mediante el cual un compuesto cambia de color como consecuencia del dopaje o el dedopaje. ELECTRODO: conductor utilizado para hacer contacto con una parte no metlica de un circuito por ejemplo un semiconductor, electrolito, etc. ELECTROFORESIS: movimiento de partculas cargadas (iones), por accin de un campo elctrico.

ELECTROLITO: sustancia que al disolverse en agua, da lugar a la formacin de iones. ELECTROLUMINISCENCIA: es la emisin no trmica de luz de un material sometido a un campo elctrico externo ELECTRONEGATIVIDAD: tendencia de un tomo a ganar electrones. ELECTRONES DESLOCALIZADOS: electrones que no pertenecen a un enlace atmico en especifico, sino que pueden ser compartidos por mas de dos tomos. ELECTRN VOLTIO (eV): es la energa necesaria para mover un electrn en contra un potencial de un voltio, o es la energa que gana una carga positiva al aplicarle un potencial de un voltio. Es una unidad de energa frecuentemente usada en teora de semiconductores y tiene un valor de 1.6 10 19 J. ELECTROQUMICA: parte de la qumica que trata de la relacin entre las corrientes elctricas y las reacciones qumicas y la conversin de la energa qumica en elctrica y viceversa. EMERALDINA: compuesto verde usado como pigmento, producido a partir de la anilina azul cuando sobre ella acta un acido. ENERGA DE DISOCIACIN: es la energa necesaria para disociar una molcula. Esta energa es igual a la energa de enlace. ENLACE : enlace formado por la atraccin entre los orbitales pz sin hibridizar, es un enlace mas dbil que el enlace . ENLACE : enlace formado por la atraccin entre los orbitales hbridos sp2.

EPOXICO: formado por la unin de un prepolimero de bajo peso molecular con un compuesto que forma un polmero entrelazado. ESPN: propiedad de las partculas fundamentales asimilable a una rotacin sobre su propio eje. Esta relacionado con el campo magntico que estas tengan. ESTADO BASE DEGENERADO: cuando los enlaces simples y dobles se pueden intercambiar sin cambiar la energa de su estado base. ESTADO BASE NO DEGENERADO: cuando el intercambio de los enlaces es asociado con dos estados de energa diferentes. ESTADO FUNDAMENTAL: estado energtico en el cual un tomo o molcula presenta mayor estabilidad. ESTADO EXCITADO: estado energtico de mayor energa que el fundamental al cual son promovidos los electrones de un tomo o molcula al ser excitados trmica, ptica elctricamente. ESTADOS VIBRACIONALES: estados de energa relacionados con la vibracin de los ncleos de los tomos. ETILENDIOXI: radical O-CH2 CH2 OETILENO: conocido tambin como eteno, el cual es un compuesto qumico formado por tomos de carbono enlazados mediante un doble enlace (CH2=CH2). EXCITN: cuasi partcula creada al excitarse una molcula, donde se forma un par electrn-hueco acoplado electrostaticamente.

EXCITN DE FRENKEL: Los excitones de Frenkel corresponden a un par electrn-hueco localizado sobre una molcula orgnica simple y su radio es comparable al tamao de la molcula, tpicamente inferior a 5. EXCITN DE WANNIER-MOTT: Los excitones de Wannier-Mott son tpicos en semiconductores inorgnicos, en donde la energa de ligadura coulmbica es mas dbil, comparada a los excitones de Frenkel y el radio excitonico oscila entre 40100, dependiendo del tamao de la red cristalina. FACTOR DE LLENADO: determina la forma de la caracterstica I-V, de las celdas solares. Un buen factor de llenado o factor de forma es mayor a 0.7. FET: transistor de efecto de campo. FLUORESCENCIA: fenmeno fsico mediante el cual ciertas substancias absorben energa y la emiten en forma de luz u otro tipo de radiacin electromagntica. A diferencia de la fosforescencia, dura solo mientras permanece el estimulo que la provoca. FONN: cuasi partcula sin carga que se caracteriza por las vibraciones de la retcula y que porta gran cantidad de momento. FOTOCONDUCTIVIDAD: proceso mediante el cual un material conduce energa mediante la estimulacin ptica. FOTOFSICA: fotoexcitacin y transiciones radiantes de una molcula, pero sin cambios qumicos. FOTN: una de las partculas fundamentales de la materia, encargada de transmitir la fuerza electromagntica.

FOTOQUMICA: se encarga de estudiar las reacciones qumicas que se producen por la accin de la luz. FUERZA DE VAN DER WAALS O LONDON: es una fuerza intermolecular debida a la atraccin entre dipolos temporalmente inducidos en molculas no polares. FUNCIN DE TRABAJO: representa la energa mnima necesaria para poder retirar un electrn o foton de un metal y tiene un valor particular para cada material. FUNCIONES DE ONDA SIMTRICOS: esto se refiere a que los electrones tiene funciones de onda que son como las imgenes reflejadas en un espejo, las cuales se refuerzan y fortalecen el enlace. FUNCIONES DE ESPIN ANTI-SIMTRICO: esto se tiene que dar para que se cumpla el principio de exclusin de Pauli, y significa que los espines de los electrones deben de ser antiparalelos. GAP: brecha energtica entre la banda de valencia y la banda de conduccin, o entre el HOMO y el LUMO en semiconductores orgnicos. GRUPOS ARYL : radicales que contienen compuestos aromticos. GRUPOS ALKOXY: se denomina as la unin de un grupo alkyl con oxigeno. GRUPOS CARBONIL: esta formado por la unin de un tomo de carbono doblemente enlazado con oxigeno. GRUPOS HIDROXYL: radical -OH

GRUPOS IMIDAS: conformado por un tomo de carbono doblemente enlazado con oxigeno y enlazado con un tomo de nitrogeno. GRUPOS FUNCIONALES: son estructuras submoleculares, caracterizadas por una conectividad y composicin especfica elemental, que le confiere reactividad a la molcula que los contiene. GRUPOS PENDIENTES: pequeas cadenas de tomos enlazadas a la cadena principal del polmero. Estos grupos son cadenas mucho mas cortas que la cadena principal. HEXAMERO: compuesto que contiene 6 monmeros. HIBRIDACIN: es el proceso de combinar orbtales atmicos de un tomo con el fin de producir igual numero de orbtales mezclados, pero de caractersticas diferentes a los originales HIBRIDACIN SP2: Se da en todos los compuestos donde el carbono posea enlaces dobles. Es el resultado de la mezcla de dos orbitales p y uno s. HOMO: es el orbital molecular con ms alta energa, que se encuentra

ocupado y desde donde pueden trasladarse electrones al LUMO. HOPPING: proceso mediante el cual se trasladan portadores de carga desde un sitio de menor energa a uno de mayor energa mediante efecto tnel. IONES: tomos o grupos de tomos cargados elctricamente. ISMERO: compuestos diferentes, pero con la misma formula molecular.

ISOMERO CIS: isomero con sustituyentes idnticos en el mismo lado del doble enlace. ISOMERO TRANS: isomero con sustituyentes idnticos en diferentes lados del doble enlace. ITO: compuesto de oxido de estao e indio que se usa como electrodo inyector de huecos y tiene la caracterstica de ser transparente. LED: diodo emisor de luz con semiconductor de material inorgnico como el arseniuro de galio, germanio, etc. LONGITUD DE EQUILIBRIO: longitud de un enlace en el estado base o fundamental. LUMINISCENCIA: la luminiscencia se define como la desexcitacin de un tomo o molcula, mediante la emisin de fotones LUMO: es el orbital molecular * con energa mas baja que se encuentra desocupado, al que pueden acceder electrones excitados desde el HOMO. MASCARA: placa fotogrfica de cristal, utilizada para imprimir un patrn en el material fotorresistivo. METALLOPHTHALOCYANINE: material semiconductor orgnico, utilizado en la fabricacin de dispositivos electrnicos. METAL UNI-DIMENSIONAL: metal que solo conduce la corriente en una direccin.

MOMENTO ANGULAR NETO: este es el momento que tienen los electrones debido a girar alrededor del ncleo. MOMENTO ANGULAR DE ESPN: es el momento que se le atribuye a un electrn por presentar fenmenos, con los cuales se puede hacer una analoga a como si el electrn girara en su propio eje. MONMERO: unidad repetitiva en un polmero. NAFTALENO: hidrocarburo aromtico, que forma cristales semiconductores. NANOALAMBRES: alambres de tamao nanomtrico. NANOMATERIALES: materiales que tienen tamaos en el orden de los nanmetros. Por ende son materiales moleculares. NODO: parte del orbital donde la probabilidad de encontrar un electrn es cero. OLED: LED en donde el material semiconductor es un material orgnico. OLIGMEROS: polmeros pequeos hasta con 20 unidades monomricas. OLGOTIOFENOS: polmero con pocos monmeros tiofeno y utilizado en la fabricacin de OLED. ORBITAL ATMICO: es el lugar espacial con mayor probabilidad de localizacin de un electrn alrededor del ncleo de un tomo. ORBITAL MOLECULAR: es un orbital que se forma cuando los orbitales atmicos se traslapan, formando un orbital que pertenece a toda la molcula y no solo a un tomo individual

OXIDACIN: proceso en el cual se retiran electrones de un tomo o molcula. PEDOT: poly(3,4-etilendioxytiofeno). Compuesto que muestra muy buenas propiedades electroqumicas. PENTACENO: hidrocarburo aromtico, que forma cristales semiconductores. PHTHALOCYANINE: material semiconductor orgnico utilizado en sensores, equipos pticos reescribibles, etc. PLANO NODAL: plano que divide un volumen, donde la probabilidad de encontrar un electrn es cero. PLED: es un LED en donde el semiconductor es un polmero orgnico. POLARN: es uno de los portadores de carga libre en algunos semiconductores orgnicos. Es formado por la retirada o adicin de un electrn a una molcula orgnica. En medio del catin o anin y el radical que se forman se crea un cambio en la estructura del polmero, el cual es caracterstico de esta cuasipartcula. POLARN NEGATIVO: polarn que fue formado por reduccin. POLARN POSITIVO: polarn que fue formado por oxidacin. POLIACETILENO: uno de los primeros materiales semiconductores orgnicos descubiertos ((-C C-)n). POLIANILINAS: semiconductor orgnico, de amplio uso. POLIENO: compuesto que tiene varios enlaces dobles.

POLIFLUORENOS: material polimrico utilizado en OLEDs. POLMEROS: Los polmeros son compuestos formados por la unin de ms de 20 unidades moleculares carbonadas idnticas, que reciben el nombre de monmeros y pueden llegar a contener cientos o incluso miles de monmeros, constituyendo molculas gigantes o macromolculas. POLIPIRROLE: polmero semiconductor orgnico, utilizado en dispositivos electrnicos. POLITIOFENOS: material semiconductor orgnico utilizado en OLEDs, OFETs, etc. PPP: Poly(para-phenilene), semiconductor orgnico utilizado en PLEDs. PPV: poly(para-phenylene vinylene), semiconductor orgnico utilizado en PLEDs. PRINCIPIO DE AUFBAU: este principio dice que un electrn siempre va al orbital de menos energa disponible. PRINCIPIO DE EXCLUSIN DE PAULI: dice que no mas de 2 electrones pueden ocupar un orbital y los dos electrones deben tener espines opuestos. PRINCIPIO DE FRANK-CONDON : dice que las transiciones electrnicas son mucho mas rpidas que las transiciones del ncleo, es decir que los electrones excitados efectan sus movimientos mucho mas rpido de lo que le toma al ncleo reacomodarse. PRINCIPIO DE INCERTIDUMBRE DE HEISENBERG: dice que la ubicacin y el momento de una partcula son dos parmetros que no pueden ser simultneamente determinados.

PROMOCIN ELECTRNICA: es el resultado de la aplicacin de la regla de mxima multiplicidad de Hund, la cual dice que en los orbitales atmicos, la mayor estabilidad se logra cuando los espines electrnicos se encuentran desapareados. PSS: poly(styrene sulphonic), compuesto utilizado para mejorar las caractersticas electrnicas del PEDOT. PVK: poly (vinyl Karbazole), semiconductor orgnico utilizado en dispositivos electrnicos orgnicos. RADIATIVO: que radia o emite luz. RADICAL: tomo o molcula con un electrn desapareado. REDOX: abreviacin del proceso de oxido-reduccin. REDUCCIN: proceso mediante el cual se adicionan electrones a un tomo o molcula. RESONANCIA: nombre que se da a procesos de deslocalizacin electrnica. SEMICONDUCTOR: un semiconductor es un caso intermedio entre un metal y un aislante. En este la banda de conduccin esta vaca como en un aislante, sin embargo, la banda de gap es menor y permite que sean promovidos electrones mediante excitaciones pticas o trmicas. SEMICONDUCTOR ORGNICO: compuesto conjugado de tomos de carbono enlazados con oxigeno, hidrogeno, nitrgeno y otros pocos elementos, que gracias a la conjugacin adquiere caractersticas semiconductoras.

SEMICONDUCTORES ORGNICOS HBRIDOS: semiconductores orgnicos formados por la unin tanto de polmeros orgnicos semiconductores como de monmeros u oligmeros semiconductores orgnicos. SITIOS: se denominan as molculas individuales, o segmentos de un polmero en donde ocurre un fenmeno en especfico. SOLITONES: son cuasi-partculas que transportan energa en polmeros con estado base degenerado. Se forman mediante la oxidacin (reduccin) de un polmero con estado base degenerado oxidado (reducido). Se caracteriza por cambiar la configuracin de la cadena sin cambiar de energa y sus cargas no estn enlazadas. SINGLETE: se denomina as cuando un electrn excitado adopta un espin igual al que tenia en el estado base. SMOLED: LED en donde el material semiconductor esta hecho de pequeas molculas (monmeros u oligmeros) orgnicas. ESPIN COATING: tcnica preferida en la aplicacin de pelculas delgadas uniformes para dispositivos electrnicos. Consiste en depositar sobre el centro del sustrato una cantidad suficiente de polmero en solucin y luego se hace girar a gran velocidad el sustrato para esparcir el polmero gracias a la fuerza centrifuga. TCNICAS DE PERCOLACIN: es una tcnica que utiliza la teora de la percolacin, la cual representa uno de los modelos mas simples para manejar sistemas desordenados. THIAZOLE: semiconductor orgnico utilizado en la fabricacin de dispositivos electrnicos.

THIOPHENE: tiofeno. TIOFENO: semiconductor orgnico utilizado en la fabricacin de dispositivos electrnicos. TIPO N: material que posee exceso de electrones. TIPO P: material que posee exceso de huecos. TRAMPAS O ESTADOS TRAMPA: son impurezas qumicas (dopantes) o defectos estructurales que generan nuevos estados energticos, en los cuales los portadores de carga son atrapados por periodos de tiempo. TRIPLETE: se denomina as cuando un electrn excitado queda con un espin antiparalelo al que tenia en el estado base.

RESUMEN

La electrnica orgnica naci en 1977 con el descubrimiento de los polmeros conductores, por parte de Hideko Shirakawa, Alan Heeger y Alan MacDiarmi. Este descubrimiento los condujo a ganarse el premio Nobel de qumica en el ao 2000. Los materiales orgnicos se dividen en compuestos, de pocas molculas (monmeros y oligmeros) y en compuestos de grandes cantidades de molculas o compuestos polimricos. Estos materiales tienen la capacidad de conducir energa y emitir luz gracias a que tienen una configuracin especfica, denominada conjugacin. Esta configuracin se caracteriza por la alternacin de enlaces simples y dobles en la cadena principal de estos materiales. Los materiales orgnicos con propiedades electrnicas y optoelectrnicas han sido toda una revolucin en la industria electrnica, la cual los ha comenzado a implementar en pantallas para celulares, televisores, celdas fotovolticas, lseres, etc., adems de implementar nuevas aplicaciones tales como, papel electrnico, msculos artificiales, ventanas inteligentes, nervios artificiales, entre otras.

La electrnica orgnica aun no alcanza el desempeo de la electrnica tradicional del silicio y el germanio, pero en el mediano plazo, se espera que reemplace a los semiconductores inorgnicos en el campo optoelectrnico, gracias a su facilidad de fabricacin, bajo precio y mejor desempeo. En el largo plazo, se espera que los semiconductores orgnicos mejoren su velocidad y puedan competir con la electrnica tradicional en todos los campos.

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INTRODUCCIN

La vertiginosa velocidad con que se dan los avances en la industria electrnica, conlleva a la bsqueda de nuevos materiales y campos de aplicacin de los dispositivos electrnicos. Como resultado de esta bsqueda, nace la electrnica orgnica, la cual se refiere a los materiales orgnicos (que son aquellos que estn constituidos por carbono principalmente y que se enlazan generalmente con unos pocos elementos, entre los cuales, los principales son: carbono, hidrgeno, oxgeno y nitrgeno) que tienen un rol activo en la industria electrnica, es decir, aquellos materiales que cumplen funciones anlogas a los semiconductores y conductores y que los pueden reemplazar en muchas aplicaciones, con mejor rendimiento y ms bajo costo de fabricacin, adems de crear nuevos campos de aplicacin, tales como el papel electrnico, las pantallas flexibles, las ventanas inteligentes, msculos y nervios artificiales. etc. Esta rama de la electrnica nace en 1978, cuando el japons Hideko Shirakawa en colaboracin con Alan Heeger y Alan MacDiarmi de la universidad de Pensilvania, descubren los polmeros conductores y publican su descubrimiento en el articulo Synthesis of electrically contucting organic polymers: Halogen derivatives of polyacetilene (CH)n, en el diario de la sociedad qumica, Chemical Comunications. El descubrimiento fue considerado como un gran suceso, tanto que, Shirakawa, MacDiarmi y Heeger fueron galardonados con el premio Nobel de qumica en el ao 20001.

AMRUTRAO PATIL, Satish. Ladder Polymer for Photonic Applications. [en linea], s.l. Universidad de Bergischen, febrero de 2004. p. 13 [consulta: 15 de octubre de 2004].

30

Estos

materiales

orgnicos

conductores,

han

sido

objeto

de

muchas

investigaciones y desarrollos, tanto que en 1985 A. Tsumura, H. Koezuka y T. Ando fabrican el primer dispositivo con esta tecnologa, un FET orgnico, y al ao siguiente Ching W. Tang y Steven A. Van Slyke de Eastman Kodak fabrican el primero LED orgnico, basado en molculas orgnicas de bajo peso molecular. La cadena de adelantos continu con la fabricacin del primer LED orgnico polimrico en 1990, por parte de Jeremy Burroughs y sus colegas Richard Friend y Donald Bradley del laboratorio Cavendish de la Universidad de Cambridge en el Reino Unido y en 1997 con el lanzamiento al mercado del primer producto con esta tecnologa, un display de color verde en un radio de la Pioneer. A partir de esta fecha la industria a desarrollado papel electrnico, bateras orgnicas, OLEDs (LEDs orgnicos), OFETs (FETs orgnicos), monitores, condensadores, chips y un sin nmero de dispositivos y nuevas aplicaciones basadas en materiales orgnicos. Esta nueva tecnologa no reemplazar en el corto y mediano plazo a la tecnologa del silicio, debido a que sus velocidades de conmutacin no son las apropiadas, pero se espera que en largo plazo, estas velocidades se alcancen y domine una gran variedad de aplicaciones que hoy en da se basan en el silicio, debido a que esta nueva tecnologa presenta un costo de manufactura ms bajo y en algunas aplicaciones mejor rendimiento. Por la importancia que tienen estos avances tecnolgicos en la rama de la

electrnica, se decidi hacer como trabajo de grado este texto, titulado Electrnica Orgnica, que es una recopilacin en forma general del estado actual de esta tecnologa, el cual tiene como objetivo, servir a los estudiantes e ingenieros electrnicos, como texto introductorio, en el cual puedan encontrar los fundamentos y aplicaciones de la electrnica orgnica, con el fin de que adquieran un concepto mucho ms amplio de sta, que es, una de las vertientes tecnolgicas con ms perspectivas a principios de este siglo.

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1. SEMICONDUCTORES ORGNICOS

Los materiales orgnicos son compuestos que basan su estructura en el tomo de carbono. Este al igual que el silicio y el germanio hace parte del grupo IV de la tabla peridica y como es caracterstica de los elementos de este grupo, tiene una valencia de cuatro, lo que le permite enlazarse con cuatro tomos ms. El carbono como tambin los dems elementos del grupo IV presentan una distribucin electrnica que termina en s 2 p 2 , que determina que solo son capaces de formar dos enlaces, pero esto est muy alejado de la realidad, en donde como ya mencionamos se enlazan con cuatro tomos, entonces, Como es posible que se formen cuatro enlaces?. Para responder esta pregunta primero tenemos que conocer unos conceptos bsicos acerca de los tomos, como son los de: orbital, hibridacin y enlaces atmicos.

1.1 ORBITAL.

Los electrones, como se descubri a principios del siglo XX con los trabajos de Planck2, Einstein3, de Broglie4, Heisenberg5 y Schrdinger6, presentan un comportamiento dual entre onda y partcula, y este comportamiento conduce a que no se les pueda atribuir una posicin fija, sino tan solo, un volumen en el espacio en donde la probabilidad de encontrar un electrn es mucho mayor. A esta porcin en el espacio se le denomina orbital. Del principio de exclusin postulado por
2 3

Radiacin de cuerpo negro. Efecto fotoelctrico. 4 Postulado de dualidad onda-partcula. 5 Principio de incertidumbre. 6 Ecuacin de onda de Schdinger.

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Pauli, para sistemas conformados por fermiones, se determin que dos partculas subatmicas no pueden existir, en un mismo instante y lugar, con los mismos nmeros cunticos, es decir, no pueden tener la misma energa, momento angular y momento de espin. Para hacerlo, deben diferir en por lo menos uno de estos nmeros. De acuerdo con esto, en un orbital, a lo sumo pueden estar dos electrones en el mismo instante, siempre y cuando tengan espines diferentes, es decir, antiparalelos. Los trabajos de los cientficos citados arriba, determinan que un tomo est conformado por un ncleo que consta de protones con carga positiva y neutrones sin carga, que tienen la funcin de mantener unidos a los protones que mutuamente se repelen. Alrededor del ncleo giran electrones en un nmero tal que las cargas negativas son iguales que las cargas positivas en el ncleo y mantienen una neutralidad de cargas en el tomo, adems, estos electrones slo pueden ocupar capas o niveles de energa discretos, los cuales solo pueden contener un nmero fijo de electrones. Sin embargo, cada capa o nivel de energa se divide en subniveles o subcapas, de diferentes energas discretas. Dependiendo del nmero de protones del ncleo, los electrones de la periferia, van llenando ordenadamente cada subnivel de cada nivel de energa permitido, hasta que todos los electrones estn ubicados energticamente. Por lo tanto, los electrones, que pueden ser definidos como una partcula fundamental u onda estacionaria, con carga negativa, pueden ser ubicados en un tomo, teniendo en cuenta su nivel de energa o capa que ocupan y el subnivel o subcapa de energa en la que se encuentran. En el tomo, los electrones tienen unas funciones de probabilidad de existencia llamadas orbitales, las cuales adoptan, segn Paula Yurkanis,7 diferentes formas de acuerdo a la subcapa que ocupen y diferentes tamaos de acuerdo a la capa en que se encuentren. Estos orbitales en la prctica son de cuatro tipos: s, p, d, y f. Los orbitales s, son esfricos y sin orientacin, los orbitales p tienen forma de reloj de arena y se orientan a lo largo de los tres ejes cartesianos, y los orbitales d y f tienen formas y orientaciones mucho ms
7

BRUICE, Paula Yurkanis. Organic Chemistry. Second edition. New York: Prentice hall. 1998. p.16

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complejas, pero en el estudio de los semiconductores, no tienen relevancia. Teniendo en cuenta que en la prctica hay cuatro tipos de orbitales, se puede inferir que tambin en la prctica solo hay mximo cuatro subcapas en cada nivel de energa. Tambin cabe anotar que en las capas llenas, siempre los orbitales contienen dos electrones.

