CIRCUITOS ELECTRONICOS I

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GERMANIO
El germanio es un elemento qumico con nmero atmico 32, y smbolo Ge perteneciente al grupo 4 de la tabla peridica de los elementos