Figura 1. Orbital 1S.

Figura 2. Orbitales tipo P. En un tomo individual a los orbitales se les denomina orbitales atmicos, pero cuando dos tomos se unen para formar molculas, a los orbitales de los electrones que mantienen unidos a los tomos, se les denomina orbitales moleculares.

1.2 HIBRIDACIN.

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La

naturaleza,

como

dice

Fred

Hoyle8, es

amante

de

estar

siempre

energticamente relajada y sin tensiones, razn por lo cual en todo momento tiende a estar en el nivel de energa ms bajo que permitan las condiciones ambientales. Esto conduce a la regla de mxima multiplicidad de Hund, la cual dice que en los orbitales atmicos, la mayor estabilidad (menor energa) se logra cuando los espines electrnicos se encuentran desapareados. Esta regla significa que, en una capa o nivel de energa, un orbital no contendr dos electrones, hasta que todas las subcapas de ese nivel no estn ocupadas por lo menos con un electrn. De esta manera, cuando no tomamos en cuenta la regla de Hund al hacer la distribucin electrnica, estamos cometiendo una equivocacin, y para solucionarla tenemos que tener en cuenta un proceso denominado promocin electrnica, el cual se ve en la figura 3 y consiste en promocionar electrones que forman pares, a orbitales vacos de la misma capa. Este fenmeno es posible ya que la diferencia de energa entre los orbitales s y p de una misma capa, es generalmente del mismo orden de magnitud que la energa de enlace 9. La regla de Hund y el proceso de la promocin electrnica responden la pregunta de por qu los tomos del grupo IV forman cuatro enlaces y no dos. Sin embargo, dependiendo de las condiciones energticas en las que se encuentren los tomos al momento de formar molculas, los diferentes tipos de orbitales de una capa estn en la capacidad de mezclarse en su totalidad o parcialmente para formar orbitales hbridos. Este proceso de mezcla se denomina hibridacin y consiste en combinar orbitales atmicos con el fin de producir igual nmero de orbitales atmicos mezclados, pero de caractersticas diferentes a los originales10. Los
8 9

HOYLE, Fred. Astronomia. Ediciones Destino, Barcelona (Espaa), 1962. pag 239. NASSAU, Kurt. Las causas del dolor. Investigacin y ciencia. Prensa cientifica S.A. Barcelona (Espaa). N. 51. Dic 1980. pag.56.

10

GARCIA, Arcesio, AUBAD, Aquilino, ZAPATA, Ruben. Hacia la qumica 2. Primera edicin. Bogota: Editorial Temis, 1995. p. 28

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diferentes tipos de hibridacin que se pueden dar en los tomos del grupo IV son: sp3, sp2 y sp (ver figura 3). Estas se caracterizan porque en la primera, los tres orbitales atmicos p y el orbital atmico s se han mezclado para formar cuatro orbitales hbridos, en la segunda solo el orbital atmico s y dos de los p se han mezclado, formando tres orbitales hbridos y quedando el tercer orbital atmico p sin hibridizar, y en la tercera solo el orbital s y un orbital p se han mezclado para formar dos orbitales hbridos, quedando dos orbitales p en su estado original.

Figura 3. Tipos de hibridacin de los tomos del grupo IV.

1.3 ENLACES ATMICOS.

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Cuando dos tomos se unen para formar una molcula, siempre la molcula resultante tendr menos energa que los dos tomos individuales, de lo contrario, la unin no se dara y esto es debido a que como ya dijimos, la naturaleza siempre tiende a estar en su estado de menor energa. En el caso de las molculas formadas por los elementos del grupo IV, estas se forman, cuando los tomos involucrados en el enlace comparten sus electrones de valencia (electrones desapareados de la ltima capa), este mecanismo se denomina enlace covalente. Este tipo de enlace se da mediante el traslapo de dos orbitales atmicos, y esta interaccin da como resultado la formacin de dos orbitales moleculares de diferentes caractersticas. Para entender esto, recordemos que los electrones son ondas estacionarias y como ya sabemos los orbitales representan a los electrones. Por lo tanto, en este orden de ideas, cuando dos orbitales se traslapan o se unen generan una unin que tiene la posibilidad de darse de dos maneras. Una de esas posibilidades es que las dos funciones de probabilidad u orbitales estn en fase (propiedad de las ondas) y que ambos electrones tengan espines opuestos (antiparalelos). Esta opcin, como dice Paula Yurkanis,11 origina un orbital molecular que se caracteriza por tener una densidad electrnica muy alta, debido a que al estar en fase los dos electrones, significa que estos la mayora del tiempo estarn juntos, lo cual ayuda a mantener a los dos tomos juntos, ya que cuando en el medio de dos ncleos estn presentes electrones, estos reducen la repulsin electrosttica entre los protones. El hecho de que los electrones estn en fase y tengan espines opuestos conduce a que este orbital molecular se caracterice por ser muy estable (este en un nivel energtico bajo). Este orbital molecular se denomina enlace orbital molecular. La otra opcin es que los electrones estn desfasados y puedan tener espines paralelos, lo que genera un orbital molecular denominado antienlace orbital molecular, como escribe Raoul Schroeder12, debido a que al estar desfasados, la densidad electrnica entre los
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BRUICE, Op. Cit, p.16 SCHOEDER, Roul. Characterization of organic and inorganic optoelectronic semiconductor devices using advanced spectroscopic methods. [en lnea]. s.l.: Virginia polytechnic Institute and State University. 2001. <scholar.lib.vt.edu/theses/available/etd-01072002-094801/unrestricted/ Raoul_ Schroeder_thesis.pdf > [consulta: Febrero de 2005]
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ncleos es muy baja y esto origina que la repulsin electrosttica entre los protones no se reduzca. Tambin, tener la posibilidad de que bajo ciertas circunstancias que no violan el principio de exclusin de Pauli, los electrones tengan el mismo espn, genera inestabilidad. Por lo tanto, este antienlace orbital molecular, es un orbital que se caracteriza por ser inestable e ir en contra de la existencia de la molcula, y de esta forma presentar un nivel de energa mucho mayor al anterior. Por lo tanto cuando los electrones se encuentran en el orbital enlazante y el orbital antienlazante esta vaci la molcula est en su nivel de mayor estabilidad (menor energa), pero cuando los electrones se encuentran en el orbital antienlazante, si solo uno de ellos est en ste, la molcula pierde estabilidad, pero si los dos electrones se encuentran en este orbital, la molcula tiende a no ser viable debido a que se encuentra en un nivel de energa muy alto (ms alto que los dos tomos por separado). Durante la formacin de un enlace, cuando los dos orbitales atmicos se aproximan el uno al otro para traslaparse, a medida que los electrones de cada tomo comienzan a ser atrados por las cargas positivas del ncleo del otro tomo, al igual que por su propio ncleo, la energa potencial elctrica comienza a disminuir, hasta llegar a un punto en que la aproximacin de los tomos es tan pequea, que los ncleos empiezan a repelerse. A la distancia en que se da este fenmeno significa, que la mayor estabilidad (mnima energa) ha sido alcanzada, con lo cual esta distancia corresponde a la longitud propia del enlace. Por ejemplo, la longitud del enlace hidrgeno-hidrgeno es de 0.74 . La figura 4 muestra que hay una disminucin de la energa cuando se forma el enlace covalente. De la misma forma en que el enlace covalente tiene una longitud determinada, durante su formacin tambin se libera energa. Por ejemplo, cuando se forma el enlace hidrgeno-hidrgeno se liberan 104Kcal/mol. Esta liberacin de energa durante la formacin implica que para lograr la separacin de la molcula se requiere la misma cantidad de energa, la cual se denomina energa de disociacin. De esta

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manera todo enlace covalente tiene una longitud del enlace caracterstica y una energa de disociacin determinada13.

Figura 4. Energa de enlace. Fuente: BRUICE, Paula Yurkanis. Organic Chemistry. 2nd edition. Prentice Hall. 1998. p.18. Continuando con la descripcin de los enlaces atmicos, cuando dos tomos de carbono se enlazan, dependiendo de que clase de orbitales se unen o traslapan se dividen en dos tipos: enlace (p) y enlace (sigma). El enlace , se genera en el tomo de carbono, cuando se unen orbitales atmicos hbridos. Este enlace se da a muy corta distancia (longitud del enlace), razn por la cual es muy fuerte. Este tipo de enlace es el encargado de darle la fuerza caracterstica al enlace covalente.

13

BRUICE, Op. Cit, p. 18

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Figura 5. Enlaces moleculares (sigma) entre orbitales atmicos p. El enlace , se forma cuando los orbitales que se traslapan son los orbitales p que no han hibridizado, de tal forma que este tipo de enlace slo se da cuando los tomos han sufrido hibridacin sp2 o sp, y ya que estos orbitales estn muy separados uno del otro al enlazarse, debido a que entre ellos siempre estar presente un enlace , no alcanzan la distancia ideal (longitud del enlace), motivo por el cual son de menor fuerza y por ende menos estables que los enlaces . Es importante anotar que los enlaces , son los enlaces que caracterizan a los enlaces dobles y triples.

Figura 6. Enlaces moleculares p () entre orbitales atmicos p.

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Habiendo entendido porque los tomos del grupo IV forman cuatro enlaces y no solo dos, y comprendiendo el concepto de orbital y de enlace atmico, muy seguramente Ud. se preguntar, Por qu si el carbono est en el mismo grupo del silicio y el germanio, adems hibridiza igual y forma el mismo tipo de enlaces, que origina que el silicio y el germanio formen cristales semiconductores y el carbono cristalino, como es el caso del diamante sea tan mal semiconductor?. La respuesta, es que en los tomos en general, tal como dice Kurt Nassau 14, el gap (diferencia de energa entre niveles discretos o bandas de energa) entre niveles de energa adyacentes, varia en forma inversamente proporcional al radio atmico, es decir a mayor radio atmico, menor gap, por lo tanto, el carbono que es uno de los tomos con menor radio atmico debido a su bajo peso, de acuerdo a lo anterior, presenta un gap entre su nivel de valencia y de conduccin que se sale ligeramente del rango de los buenos semiconductores, mientras que el silicio y el germanio, los cuales son ms pesados y de mayor radio, de acuerdo a la premisa inicial, presentan una diferencia energtica entre su nivel de valencia y de conduccin que es menor a la del carbono y est dentro de los niveles energticos que caracterizan a los semiconductores (3 eV). Despus de esto, entonces Ud. se preguntar, Como es posible hablar de semiconductores orgnicos?, para entender como un compuesto orgnico puede ser semiconductor, primero debemos comprender que es lo que los hace aislantes y para ese fin, observemos primero las caractersticas elctricas del tomo de carbono.

1.4 CARACTERISTICAS ELECTRICAS DEL ATOMO DE CARBONO.

El tomo de carbono es el elemento que en la naturaleza presenta mayor versatilidad debido a su valencia de cuatro y a su tamao, y gracias a esto sobrepasa en decenas de veces a los dems elementos, en cuanto a la cantidad
14

NASSAU, Op. Cit, p.58

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de compuestos que puede formar. Sin embargo hasta antes de los aos 70s, los compuestos orgnicos fabricados por el hombre y por la naturaleza, haban tenido caractersticas elctricas muy pobres para ser considerados como conductores o semiconductores en la industria electrnica. Por esta razn, en la industria siempre los materiales orgnicos y los plsticos sintticos han solo sido implementados como materiales aislantes, materiales de soporte o como materiales foterresistivos en la industria electro-ptica de las impresoras, cmaras fotogrficas, de la discografa, etc. La razn para que ese comportamiento aislante se de en los materiales orgnicos, recae en varios aspectos, que son: el tipo de enlaces que forman, organizacin o distribucin de los enlaces y cantidad de tomos de carbono constituyentes. Los materiales orgnicos tradicionales son aislantes debido a que por lo general presentan enlaces simples y dobles que no estn alternados entre si, es decir no estn conjugados, y si lo estn no se presentan en grandes extensiones. De esta manera al no presentar conjugacin en una gran cantidad de tomos y de hacerlo en forma irregular, origina que su comportamiento sea mayoritariamente regido por las caractersticas elctricas de los enlaces , los cuales presentan un gap entre el enlace orbital molecular y el antienlace orbital molecular demasiado grande, mayor a 6 eV15, lo que los categoriza como materiales donde es imposible promover un electrn desde el orbital enlazante ocupado de mayor energa (HOMO) al orbital antienlazante desocupado de menor energa (LUMO), mediante una radicacin visible o una fuente de campo elctrico convencional. El enlace presenta un gap tan amplio, debido a que es un enlace muy fuerte y estable, y cuando algo es muy estable implica que se encuentra a una energa muy baja de acuerdo a las condiciones energticas de su entorno. Por lo tanto, la energa del orbital enlazante mas alto (HOMO) o nivel de valencia mas alto de este enlace estar a una energa muy baja. Sin embargo, el nivel de conduccin mas bajo de este enlace corresponde al orbital antienlazante mas bajo (LUMO), el cual como ya conocemos desestabiliza la molcula y como para desestabilizar algo muy estable hay que suministrarle mucha energa, este se encontrar a una energa muy alta, lo que causa que el
15

TURTON, Richard. El Punto Cuantico, la microelectronica del futuro. Alianza Editorial S.A. Madrid. 1995. p. 60

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gap en el enlace se tan amplio. Por otro lado, si los anteriores factores determinan a un compuesto orgnico como aislante, Que caractersticas lo definen como conductor?. Como vimos anteriormente, un compuesto orgnico no puede ser semiconductor mediante una estructura cristalina de tipo atmico como la del silicio o el germanio, ya que de esta manera su gap sera muy amplio, como en el caso del diamante. En consecuencia para que un compuesto orgnico se comporte como un semiconductor debe optar por otra alternativa, la cual en su caso es la conjugacin, que consiste en una estructura de enlaces simples y dobles que se alternan (ver figura 7), pero a diferencia de los aislante orgnicos, esta conjugacin debe ser extensa, es decir que se de a lo largo de toda una molcula, o en su gran mayora, con lo cual el material ya no ser regido por las caractersticas del enlace , sino por las caractersticas del enlace .

Figura 7. Estructura de un polmero conjugado.

El enlace , a diferencia del enlace , es ms dbil y esta debilidad se traduce en inestabilidad, lo que conduce a que el gap del enlace sea menor que el del enlace . Ud, se preguntar entonces, Por qu el gap del enlace es mayor que el del enlace ?, y la respuesta, se basa en lo siguiente: como el enlace es menos fuerte o menos estable que el enlace , significa que su energa ser mayor y por tal razn su HOMO esta ubicado a mayor energa que el HOMO del enlace . Por otro lado, para desestabilizar algo no muy estable se necesita menor energa que para hacerlo con algo muy estable, y al ser el enlace menos estable que el enlace , implica que, el nivel de energa del LUMO del enlace , este ubicado a menor energa que el del enlace . (ver figura 8).

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Figura 8. Diagrama de energa de un enlace molecular. En la figura 8, se ve el esquema energtico de una molcula que presenta enlaces dobles, en sta n representa el nmero de electrones que participan en enlaces y m al nmero de electrones que participan en enlaces . Para entender mejor el carcter aislante o no de un compuesto orgnico, consideremos la figura 9, en donde se muestran tres tipos de dienos (compuestos orgnicos que poseen enlaces doble), en sta observamos que aunque todas presentan enlaces dobles, la figura A, presenta un comportamiento elctrico regido por el enlace , mientras que en las figuras B y C, predomina un comportamiento regido por los enlaces , que se caracteriza porque sus orbitales se traslapan a lo largo de toda la molcula, lo que origina que los electrones de los sistemas , se encuentre deslocalizados en las molculas individuales.

Figura 9. Tipos de dienos. Por lo tanto, aunque un dieno aislante contiene enlaces , y estos tienen un gap reducido, al presentarse de forma aislada, no permite que el compuesto se

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comporte de extremo a extremo como un semiconductor. Por otro lado en los dienos conjugados y alenos los enlaces , se distribuyen por toda la molcula, y en consecuencia el gap es reducido a lo largo de toda su extensin, lo que bajo ciertas condiciones les permitira comportarse como semiconductor. Ud, preguntar Por qu se dice que bajo ciertas condiciones?, y la respuesta es que, la conjugacin aunque es un requisito indispensable, no es suficiente en todos los casos para que un compuesto orgnico adquiera propiedades semiconductoras, debido a que, el que el gap se reduzca, no significa que quede dentro del rango de los materiales semiconductores. Cuando este rango es alcanzado se dice que el compuesto es un semiconductor orgnico intrnseco, de lo contrario, si el material tiene un gap por fuera de este rango que es de 3 eV, es indispensable que el compuesto sea dopado, con el fin de reducir aun ms la brecha energtica entre el nivel de conduccin y el de valencia. Sin embargo, el que un material orgnico sea intrnsecamente semiconductor no significa que no nesecite ser dopado, ya que en estos ocurre lo mismo que en los semiconductores de silicio y germanio y es que la banda de valencia est completamente llena y la de conduccin completamente vaca, con lo que no hay vacantes ni portadores de carga que puedan hacer parte en la conduccin, y si los hay, debido a la promocin trmica, son en un nmero muy bajo, adems, el semiconductor es bipolar (que conduce al igual por medio de electrones y de huecos), y en estas condiciones no es til para ser utilizado en dispositivos electrnicos. Con el fin de suministrar los espacios vacos en la banda de valencia o los portadores en la banda de conduccin y de que el material conduzca mayoritariamente por huecos o electrones, estos materiales nesecitan ser dopados de forma anloga a los semiconductores inorgnicos. La diferencia entre el dopaje de los materiales orgnicos e inorgnicos, es que en los inorgnicos, algunos tomos del cristal son reemplazados por tomos dopantes, mientras que en los materiales orgnicos los tomos dopantes se insertan de forma adicional sin reemplazar a los tomos en la cadena principal de la molcula16, adems el dopaje se da mediante un proceso de oxido-reduccin en donde interviene un electrolito que se encarga de mantener la electroneutralidad
16

KANER, Richard B, y MACDIARMID, Alan G. Plasticos que conducen la electricidad. investigacin y ciencia. Prensa Cientifica. 1988. p.64.

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del sistema17. Como dice Oscar Larsson18, El dopaje en los materiales orgnicos se da mediante dos mtodos principales, que son: el dopaje qumico y el electroqumico. El primero consiste en enlazar al material orgnico agentes dopantes, qumicos que oxidan (remueven electrones) o reducen (adicionan electrones) el compuesto orgnico. Cuando el material es oxidado la electroneutralidad es mantenida mediante la adicin de aniones (cargas negativas) por parte del electrolito, en caso contrario, es decir que se de una reduccin, la neutralidad se mantiene mediante la adicin de cationes (cargas positivas) por parte del electrolito. El dopaje qumico es utilizado cuando se necesitan dopajes de altas concentraciones, pero para niveles intermedios, este tipo de dopaje no es muy apropiado, la razn, es que es difcil de variar y controlar la concentracin de los agentes dopantes y encontrar agentes dopantes de fuerza apropiada. En este caso se utiliza el dopaje electroqumico, en el cual la adicin o sustraccin de electrones se da mediante un potencial elctrico y el electrolito mantiene la electroneutralidad al igual que en el dopaje qumico. Cabe anotar que la remocin y adicin de electrones se da en el sistema , el cual es energticamente ms asequible. Cabe anotar que en el dopaje de los semiconductores, no solo cambian las propiedades elctricas del material, sino que tambin cambia el color del material, ya que al introducir niveles de energa en la banda prohibida, estos nuevos niveles energticos absorben algunas longitudes de onda adicionales, lo que ocasiona el cambio de color del material dopado, este fenmeno se denomina electrocromismo19. Ahora Ud. se preguntar, Por qu se habla de que los materiales semiconductores orgnicos deben ser conjugados y no se nombran a los alenos?. La respuesta a esta pregunta nos la da el dopaje. Al necesitar los compuestos orgnicos ser dopados, se necesita de un material de una reactividad tal, que
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LARSSON, Oscar. Empirical parameterization of organic electrochemical transistors. [en lnea] s.l.Universidad de Linkpings. 2004.p.31<www.ep.liu.se/exjobb/itn/ed/2004>.[cons: Octubre: 2004]. 18 Ibid, p. 31 19 Ibid, p. 35

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reaccione fcilmente con los agentes dopantes y los dienos conjugados son ms reactivos que los alenos, por razones que se salen del manejo de este texto, adems como la electroneutralidad es mantenida por un electrolito, se necesitan como escribe Daniel James Ulinski20, espacios de carga para albergar los iones, funcin para la cual son apropiados los enlaces simples, y los alenos al no poseer enlaces simples no poseen espacios de carga y por lo tanto no son utilizados como semiconductores.

Figura 10. Compuesto de PEDOT:PSS. Fuente : ULINSKI, Daniel James. Organic diode and other circuit element creation through variations of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) synthesis. [en lnea]. s.l.: Pittsburg University. 2002. <http://etd.library.pitt.edu/ETD/available/etd-07072004180027/ unrestricted/DJUlinski-MSEE-Thesis-Pitt-July-2004.pdf >. p.119 [consulta: Febrero de 2005 ]. En la figura 10, se observa un polmero conjugado (PEDOT), el cual esta dopado (oxidado), el electrolito (PSS) y se indican los iones y los espacios de carga. Gracias al dopaje, un material se comporta como semiconductor, pero tambien gracias al dopaje un compuesto orgnico conjugado puede convertirce en
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ULINSKI, Daniel James. Organic diode and other circuit element creation through variations of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) synthesis. [en lnea]. s.l.: Pittsburg University. 2002. <http://etd.library.pitt.edu/ETD/available/etd-07072004-180027/ unrestricted / DJUlinski-MSEEThesis -Pitt-July-2004.pdf >. p.119 [consulta: Febrero de 2005 ]

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conductor, y esto se logra mediante altos niveles de dopaje, los cuales reducen el gap y ponen a disposicin grandes cantidades de portadores de carga para la conduccin. En los prrafos anteriores hemos explicado lo que hace a una molcula orgnica individual ser semiconductora, pero en la prctica los materiales utilizados y tratados en este trabajo no son molculas individuales (de las cuales trata la electrnica molecular y cuyo contenido se sale de nuestro alcance), sino muestras macroscpicas, las cuales constan de millones de molculas individuales, y se encuentran unidas ya no por enlaces covalentes sino por fuerzas muy dbiles de tipo polar, como la fuerza de van der Waals. El que las molculas individuales estn unidas tan dbilmente origina que el gap entre molculas sea muy grande y la estructura de bandas de energa sea fcilmente interrumpida, pero aun cuando se piense en que esto echara por tierra la utilizacin de los materiales orgnicos como semiconductores, en realidad no es as y las razones para que no sea de esta manera las veremos en el siguiente capitulo (fsica de los semiconductores orgnicos). Habiendo explicado en forma muy general, como un material orgnico puede adquirir propiedades semiconductoras y conductoras, antes de pasar al siguiente capitulo debemos referirnos a los diferentes tipos de materiales semiconductores que ha sintetizado la industria y que forman ya parte, en la actualidad, de una diversidad de dispositivos electrnicos.

1.5 CLASIFICACIN DE LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS.

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Los materiales orgnicos, por su naturaleza, pueden formar una infinidad de compuestos de diferentes tamaos, formas y estructuras, y en consecuencia pueden ser clasificados de acuerdo a muchos parmetros, pero en cuanto a los compuestos orgnicos con caractersticas conductoras, se clasifican en dos grandes grupos, dependiendo de su peso molecular, que son: molculas de bajo peso molecular y molculas de alto peso molecular. Las primeras se refieren a molculas conjugadas, de un tamao menor a 20 monomeros, las cuales se conocen como oligomeros, y las segundas abarcan a las molculas conjugadas de ms de 20 monomeros, las cuales se conocen como polmeros. Ambos tipos de compuestos orgnicos se diferencian entre si por su tamao y propiedades fsicas, pero en cuanto a las propiedades elctricas su comportamiento es muy similar. En este apartado tan solo daremos las caractersticas generales de ambos tipos de molculas, y las ms utilizados en la industria, ya que los mecanismos utilizados para transportar portadores de carga y comportarse como semiconductores sern descritos ms adelante. 1.5.1 Oligomeros semiconductores: En el campo de la electrnica orgnica, estas molculas se caracterizan por estar constituidas por un nmero no muy grande de tomos, con una estructura de sus enlaces conjugada y por formar cristales de tipo molecular. Esto cristales se diferencian de los cristales de tipo atmico como los formados por el silicio, el germanio o el carbono (diamante), en que los primeros estn conformados por la unin de molculas individuales que intramolecularmente estn unidas por fuertes enlaces covalentes, pero que intermolecularmente se unen mediante fuerzas dbiles como la de van der Waals, mientras que los cristales de tipo atmico son en su totalidad una sola molcula que est fuertemente unida por enlaces covalentes. Esta diferencia origina que los cristales de tipo atmico generen estructuras de bandas muy bien definidas debido a que este tipo de cristales son muy fuertes y la estructura de sus estados energticos permanece inalterada, mientras que en los cristales moleculares al

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estar unidos por atracciones tan dbiles, y por poseer un nmero muy bajo de tomos por molcula, su acople energtico es bajo y su estructura energtica se altera con mucha facilidad, originando esto que en este tipo de materiales, la estructura de bandas de energa tenga muy poca importancia en la forma como conducen corrientes elctricas. Cabe anotar que pese a esa facilidad con que se interrumpe el orden energtico, los cristales de molculas pequeas mantienen un orden considerable. Los semiconductores fabricados con pequeas molculas, se destacan por presentar mejores niveles de conduccin que los semiconductores polimricos, pero el ser muy difciles de preparar en soluciones, los inhabilita para poder ser depositados con tcnicas de fabricacin de bajo costo como impresin convencional o spin coating, y por esta razn, tampoco pueden formar pelculas delgadas de gran rea. Entre los semiconductores orgnicos, las molculas de bajo peso molecular ms utilizadas segn la pagina <http://www.shef.ac.uk /physics/ teching/ phy411c/phy411.pdf>21, son: TPD, perileno, pentaceno, 6-tiofeno, fullereno (C60) y Alq3. El perileno, el pentaceno y el TPD (N,N'-bis-(m-tolyl)N,N'difenyl-1,1-bifenyl-4,4'-diamina) son materiales transportadores de huecos y usados como materiales fluorescentes en OLED. El 6-tiofeno, es un representante de la familia del tiofeno, el cual es conocido por su gran movilidad de huecos, y es usualmente utilizado en OFETs. El PBD ((2-(biphenyl-4-yl)-5-(4-tertbutylphenyl)1,3,4-oxadiazole), es un conductor de electrones usado en OLEDs. El C 60 o Fullereno es un material con gran afinidad electrnica, y sus derivados son utilizados como aceptores de electrones en dispositivos fotovolticos. Por ltimo el Alq3 (tris(8-quinoleina de aluminio)) es un complejo organometlico con una electroluminiscencia de color verde muy eficiente y de muy buena estabilidad, usado en OLED. (ver figura 11).

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Contents, [en lnea] s.l.:s.n.s.f. p.30 <http://www.shef.ac.uk/physics/teching/phy411c/phy411.pdf> [consulta: feb. 2005]

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Figura 11. Principales semiconductores de bajo peso molecular.

Figura 12. Estructura energtica de una pequea molcula orgnica. Fuente: K, Leo. Organic semiconductors: the basics. <http://www.orgworld.de/> [consulta: jun: 2004].

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La figura 12, nos muestra un diagrama energtico de una pequea molcula orgnica, en este caso un anillo de benceno, en donde observamos que la estructura de bandas en este tipo de semiconductores es muy reducida, debido a la poca cantidad de tomos constituyentes, y en donde se resaltan solo los enlaces , ya que son los nicos que intervienen en la conduccin, en un semiconductor orgnico. Aqu tambin se ven en color rojo los niveles de energa del HOMO y el LUMO, que en las molculas de bajo peso molecular, son niveles discretos debido al nmero de tomos de este tipo de materiales. 1.5.2 Polmeros semiconductores: Los polmeros se caracterizan por ser

cadenas muy largas, compuestas de monmeros, en donde cada monmero est unido mediante enlaces covalentes. Esto conduce a que al haber una gran cantidad de unidades monomricas enlazadas fuertemente, dentro de las cadenas de polmero se formen bandas de energa, como en los semiconductores inorgnicos. Sin embargo estas cadenas son de longitud finita, y un compuesto polimrico est constituido de millones de estas cadenas, las cuales estn muy dbilmente acopladas, razn por la que en los polmeros al igual que en los cristales moleculares orgnicos conjugados, la estructura de bandas de energa tampoco presente mucha relevancia en la corriente total del semiconductor. Los polmeros semiconductores a diferencia de los cristales moleculares, son ms fcilmente solubles, lo que permite que sean depositados mediante impresin convencional o spin coating, y de esta manera ser depositados en pelculas delgadas de gran rea a muy bajo costo. Adicionalmente, los polmeros semiconductores presentan las caractersticas propias de los materiales polimricos, como son flexibilidad y durabilidad. En cuanto a la conductividad, al presentar los polmeros estructuras amorfas, presentan una conductividad menor a los cristales moleculares, por razones que veremos en el siguiente captulo. Los polmeros semiconductores ms utilizados en la industria segn la pagina de Internet <http://www.shef.ac.uk/physics/teching/phy411c/phy411.pdf>22, son: los
22

Ibid, p.30

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politiofenos, polipirroles, polianilinas, PPP (poly-para fenileno), PPV (poly parafenileno vinileno), PVK (poly vinil carbazole), polyfluoreno, PEDOT-PSS, PPE y los dendrimeros. El PPV es un compuesto muy utilizado en dispositivos electroluminiscentes, este compuesto en la forma de MEH-PPV y ciano-PPV es muy soluble y su banda de gap mejora para el transporte de cargas. El PPE (poly fenileno etileno) y el PPP y los polifluorenos (PF) tambin son muy utilizados en dispositivos emisores de luz. El PVK fue uno de los primeros semiconductores orgnicos descubiertos, junto con el poliacetileno y fue el primer polmero en el cual se report electroluminiscencia. Los politiofenos son de gran inters por su buena solubilidad y excelentes posibilidades de procesamiento, adems presentan gran capacidad de transporte de carga e ndices altos de on/off. Uno de los politiofenos ms estudiados es el PEDOT (poly(3,4-etilendioxytiofeno)). El PEDOT:PSS es el resultado de la polimerizacin qumica oxidativa del monmero EDOT en poly(acido estireno sulfonico) (PSS). El sistema resultante que consiste de los polmeros conjugados PEDOT de dopado tipo p y PSS como iones opuestos que mantienen la carga neutral, es altamente conductivo (~ 10Scm), transparente, mecnicamente durable e insoluble. En los ltimos aos este material transparente est siendo utilizado en muchas aplicaciones en los dispositivos orgnicos electroqumicos y como capa de inyeccin de huecos en OLEDs (LEDs orgnicos). Los dendrmeros son polmeros hiper-ramificados; su estructura contiene unidades ramificadas repetidas llamadas dendrmeros que se radan desde su centro. Los dendrmeros tienen una concentracin extremadamente alta de grupos funcionales que le confieren su alto peso molecular y su volumen. En el campo de los OLEDs, los dendrmeros permiten que las pequeas molculas mantengan sus propiedades semiconductoras y adquieran algunas ventajas de los PLEDs, como la capacidad de ser procesadas como solucin.

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Figura 13. Principales polmeros semiconductores.

Figura 14. Estructura energtica de un polmero conjugado. Fuente: K, Leo. Organic semiconductors: the basics.<http://www.orgworld.de/ [consulta: jun: 2004].

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En la figura 14, vemos la estructura energtica de un polmero semiconductor, en este caso particular la estructura del PPV, en donde podemos observar, a diferencia de la figura 12, que en los polmeros semiconductores si se forman bandas de energa bien definidas, y aqu los niveles de energa del HOMO y el LUMO se pueden considerar como niveles no discretos, debido al gran nmero de tomos que conforman los polmeros. Al igual que en la figura de las molculas de bajo peso molecular, aqu solo se muestran las bandas de los enlaces , debido a que son los niveles de energa de este tipo de enlaces, los nicos que contribuyen a la conduccin en un semiconductor orgnico.

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2. FSICA DE LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS

En los semiconductores orgnicos al presentarse estructuras desordenadas y mucho menos acopladas que en los cristales atmicos que conforman a los semiconductores inorgnicos, el modelo de bandas de conduccin, es de poca validez. En el caso de los cristales semiconductores, la estructura de bandas no se forma, debido a los pocos tomos que conforman cada molcula y en los polmeros semiconductores el modelo de bandas se utiliza intramolecularmente, pero intermolecularmente debido al alto grado de desorden y al bajo acople, este modelo no tiene cabida al igual que en los cristales moleculares. Por lo tanto, si mediante el modelo de bandas no se puede explicar el transporte de cargas en los semiconductores orgnicos, mediante que modelo se explica dicho transporte?. Segn Vissemberg23, el fenmeno de conduccin en los semiconductores orgnicos se explica de la siguiente manera: en los semiconductores orgnicos los electrones se encuentran en estados energticos o niveles de energa localizados, a diferencia de los conductores y semiconductores tradicionales en donde los electrones estn deslocalizados por todo el material. En los materiales orgnicos, estos estados localizados o sitios son: los estados de las molculas individuales en los cristales moleculares, los estados de las cadenas polimericas individuales o los estados de los segmentos de estas cadenas donde la conjugacin es interrumpida por defectos estructurales o qumicos. Habiendo definido los estados localizados o sitios y teniendo presente que estos sitios actan como pozos de potencial, la transferencia de carga entre sitios se da mediante saltos cunticos o hopping en donde los portadores de carga mediante efecto tnel asistido por fonones (vibraciones de la estructura del material) pasan de un sitio a otro, bajo
23

VISSEMBERG, Michael Cornelis Josephus Marie, Opto-electronic properties of disordered organic semiconductors [en linea]. Leiden: Universidad de Leiden, 1999. p. 6.< http://www.lorentz. leidenuniv.nl/ beenakker /theses/vissenberg/vissenberg.html. [Consulta: Abril de 2004].

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ciertas condiciones especiales. Para entender un poco ms este fenmeno, vamos a explicar en forma general este mecanismo cuntico. El efecto tnel, como dice la editorial Time Life24, fue por primera vez propuesto por George Gamow a principios del siglo XX, para explicar como dos tomos de hidrogeno se fusionaban en las estrellas a temperaturas sumamente bajas para que se diera dicho fenomeno, y se basa en el principio de incertidumbre y en la ecuacin de onda de Schrdinger, la cual predice que una partcula subatmica dentro de un pozo de potencial o fuera de ste, siempre y cuando la barrera de potencial sea finita, tiene una probabilidad (aunque muy pequea) de encontrarse por fuera o de entrar a dicho pozo, atravesando sus paredes, como si hiciera un tnel, razn por la cual se denomin efecto tnel.

Figura 15.Pozo de potencial o sitio. En un semiconductor orgnico, los electrones como dijimos en el captulo anterior, se encuentran deslocalizados dentro de los sistemas de las molculas individuales de los cristales moleculares o de las cadenas polimricas. Estos electrones al ser estimulados por un campo elctrico se mueven dentro de estos sitios de extremo a extremo y al encontrarse con una barrera energtica rebotan y forman ondas estacionarias25 que tienen cierto nivel de energa. Teniendo en cuenta lo anterior los electrones u ondas estacionarias tienen la posibilidad de atravesar la barrera de potencial entre las molculas o polmeros, siempre y

24 25

Editorial Time Life, Universo, Estrellas I. Editorial Folio S.A. Barcelona. 1994. p.48 CORCORAN, Elizabeth. Nanotecnica. Investigacin y ciencia. Ed prensa cientifica S.A. No.172 Barcelona. 1991. p.80

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cuando, segn Richard Turton26, los electrones de un sitio origen esten en un nivel de energa igual a uno de los niveles de energa permitido en el sitio al que va a trasladarse, de lo contrario el hopping no se lleva a cabo. Por lo tanto, con el fin de lograr los niveles de energa necesarios, el papel de los fonones es indispensable, ya que la energa de los fonones es trasmitida a los electrones que de esta forma alcanzan la energa suficiente para trasladarse por efecto tnel.

Figura 16. Hopping asistido por fonones. En la figura 16, en la parte A, observamos al lado izquierdo un electrn en una molcula o sitio con una energa inferior a la energa de uno de los niveles de energa discretos de otra molcula o sitio, inhabilitando esto su traslado por efecto tnel. En la parte B, al aplicarle un campo elctrico al material los niveles de energa al igual que en los semiconductores inorgnicos se inclinan y la diferencia de energa entre los dos sitios disminuye pero aun no coinciden. Sin embargo en la parte C, el electrn absorbe la energa de un fonn e iguala la energa de la molcula vecina, situacin sta que le permite trasladarse por hopping. El mecanismo de efecto tnel asistido por fonones o Hopping (saltos cunticos) fue originalmente propuesto por Conwell y Mott en los semiconductores
26

TURTON, Richard. El Punto Cuantico, la microelectronica del futuro. Alianza Editorial S.A. Madrid. 1995. p. 234

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inorgnicos con defectos trampas y la tasa de transicin por efecto tnel asistido por fonones fue calculada por Miller y Abrahams, en donde el Hopping desde un estado localizado J a un estado i se lleva a cabo a una frecuencia para el fonn de

o, la cual es adecuada para que el fonn sea absorbido por los portadores de

carga, que as aumentan su energa y se trasladan por efecto tnel27.

Ecuacin 1. Tasa de tunelage asistido por fonones. En la ecuacin 1, es la longitud inversa de localizacin, Rij es la distancia entre los estados localizados,

i es la energa en el estado i y j es la energa del estado

J. Como los ndices de salto son fuertemente dependientes de la energa y la posicin de los estados localizados, el transporte por Hopping es extremadamente sensible, tanto a la estructura como al desorden energtico. La anterior es la razn por la que los cristales moleculares tienen una conductividad mayor que los polmeros semiconductores. Conociendo ya el modelo mediante el cual se explica la semiconduccin en los materiales orgnicos, es importante conocer, como es la movilidad en estos materiales.

2.1 MOVILIDAD EN LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS.

27

VISSENBERG, Op Cit, p.7

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Para medir esta caracterstica en los semiconductores inorgnicos, los investigadores utilizan la tcnica del tiempo de vuelo, la cual consiste en generar mediante un flash de luz, una capa de portadores de carga cerca de un electrodo de un capacitor de placas paralelas y bajo un campo elctrico aplicado E, hacer que las cargas se mueven hacia el electrodo opuesto. El tiempo de trnsito directa de la movilidad de los portadores28.

t al

cual las cargas alcanzan ese electrodo (distancia L) es entonces una medida

Ecuacin 2. Movilidad por la tcnica de tiempo de vuelo. Sin embargo en los semiconductores orgnicos segn Vissenberg29, las fotocorrientes generadas son con frecuencia dispersivas (disminuyen con el tiempo debido a que las cargas toman diferentes caminos y se inmovilizan temporalmente debido a que quedan atrapadas en irregularidades) y por lo tanto la velocidad de las cargas disminuye cuando la muestra es atravesada. En ese caso el tiempo de arribo promedio de las cargas y consecuentemente la movilidad de los portadores, dependen de la dimensin de la muestra y la movilidad no refleja un parmetro genuino del material. Esa dispersin de la corriente es debido, a que como vimos en el captulo anterior, los semiconductores orgnicos presentan bajo acople y en especial los polmeros tienen un grado muy alto de desorden al ser amorfos. Teniendo en cuenta lo anterior y segn Man Hoy Wong30, investigaciones con respecto a la movilidad, han concluido que la movilidad en los materiales orgnicos tiene una dependencia del campo elctrico = 0 exp(E) que es del tipo Poole-Frenkel y adicionalmente se observa un transporte de carga tanto dispersivo como no dispersivo. Por lo tanto, para estudiar la movilidad en los
28 29

Ibid, p.8 Ibid, p.8 30 WONG, Man Hoy. Charge transport and injection in doped organic semiconductors. [en lnea], s.l.: Cornell university. 2004. p. 12 <my.ece.ucsb.edu/mhwong/documents/thesis.pdf>. [Consulta: Febrero de 2005]

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semiconductores orgnicos se utiliza el modelo de Bssler, el cual modela ambos comportamientos, teniendo en cuenta la simulacin de Monte Carlo, la cual se basa en una distribucin Gaussiana de densidad de estados (DOS) o niveles de energa disponibles para los electrones, con el cual se obtienen unos resultados muy acordes con los experimentos. Dichos resultados muestran que el transporte de carga en los slidos orgnicos es altamente dispersivo, y que la movilidad de los portadores depende de tres aspectos fundamentales que son: el desorden energtico (debido a la fluctuacin de la polarizacin de la energa de la retcula y/o de la distribucin de la longitud de los enlaces del semiconductor), la intensidad del campo elctrico aplicado y el desorden estructural (debido a la fluctuacin de la distancia entre sitios, la cual vara con una varianza ). Para describir los tres aspectos anteriores, el modelo de Bssler, primero calcula, para un paquete de portadores de carga, la energa media de equilibrio en funcin del desorden energtico (<>), teniendo en cuenta que los portadores de carga no son sometidos a un campo electrico.

Ecuacin 3. Energa media de equilibrio. Donde () es la densidad de estados de energa y es el ancho de la DOS normalizados a kT y representa el desorden energtico. Los sistemas que poseen grandes desordenes energticos implican bajas temperaturas de acuerdo a la ecuacin y se equilibran ms despacio debido a que los saltos activados trmicamente, que ayudan a los portadores a encontrar otras trayectorias para la relajacin, estn eliminados.

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Segn Man Hoy Wong31, el segundo paso del modelo de Bssler, con el fin de encontrar una ecuacin analtica de la movilidad, tiene en cuenta la dependencia que tienen la movilidad, de la temperatura, la cual tiene la siguiente ecuacin:

( T ) = exp( 2 / 3) 2 ) .
0

Ecuacin 4. Dependencia trmica de la movilidad Luego, teniendo la relacin de la movilidad con la temperatura, el modelo de Bssler relaciona la movilidad conjuntamente con el campo elctrico y el desorden energtico, y aqu encuentra un comportamiento como el de la figura 17, en donde el desorden posicional o varianza es cero ( = 0) y la movilidad del material presenta un comportamiento que se aproxima a (log~E) que es del tipo de Poole-Frenkel, el cual se da a campos elctricos moderadamente altos (>10 5 V/cm) con tendencia a saturarse a grandes campos elctricos (>10 6 V/cm)32. En la figura se ve que a medida que el desorden energtico aumenta, la movilidad disminuye, lo cual es consecuencia de lo que vimos anteriormente cuando tratamos el pozo de potencial, en donde el trasporte por efecto tnel necesita que las energas de los sitios entre los cuales se dar el hopping sean iguales y el desorden energtico implica que dichas energas son muy dispares. Tambin la figura 17 nos muestra que la movilidad aumenta con el aumento del campo elctrico, lo cual es consecuencia de que la DOS aumenta con el campo y el aumentar la densidad de estados, conlleva inevitablemente a una disminucin en el desorden energtico. Esto tambin se puede explicar retomando la figura 16, en donde observamos que un potencial aplicado reduce la barrera de potencial, facilitando el hopping en la direccin del campo aplicado. Por ltimo y como ms importante, la figura nos muestra que a grandes campos, la movilidad alcanza un nivel de saturacin en el cual deja de depender del desorden energtico

31 32

Ibid, p.15 Ibid, p.15

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Figura 17. Variacin de la movilidad con el desorden energtico, asumiendo desvanecimiento del desorden posicional. Fuente: WONG, Man Hoy. Charge transport and injection in doped organic semiconductors. Universidad de Cornell. Mayo de 2004. <my.ece.ucsb.edu/mhwong/documents/thesis.pdf> [consulta: feb 2005] El modelo de Bssler habiendo ya considerado el desorden energtico, continua su anlisis, considerando la movilidad relacionada conjuntamente con el desorden posicional y el campo elctrico y en este aspecto encuentra que la movilidad se comporta como la figura 18, en donde el desorden energtico es cero. En esta figura se observa que al aumentar el desorden posicional se aumenta la movilidad, lo cual se debe a que este desorden introduce muchas rutas alternas, es decir, que si en la direccin del campo elctrico la barrera de potencial es muy grande, es factible que en otras direcciones se encuentren barreras menos anchas por las cuales los portadores puedan tomar atajos, incluso en direcciones en contra del campo elctrico. Sin embargo a medida que el campo aplicado aumenta, los portadores de carga son obligados a obedecer la ruta sealada por el campo y las rutas alternas ya no se pueden tomar, con lo cual disminuye la movilidad.

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Figura 18. Variacin de la movilidad con el desorden posicional asumiendo desvanecimiento del desorden energtico. Fuente: WONG, Man Hoy. Charge transport and injection in doped organic semiconductors. Universidad de Cornell. Mayo de 2004. <my.ece.ucsb.edu/mhwong/documents/thesis.pdf> [consulta: feb 2005] Habiendo considerado los tres factores de los que depende la movilidad, el modelo de Bssler, con el objeto de encontrar una frmula general para la movilidad, toma todos los factores en conjunto y llega una ley universal que relaciona los tres efectos:

Ecuacin 5. Movilidad relacionada con E y el desorden energtico y posicional.

64

En la ecuacin 5, C es un parmetro del sistema que depende del material. Teniendo en cuenta todo lo anterior se puede concluir que: - Segn Man Hoy Wong33, Mediante una combinacin adecuada de desorden energtico y de desorden posicional se puede lograr que la movilidad de un semiconductor orgnico no dependa del campo elctrico aplicado (sea constante en la prctica), siempre y cuando este se mantenga dentro de un rango especfico. - El desorden energtico disminuye la movilidad y en si mismo disminuye con el campo elctrico. - El desorden posicional aumenta la movilidad, pero tambin disminuye con el campo elctrico. - El campo elctrico hace que la movilidad de un semiconductor orgnico no sea constante (pero este efecto tiene solucin) y satura la movilidad de los portadores de carga a campos elevados.

La figura 19 muestra la movilidad de los huecos en TAPC/polycarbonate ante la presencia de ambos parmetros de desorden y del campo elctrico.

33

Ibid, p.16

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Figura 19. Movilidad del TAPC:PC con desorden energtico y posicional. Fuente: WONG, Man Hoy. Charge transport and injection in doped organic semiconductors. Universidad de Cornell. Mayo de 2004. <my.ece.ucsb.edu/mhwong/documents/thesis.pdf> [consulta: feb 2005]

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2.2 CONDUCTIVIDAD EN LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS.

Teniendo en cuenta el modelo de trasporte de cargas en los semiconductores orgnicos y el comportamiento de la movilidad con el desorden y el campo electrico, podemos encontrar la conductividad de un semiconductor orgnico facilmente, ya que por definicin la conductividad es: =ne Ecuacin 6. Ecuacin de la conductividad. En donde n es la concentracin de portadores de carga, e es la carga del electrn y es la movilidad de los portadores de carga, la cual tiene la forma encontrada en el numeral anterior. Sin embargo la conductividad vara con la temperatura, ya que si sta se incrementa, tambien se incrementan el nmero de sitios alcanzables, ya que se puede hacer hopping hasta estados localizados ms alejados o de mayor energa, debido a que con la temperatura se aumentan los fonones y la energa, y en este orden de ideas una partcula subatmica puede trasladarse mediante efecto tnel a mayores distancias. La dependencia que tiene la conductividad en los semiconductores orgnicos (T) con respecto a la temperatura, est dada por la ecuacin 7, en donde o(T) es un factor dependiente de la temperatura, To es la temperatura de referencia (relacionada con la DOS en el nivel de Fermi) y d la dimensin del salto34.

Ecuacin 7. Conductividad dependiente de la temperatura

34

LARSSON, Oscar. Empirical parameterization of organic electrochemical transistors. [en lnea] s.l.Universidad de Linkpings. 2004.p.16<www.ep.liu.se/exjobb/itn/ed/2004>.[cons: Octubre: 2004].

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Adicionalmente el nmero de estados localizados disponibles, es incrementado mediante el aumento del nivel de dopaje, lo cual mejora la conductividad. Pero para para los polmeros conjugados altamente dopados, la conductividad con respecto a la temperatura se asemeja al comportamiento de un metal, en el cual la conductividad decrece con el incremento de la temperatura35. En estos casos la ecuacin anterior ya no es vlida, debido a que las molculas individuales se comportan como metales y en este caso el modelo cambia un poco respecto al anterior y consiste en que el material est constituido por granos metlicos o islas metlicas rodeadas por un medio con una banda de gap con estados localizados. Este modelo, basado en el desorden heterogneo de polmeros conjugados altamente dopados, sugiere que el mecanismo de transporte de cargas dentro de las islas metlicas es similar al de los metales y entre islas sigue siendo el hopping. La conductividad dependiente de la temperatura (T) en este modelo es expresado de acuerdo a la ecuacin 8, para pequeas islas metlicas (~nm), donde o y To son constantes del material, y de acuerdo a la ecuacin 9, para islas metlicas ms largas (~m), donde T1 y T2 son constantes del material que dependen del ancho y la altura de la barrera de tunelaje36.

Ecuacin 8. Conductividad entre islas separadas por nanmetros.

Ecuacin 9. Conductividad entre islas separadas por micrmetros.

35 36

Ibid, p.19 Ibid, p.21

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3. PORTADORES DE CARGA Y TRANSPORTE DE CARGA

Habiendo descrito en el capitulo anterior el modelo de transporte de cargas en los semiconductores orgnicos, en este capitulo nos referiremos a los portadores de carga, que en el caso de los materiales orgnicos, a causa de la naturaleza misma de los compuestos que forman estos materiales, son un tanto diferentes a los electrones y huecos de los semiconductores inorgnicos. Para entender, por que los portadores de carga de los semiconductores orgnicos, son diferentes que los de los semiconductores inorgnicos, hay que tener en cuenta que cuando un semiconductor inorgnico se dopa, los tomos dopantes que son los encargados de aportar los electrones o los huecos, tambin son los que sufren los mayores cambios energticos, conduciendo esto a que la estructura de los enlaces en estos materiales no cambie. En contraste, en los semiconductores orgnicos, como dice Oscar Larsson37, tanto en el dopado electroqumico como en el dopado qumico, no se introducen tomos en la cadena principal del semiconductor y por lo tanto al no haber tomos que soporten los cambios energticos creados en la formacin de los portadores de carga, el desequilibrio es soportado por la estructura misma del semiconductor, provocando cambios estructurales en esta. Para entender bien este fenmeno miremos la figura 20. En esta figura se esquematiza en (B) un cristal de silicio el cual es dopado con fsforo (P), y se puede observar que la estructura de los enlaces no varia, ya que el desvalance se da en el tomo de fsforo y la estructura original del cristal sigue siendo la de menor energa.

37

Ibid, p. 17

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Figura 20. Estructura de un cristal de Silicio. Sin embargo en la figura 21, se ve en (E), que en un semiconductor orgnico, al crearse un portador de carga, ya sea por dopado qumico o electroqumico, se genera un desequilibrio en el lugar donde se formo, que en su caso es la estructura principal del semiconductor. Aqu se observa que el polmero al ser oxidado (retiro de un electrn), origina segn Oscar Larsson38, la formacin de un catin (carga positiva) y un radical (electrn desapareado) y por lo tanto la desaparicin del enlace . El que el enlace desaparezca, conduce a que la longitud del enlace entre los dos tomos de carbono aumente (ver figura 21E), adems al quedar los tomos de carbono sin sus capas llenas son muy inestables y en consecuencia, la molcula en busca de mayor estabilidad, reorganiza su enlaces, como se ve en (F).

Figura 21. Estructura de un semiconductor orgnico dopado.

38

Ibid, p.17

70

Ud se preguntar Cmo se lleva a cobo todo este fenmeno?. Para responder a esta pregunta observemos la figura 22.

Figura 22. Energa contra distancia del radical-catin. En esta figura el crculo negro al lado izquierdo representa la distancia y la energa del catin- radical cuando se encuentran juntos, como en la parte (E) de la figura 21. En esta instancia el conjunto catin- radical es muy inestable (posee mucha energa potencial elctrica) y en pro de la estabilidad se separan, pero durante su separacin, cambian la configuracin de los enlaces de los monmeros que quedan entre ellos, debido a que cambiar la estructura de los enlaces es mas estable que si el catin y el radical se trasladaran sin cambiar los enlaces. Ud, se preguntar, Por qu es ms estable?. La respuesta la obtenemos estudiando la figura 23. En esta figura vemos un polmero conjugado oxidado, en donde en (A), las partculas (catin y radical) no cambian los enlaces, y por lo tanto el total de enlaces dobles es de 4, mientras que en (B), las partculas cambian la configuracin de los enlaces, y el total de enlaces dobles es de 5, por lo tanto, al tener (B) mayor nmero de enlaces dobles es ms estable, debido a que el enlace doble al estar compuesto por enlaces y enlaces , es muy fuerte.

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Figura 23. Estructuras de enlaces. Sin embargo cabe recordar que una estructura que no este oxidada, como la (C), es mas estable que las dos anteriores (tienen mas enlaces dobles), y esta, se presenta en el resto del polmero que no esta oxidado. En este orden de ideas y recordando que para separar algo muy estable hay que suministrar mucha energa, seguramente Ud. se debe preguntar Cmo es posible que el radical y el catin se separen, si estn en medio de una configuracin de enlaces ms estable?, y la respuesta, es que se separan debido a que la energa inicial es muy grande, lo que les permite abrirse campo entre una configuracin tan estable, pero durante este proceso la energa se relaja, hasta llegar a un punto determinado en donde la relajacin a sido tanta, que ya no hay energa suficiente para que el radical y el catin se sigan apartando uno del otro, punto este en el cual el radicalcatin ha alcanzado la mayor estabilidad, quedando confinado en medio de una barrera de potencial, originada por la mayor estabilidad de la configuracin de los enlaces circundantes. Teniendo en cuenta lo anterior, vemos que en un semiconductor orgnico, los portadores de carga no se presentan simplemente como electrones o huecos, sino que debido a la inestabilidad producida en el

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dopaje, los portadores de carga en estos semiconductores son un conjunto mucho mas complejo, conformado por una carga (electrn o hueco) y un radical, en medio de los cuales, se presenta una configuracin de enlaces menos estable que la del semiconductor no dopado. Habiendo entendido, por que en los semiconductores orgnicos, los portadores de carga son diferentes, entraremos ahora a clasificar los diferentes tipos de portadores de carga que se forman en este tipo de semiconductores.

3.1

CLASIFICACIN

DE

LOS

PORTADORES

DE

CARGA

EN

LOS

SEMICONDUCTORES ORGNICOS.

Para poder clasificar los portadores de carga, segn David Nilsson 39, primero tenemos que clasificar los tipos de semiconductores de acuerdo a la energa de sus enlaces, ya que de esta clasificacin depende el tipo de portadores que se formaran. De acuerdo a la energa de los enlaces, los semiconductores orgnicos se clasifican en: semiconductores de estado base degenerado y semiconductores de estado base no degenerado. Los primeros se caracterizan por que sus enlaces simples y dobles se pueden intercambiar sin cambiar la energa de su estado base y los segundos se caracterizan por que el intercambio de sus enlaces esta asociado con dos estados de energa diferentes. En la figura 24, podemos observar ejemplos de estos tipos de semiconductores. Es importante tener en cuenta, que en la prctica, la mayora de los semiconductores y los ms importantes para aplicaciones en dispositivos electrnicos, se destacan por ser semiconductores de estado base no degenerado.
39

NILSSON, David. An Organic Electrochemical transistor for Printed Sensors and Logic. [en lnea]. s.l.: Universidad de Linkpings, Institute of technology. 2005. http://www.ep.liu.se/dess/ science_technology/09/21/digest.pdf. p.16. [consulta: Febrero de 2005 ]

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Figura 24. Configuracin de enlaces de diferente energa en un polmero con estado base no degenerado. Fuente: LARSSON, Oscar. Empirical parameterization of organic

electrochemical transistors.[en lnea].s.l.: Universidad de linkpings. Junio de 2004. <www.ep.liu.se/exjobb/itn/ed/2004> [consulta: Oct 2004].

Figura 25. Dos fases con igual energa, de un polmero con estado base degenerado. Fuente: LARSSON, Oscar. Empirical parameterization of organic

electrochemical transistors.[en lnea].s.l.: Universidad de linkpings. Junio de 2004. <www.ep.liu.se/exjobb/itn/ed/2004> [consulta: Oct 2004].

74

3.1.1 Semiconductores de estado base no degenerado: Como ya dijimos estos semiconductores se caracterizan por que sus energas cambian cuando se intercambian los enlaces simples y dobles, en consecuencia, vemos que el ejemplo utilizado para explicar por que en los semiconductores orgnicos los portadores de carga eran diferentes, es un caso tpico de semiconductor de estado base no degenerado. Por lo tanto, conociendo las caractersticas de estos semiconductores, veamos los diferentes tipos de portadores de carga que se pueden formar en estos. Segn David Nilsson40, cuando un semiconductor orgnico de estado base no degenerado se dopa de tal manera que sea de tipo p (tipo n), es decir portador de cargas positivas (portador de cargas negativas), lo que se hace es oxidar (reducir) el material, con lo que se obtiene un semiconductor con un tipo de portador de carga denominado polarn positivo (negativo), el cual esta conformado por un catin (anin), unido a un radical mediante una nueva configuracin de los enlaces. En este tipo de portador, la carga es positiva (negativa) ya que el radical que se forma es de carga neutra. Habiendo oxidado (reducido) una ves el semiconductor, este polarn puede ser nuevamente oxidado (reducido) quitando el electrn del radical (adicionando un electrn al radical), con lo que se genera un dicatin (dianin), el cual recibe el nombre de bipolarn positivo (negativo). En la figura 26 se observa el proceso como se forman polarones y bipolarones, y en la figura 27, se ven los niveles de energa generados por estos portadores de carga. En esta ultima figura, a la derecha se observa un polmero en donde se han generado bandas de bipolarn, las cuales tienen su origen en un polmero altamente dopado. Cuando un semiconductor tiene un nivel muy alto de dopaje, antes de formarse dos polarones aislados en una misma cadena polimrica, se forman bipolarones, ya que es mas fcil quitarle o adicionarle un electrn a un radical, el cual es inestable, que a un tomo que se encuentre establemente enlazado y con su ultima capa llena.

40

Ibid, p.17

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Figura 26. Generacin de polarones positivos y bipolarones en el PEDOT. Fuente: NILSSON, David. An Organic Electrochemical transistor for Printed Sensors and Logic. Universidad de Linkpings, Institute of technology. 2005. <http://www.ep.liu.se/dess/science_technology/09/21/digest.pdf.>[consulta: febrero de 2005].

Figura 27. Niveles de energa de un polmero neutro, un polarn positivo, un bipolaron positivo y un polmero con bandas de energa de bipolaron. Fuente: NILSSON, David. An Organic Electrochemical transistor for Printed Sensors and Logic. Universidad de Linkpings, Institute of technology. 2005. <http://www.ep.liu.se/dess/science_technology/09/21/digest.pdf.>[consulta: febrero de 2005].

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3.1.2 Semiconductores de estado base degenerado: Segn David Nilsson41, cuando un semiconductor con un estado base degenerado es dopado, al igual que en los semiconductores de estado base no degenerado, la oxidacin (reduccin) inicial produce un polarn positivo (negativo), pero a diferencia de los polarones de los materiales con estado base no degenerado, estos no estn obligados a permanecer enlazados, ya que en este caso ambas configuraciones de los enlaces tienen la misma energa, por lo tanto los enlaces que se encuentran entre el catin (anin) y el radical, tienen la misma energa que los enlaces contiguos. En consecuencia si dicho polarn se vuelve a oxidar (reducir), retirando (adicionando) un electrn al radical, el resultado sern dos cargas positivas (negativas) independientes, las cuales reciben el nombre de solitn positivo (negativo). Los solitones tambin pueden ser neutros, y estos se forman cuando en la fabricacin del semiconductor dos molculas con estado base degenerado y con los enlaces trocados se unen, como se observa en la figura 29. Los solitones al igual que los polarones y los bipolarones se comportan individualmente como una sola unidad, y se denominan cuasi-partculas, debido a que se comportan como partculas (electrones o huecos), pero sin serlo. La formacin de solitones al igual que la de polarones y bipolarones, resulta en nuevos estados localizados en la mitad de la banda de gap y ante un alto nivel de dopaje, los solitones pueden interactuar con los dems para formar una banda continua de solitones. Los solitones se caracterizan tambin por que pueden portar carga o no (solitones neutros) y adems por que para moverse a lo largo del semiconductor nesecitan menos energa de activacin que los bipolarones y los polarones en los semiconductores de estado base no degenerado.

41

Ibid, p. 18

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Figura 28. Formacin de solitones.

figura 29.. Tres tipos de solitones y sus bandas de energa. Fuente: NILSSON, David. An Organic Electrochemical transistor for Printed Sensors and Logic.[en lnea].s.l.: Universidad de Linkpings, Institute of technology. 2005. <http://www.ep.liu.se/dess/science_technology/09/21/ digest.pdf.> [consulta: febrero de 2005].

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3.2 TRANSPORTE ELECTRNICO DE CARGA

En el capitulo dos, estudiamos el modelo de transporte de carga y observamos que este se caracteriza por que el movimiento de los portadores se da mediante el modelo de bandas intramolecularmente, pero mediante hopping (saltos cunticos) intermolecularmente. En este numeral, conociendo ya el modelo de transporte y los portadores de carga, observaremos como se da la conduccin en estos semiconductores. Puesto que en la prctica, segn Oscar Larsson42, los semiconductores orgnicos ms utilizados son los de estado base no degenerado, sern los que utilizaremos para ilustrar el movimiento de los portadores de carga a travs de una muestra polimrica, con lo cual quedara claro el transporte de cargas. En la figura 30, se observa una cadena de PEDOT, la cual ha sido doblemente oxidada y por lo tanto sus portadores de carga son bipolarones positivos. Estos al ser sometidos a un campo elctrico, se mueven en la direccin de este, como un paquete que altera la posicin de un enlace simple y uno doble, como si estos se movieran a lo largo de la cadena principal. Para entender este mecanismo, tengamos en cuenta primero que los semiconductores orgnicos segn Daniel James Ulinski43, mantienen la electroneutralidad mediante iones que ocupan los espacios de carga, y por lo tanto, si el espacio de carga (enlace simple) esta ocupado, este no puede participar en la conduccin, debido a que el ion no permite que dicho enlace simple se convierta en enlace doble, lo cual es indispensable, ya que para que el bipolaron se mueva nesecita intercambiar los enlaces. Sin embargo cuando se aplica un voltaje, el polmero en un extremo es reducido (se introducen

42 43

LARSSON, Op. Cit, p. 23 ULINSKI, Daniel James. Organic diode and other circuit element creation through variations of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) synthesis. [en lnea]. s.l.: Pittsburg University. 2002. <http://etd. library.pitt.edu/ETD/available/etd-07072004-180027/unrestricted/DJUlinski-MSEE-Thesis -Pitt-July2004.pdf >. p.119 [consulta: Febrero de 2005 ]

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electrones), lo cual retira el in del espacio de carga y el bipolaron impulsado por el campo se mueve a lo largo del semiconductor. (Ver figura 29).

Figura 30. Transporte de un bipolaron a lo largo de una cadena de PEDOT.

La

figura

30

nos

muestra

el

movimiento

de

un

portador

de

carga

intramolecularmente, pero como ya sabemos estos portadores de carga con el fin de tener una muestra macroscpica semiconductora, tienen que trasladarse entre molculas, lo cual ejecutan mediante hopping como muestra la figura 31.

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Figura 31. Hopping entre cadenas polimricas. Fuente: LARSSON, Oscar. Empirical parameterization of organic electrochemical transistors.[en lnea].s.l.: Universidad de linkpings. Junio de 2004. <www.ep. liu.se/exjobb/itn/ed/2004> [consulta: Oct 2004].

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4. PROPIEDADES OPTOELECTRNICAS DE LOS SEMICONDUCTORES ORGNICOS

Los materiales orgnicos, adems de presentar caractersticas conductoras muy importantes, tambin muestran propiedades optoelectrnicas muy interesantes para la industria electrnica, como es el caso de la electroluminiscencia, que consiste en excitar elctricamente un tomo o molcula, los cuales durante la desexcitacin emiten luz. Esta propiedad de los materiales orgnicos, es una de las mas estudiadas por la industria electrnica, y es en su estudio donde mayores avances se han alcanzado en el campo de los materiales orgnicos, como es el caso de los OLED (Organic Light Emisin Diode), con los cuales se fabrican en la actualidad, una gran variedad de productos, entre los cuales destacan el papel electrnico, las pantallas flexibles y los vidrios inteligentes entre otros. Por lo tanto por la importancia que tiene esta propiedad de los materiales orgnicos en la electrnica, en este capitulo estudiaremos este fenmeno.

4.1 LUMINISCENCIA Y ESTADOS ELECTRONICOS EXCITADOS.

Para comenzar, la luminiscencia se define como la desexcitacin de un tomo o molcula a travs de la emisin de fotones, y puede clasificarse segn Juan Aguilera44, de acuerdo con la duracin de la emisin despus de la excitacin, ya que cuando se suspende la excitacin, el decaimiento siempre se da en forma exponencial. Por lo tanto, si el tiempo para este decaimiento desde su intensidad mxima hasta un valor igual a 1/e (con e la carga del electrn) es del orden de los
44

AGUILERA, Juan. Luminiscencia en materia condensada. [en lnea].s.l.:s.n.2001.<www.fis.puc. cl/spm/public/fiz3600/2001.mp-JuanAguilera.pdf> [consulta: Noviembre de 2004 ]

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10 3 seg. o menor el fenmeno se denomina fluorescencia, de lo contrario si este tiempo es del orden de los segundo o ms, se denomina fosforescencia. Conociendo ya, la definicin de luminiscencia y sus diferentes clases, veamos ahora, como y mediante que tipo de partculas se lleva a cabo. Segn la pagina de Internet <http://www.shef.ac.uk/physics/teching/phy411c/phy411.pdf>45, cuando una molcula orgnica con un gap en el rango de la energa de la luz visible, absorbe un fotn, un electrn es removido del HOMO y promovido al LUMO, en otras palabras, ocurre una transicin desde un estado fundamental a un estado excitado, con lo cual se crea un par electrn-hueco, que se denomina excitn. Los excitones a diferencia de los polarones, bipolarones y solitones, son neutros y se diferencian en que durante la excitacin, el electrn no es arrancado totalmente de la molcula, como en el caso de los portadores de carga, sino que tan solo es promovido a un orbital de mayor energa. Hemos dicho que los excitones son formados por la excitacin fotonica, sin embargo estos tambin se pueden formar elctricamente, mediante la unin de un polarn positivo (hueco) y uno negativo (electrn), lo cual, constituye el fenmeno electroluminiscente, que es en el que se basa el funcionamiento de todos los dispositivos electro-pticos. 4.1.1 Clasificacin de los excitones: Los excitones como vimos anteriormente se pueden formar, mediante la excitacin ptica o mediante la excitacin elctrica, no obstante, tambin se pueden clasificar dependiendo de la distancia que separa al electrn del hueco y del espn que adoptan los electrones al ser transferidos al LUMO. Con respecto a la distancia de separacin, los excitones segn Juan Aguilera 46,se clasifican en excitones de Frenkel y en excitones de Wannier- Mott, en donde los primeros se caracterizan por presentar radios de separacin menores a 5 (comparable al tamao de una molcula), debido a su mayor acople, y son los que se generan en las molculas orgnicas, a causa de la menor deslocalizacin que presentan estos materiales. Los excitones de Wannier- Mott
45

Contents, [en lnea] s.l.:s.n.s.f. p.30 <http://www.shef.ac.uk/physics/teching/phy411c/phy411.pdf> p. 30. [consulta: feb. 2005] 46 AGUILERA. Op. Cit, p.3

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por otro lado se caracterizan por presentar radios de separacin que oscilan entre los 40 y los 100 , y se presentan en los semiconductores inorgnicos debido a su alto grado de deslocalizacin.

Figura 32. Representacin esquemtica de los estados excitnicos. Fuente: AGUILERA, Juan. Luminiscencia en materia condensada. 4p. <www.fis.puc.cl/spm/public/fiz3600/2001.mp-JuanAguilera.pdf 2004]. Con respecto al espn que adoptan los electrones al excitarse, segn Juan Aguilera47, los excitones se pueden clasificar en excitones singletes o excitones tripletes. Si los electrones al excitarse toman la misma orientacin del espn como en el estado fundamental, el espn resultante es cero y el estado excitado es llamado singlete, por el contrario, si el espn tiene un valor total igual a uno, el estado excitado se denomina triplete. (Ver figura 33). Cabe anotar que los excitones singletes, segn Skoog48, tienen una vida media de 10 8 seg, mientras que la vida media de los excitones tripletes es mayor a 10 3 seg. El tiempo de vida promedio es un valor muy importante a tener en consideracin. ya que el camino ms probable hacia el estado fundamental es aquel que minimiza el tiempo de vida del estado excitado49, por lo tanto, teniendo en cuenta las caracteristicas de la fluorescencia y la fosforescencia, no damos cuenta que la primera corresponde a la desexitacin de excitones singletes y la segunda a la de excitones tripletes.
47

>[consulta:

Nov

Ibid, p.3

48
49

SKOOG,D.A.;Leary;Analisis Instrumental,4ed.;Ed.McGraw-Hill. (1994),p.210.

Ibid, p.211

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Figura 33. Tipos de excitones. Fuente: Contents,[en lnea] s.l.:s.n. s.f <http://www.shef.ac.uk /physics/ teching/ phy411c/phy411.pdf>. [consulta: feb. 2005].

4.1.2 Proceso luminiscente en semiconductores orgnicos: Para entender como se da el proceso luminiscente en las molculas orgnicas, primero veamos el diagrama de la figura 34, propuesto por la pagina web <http://www.shef.ac.uk /physics/ teching/ phy411c/phy411.pdf>50. En este diagrama, se representan los estados fundamental (S0) y excitado (S1) de una molcula orgnica, mediante curvas de energa, las cuales presentan lneas horizontales que indican los diferentes estados energticos vibracionales de la molcula (niveles de energa discretos dentro de S0 o S1), a los cuales son promovidos los electrones producto de las excitaciones trmicas, potenciales elctricos, fotones y transferencia de energa por parte de fonones (vibraciones de la estructura). En esta figura se ve
50

CONTENTS, Op. Cit, p. 35

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que a medida que los electrones aumentan su energa, siendo promovidos al LUMO o a niveles de energa ms altos, sus estados vibracionales son mayores y los enlaces atmicos aumentan sus distancias (debido a que una mayor distancia significa menor estabilidad), con respecto una longitud de equilibrio (R0), que es propia del estado fundamental o de menor energa de la molcula. Los niveles de

energa vibracionales, como todo lo concerniente a tomos y molculas, estn cuantizados, y tienen un espaciamiento vibracional en el orden de 0.1 eV a una temperatura de 1100 K, lo cual significa que a temperatura ambiente (ms o menos 298 K), casi todos los enlaces aun estarn en el nivel vibracional ms bajo del estado fundamental. Desde all, estos pueden ser elevados al primer estado excitado mediante la absorcin de un fotn, ya que cuando un fotn promueve un electrn del HOMO al LUMO, se desestabiliza la molcula energticamente y esto origina que los enlaces aumenten su longitud.

Figura 34. Diagrama de energa para una molcula en su estado base y excitado, mostrando energa potencial vs distancia nuclear. Fuente: RIECHEL, Stefan. Organic Semiconductor lasers with two-dimensional distributed Feedback. [en lnea]. Munich:Universidad de Munich. 2002.[consulta: feb de 2005].

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En los semiconductores orgnicos, el proceso de absorcin esta gobernado por el principio de Frank-Condon, el cual dice, que las transiciones electrnicas son mucho ms rpidas que las transiciones (reorganizacin) del ncleo o de los enlaces51, queriendo decir esto que en el diagrama de la figura 34, las transiciones siempre ocurrirn verticalmente, desde el estado fundamental, al estado vibracional que corresponde verticalmente en el estado excitado. Cuando un electrn estimulado por un fotn, llega al estado excitado, rpidamente se relaja (en el orden de los 10 12 s) en forma no radiativa al estado vibracional ms bajo del estado excitado (como muestra la figura 34 y 35), lo cual se denomina relajacin vibracional52. La relajacin vibracional es consecuencia, de que la naturaleza siempre busca el nivel de energa ms bajo posible, tal cual lo hemos dicho a lo largo de todo este trabajo. Posterior a esta relajacin, el fotn puede ser reemitido despus de un tiempo entre 1ns y 10 ns en una transicin al estado vibracional ms bajo del estado fundamental (se denomina transicin 0-0), o a el primer estado vibracional (transicin 0-1) del estado fundamental, etc.

Figura 35. Formacin de un excitn. En la figura 35, observamos la promocin de un electrn del HOMO a un nivel de energa mayor al del gap, debido a que el fotn que lo estimulo tenia una energa superior a la brecha energtica. Sin embargo, buscando la estabilidad, segn dice
51 52

CONTENTS, Op. Cit, p. 36 Ibid, p. 36

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Andre Mysyrowicz y James P. Wolfe53, el electrn rpidamente disipa el exceso de energa en forma de una vibracin de la estructura del semiconductor y se sita en el LUMO, en donde para relajarse aun ms energticamente, se enlaza coulumbicamente con el hueco del HOMO y forma un excitn. Cuando en una molcula la energa de la promocin de un electrn (espectro de absorcin) es igual a la energa de la desexcitacin (espectro de emisin), significa que ambos espectros se dan a la misma longitud de onda, sin embargo en la realidad estas longitudes de onda difieren entre si de 5 a 10 nm, debido a que por lo general la promocin nunca se da exactamente al LUMO, sino, a niveles de energa mas altos, y como vimos en la figura 34, parte de la energa de absorcin se disipa no radiativamente, lo que conduce a que la longitud de onda de emisin sea mayor (de menor energa), es decir se desplace hacia el rojo con respecto al espectro de absorcin. Este fenmeno se denomina corrimiento de Stokes y ocasiona que el espectro de emisin sea como una imagen en el espejo del espectro de absorcin. (Ver figura 36).

Figura 36. Espectro de absorcin y de emisin. Fuente: Contents,[en lnea] s.l.:s.n. s.f <http://www.shef.ac.uk /physics/ teching/ phy411c/phy411.pdf>. [consulta: feb. 2005].
53

MYSYROWICS, Andre y WOLFE, James P. Materia excitonica. Investigacin y Ciencia. No. 92 Ed. Prensa Cientfica. Barcelona (Espaa). 1984. p.64.

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Habiendo entendido como se da el fenmeno luminiscente en los semiconductores orgnicos, tenemos que tener en cuenta que el fenmeno estudiado es el referente a la formacin de excitones por parte de fotones, los cuales siempre generan excitones del tipo singlete y por lo tanto fluorescencia. No obstante, en los dispositivos electrnicos, los excitones no son generados por luz, sino por la combinacin de un polarn positivo y uno negativo, y estas dos formas de generar excitones guardan entre si muchas diferencias. La principal diferencia, es que en la formacin de excitones mediante radiacin luminosa, los excitones formados son del tipo singlete, en donde el electrn promovido al estado excitado S 1, al desexcitarce puede emitir un fotn, gracias a que durante la excitacin, el fotn que lo excito le transfiri su momento orbital angular (L) que es igual a 1 h (h es la constante de Planck), con lo cual al desexcitarse, puede ceder ese momento angular al fotn emitido y de esta forma cumplir con el principio de conservacin del momento. Cabe anotar que siempre que se forman excitones singletes estos tiene L=1h, pero la explicacin de este fenmeno se sale del alcance de este texto. En contraposicin a la formacin de excitones mediante fotones, cuando un excitn es formado por la unin de un polarn positivo y uno negativo, la cuestin no es tan sencilla, sino que en este caso las reglas de la fsica cuntica originan que halla un 25% de probabilidad de que se forme un excitn singlete y un 75% de probabilidad de que el excitn sea del tipo triplete. La pregunta que surge es Por qu se da este fenmeno?. La respuesta, de acuerdo con la pagina web <www.columbia. edu/cu/bulletin/uwb/subj/CHEM/G8348-19993-001.html>54, es que, segn las reglas de la fsica cuntica, cuando dos partculas con momento angular de espn (S) se unen, el espn de la partcula resultante tendr varios valores posibles, los cuales se hallan sumando sus momentos angulares de espn, para obtener un momento de espn mximo, y los dems estados posibles, se obtienen restndole una unidad a dicho valor hasta que la resta sea cero, que es el momento de espn mnimo. Por lo tanto, cuando el electrn (desapareado) de un polarn positivo y el electrn de un polarn negativo, ambos con momento
54

Modern molecular Photochemistry. Capitulo 2, [en lnea] s.l.:s.n.s.f.. p.9. < http://www.columbia. edu/cu/bulletin/uwb/ subj/ CHEM/G8348-19993-001.html>

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angular de espn de se unen, el momento de espn mximo ser uno ( + =1) y restando una unidad se obtiene inmediatamente el momento de espn mnimo que es de cero. De este modo, el excitn formado solo tendr dos valores posibles para su momento angular de espn (0 y 1). Sin embargo aqu no termina todo, ya que segn la pagina web anteriormente referenciada55, las reglas de la fsica cuntica tambin dicen, que una partcula con momento de espn cero tiene solo una posible orientacin o estado de espn con respecto al eje z, por lo cual se denomina estado singlete, y que una partcula con momento angular de espn de uno, tiene tres estados de espn u orientaciones con respecto al eje z, por lo que se denomina estado triplete, con lo que se concluye que si la partcula tiene un posible momento de espn de cero y tambin tiene un posible momento de espn de uno, entonces tiene cuatro posibles orientaciones o estados de espn, uno singlete y tres tripletes. Ahora Ud, se preguntar, Por qu los tripletes no emiten fotones?, y la respuesta es que, el electrn del excitn triplete, a diferencia del singlete, tiene un momento angular L=0, lo cual imposibilita que se cumpla el principio de conservacin del momento en el caso que se emitiere un fotn y por ende esto no sucede. Obviamente, el que en la electroluminiscencia de los semiconductores orgnicos solo halla un 25% de probabilidad de que se forme un singlete, es una muy mala noticia ya que la eficiencia luminiscente es muy baja, sin embargo, este inconveniente tiene solucin, la cual consiste en transferir el momento de espn del triplete que es S=1 al momento angular56. La pregunta es Cmo?, y la respuesta es que esta transferencia es facilitada por la interaccin de los campos magnticos (producto de la rotacin) que generan tanto el momento de espn como el momento angular, por lo cual este mecanismo se llama acople LS. La emisin de fotones mediante acople LS se denomina fosforescencia y solo se da en semiconductores que tengan un fuerte acople LS, que se logra mediante la incorporacin de tomos pesados que tengan capas llenas y altos nmeros cunticos (L). La incorporacin de estos tomos facilita el acople LS, debido a que estos, albergan un gran nmero de electrones externos (de
55

Modern molecular Photochemistry. Capitulo 2, [en lnea] s.l.:s.n.s.f.. p.9. < http://www.columbia. edu/cu/bulletin/uwb/ subj/ CHEM/G8348-19993-001.html> 56 CONTENTS, Op. Cit, p. 40

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valencia), los cuales se encuentran lejos del ncleo y en consecuencia, tienen un momento angular muy grande. La interaccin de este momento con el espn de los tripletes crea las condiciones adecuadas para que todos los excitones puedan emitir luz en vez de calor. El rendimiento terico as obtenido se aproxima al 100% y actualmente los materiales pesados utilizados, son complejos organometlicos que contienen iridio o platino57. La figura 37 muestra el diagrama de Jablonski, donde se ve el proceso luminiscente, en donde la excitacin se ve reflejada en la absorcin, y la desexcitacin, se da en varios pasos, como: la relajacin vibracional, la conversin interna, la fluorescencia, el cruce entre sistemas y la fosforescencia.

Figura 37. Diagrama de Jablonski. 4.1.3 Dinmica de los excitones en los semiconductores orgnicos: En los semiconductores orgnicos, como dijimos al comienzo de este capitulo, los excitones formados son excitones de Frenkel, los cuales despus de ser creados, segn Vissenberg58, tienen varias opciones, como son: recombinarse radiativamente y producir luz, recombinarse no radiativamente y generar fonones, migrar hacia sitios (molculas o segmentos de molculas conjugadas) de energa
57

WEBSTER. Howard E. Pantallas de pelcula Orgnica. Investigacin y Ciencia. Madrid. 2004. VISSENBERG, Michel Cornelis Josephus Marie. Opto-electronic properties of disordered Organic Semiconductors.[en lnea]. Leiden:Universidad de Leiden. Febrero 1999. <http://www.lorentz. leidenuniv.nl/beenakker/theses/vissenberg/vissenberg.html> p.45[consulta: Nov 2004].
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ms baja, o disociares en portadores de carga libres, es decir el proceso inverso a la electroluminiscencia. La primera opcin es la mas deseada cuando se fabrican diodos emisores de luz orgnicos (OLED) y para que se de con la mayor eficiencia, las dems opciones no deben ocurrir, ya que la recombinacin no radiativa por obvias razones disminuye la emisin de fotones, al igual que la disociacin en portadores de carga libre, y en cuanto a la migracin, esta afecta el color de la luz del dispositivo, ya que si se desea que el OLED emita un color azul, la migracin originaria que la luz emitida sea de una longitud de onda mayor, lo que cambiara el color del diodo. Sin embargo cuando el deseo es fabricar celdas fotovoltaicas, la primera y la segunda opcin son indeseables y la cuarta es la ms importante. Esta ultima de lleva a cabo con la participacin de un campo elctrico como se ve en la figura 39A.

Figura 38. Representacin esquemtica de la dinmica de los excitones en un semiconductor orgnico desordenado. Fuente: VISSENBERG, Michel Cornelis Josephus Marie. Opto-electronic

properties of disordered Organic Semiconductors. [en linea] Leiden: Universidad de Leiden. Febrero 1999. <http://www.lorentz. leidenuniv. nl/ beenakker/theses /vissenberg/vissenberg.html> [consulta: Nov 2004].

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La figura 38 muestra un segmento de polmero desordenado PPV. Donde en a) se ve un fotn que es absorbido por la molcula, en b) un excitn (un par electrnhueco acoplado), es creado en la molcula, en c) el excitn migra hacia molculas con menor energa de excitn, y en d) el excitn se recombina y un fotn es emitido.

Figura 39. a) Disociacin de un exciton entre cadenas polimricas, bajo la influencia de un campo elctrico.b) Disociacin de un exciton a lo largo de la misma cadena polimrica bajo la influencia de un campo elctrico. Fuente: de VISSENBERG, Febrero Michel 1999. Cornelis 161p. Josephus Marie. Opto-electronic

properties of disordered Organic Semiconductors. [en lnea]. Leiden: Universidad Leiden. <http://www.lorentz.leidenuniv.nl/ beenakker/theses /vissenberg/vissenberg.html> [consulta: Nov 2004].

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5. DISPOSITIVOS ELECTRONICOS ORGNICOS

En este capitulo, habiendo explicado en forma general los aspectos fundamentales que producen que un material orgnico se comporte como semiconductor, vamos a sondear algunas de las principales aplicaciones en las cuales estos semiconductores estn siendo utilizados, con el fin de tener una idea mucho mas clara de lo que se puede hacer con estos materiales. Para comenzar, primero nos referiremos a una de las mayores aplicaciones en las que se esta implementando la electrnica orgnica, que son los OLED o diodos emisores de luz orgnicos.

5.1 OLED (ORGANIC LIGHT EMITER DIODE)

Desde el descubrimiento en 1987 de los LEDs fabricados con pequeas molculas orgnicas (SMOLEDs) y en 1990 de los LEDs fabricados con polmeros orgnicos (PLEDs), los OLED han venido siendo estudiados en muchos laboratorios alrededor del mundo. Ambos tipos de LEDs forman parte de una gran familia llamada OLEDs (dispositivos orgnicos emisores de luz), los cuales operan en ciertos materiales orgnicos, bajo el principio de convertir energa elctrica en luz, un fenmeno conocido como electrolumiscencia. En su forma ms simple, segn el LAMP59, un OLED consiste de una capa de material orgnico luminiscente, formando un emparedado entre dos electrodos. Cuando una corriente elctrica es pasada entre los electrodos, a travs de la capa orgnica, la luz es emitida con un color que depende en particular del material usado. Para
59

Organic Light emitting devices (OLED). [en lnea]. s.l.: LAMP. s.f. <http://cedb. postech. ac.kr/ lamp/eng/research_oled.php.> [consulta: Marzo de 2004 ]

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poder observar la luz emitida por un OLED, como mnimo uno de los electrodos debe ser transparente. Aunque los SMOLED como los PLED se diferencian en que uno utiliza polmeros (grandes molculas) y el otro pequeas molculas como capa emisora, ambos tienen la misma estructura, y operan esencialmente de la misma forma. Sin embargo, en cuanto a la fabricacin existe una gran diferencia, y es que las pequeas molculas son aplicadas usando la tcnica de deposicin multicapa de vapor al vaco (VTE), mientras que los polmeros, con su estructura molecular ms grande, permiten ser depositados mediante spin coating o inyeccin de tinta, como lo hacen las impresoras convencionales. Estas tcnicas se diferencian en que la VTE es ms complicada y costosa que el spin coating o la impresin por inyeccin de tinta. 5.1.1 Estructura de un OLED: La estructura de un OLED es de tres capas. Una capa con la propiedad de transporte de huecos, una que emita luz y otra de transporte de electrones, se encuentran entre un nodo de ITO y un ctodo metlico de baja Funcin de Trabajo. Cuando el voltaje es aplicado, las cargas positivas y negativas inyectadas se recombinan en la capa emisora y se da la electroluminiscencia.

Figura 40. Estructura de OLED. Fuente: Organic Light emitting devices (OLED).[en lnea]. s.l.: LAMP. s.f <http://cedb.postech.ac.kr/lamp/eng/research_oled.php> [consluta: Nov 2004].

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Figura 41. Capas funcionales de un OLED. Fuente: Organic Light emitting devices (OLED). [en lnea]. S.l.: s.n s.f <http://cedb.postech.ac.kr/lamp/eng/research_oled.php.> [consluta: Nov 2004]. En la figura 41, se muestran las capas funcionales que conforman un OLED tpico. All de derecha a izquierda EIL,ETL, EML, HTL y HIL son la capa inyectora de electrones, la capa transportadora de electrones, la capa emisora de luz, la capa de transporte de huecos y la capa inyectora de huecos respectivamente. 5.1.2 Funcionamiento de un OLED: En el funcionamiento de un OLED se ven involucrados cinco procesos bsicos, que son: - Inyeccin de cargas: Los materiales orgnicos tienen bajas concentraciones de portadores y no tienen niveles superficiales. Por lo tanto, los portadores son inyectados desde los electrodos. El electrodo que tiene una alta funcin de trabajo se comporta como el nodo y el de la mas baja funcin de trabajo se comporta como el ctodo. La operacin de un OLED depende de la inyeccin de huecos del nodo y de electrones desde el ctodo, cuando un voltaje es aplicado a travs del dispositivo. - Relajacin de portadores: Este proceso consiste en que los portadores inyectados desde los electrodos, crean polarones negativos y positivos cuando entran en la capa emisora (semiconductor).

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- Movimiento de portadores: Aqu los portadores se mueven durante un proceso de conduccin por hopping a travs de las capas orgnicas, hasta que se encuentran con otro portador y se recombinan para formar un excitn. - Creacin de un excitn: Los materiales orgnicos tienen una constante dielctrica muy baja, y por lo tanto no disminuyen los campos elctricos de las cargas. Las cargas en movimiento se unen debido a sus fuertes interacciones y estas uniones son llamadas excitones. Estos generan singletes o tripletes de acuerdo a la combinacin de espines. - Emisin: Esta es la ultima etapa en el proceso electroluminiscente, y consiste en que los excitones generados al recombinarce emiten luz, cuya energa es equivalente a la energa del gap de los polarones. 5.1.3 Fabricacin de un SMOLED tpico: Segn el Orgoworld60, la fabricacin de un SMOLED, comienza con un sustrato transparente como vidrio o PET (poly (ethilene terephthalate)), el cual se recubre con una capa de electrodo transparente de oxido de Indio-estao (ITO), que posteriormente se recubre con una capa delgada de cobre phthalocyanine, la cual le proporciona mayor estabilidad trmica. Seguidamente se deposita al vaco una capa de material tipo p como naftafenileno benzidine (NPB) y luego, tambien al vaco, una capa de material tipo n como aluminio hidroxiquinolena (Alq), para finalmente depositarse una aleacin de plata-magnesio como ctodo. (Ver figura 42)

60

Organic semiconductors: the basics. [en lnea]. s.l.: Orgoworld. S.f. <http://www.orgworld.de/>

[consulta: Marzo de 2004 ]

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Figura 42. Estructura de SMOLED. Fuente: OLEDs the difference between PLEDs and SMOLEDs. [en lnea]. s.l.:s.n. s.f. <www.calpoly.edu/drjones/chem447/polymers%20cd/files/led/ pledsoleds.htm> [consulta: Nov 2004]. 5.1.4 Fabricacin de un PLED: El proceso para hacer un PLED es: se comienza con un sustrato transparente como vidrio o PET, el cual se recubre con un electrodo de oxido de estao-indio (ITO). Luego se usa spin coating para depositar una capa de polmero semiconductor en el electrodo. Los polmeros usados son principalmente PPP, polipirrole o polianilinas. Posteriormente se deposita el ctodo en el polmero, mediante evaporacin al vaco. Dicho electrodo esta hecho de un metal como el calcio61. Cabe anotar que segn el LAMP62, los dos electrodos suman tal vez 200 nm mas que el grosor total del dispositivo, en donde el grosor de las capas orgnicas es del orden de 100nm. Por lo tanto todo el grosor y peso de la estructura es mayoritariamente debido al sustrato y los electrodos en si mismos.

61 62

Ibid, p.3 LAMP, Op. Cit, p.2

98

Figura 43. Estructura de un PLED. Fuente: OLEDs the difference between PLEDs and SMOLEDs. [en lnea]. s.l.: s.n. s.f.< www.calpoly.edu/drjones/chem447/polymers%20cd/files/led/ pledsoleds .htm> [consulta: Nov 2004]. 5.1.5 Materiales para la fabricacin de OLEDs: En la fabricacin de OLED los materiales se clasifican en pequeas molculas u oligmeros, y en polmeros. Los primeros se caracterizan por que deben ser depositados mediante vaco y los polmeros mediante spin coating. Las pequeas molculas se diferencian de los polmeros en que estas poseen baja estabilidad trmica y los polmeros alta estabilidad, adems el voltaje de operacin de las pequeas molculas esta entre 5 a 15 V, mientras que el de los polmeros esta entre 2 y 7 V. En las figuras 44 y 45 se pueden observar los principales compuestos oligomricos y polimricos utilizados en la fabricacin de OLEDs.

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Figura 44. Pequeas molculas. Fuente: Organic Light emitting devices (OLED). [en lnea]. S.l.: s.n. s.f <http://cedb.postech.ac.kr/lamp/eng/research_oled.php.> [consulta: Nov 2004].

Figura 45. Materiales polimricos. Fuente: Organic Light emitting devices (OLED). <http://cedb.postech.ac.kr/ lamp/ eng/research_oled.php.> [consulta: Nov 2004]. En la tabla 1. se muestran algunos semiconductores orgnicos, sus propiedades, y caractersticas y en la tabla 2 se ven las ventajas del los PLED sobre los SMOLED.

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Tabla 1. Propiedades de algunos semiconductores orgnicos.

Fuente: Organic semiconductors for advanced electronics. [en lnea]s.l.: Sigma Aldrich. Vol 4, No 6. 2003 < www.sigmaaldrich.com/img/ assets/ 4880/ al_chemfile_v4_no6.pdf>

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Tabla 2. Caractersticas de los SMOLEDs y los PLEDs.

Fuente: OLEDs the difference between PLEDs and SMOLEDs.[en lnea]. s.l.: s.n. s.f. <www.calpoly.edu/drjones/chem447/polymers%20cd/ files/led/pledsoleds.htm> [consulta: Nov 2004] 5.1.6 Tipos de OLED: Segn Universal Display63, los OLED se pueden clasificar en tres tipos, que son los TOLED (OLEDs transparentes), SOLED (OLEDs dispuestos verticalmente) y FOLED (OLEDs flexibles). A continuacin se describe cada uno de ellos. - TOLED (OLEDs transparentes): Los TOLED se caracterizan por que sus materiales constituyentes, es decir, los electrodos y el semiconductor orgnicos son transparentes. Este tipo de OLED, tiene la ventaja, que pueden incrementar fuertemente el contraste, lo que los hace ms fciles de ver ante luces brillantes.

63

PLEDs. [en lnea]. s.l.: Universal Display. S.f. <http://www.universaldisplay. com /high.htm> [consulta: Junio de 2004 ]

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Figura 46. Estructura de un TOLED. Fuente: TOLED. [en lnea]. s.l.: CDT. 2003. <http://www.cdtltd.co.uk/> [consulta: Feb 2005]. Debido a que los TOLEDs son transparentes en un 70% cuando se apagan, pueden ser integrados en los vidrios frontales de los vehculos, en ventanas de casas, en gafas, etc. Su transparencia les permite ser usados con metales, obleas de silicio y otros sustratos opacos para hacer dispositivos que emitan solo por un lado.

Figura 47. TOLED Creado por New Display Opportunities. Fuente: OLEDs the difference between PLEDs and SMOLEDs. [en lnea]. s.l.: Calpoly. s.f. <www.calpoly.edu/drjones/chem447/polymers%20cd/files/led/ pledsoleds. htm> [consulta: Nov 2004]

103

- SOLED (Snack OLED): Un SOLED consiste, en un agrupamiento de subpxeles de TOLEDs dispuestos verticalmente. Para emitir separadamente los diferentes colores (rojo, verde, azul) los sub-pxeles son individualmente controlados mediante el ajueste de la corriente en cada uno de los tres TOLED. Variando la corriente total en todo el arreglo se varia el brillo y modulando el ancho del pulso, se logra la escala de grises, con lo cual, en una arquitectura de SOLEDs, cada pxel puede emitir todos los colores64.

La arquitectura de los SOLED segn Universal Display65, es una alternativa a los tradicionales esquemas (S*S) usados en CRTs (tubos de rayos catodicos) y LCD, y comparandolos, los SOLED, ofrecen un desempeo mucho mejor, debido a que permiten una variacin dinmica del color en cada pxel, lo cual es muy deseable cuando la alta fidelidad del color es importante, adems, ofrece una resolucin 3X mas alta comparada con la de los display con configuracin S*S, ya que mientras los tradicionales LCDs, CTRs y pantallas de plasma, usan tres pxeles S*S (uno rojo, verde, azul) para generar una imagen a todo color, los SOLED solo utilizan un solo pxel, lo cual reduce el rea utilizada en un tercio para lograr lo mismo. Esto es especialmente ventajoso cuando se desea la maximizacin de la densidad de pxeles, ya que por ejemplo, cuando un display a todo color tradicional necesita un color verde, los pxeles azul y rojo estn apagados en la estructura S*S, en comparacin, en un SOLED todos los pxeles se tornan de color verde, lo que redunda en una imagen con mejor definicin de los colores y de mejor calidad. Adicionalmente, en las pantallas de gran rea con el formato S*S, los pxeles individuales son con frecuencia lo suficientemente grandes para ser vistos a simple vista a corta distancia, con lo cual, se pueden percibir los colores individualmente en ves de la mezcla de los mismos. En contraste en los SOLED, cada pxel es capas de emitir los diferentes colores deseados, de esta manera los colores son percibidos adecuadamente desde cualquier distancia.

64

Ibid, p.2 Ibid, p.2

65

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Figura 48. Arquitectura de un SOLED. Fuente: SOLED. [en lnea]. s.l.: CDT. s.f. <http://www.cdtltd.co.uk/> [consulta: Feb 2005]. La figura 48 muestra los TOLEDs rojo, azul, verde y amarillo uno sobre el otro formando un SOLED, capas de emitir todos los colores. - FOLED (flexible organic light emitting device): Segn Universal Display66, los FOLEDs son dispositivos emisores de luz orgnicos construidos en un sustrato flexible. Los paneles de displays planos han sido tradicionalmente fabricados en sustratos de vidrio, debido a las temperaturas, estructura y/o fuerza utilizada en el procesamiento. Sin embargo con los materiales orgnicos se pueden utilizar tcnicas de deposicin que permiten la utilizacin de materiales flexibles, los cuales tienen grandes ventajas de desempeo con respecto a los sustratos de vidrio. Los FOLEDs ofrecen caractersticas revolucionarias en el campo de los displays, como son:

66

Ibid, p.3

105

-Flexibilidad: Los FOLEDs pueden ser fabricados en una amplia variedad de sustratos que van desde el rango de las pelculas plsticas pticamente claras hasta los metales reflectivos. Estos materiales proveen la habilidad de conformar displays enrollables o de cualquier otra forma. -Formas delgadas ultra livianas: El uso de sustratos plsticos adems significa una significativa reduccin de peso en laptops, telfonos celulares, etc. -Durabilidad: Los FOLEDs generalmente son menos quebradizos, ms resistentes a los impactos y mas durables en comparacin con su contraparte basada en vidrio. 5.1.7 Diferencias entre OLEDs, ILEDs (inorganic LEDs) y LCDs: Segn el Calpoly67, la primera diferencia entre estas tecnologas recae en el tipo de material que esta generando la luz. En los OLEDs la fuente de luz es una molcula orgnica, en los ILEDs es un semiconductor inorgnico y en los LCD la fuente de luz es usualmente la luz reflejada del ambiente o una luz externa o backlight. Adems los LCDs son estrictamente usados para displays, mientras que los ILED y OLED pueden ser usados para una amplia variedad de aplicaciones. Adicionalmente hay que tener en cuenta que los ILEDs mediados de los aos 80s. 5.1.7.1 Diferencias estructurales: Como se menciono anteriormente, los OLED estn hechos de molculas orgnicas, tanto de grandes cadenas como de pequeos grupos de molculas. En contraste, los ILED son tpicamente fabricados de materiales semiconductores inorgnicos, como el silicio y el germanio los cuales se mezclan con aluminio, indio, galio, nitrogeno, arsenico y fsforo para producir LEDs de diferentes colores. Estos materiales semiconductores tienen comenzaron a ser fabricados aproximadamente hace 50 aos, los LCDs en 1968 y los OLEDs a

67

OLEDs the difference between PLEDs and SMOLEDs. [en lnea]. s.l.: Calpoly. s.f.<www.calpoly. edu /drjones/chem447/polymers%20cd/files/led/pledsoleds.htm>[consulta: Septiembre de 2004]

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estructuras cristalinas fuertes y regulares, opuestamente a las estructuras moleculares cristalinas propensas al desorden y amorfas de los OLED. Los LCDs por otro lado usan cristales lquidos para crear imgenes. Los cristales lquidos son esencialmente un lquido, cuyas molculas estn orientadas en una direccin preferencial y por esta orientacin, comparten algunas caractersticas encontradas en los materiales cristalinos, sin embargo, siguen siendo un lquido, y estas molculas son aun libres de moverse una respecto a la otra. Los LCDs se caracterizan por que los cristales lquidos tienen la propiedad de dejar pasar la luz en ausencia de un campo elctrico, la cual es reflejada o emitida por una fuente de luz externa desde el otro lado y en presencia de un campo elctrico sus molculas se orientan en una direccin determinada que bloquea la luz y es este comportamiento caractirza su funcionamiento. De lo anterior observamos que cada una de estas tecnologas es estructuralmente muy diferente una de la otra, sin embargo todos los sistemas anteriores adems emplean una variedad de otros materiales para cumplir diferentes funciones. Por ejemplo ambos OLEDs y LCDs usualmente emplean conductores de oxido de estao-indio y todos los sistemas anteriores usan extensamente polmeros por una amplia variedad de razones, usualmente para soporte estructural, o proteccin del medio ambiente, adems utilizan metales conductores como el oro, el cual es empleado en los electrodos para un correcto funcionamiento. 5.1.7.2 Diferencias funcionales: Segn el Calpoly68, los LCDs como su nombre lo sugiere son usados para propsitos de displays y virtualmente cualquier aplicacin donde un display sea usado, puede usar un LCD, como es el caso de los relojes digitales, monitores, pantallas de celulares, calculadoras, etc. Los ILED son significativamente ms verstiles que los LCD ya que estos pueden ser usados, en un formato tipo matriz, o para cualquier variedad de aplicaciones
68

Ibid, p.1

107

donde una fuente de luz se necesite. Tradicionalmente los LEDs han sido usados como luces indicadoras en dispositivos electrnicos y ahora mas recientemente han sido incorporados en displays, flashlights (la potencia de salida de los LEDs ha finalmente alcanzado niveles comparables, aunque no para exceder las luces incandescentes ). Adems las luces de trfico en las ciudades han venido siendo reemplazadas con LEDs y arreglos de estos han sido puestas como luces delanteras en automviles. Claramente los LEDs son fuentes de luz extremadamente verstiles y son alrededor de cinco veces ms eficientes energticamente que la mayora de las fuentes de luz incandescentes o fluorescentes. Los OLEDs tienen potencialmente toda la versatilidad de los ILEDs y algunas ms, como por ejemplo la flexibilidad, la resistencia y por ende la durabilidad. En adicin, estos tienen otras propiedades que los hacen muy atractivos para futuros usos. Actualmente estos aun no son tan eficientes como los ILEDs pero debido a la virtual variedad ilimitada de usos de las molculas orgnicas, es solo un problema de tiempo antes de que OLEDs mas eficientes y potentes sean desarrollados. Los LCD no pueden ser doblados lo suficiente debido a que el cristal lquido se puede tornar desalineado y el display cesara de funcionar. Los plsticos rgidos encontrados en los ILEDs se pueden fracturar si se deforman mucho.

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Figura 49. OLED flexible. Fuente: OLEDs the difference between PLEDs and SMOLEDs. [en lnea]. s.l.: Calpoly. s.f. < www.calpoly.edu/drjones/chem447/polymers%20cd/files/led/ pledsoleds.htm> [consulta: Nov 2004] Note como en la figura 49 la imagen del dispositivo orgnico no cambia de forma o de color en ninguna de las maneras en que se deforma. Si ud. trata de deformar un ILED o LCD en los grados vistos arriba, de por sentado que el dispositivo dejaria de funcionar como lo hacia anteriormente. Las posibilidades presentadas por los OLEDs resultan virtualmente ilimitadas. Con estos dispositivos es posible hacer paneles luminosos para edificios, haciendo obsoletos los viejos bulbos fluorescente y txicos. 5.1.7.3 Visin dentro de un futuro no muy lejano: ILEDs y LCDs han existido por mucho mas tiempo en comparacin con los OLEDs y segn el calpoly69, estos dispositivos no desaparecern por el momento debido a lo prometedor que se muestren los OLEDs. La realidad actual es que los ILEDs y LCDs son aun ms eficientes en la mayora de las aplicaciones. Con las innovaciones de luces azules y blancas en ILEDs, como tambin mayor potencia y backlights relativamente mas eficientes para los LCDs, estos dispositivos estn siendo ms y ms usados todos los das en vez de lo contrario. Pero aun habiendo dicho todo lo anterior, es muy probable que los OLED en el mediano plazo reemplacen a ILEDs y LCDs en la mayora de las aplicaciones, debido a la flexibilidad, eficiencia incrementada,

69

Ibid. p.2

109

mayor brillo, mayor resolucin, procesos de fabricacin mas fciles y a menor costo, potencialmente harn a los OLEDs mucho mas atractivos en el futuro.

5.2 TRANSISTORES ORGNICOS DE EFECTO DE CAMPO

El transistor es la piedra angular de la electrnica de estado slido, y representa una de las mas grandes invenciones del siglo XX. Todos los transistores se caracterizan por tener tres terminales, en donde la corriente entre dos de estos es controlada por un tercer terminal. Los transistores pueden ser clasificados en dos familias, de acuerdo a como estos controlan su funcionamiento. Una de estas familias se caracteriza porque su control es a travs de una corriente por el tercer terminal, y la otra familia se caracteriza porque su control es a travs de un voltaje en el tercer terminal. En los transistores controlados por corriente, los tres terminales son llamados: base (B), colector (C), y emisor (E). En estos la base controla la corriente entre el colector y el emisor. Tales transistores son fabricados dopando el mismo semiconductor (normalmente el silicio), con dopantes tipo n y tipo p en diferentes regiones, logrando configuraciones tanto npn como pnp, y son llamados transistores bipolares. Los semiconductores orgnicos no permiten la manufactura de transistores bipolares, ya que la mayora de los semiconductores orgnicos solo pueden transportar o huecos o electrones y los materiales orgnicos intrnsecos tipo p no pueden ser transformados en tipo n mediante el dopaje con donantes70.

70

Contents,[en lnea] s.l.:s.n.s.f, p.35 <http://www.shef.ac.uk /physics/ teching/ phy411c /phy411.pdf>. [consulta: feb. 2005].

110

Los transistores controlados por voltaje son conocidos como FET (field effect transistor) o transistores de efecto de campo. En estos los terminales son llamados source (S), drain (D) y gate (G), fuente, drenaje y compuerta respectivamente. Un voltaje en la gate o compuerta controla la corriente S-D (fuente/drenaje). Los principios bsicos de los FET datan de 1930 (J. E Lilienfeldt, US Patent 1745175, 1930). Con respecto al diseo, los FET son ms simples que los transistores bipolares, ya que requieren solo materiales de un solo tipo de portador de carga (n o p). Los FET pueden ser fabricados en grandes densidades de integracin y son tpicamente utilizados en compuertas lgicas en electrnica digital. Debido a su operacin con un solo tipo de portador de carga, los transistores fabricados con materiales orgnicos son invariablemente transistores de efecto de campo (FET). Los FET orgnicos u OFET, se conocen usualmente como transistores orgnicos de pelcula delgada u OTFT y estos sern los que trataremos en esta seccin. El mayor impulso detrs de las investigaciones en FETs orgnicos (OFETs) provino de la idea de hacer circuitos integrados de bajo desempeo completamente de plstico, con los cuales poder hacer displays mas baratos, livianos y flexibles71. 5.2.1 Diseo del transistor: Los OTFT o transistores orgnicos de pelcula delgada segn Haldun72, estn diseados en dos formas, como muestra la figura 50. Una es con los contactos de drain y source en el tope y la otra es con los contactos de drain y source en el fondo del semiconductor.

71 72

Ibid, p. 61 KFLOGLU, Haldun, Organic Thin Film Transistors. West Lafayette, Univ. de Purdue. 2003. p.2.

111

Figura 50. a) contactos sobre el semiconductor, b) contactos en el fondo del semiconductor.

Para el diseo de contactos en el tope, el semiconductor es depositado en el aislador, despus de lo cual los contactos de fuente y drenaje son colocados. La capa de semiconductor es depositada sobre los contactos, en el caso del diseo de contactos en el fondo. El dispositivo de contactos en el fondo es fcil de fabricar, sin embargo el desempeo del dispositivo esta limitado, debido a la pobre calidad de la pelcula de semiconductor orgnico depositada en la interfase de los contactos y el canal. El sustrato puede ser rgido como una oblea de silicio o vidrio, como tambin flexible con materiales plsticos. En el caso del silicio o el vidrio, la compuerta metlica es depositada usando litografa y utilizando aisladores como SiO2 o materiales similares. Para la mayora de los sustratos flexibles, procesos con pasos de altas temperaturas no pueden ser usados; por lo tanto nuevas tcnicas han sido desarrolladas para la compuerta y el aislador. La impresin convencional fue empleada para colocar los electrodos metlicos. Gelinck incorporo la compuerta o gate usando procesos fotoqumicos de polianilinas. Las capas aislantes pueden ser estampadas o depositadas mediante spin coating en el caso de sustratos flexibles73.

La deposicin de la capa de semiconductor tiene un mayor efecto en el desempeo del dispositivo. Los dos mtodos de deposicin mas usados son:

73

Ibid, p.3

112

- Deposicin al vaci: El material depositado tiene un gran ordenamiento de cadena. Las mayores movilidades de semiconductores orgnicos han sido reportadas empleando esta tcnica. El uso de altas temperaturas durante la deposicin provee mejores ordenamientos cristalinos, sin embargo por las altas temperaturas, y por la mayor movilidad de la superficie de las cadenas individuales, grandes vacos se forman en la pelcula. Adems este mtodo requiere de equipos costosos y los pasos de la preparacin de la muestra no son muy compatibles con sustratos flexibles como los plsticos. - Deposicin basada en solucin: En esta tcnica, el material en solucin (liquido), es transferido a la estructura del dispositivo. Sumergiendo el sustrato directamente dentro de la solucin o indirectamente, mediante mtodos como spin coating, estampacin o impresin. Esta tcnica de deposicin es una promesa para la fabricacin de dispositivos de bajo costo y grandes reas. 5.2.2 Descripcin de la operacin de un OFET: La figura 51 muestra el diseo inicial de un OTFT con la polarizacin adecuada para mediciones bsicas. Con un voltaje entre source (S) y drain (D) llamado voltaje source-drain (VD) que maneja una corriente de Drain (ID) a travs del canal semiconductor del transistor. Sin embargo, una corriente ID solo puede fluir si hay portadores de carga mviles en el canal.

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Figura 51: OFET con gate en el fondo en la arquitectura de contactos en el tope. Para lograr la anterior condicin, segn la pagina web <http://www.shef.ac.uk /physics/ teching/ phy411c /phy411.pdf>74, un voltaje de gate VG, hace que portadores del source se dirijan dentro del canal semiconductor. Gracias a que el dielctrico del gate es un aislador, esas cargas no pueden alcanzar el metal del gate, produciendo que dichas cargas se acumulen en el canal semiconductor cerca de la interfase canal/aislador. Estas cargas que se acumulan de esta forma sern los portadores de carga mviles y reciben el nombre de capa de acumulacin. Se puede decir entonces que el canal semiconductor es dopado mediante la aplicacin de un voltaje VG. Este proceso contrariamente al dopaje qumico es de mas rpida reversin, ya que quitando la polarizacin de VG se quita el dopaje del canal. Este comportamiento es cuantificado por el llamado ndice de encendido/apagado (on/off), el cual en algunos casos puede ser tan alto como 10 6 75. Por lo tanto una ID producida por un VD cambiara a travs de cambios hechos en el VG. De lo anterior se puede decir que el FET es un suiche electrnico. La capa de acumulacin en un OFET es generalmente muy delgada, alrededor de 5 nm o menos, con lo cual, es mucho mas delgada que la pelcula semiconductora.
74 75

CONTENT, OP. Cit, p.61 Ibid, p.61

114

Note que un OFET se enciende por la aplicacin de un V D y un VG de igual polaridad, opuesta al signo del portador de carga. De esta forma, en los OFET se puede determinar fcilmente el tipo de portador de carga que se maneja. Si se da una polarizacin positiva tanto de VG y de VD y se enciende el transistor, entonces los portadores de carga son negativos (electrones). Pero si se requiere una polarizacin negativa entonces los portadores de carga son huecos. Para caracterizar el voltaje de gate y el de drain/source dependientes de la corriente de drain, mas all de la descripcin del encendido y apagado en un OFET, se pueden llevar a cabo dos tipos de medidas, las cuales se denominan: Caracterstica de salida: es la familia de curvas ID contra VD, manteniendo un VG fijo durante toda una variacin de los valores de VD. Caracterstica de transferencia: es la familia de curvas de ID contra VG, manteniendo un VD fijo durante la variacin del voltaje VG. En principio, segn la pagina web <http://www.shef.ac.uk /physics/ teching/ phy411c /phy411.pdf>76, ambas medidas contienen la misma informacin fsica. Sin embargo en la practica las medidas de la caracterstica de salida I D contra VD se haran usando varios medidas de voltajes de gate, mientras que la caracterstica de transferencia a menudo se hace tomando solo dos valores fijo de VD. Uno ser escogido tan pequeo como prcticamente sea posible; mas pequeo que el mximo VG usado para la medicin, mientras que el segundo V D ser escogido de tal forma que sea mas grande que el mximo VG usado en la medicin. Estos dos regimenes son conocidos como el rgimen lineal y el rgimen de saturacin respectivamente. Esta terminologa ser mas clara con la descripcin cuantitativa del comportamiento de los OFET.

76

Ibid, p.62

115

La operacin del OFET puede ser descrita cuantitativamente si se tienen en cuenta primero ciertas condiciones. Si se considera un escenario ideal, estas condiciones son: que la longitud del canal sea considerablemente mas larga que el grosor del dispositivo (limite de la longitud del canal), que el source y el drain hagan contacto con el canal del semiconductor sin resistencia de contacto o barrera de inyeccin, que el semiconductor este libre de trampas, es decir que no tenga impurezas qumicas que adicionen niveles de energa donde electrones o huecos queden atrapados y no contribuyan a la conduccin, que no este dopado y que la movilidad de los portadores sea independiente del voltaje de gate y del voltaje de drain. Pero usted notara que en la realidad muy pocas de esas condiciones se pueden lograr, por lo que se aplican las siguientes ecuaciones77:

Ecuacin 10.

Ecuacin 11. Con Z/L el ancho del canal sobre su longitud, VT el voltaje de umbral, la movilidad de los portadores de carga, y Ci la capacitancia por unidad de rea del aislador. Ci esta dada por Ci =

0/ti , siendo la constante dielctrica del aislante

y ti el grosor del aislante. La ecuacin 10 no se aplica para el rgimen por debajo del umbral, |VG| < |VT|, el cual no discutiremos aqu.

La constante dielctrica

describe la capacidad que tiene un dielctrico para

proteger de un campo aplicado, con lo cual, cuanto mas proteja este, mas cargas pueden acumularse en los platos del capacitor a un voltaje dado. Es ilustrativo considerar el producto de Ci por VG que se encuentra en la ecuacin 10. CiVG=

77

Ibid. p.63

116

0VG = d

0EG=DG . (Ignoraremos VT por el momento), con EG el campo elctrico

del gate y DG el desplazamiento elctrico del gate. DG tiene unidades de carga/rea, y corresponde a una densidad superficial de carga Qs de igual magnitud (esto corresponde a la capa de acumulacin). De estas consideraciones, vemos que es el desplazamiento elctrico DG el que activa el transistor y no el voltaje de gate o el campo elctrico del gate directamente. Mientras la obtencin precisa de la ecuacin 10 es algo tcnico, esta puede ser fcilmente entendida cualitativamente, si por el momento dejamos el voltaje de umbral VT a un lado. Z/L es obviamente un factor geomtrico. La conductividad del canal ser proporcional a la carga sobre el rea con Q s = CiVG. Adems, para VD<<VG, ID crece linealmente con VD, de acuerdo a la ley de Ohm. Por lo tanto ID (Z/L)CiVGVD78. Obviamente ID, adems ser proporcional a la velocidad con la cual los portadores se mueven bajo un campo dado, que es descrita por la movilidad de las cargas . Si nosotros ignoramos VT, obtenemos la ecuacin 10. Sin embargo, como VD crece en la misma forma como lo hace VG, la capa de acumulacin se adelgazara del lado del drain, debido a que el voltaje entre el gate y el drain es menor que entre el gate y el source. Consecuentemente, la resistencia de la capa de acumulacin crece. Cuando VD alcanza VG, no hay campo entre el gate y el drain, y nosotros tenemos la capa de acumulacin estrangulada o en pinch-off. Esto es ilustrado en la figura 52. Cuando V D=VG, la capa de acumulacin se torna triangular y esta en promedio la mitad de fuerte como cuando VD 0. Esto explica el factor en la ecuacin 11. Cuando VD excede VG, el punto de estrangulamiento se mueve lejos del drain en el canal del transistor, y los portadores abandonan parte del canal entre el punto de estrangulamiento y el drain, con lo cual el drain mostrara alta resistencia. Consecuentemente, el transistor muestra una corriente de saturacin de drenaje

78

Ibid, p.64

117

para VD VG, con ID,sat 2VG. La nica forma de incrementar ID mas all de la saturacin es incrementando VG79.

Figura 52. Comportamiento de la capa de acumulacin. En la figura 52, en negro esta la capa de acumulacin de un FET. En la parte superior se aplica VG, con VD=0. La capa de acumulacin esta completamente desarrollada. En la mitad, VG se aplica y VD=VG. La capa de acumulacin es triangular y se estrangula en el drain. En la parte baja, se aplica un V G, y VD 2VG. La capa de acumulacin se estrangula en la mitad del canal. De lo anterior solo queda un parmetro en la ecuacin sin explicar, que es el voltaje de umbral VT. El VT segn <http://www.shef.ac.uk /physics/ teching/ phy411c /phy411.pdf>80, es complicado de hallar, pero frecuentemente se encuentra que el VT cambia en los transistores despus de muchas operaciones de on/off. Esto se denomina estrs de polarizacin del gate. De las investigaciones sobre el estrs de polarizacin del gate se ha concluido que este puede ser el
79 80

Ibid, p.69

Ibid, p.70

118

resultado de la baja orientacin de los dipolos en el aislador o por la presencia de iones de baja movilidad. Nosotros tomaremos a VT tan solo como una constante emprica. La movilidad de los portadores de carga puede ser determinada de medidas experimentales con la ayuda de la ecuacin 10. Un mtodo robusto de hacerlo es graficar I D vs VG, con ID en el rgimen de saturacin, |VD|>|VG|. Esto resultara en una lnea recta con una pendiente( Z Ci) 1 / 2 y un intercepto en VT. 2L

El mtodo mas adecuado, sin embargo es la medida

de la caracterstica de

transferencia en saturacin, con un voltaje de gate que se varia mientras se tiene un VD fijo que es mas grande en modulo que cualquier voltaje de gate alcanzado. De esta forma, se asegura que la corriente ID es siempre la de saturacin. Graficando I D vs VG, con |VD| >|VG|, se obtiene acceso directo a y a V T a travs

de la pendiente y el intercepto respectivamente81. Otra importante caracterstica de los FET es el ndice de on/off, definido como I(VG=V, VD=V)/ I(VG=Voff, VD=V) con un voltaje operacional V que corresponde al voltaje disponible en la respectiva aplicacin, y Voff el voltaje de gate que minimiza la corriente de drain; usualmente Voff 0. Los ndices de on/off tpicos son nmeros grandes, del orden de los 10 3 10 7 , y pueden ser obtenidos mas convenientemente de la caracterstica de transferencia en saturacin, cuando esta es graficada con la absisa ID en una escala logartmica. Frecuentemente se observa que la movilidad de saturacin difiere de la movilidad a pequeos voltajes de drain. La transductancia gm es definida en el rgimen lineal de la caracterstica de salida (VD<<VG) como la pendiente de ID con VG, y es relacionada a la movilidad mediante la ecuacin 12. La gm es usada para estimar la movilidad dependiente del VG a bajos voltajes de drain y puede ser obtenida del rgimen
81

Ibid. p.70

119

lineal (no saturado) de la caracterstica de salida, o de la caracterstica de transferencia tomada con un voltaje de drenaje mas pequeo que el voltaje de gate. Usualmente puede diferir cuando se mide en diferentes regimenes.

Ecuacin 12. 5.2.3 Velocidad de circuitos con OFET: Dependiendo de la aplicacin, los dispositivos electrnicos tienen que encenderse y apagarse a muy altas velocidades. Por lo tanto ahora discutiremos el factor que limita la velocidad de los circuitos orgnicos. Hemos visto que una corta longitud L del canal conlleva a altas corrientes de drain, pero L es aun mas importante en lo que se refiere a la velocidad de suicheo. La mxima velocidad a la cual un transistor puede operar esta limitada por el tiempo

que le toma a los portadores cruzar el canal del FET. Este es el tiempo que le toma a la capa de acumulacin en estar sin cargas del drain despus que el V G a sido extinguido. A una frecuencia f>f0=1/ , la seal de salida ID se desfasa de la seal de entrada VG y la amplitud del suicheo decrece. El ecuacin 13.

esta dado por la

Ecuacin 13. De la ecuacin se puede ver que obviamente el tiempo de transito de los portadores a travs del canal ser proporcional a L. Adems el campo elctrico lateral que impulsa los portadores a travs del canal es proporcional a 1/L. El

es

120

conocido como el tiempo RC del transistor, y puede ser calculado tambin usando los valores de la resistencia de canal y su capacitancia, con el mismo resultado de la ecuacin 13. Debe tenerse en cuenta que la ecuacin 13 representa un limite alto para f082. Por ejemplo asumiendo VD=10V y = 10 2 cm 2 / Vs, f0 es 1 KHz para un L=100 m, pero es de 100 KHz para un L= 10 m. En contraste con los transistores inorgnicos que trabajan a frecuencias de GHz. De lo anterior es obvio que la electrnica orgnica tiene que competir con la inorgnica, por el momento, en precio mas que en desempeo. Pueden haber otras capacitancias diferentes a la capa de acumulacin en el transistor cuando se activa (desactiva) y VG se aplica (extingue). Estas capacitancia parasitas pueden surgir por ejemplo de un traslape de los electrodos de drain y source con el electrodo de gate. Las velocidades de suicheo de los circuitos fabricados con transistores orgnicos pueden ser estudiadas con la ayuda de anillos osciladores. Un anillo oscilador consiste de un nmero impar de compuertas NOT, las cuales pueden ser hechas de dos FETs. La operacin NOT convierte entradas de voltaje bajas (altas) en salidas de voltaje altas (bajas). La salida de cada compuerta NOT es mantenida en la entrada de la prxima compuerta, con la salida de la ultima de las compuertas impares NOT siendo realimentada en la entrada de la primera compuerta NOT. De esta manera se concluye que un anillo no tiene un estado consistente (ver figura 53). Por otro lado, la salida oscilara entre altos y bajos con una frecuencia f que esta relacionada con f0, que es la frecuencia de suicheo de un transistor individual. La frecuencia (f) ser mas baja que f0, cuando mas de un transistor tenga que oscilar, y se incrementara con el numero de compuertas NOT o estados de oscilacin.

82

Ibid, p.72

121

Figura 53: Esquema de un anillo oscilador. En la figura 53, si asumimos que la salida de la compuerta NOT de la parte inferior es baja, entonces la salida de la compuerta de la parte superior derecha ser alta, y la salida de la compuerta de la izquierda ser baja, llevando a una salida alta de la compuerta inferior, lo cual es inconsistente con lo asumido inicialmente. El anillo oscilador no tiene un estado consistente propio y oscilara entre alto y bajo con una frecuencia f. Cuando la salida oscilante es vista en un osciloscopio, f puede ser extrada. A menudo la inversa de la frecuencia f, dividida por (2 por el nmero de compuertas NOT = nmero de transistores) se conoce como el retraso de la propagacin por estado. En la ausencia de capacitancias parasitas, esto es igual a =1/f0. Los anillos oscilantes permiten una medida dinmica de la movilidad de los portadores. En cualquier caso, f es una medida practica y relevante de la velocidad de un circuito. Anillos oscilantes de OFETs rpidos, con f>100 KHz han sido conseguidos por grupos de investigacin de Siemens. Los anillos oscilantes no son puramente una herramienta de diagnostico, pero tienen aplicaciones importantes. En 3M han fabricado etiquetas de identificacin por radiofrecuencia que usan anillos oscilantes basados en pentaceno, con frecuencias de alrededor de los 200Hz. Estas etiquetas tienen una antena (circuito LC) que absorbe una seal de radio de una frecuencia de 13.6 MHz, y reemiten una seal de la misma frecuencia, pero con una modulacin de amplitud83. 5.2.4 Caractersticas de los materiales usados en OFETs: Los buenos OFET deben mostrar altas corrientes de drenaje, a bajos voltajes de drain y de gate, sin optimizar el factor geomtrico; deben mostrar altos ndices de on/off, lo que
83

Ibid, p.76

122

significa que las corrientes de drain a VG=0 deben ser extremadamente bajas y deben mostrar rpidos

Esto implica que los OFETs necesitan que el

semiconductor orgnico, los aislantes y los electrodos cumplan con fuertes requerimientos. En el campo de los semiconductores orgnicos, la principal propiedad que debe ser cumplida es una buena movilidad de los portadores de carga84. A continuacin se nombraran las mas importantes caractersticas que deben tener los materiales usados en la fabricacin de OFET: - Los metales del source deben hacer contactos ohmicos con el semiconductor (libres de barreras energticas). - El aislante del gate debe ser delgado y no debe presentar agujerillos (tcnica utilizada para mejorar el proceso por solucin de materiales orgnicos), u otro tipo de fugas, y debe tener una alta constante dielctrica. - Los semiconductores orgnicos deben ser libres de dopantes o tenerlos en muy bajas concentraciones, de lo contrario el transistor no funcionara adecuadamente. - El semiconductor orgnico debe estar libre de trampas de portadores de carga. Las cargas atrapadas dejan de ser mviles, lo cual significa que parte de la capa de acumulacin DG no puede contribuir a la corriente de drenaje85.

84 85

Ibid, p.77 ibid, p. 77

123

Figura 54. Imagen de un circuito plstico de una matriz activa, de Lucent technology Fuente: Organic Light emitting devices (OLED). [en lnea]. s.l.: LAMP. s.f. <http://cedb.postech.ac.kr/lamp/eng/research_oled.php.> [consulta: Nov 2004].

5.3 CAPACITORES DE POLYPIRROL

En general, las cargas en los capacitores convencionales son almacenadas en la superficie de los electrodos. Si en estos se incrementa el rea de la superficie, proporcionalmente se incrementa la capacitancia. Sin embargo, los capacitores basados en polmeros conductores, tienen la ventaja de almacenar carga a travs del material y no simplemente en la superficie. Una segunda ventaja de los capacitores basados en polmeros conductores (CPCs) es que la separacin efectiva de las placas esta en el orden de los 2 nm, permitiendo un tremendo almacenamiento de energa. No obstante, en la actualidad, estos dispositivos tienen anchos de banda que estn varios ordenes de magnitud por debajo de los capacitores convencionales y los potenciales aplicados alcanzan tan solo 4 V.

124

5.3.1 Teora de siguiente:

Operacin: Ian Hunter, Meter Madden y John Madden en

Polypyrrole Capacitors escriben hacerca de la operacin de estos capacitores lo

Un capacitor basado en polmero conductor tpico tiene una estructura de emparedado, la cual en primer lugar es idntica a aquella de los capacitores convencionales, diferenciandose solamente en los materiales utilizados. Las capas externas son electrnicamente conductivas (polypirrol), mientras que el medio entre los platos polimricos no. A diferencia de la mayora de los capacitores, el dielctrico intermedio es en si un electrolito. Cuando un voltaje es aplicado entre las dos placas, iones en el dielctrico son trasportados por fuerzas electroforeticas (fuerzas que mueve cargas elctricas (iones), originadas por la accin de un campo elctrico), con aniones y cationes viajando paralelamente al campo elctrico aplicado y en direcciones opuestas. Estas cargas comienzan a concentrarse en la interfase polmero/electrolito. Cuando los iones se aproximan a la interfase, la superficie del polmero se carga electrnicamente, de este modo, previniendo que el campo elctrico penetre la superficie del polmero. Los iones y las cargas forman lo que se conoce en electroqumica como capacitancia de doble capa. El espacio promedio, entre los iones y la superficie de carga del polmero en la doble capa, es tpicamente menor a 30 nm, en electrolitos de concentracin moderada, conduciendo esto a grandes campos. Las capacitancias tpicas de estas capas estan entre 0.1 y 0.4 Fm 2 (Bard y Faulkner 1980). A diferencia de la mayora de los electrodos, el polmero es poroso, permitiendo que los iones entren y salgan. La conductividad elctrica de los polmeros previene que se generen campos elctricos dentro del polmero, y de esta manera, a diferencia que en el electrolito, no hay fuerza electroforetica. Sin embargo la acumulacin de iones en la interfase genera un gradiante de concentracin, el cual conduce a la difusin de iones dentro del polmero. Cuando estos iones se difunden en a el interior del polmero, sus

125

cargas son neutralizadas por cargas en la cadena principal del polmero, de esta manera se mantiene la electroneutralidad del mismo. La difusin de iones y cargas dentro del polmero disminuye la carga de la doble capa. Eventualmente, dado que el voltaje aplicado permanece constante, la concentracin inica en los electrodos del polmero conductor se iguala a aquellos de la doble capa, y la difusin cesa. En este punto, el capacitor esta cargado. Una vez cargado, el potencial cae a travs de la doble capa en la interfase electrolito/polmero. Note que para cargar esta interfase, las cargas tienen que ser transferidas a todo el polmero. De esta manera, a diferencia de los capacitores convencionales, la carga es almacenada en un volumen y como veremos, la capacitancia puede ser expresada en trminos de un volumen en ves de en trminos de una rea de superficie. La aplicacin de un paso de potencial al CPC claramente lleva a que el dispositivo se cargue, pero es evidente que no estamos tratando con una capacitancia pura. Realmente el CPC, inicialmente acta como una resistencia, con el campo aplicado actuando para superar la viscosidad del electrolito. La doble capa entonces comienza a cargarse y simultneamente a descargarse debido a la corriente de difusin. Solo una vez que la difusin es completada la corriente para. Solo cuando el potencial aplicado varia a un ritmo suficientemente bajo, hace que el CPC actu como una capacitancia pura, como lo aclararan mas tarde las ecuaciones. La aplicacin de una sinusoide, cuyo periodo es mas bajo que la constante de tiempo para la cual la difusin se produce, provoca un comportamiento ideal. El desafi es ahora representar este fenmeno matemticamente, y de este modo determinar el mximo desempeo. Como se discuti, el electrolito acta como una resistencia R y la interfase entre el polmero y el electrolito es una capacitancia, C. La corriente que pasa la celda debe atravesar el electrolito y carga la capacitancia de doble capa, la cual puede ser descargada por difusin.

126

La difusin es dirigida por el gradiante de concentracin, de la misma manera que la corriente inica y la carga de doble capa son dirigidas por gradientes de potencial. Estas fuerzas estn ahora relacionadas y una expresin para la admitancia Y es obtenida en trminos de: 1. Resistencia del electrolito, R, 2. Capacitancia de doble capa, C, 3. Grosor del polmero, a, 4. rea superficial del polmero, A, 5. Coeficiente de difusin inica en el polmero, D, 6. Separacin de la capa doble, , 7. Frecuencia. Otras variables y constantes incluyen: 1. Corriente de carga de la doble capa, Ic, 2. Corriente de difusin, ID, 3. Concentracin inica dentro del polmero como una funcin de la posicin y el tiempo, c(x,t), 4.Constante de Faraday, F = 9.6484610 4 Coulumbios por mol. La corriente de celda total, I(t), es la suma de la corriente de difusin y de la corriente de carga de la doble capa:

Ecuacin 14. y la caida total del potencial a travs del CPC es:

127

Ecuacin 15.

La corriente de difusin, ID, en la interfase polmero/electrolito esta dada por la primera ley de Fick:

Ecuacin 16. Donde x es la posicin entre los platos del polmero, con x=0 en la interfase polmero/electrolito y el vector apuntando hacia fuera del electrolito. La corriente de carga de la doble capa es:

Ecuacin 17. En esta ultima ecuacin la capa doble se describe con un grosor, , y un rea, A, en la cual la concentracin inica esta variando con el tiempo. Se requiere una ecuacin mas, la cual debe relacionar el gradiante de concentracin en la interfase, con el ndice temporal del cambio en la concentracin. La relacin entre los dos, es obtenida mediante la convolucin de la respuesta, a un cambio en la concentracin en el frontera. La concentracin como una funcin del tiempo, en respuesta al cambio en la concentracin en la frontera, en una pelcula de grosor finito, a, y en la cual no ocurre transporte de masa en la otra frontera (x=a/2), es:

128

Ecuacin 18. Para obtener este resultado aplicamos series de fourier y separacin de variables para resolver la ecuacin de difusin unidimensional, teniendo una condicin de frontera de Neuman y una de Dirichlet. Luego el principio de superposicin es aplicado en la forma de un integral de convolucin, tal que el comportamiento de la concentracin puede ser obtenido para una escogencia casi arbitraria del lmite de concentracin con el tiempo:

Ecuacin 19. Tomando la derivada con respecto a la posicin x, en x=0, se obtiene la relacin requerida entre el gradiente, y la concentracin en la interfase, derivada parcialmente con respecto al tiempo:

Ecuacin 20. Este sistema de ecuaciones es entonces transformado al dominio de Laplace y solucionado, produciendo la admitancia Y, como una funcin de la variable de laplace, s, el grosor del material, a, el coeficiente de difusin, D, la resistencia del electrolito, R, la capacitancia de doble capa, C y el grosor de la doble capa, :

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Ecuacin 21. En esta forma, hay cuatro parmetros para ser determinados, la capacitancia, C, el coeficiente de difusin, D, el grosor de la doble capa, , y la resistencia, R. La capacitancia de doble capa puede ser aproximadamente relacionada a , asumiendo un capacitor de placas paralelas, cuya rea, A, es del tamao de la regin interfacial, donde la constante dielctrica es aquella del solvente y el espaciamiento entre platos es :

Ecuacin 22. Los parmetros desconocidos son ahora reducidos a tres. La resistencia es rapidamente determinada del espectro de impedancia, aproximadamente a 40KHz, a cuya frecuencia la impedancia capacitiva es despreciable, y la resistencia del electrolito domina. La capacitancia de la doble capa esta en el rango de 0.1 to 0.4 Fm 2 (Bard and Faulkner 1980). Esto deja a el coeficiente de difusin, como el unico parmetro desconocido. El limite superior en el coeficiente de difusin es 10 10 m 2 s 1 , un valor tpico para iones en lquidos. El coeficiente de difusin del polmero es un orden de magnitud menor. Los datos fueron obtenidos de pelculas de polypirrole de un grosor, a= 5.3x10 5 m, rea A= 3.310 5 m 2 , en una celda de 175 ohm. La pelcula fue sintetizada, usando hexafluorofosfato como dopante, y electrodeposicin de carbono cristalino a 30C a 0.126 Am 2 . La pelcula fue sujeta a un paso de potencial y a la respuesta se le aplico la transformada de Fourier y fue escalada para obtener la admitancia. El modelo fue entonces

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ajustado a los datos mediante el ajuste del coeficiente de difusin, para minimizar la suma de los errores cuadrados. El valor de la capacitancia del modelo, C fue ajustada para mejorar la introduccin del modelo, pero permaneci dentro de los limites esperados.

Los valores de las variables del modelo fueron los siguientes:

Comenzando con bajas frecuencias, la admitancia modelada creci con una pendiente de +1, sugiriendo un comportamiento capacitivo. Para pequeos valores de s, la admitancia se torno:

Ecuacin 23. De esta forma, para seales con periodos que son largos comparados con los tiempos de difusin y de carga de la doble capa, el comportamiento es capacitivo. De los resultados experimentales, el tiempo de carga es cinco rdenes de magnitud mayor al tiempo de difusin y ademas queda claro que cuando se reduce el grosor del electrodo de polypirrol, se produce un incremento en un factor de 100 en el ancho de banda por cada dcada de decrecimiento. Experimentalmete, reduciendo las dimensiones a 5 micrmetros, se incremento el ancho de banda a 0.3 Hz y si se reduce a 0.5 micrmetros, el ancho de banda puede alcanzar 3KHz o mas. Todo esto asumiendo por supuesto que la frecuencia de carga RC es reducida. R puede ser reducido minimizando el grosor, t, de la capa de electrolito, e

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incrementando el rea de superficie A, de la interface polmero/electrolito. Incrementando el rea, sin embargo, se incrementa la capacitancia. La mejor manera de reducir el tiempo de carga de RC es entonces incrementar la conductividad del electrolito o reducir t. Con grosores del polmero del orden de nanometros , los cuales son factibles, se obtienen constantes de tiempo de difusin aproximadamente de 10 MHz. Expresando R y C en trminos de la separacin entre electrodos, t, la conductividad del electrolito inico, , la constante dielctrica, k, la permitividad del espacio libre, o, y el grosor de la doble capa, d, la constante de tiempo de carga RC (RC), es:

Ecuacin 24. Asumiendo una conductividad de la solucin tpica de 100 Sm 1 , una constante dielctrica de 70, y usando el grosor de doble capa, = 2.3710 9 m, y teniendo en cuenta el parrafo anterior, se obtiene que la constante de tiempo es puramente una funcin de la separacin entre electrodos, t, la cual tiene un valor de:

Ecuacin 25. As, aun un electrolito de un grosor de 100 micrmetros, permitir un ancho de banda de MHz. A tiempos mayores que el tiempo de carga RC y que la constante de tiempo de difusin, la capacitancia efectiva esta dada por:

132

Ecuacin 26. Capacitancia efectiva. Esta es ms grande que la capacitancia de la doble capa. Modelando la capacitancia de la doble capa, C, como un capacitor de placas paralelas con espaciamiento, d y rea A, y asumiendo que el grosor, a, del electrodo del polmero, es mucho mayor que el grosor de la doble capa, , la capacitancia se torna una funcin del volumen del electrodo, V:

Ecuacin 27. Capacitancia efectiva en funcin del volumen. Una vez mas usando = 2.3710 9 m, y k=70, la capacitancia por unidad de volumen es de 510 7 Fm 3 . La capacitancia por unidad de volumen de los capacitores de tantalio es de menores. A grandes potenciales, reacciones faradicas son inducidas, cuando el electrolito o el solvente son oxidados o reducidos. De esta forma, no obstante que la capacitancia volumtrica sea extremadamente grande, la densidad de energa del capacitor de polypirrole es casi igual a aquella de los capacitores de tantalio 0.2 MJkg 1 , o alrededor del doble de la densidad de energa de las batera de acido-plomo. Usando el electrolito y el solvente apropiado, es posible de cargar a 3.5V, con una densidad de energa de cerca de 2 MJ kg 1 , o logrando aquella de las bateras de alta densidad de energa86. 5.3.2 Conclusiones: Los capacitores de polipirrol tienen una capacitancia por unidad de volumen extremadamente alta, cinco ordenes de magnitud por encima de los dispositivos convencionales. Esto los hace muy adecuados para circuitos de
86

410 2 Fm 3 , cinco ordenes de magnitud

HUNTER, Ian W, MADDEN, Meter G.A, MADDEN, John D.W. Polypyrrole Capacitors. [en lnea]. s.l.:MIT, 1999. p.1 <darbelofflab.mit.edu/ProgressReports/Home Automation/Report2-4/CondPoly% 2099.pdf>, [consulta: Octubre de 2004].

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bajo voltaje, donde ellos consumen un 1/100.000 del volumen. Su ancho de banda depende altamente de sus dimensiones, con anchos de banda que son inversamente proporcionales al grosor del electrodo, y potencialmente alcanzan los MHz. La principal desventaja de los capacitores de polipirrol es su bajo voltaje de operacin, el cual no puede exceder los 4V. Sin embargo, aun a esos bajos potenciales, la densidad de energa alcanza aquellas de las bateras de alta densidad de energa. Adicionalmente el rango de voltaje es apropiado para usarse en todos los circuitos polimricos, en unin con transistores, diodos, resistencias e inductores. Finalmente, estos capacitores pueden ser co-fabricados con sensores, actuadores y otros dispositivos electrnicos a bajo precio y con propiedades de flexibilidad propias de los polmeros87.

5.4 CELDAS FOTOVOLTAICAS ORGNICAS

Las celdas fotovoltaicas orgnicas, son dispositivos que convierten la luz en electricidad, de manera contraria a los OLED, y en los cuales el semiconductor, al igual que en todos los dispositivos electrnicos orgnicos, es un material orgnico conjugado. El mecanismo mediante el cual estos dispositivos convierten la luz en corriente elctrica, se denomina efecto fotovoltaico. Kallman reporto la primera celda fotovoltaica orgnica basada en un cristal individual de antraceno en 1959. Sin embargo estas celdas basadas en materiales orgnicos fueron consideradas inadecuadas como fuentes de energa, esto en parte, debido a que las excitaciones pticas producan pares electrn/hueco fuertemente acoplados. Por lo tanto, los portadores de carga fotogenerados de esta manera, no eran directamente asequibles a circuitos externos, lo cual resultaba en una eficiencia cuntica externa insuficiente. Esta pobre respuesta
87

Ibid, p. 7

134

fotovoltaica fue atribuida a la naturaleza cuasi-aislante de los semiconductores orgnicos intrnsecos88. La eficiencia de las celdas fotovoltaicas esta dada por la siguiente ecuacin:

Ecuacin 28. Eficiencia de una celda solar. Donde Voc es el voltaje de circuito abierto, Isc, es la corriente de corto circuito, dada en A/m 2 , FF, es el factor de llenado, y la IIight es la radicacin del sol en W/m 2 . El factor de llenado FF, esta dado por:

Ecuacin 29. Factor de llenado. Donde Impp y Vmpp, son la corriente y el voltaje en el punto de maxima potencia. En estos primeros dispositivos, las capas constituyentes eran de cientos de micrones de grosor, lo cual conllevaba a la creacin de grandes resistencias en serie y consecuentemente a un factor de llenado limitado. Esto fue as hasta 1986, cuando fueron reportados factores de llenado del 65%, usando celdas fotovoltaicas de doble capa, de pelcula delgada, de cobre phtalocyanine y un derivado de perileno tetracarboxilico89.

88

JAGLARZ, Janusz. Polymeric Photovoltaic Devices. [en lnea]. Cracovia (Polonia): Instituto de fisica de la Universidad de Cracovia. 2004. p.1 <www.materialsscience.pwr/wroc.pl/ci/articles/ ms_2004_055.pdf>. [consulta: Diciembre de 2004]. 89 Ibid, p.4

135

Figura 56 . Esquema de una celda fotovoltaica orgnica bicapa de unin plana.

Figura 57. Diagrama de energas de una celda fotovoltaica bicapa orgnica. Hoy en da celdas solares de derivados de PPV como donantes y derivados de fullerenos como aceptores alcanzan eficiencias del 3%. Sin embargo las eficiencias de las celdas de silicio alcanzan el 15%, lo que significa que se necesitan mayores desarrollos en las celdas orgnicas para mejorar su eficiencia. En una celda fotovoltaica orgnica bicapa, donante/aceptor, como la de la figura 55, segn Jaglarz90, la absorcin de la luz conduce a la creacin de excitones singletes en la fase del donante. Con el fin de lograr una gran taza de produccin de excitones, el espectro de absorcin del donante debe ser similar al espectro solar. Esto requiere una banda de gap del donante entre 1.1 y 1.7 eV. Adems, el
90

Ibid, p.4

136

coeficiente de extincin debe ser grande. Sin embargo como los electrones excitados estn fuertemente acoplados a sus correspondientes huecos, las cargas fotogeneradas no pueden contribuir directamente a las fotocorrientes, ademas los excitones se mueven algunos nanmetros y decaen radiativa como no radiativamente, con lo cual las cargas no consiguen alcanzar el circuito externo. Esta es la razn por la cual en las celdas fotovoltaicas de semiconductores orgnicos intrnsecos, la fotorespuesta es muy pobre. Sin embargo cuando los excitones alcanzan una interfase donante/aceptor, ocurre una transferencia metaestable ultra rpida de electrones, desde el donante al aceptor (en el rango de los picosegundos), localizando los huecos en la fase donante y los electrones en la fase aceptora. Aun asi, la mayora de los excitones fotogenerados en la estructura de bicapa plana donante/aceptor, no producen cargas que contribuyan a la corriente externa, debido a que la distancia tipica de difusin de los excitones, es mucho menor que la profundida que puede alcanzar la luz solar al penetrar el semiconductor, por lo tanto la mayoria de los excitones se recombinan nuevamente. Para salvar ese obstculo, actualmente se utilizan bicapas con heterouniones, como la de la figura 57, en las cuales el aceptor y el donante estan distribuidos por todo el volumen de la bicapa. De este modo, se incrementa la eficiencia de la conversin fotn a electrn y por lo tanto tambin la sensibilidad fotovoltaica en forma dramtica.

Figura 58. Bicapa fotovoltaica con heterounin. Como la transferencia de electrones en la interfase de la unin ocurre muy rpido, ningn otro mecanismo de decaimiento le puede competir, con lo cual se alcanzan

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tericamente eficiencias cercanas a la unidad. Sin embargo, las cargas separadas aun permanecen enlazadas debido a la fuerza de Coulumb. Esto produce que en condiciones normales de operacin, la eficiencia de conversin excitn-electrn libre no sea mxima. Una vez las cargas fotogeneradas son puestas en libertad (mediante un campo elctrico), estas son transportadas con la ayuda de un campo elctrico interno, hacia el nodo y el ctodo, segn sea el caso, resultando finalmente en una fotocorriente externa. El campo elctrico interno, segn Jaglarz91, determina el voltaje de circuito abierto de la celda fotovoltaica y es causado por el uso de electrodos metlicos, con diferentes funciones de trabajo. Aun en el proceso de transporte, la recombinacin de cargas fotogeneradas, podra adicionalmente limitar la fotocorriente externa. Por lo tanto, la recombinacin toma importancia, siempre y cuando, el tiempo de transito de los portadores de carga libre sea mayor a su tiempo de vida (tiempo de recombinacin), ya que la recombinacin no ocurre para portadores de carga libre que tengan tiempos de vida mayores que los correspondientes tiempos de transito. En este ultimo caso, los electrodos extraen todas las cargas libres fotogeneradas. En el caso, de que las propiedades de transporte de electrones y huecos, estn fuertemente desvalanceadas, las cargas de los portadores de carga mas lentos se acumulan en el dispositivo, modificando de esta manera el campo elctrico, a tal grado, que las corrientes se igualan. Adicionalmente, la acumulacin de carga podra originar un aumento de la carga espacial, con un subsiguiente apantallamiento del campo elctrico, lo cual ocasionara que la fotorespuesta de la celda fotovoltaica disminuyera. Por lo tanto la presencia de este fenmeno se nota en un factor de llenado muy pobre ( 0.4). Los requerimientos esenciales para una celda fotovoltaica eficiente son: el espectro de absorcin del donante debe ser semejante al espectro solar, como
91

Ibid, p.5

138

tambin se debe tener un alto coeficiente de extincin, con el fin de obtener una alta tasa de generacin de excitones. La longitud de difusin de los excitones debe ser grande, con el fin de incrementar el volumen activo para la disociacin eficiente de excitones. El tiempo de vida de los portadores de carga debe ser mas grande que el tiempo de transito, y las caractersticas de carga espacial92. Para terminar, las ventajas potenciales de las celdas fotovoltaicas orgnicas son: bajo costo (produccin a gran escala usando la tecnologa existente de procesamiento de polmeros), gran rea (las pelculas delgadas de plstico pueden ser producidas en grandes formatos), flexibilidad (permite que los dispositivos se adapten a cualquier superficie), adems los materiales usados son molculas de hidrocarburos no toxicas y la produccin de este tipo de celdas se hace a temperatura ambiente y sin producir gases peligrosos. Adicionalmente, como la banda de gap, puede ser manipulada, es posible obtener celdas fotovoltaicas de una gran variedad de colores, lo cual es importante desde el punto de vista arquitectnico93. transporte de los portadores de carga deben estar balanceadas, en pro de prevenir el efecto de la

5.5 LSER ORGNICO

Muchos polmeros conjugados son capaces de emitir luz. Esto puede ser generado por fotoluminiscencia o electroluminiscencia, mediante la aplicacin de un voltaje. La vigorosa actividad relacionada con el desarrollo de polmeros emisores de luz en todo el mundo a conllevado a avances extraordinarios en los materiales en la dcada pasada, facilitando el desarrollo de otras aplicaciones como transistores, celdas solares y lseres.
92 93

Ibid, p.6 Introduccin. [en lnea]. s.l.:s.n. s.f. <www.ub.rug.nl/eldoc/dis/science/c.melzer/c1.pdf>. [consulta: octubre de 2004].

139

Hay muchas razones por las cuales los materiales orgnicos semiconductores son atractivos como materiales para lseres. Entre ellas estan que: existe una gran variedad de polmeros que pueden emitir luz en el espectro visible, los polmeros tienen amplios espectros (posibilitando la fabricacin de lseres sintonisables), los polmeros tienen fuertes coeficientes de absorcin, lo cual implica que tienen el potencial para grandes amplificaciones de la luz, el espectro de absorcin y de fluorescencia estn bien separados, por lo tanto la absorcin de la luz emitida es dbil y adems los polmeros semiconductores combinan las ventajas especificas para lseres, con las ventajas generales de los polmeros, como son la variacin de las caractersticas de emisin de luz mediante cambios en la estructura del polmero, fabricacin simple y barata y la flexibilidad94. 5.5.1 Estructura del lser: Segn Riechel Stefan95, la caracterstica principal de un lser es que esta constituido por un material que amplifica la luz (conocido como el medio de ganancia) y un resonador que aplica la realimentacin. Cuando la luz pasa por el amplificador de luz, este estimula la emisin de mas radiacin, de este modo ganando en intensidad. El resonador refleja la luz adelante y atrs del medio de ganancia para aumentar la intensidad del campo de luz. Un punto muy importante es que la luz estimulada adicionalmente, tiene la misma longitud de onda, direccin y fase como la luz que esta pasando por el medio de ganancia, lo cual conduce a la coherencia distintiva de la luz lser. Para que el lser funcione se le debe suministrar energa, y hay dos formas de hacer esto. La primera conocida como bombardeo ptico, que consiste en la excitacin del medio de ganancia con una fuente de luz muy potente. Esto se logra mediante otro lser o una lmpara de flash. La otra posibilidad, es el bombardeo elctrico, que involucra la excitacin del medio de ganancia elctricamente mediante el paso de corriente a travs de este. En todos los lseres hay un
94

GRAHAM, A, D.W, Samuel, Polymer Lasers:recent advances [en lnea]. s.l.: Universidad de St. Andrews, 2004. <www.materialstoday.com/pdfs_7_9/Samuel.pdf> p.2 [consulta: enero de 2005]. 95 RIECHEL, Stefan. Organic Semiconductor lasers with two-dimensional distributed Feedback. [en lnea]. Munich:Universidad de Munich. 2002.p.15 [consulta: feb de 2005].

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mnimo de energa que se debe suministrar, conocido como el umbral, el cual se debe suministrar si se quiere que el lser funcione. El bombardeo elctrico es muy conveniente y es el usado en los lseres de semiconductor inorgnicos, como los usados en reproductores de CD96. Hasta ahora todos los lseres de polmeros han sido opticamente bombardeados por otros lseres. La configuracin ms comn de un lser, se caracteriza por tener un medio de ganancia en medio de un resonador consistente de dos (o ms) espejos. La luz pasa repetidamente a travs del medio de ganancia rebotando en los espejos. Uno de los espejos refleja la mayora de la luz, pero deja pasar una pequea porcin, que es el rayo lser. El primer lser de semiconductor polimrico fue reportado por Mosess en 1992. Este usaba un medio de ganancia hecho de una solucin diluida de poly(2-methoxy-5(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinilene), MEH-PPV. El uso del polmero en solucin fue un buen punto de partida, debido a que su eficiencia fluorescente es mayor que en estado slido, y la estructura de un simple resonador puede ser usado97. Un lser de polmero en estado slido, seria atractivo debido a que este puede ser mas compacto y robusto, y seria mas adecuado para bombardeo elctrico. Sin embargo, este tipo de lser en estado slido presenta mas desafos por resolver. Segn Graham98, en el mismo ao en que Moses reporto un lser de solucin, tambin se estaba investigando un lser de estado slido de pelcula delgada de material polimrico. Este no presento ganancia, solo absorcin foto-inducida, lo cual mostr que un lser orgnico de estado slido no se poda fabricar con los materiales desarrollados en esos aos. Afortunadamente debido al desarrollo de materiales, liderado por el desarrollo de los OLEDs, se han podido desarrollar lseres orgnicos slidos que muestren ganancia y estimulacin lser. Un ejemplo de estos lseres es el trabajo de Tessler, quien estudio pelculas delgadas de PPV en medio de dos espejos. Cuando se estimulo con un lser muy intenso, el
96 97

Ibid, p. 4 Ibid, p. 5 98 Ibid, p. 7

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fenmeno lser se observo y se produjo una rayo de luz con longitud de onda de 545nm. Una caracterstica interesante de este resultado, fue que esto se logro en un medio de ganancia de tan solo 100 nm de grosor. En contraste, el medio de ganancia en la mayora de los lseres es de centmetros. El hecho de que puedan ser utilizados, medios de ganancia de muy bajo grosor, muestra que con los semiconductores orgnicos se pueden lograr ganancias extraordinariamente altas. Las caractersticas de flexibilidad de los polmeros, permiten una gran variedad de formas simples en la fabricacin de los resonadores. Por ejemplo, mediante la introduccin de una fibra ptica dentro de la solucin de polmero se pueden formar un anillo (ver figura 58), en el cual la luz puede viajar alrededor y alrededor de esta estructura, siendo amplificada y produciendo el fenmeno lser. Una ventaja de esta estructura es que el medio de ganancia es largo y las perdidas son muy bajas, haciendo fcil alcanzar el umbral y lograr la luz lser. Sin embargo la luz emitida en todas direcciones desde la estructura y la salida del rayo no definida, es una desventaja99.

Figura 59. Resonador en forma de anillo. Fuente: GRAHAM, A, D.W, Samuel, Polymer Lasers:recent advances [en lnea]. s.l.: Universidad de St. Andrews, 2004. <www.materialstoday.com/pdfs_7_9/ Samuel.pdf> [consulta: enero de 2005]. En vez de utilizar espejos, la realimentacin puede llevarse a cabo segn Graham100, haciendo una estructura peridica adecuada en una pelcula de polmero. El ejemplo mas simple es una estructura en forma de lamina corrugada (ver figura 59), pero en una escala mas fina, con espaciamientos entre picos de 400 nm. Esta longitud es similar a la longitud de onda de la luz, por lo tanto la estructura acta como una red de difraccin. La luz viajando en una direccin en la
99 100

Ibid, p.8 Ibid, p.3

142

pelcula ser difractada en una nueva direccin. Si el periodo de la corrugacin es escogido cuidadosamente, entonces se puede arreglar este de tal forma que la luz sea difractada 180. El efecto es similar al de ser reflejada por un espejo. Una pelcula de semiconductor polimrico corrugado, puede de esta forma ser usada para fabricar un lser en donde el polmero es el medio de ganancia y la corrugacin provee la realimentacin. Lseres de este tipo son conocidos como lseres de realimentacin distribuida (DFB). La geometra de los DFB, es muy atractiva para lseres de semiconductor polimrico por muchas razones. Las pelculas de polmero pueden ser hechas mediante spin coating y la estructura del lser permite que la luz se propague a distancias significativas en el medio de ganancia. De este modo produciendo umbrales de operacin bajos. Como la realimentacin es proveda por la corrugacin, en vez que por espejos, no se requiere la alineacin del lser, y la corrugacin puede ser usada adems, para dar una bien definida salida del rayo, mediante la difraccin de algn porcentaje de la luz fuera de la cara de la pelcula.

Figura 60. Estructura corrugada de un DFB. Fuente: GRAHAM, A, D.W, Samuel, Polymer Lasers:recent advances [en lnea]. s.l.: Universidad de St. Andrews, 2004. <www.materialstoday.com/pdfs_7_9/ Samuel.pdf> [consulta: enero de 2005]. 5.5.2 Conclusiones: El desarrollo de los laseres polimricos es mas reciente que la de los OLEDs, pero se han logrado enormes progresos para entender y mejorar el diseo ptico, reduciendo el umbral de funcionamiento, y explotando las propiedades de los polimeros para permitir una manufactura mas sencilla. El mayor desafi en la actualidad, es que todos los lseres polimricos son de bombardeo ptico. Sin embargo, los lseres elctricamente bombardeados son muy tiles y pueden encontrar un sin numero de aplicaciones como fuente variable de bajo costo en espectroscopia.

143

Los

lseres

polimricos

elctricamente

bombardeados

requerirn

de

considerables progresos adicionales, pero en el mediano plazo, los lseres elctricamente bombardeados indirectamente son una promisoria alternativa para lseres polimricos de bajo consumo, alimentados con bateras.

6. AVANCES RECIENTES

1991. Primer display funcional de (3 x 5 pixeles) desarrollado por CDT. 1992. Alan J Heeger y sus colaboradores hacen el primer display flexible. 1993. CDT, reemplazo los contactos de Al por contactos de Ca, para solucionar el problemas de la inyeccin de electrones en polmeros conjugados. 1994. Investigadores de Covion desarrollaron SMOLEDs estables a altas temperatras. 1995. Uso de polmeros para dispositivos fotovoltaicos por parte del Laboratorio Cavencish de la Universidad de Cambrige. 1997. Primer producto electrnico orgnico comercial. Fue un display de color verde de un radio de carro, basado en monmeros y fabricado por Pioneer y comercializado en Japn. 1999. Se reportan TFT polimricos de alto rendimiento.

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2000. CDT y Seiko-Epson fabrican el primer PLED display de matriz activa a todo color mediante la tcnica de inyeccin de tinta. Este mide 2.5 pulgadas y tiene 2mm de grosor.

2000. Fsicos de Lucent Technologies desarrollaron el primer LSER de semiconductor orgnico manejable. Construido con tetraceno cristalino, una molcula que est formada por cuatro moleculas de benzeno. El dispositivo emite luz con una longitud de onda de 575.7 nm.

2001. CDT y Seiko-Epson fabrican el primer display de 2.8 pulgadas y 100 ppi de resolucin.

2002. Primer PLED comercial, producido por Philips con una resolucin de 16 x 64. Fue lanzado en una rasuradora y presentado por primera vez en la pelcula de James Bond Die another day. 2003. CDT anuncia mejoras significativas en el tiempo de vida de los PLED en ms de 20,000 horas de operacin para sus polmeros azules, lo cual representa una mejora significativa pensando en la explotacin comercial de aplicaciones a todo color. 2003. Dupont y Evolution Technologies lanzan al mercado un reproductor de MP3 con un PLED display de 2.1 pulgadas y 128 x 64 de resolucin. 2003. CDT anuncia la primera lnea de manufactura para PLED displays, usando la tecnologa de la impresin de tinta de presicin. (ink jet) 2003. Sumitomo Chemical y CDT se unen para crear materiales altamente eficientes, utilizando la tecnologa de los Dendrmeros, lo cual representa

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especial importancia para el desarrollo de dispositivos que requieran bajo consumo de potencia. 2004. Philips incorpora PLEDs en el celular Magic Mirror.

2004. Philips, en unin con E Ink Corporation y Sony Electronics, anuncian la primera aplicacin comercial de un modulo de papel electrnico: Sony eBook reader LIBRI, el cual puede ser ledo a la luz del sol, adems en lugares con poca luz. Adicionalmente permite la lectura de ms de 10000 pginas antes de ser necesario reemplazar la pila.

2004. Philips demuestra el primer prototipo de televisor basado en LED polimricos, el cual muestra gran calidad de color, es ultra delgado y consume muy poca energa .

2004. Se logran materiales que pueden doparse como tipo n o como tipo p. 2004. Sony Corporation, anuncia, la produccin masiva de pantallas OLED, para su producto CLIE PEG-VZ 90. 2005. Samsung electronics, anuncia el desarrollo del primer televisor de 40 pulgadas, basado en OLED.

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CONCLUSIONES

La electrnica orgnica como se ha visto en esta trabajo es una rama de la electrnica la cual basa su funcionamiento y arquitectura en los compuestos orgnicos o basados en el tomo de carbono. Esta por estar basada en el tomo de carbono presenta un sin nmero de materias primas a diferencia de la electrnica inorgnica, la cual solo tiene como alternativa de materia prima el silicio, el germanio, arseniuro de galio y unos pocos elementos mas.

Los compuestos orgnicos semiconductores se presentan como cristales ordenados y como polmeros (amorfos), en ambos su principal caracterstica es la de tener una configuracin de enlaces conjugada, la cual es la base para el transporte electrnico.

Los cristales orgnicos al ser del tipo molecular, intermolecularmente estan enlazados por fuerzas muy debiles como las de Van der Waals y London, lo cual conduce a una ausencia de bandas de conduccin estables, por lo tanto, la conduccin en los cristales orgnicos mayoritariamente es debida al transporte electrnico por efecto tunel o Hopping (saltos cuanticos).

En los polmeros orgnicos, los monmeros estan enlazados mediante enlaces covalentes conjugados, lo cual les permite la formacin de bandas de conduccin semejantes a las de los semiconductores inorgnicos,

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sin embargo, los polmeros orgnicos presentan irregularidades, como torceduras de las cadenas moleculares, etc, que interrumpen la conduccin por bandas de energa. Por lo tanto en los polmeros orgnicos la conduccin se da por bandas de energa dentro de las cadenas individuales o dentro de los segmentos de cadenas polimricas que no presentan irregularidades, pero entre las cadenas o entre las interrupciones, la conduccin, se da como en el caso de los cristales orgnicos, es decir por saltos cuanticos o hopping. De lo anterior pordemos concluir que el proceso de transporte de energa en los materiales orgnicos es en su inmensa mayoria por efecto tunel o hopping. En los semiconductores orgnicos la transferencia de energa se da mediante especies electronicas como polarones, solitones, bipolarones y excitones, los cuales se denominan cuasi particulas, las cuales en el campo inorgnico no tienen mucha trascendencia. Los cristales semiconductores presentan movilidades mayores a los polmeros, pero son poco solubles en solventes orgnicos, lo cual imposibilita su utilizacin para dispositivos de gran rea que nesecitan que los semiconductores sean depositados en pelculas delgadas uniformes. Por lo tanto estos cristales son utilizados y depositados mediante las mismas tcnicas utilizadas por la electrnica tradicional (inorgnica). Los polmeros semiconductores son mediante algunas tcnicas, solubles en solvente orgnicos y conservan sus caracterstica semiconductoras, lo cual permite que estos materiales sean depositados mediante tcnicas de inyeccin de tinta en grandes reas, en la fabricacin de dispositivos que aprovechan las caractersticas mecnicas de flexibilidad polmeros. propias de los

148

Los semiconductores orgnicos polimricos por su caractersticas de ser solubles en solventes orgnicos y depositados en grandes reas permite la fabricacin de dispositivos de gran rea como pantallas, papel electrnico, etc.

Los semiconductores orgnicos por necesitar de procesamientos menos cuidadosos y caros que su contraparte inorgnica depositados por tcnicas menos complejas complejas y costosas. y por poder ser permiten la fabricacin de

dispositivos electrnicos a mas bajo costo y plantas de ensamblaje menos

En la actualidad los compuestos orgnicos alcanzan movilidades electrnicas que estn en todo el rango de conduccin desde los aisladores, pasando por los semiconductores hasta aquella propia de los conductores como el cobre.

La velocidad de suicheo de los dispositivos orgnicos actuales esta muy por debajo de las de los dispositivos inorgnicos, pero se espera que en pocos aos estas velocidades se puedan alcanzar.

En la actualidad y en el mediano plazo la electrnica orgnica no reemplazara la electrnica tradicional, debido a menores velocidades de suicheo, tiempos de vida de los materiales, etc, pero es utilizada en nuevas areas tecnologicas, donde la electrnica tradicional no es viable, como dispositivos de gran rea, dispositivos flexibles, dispositivos electroluminiscentes de bajo consumo de energa, msculos artificiales, nervios artificiales, entre otras, con lo cual se apodera de una franja considerable del mercado electrnico. Aunque a largo plazo no se espera que la electrnica orgnica reemplace la inorgnica, se espera que con la mejora en la s velocidades de suicheo, la mejora de los tiempos de vida de los materiales orgnicos, entre otras, esta nueva rama de la electrnica se apodere de gran parte del mercado electrnico.

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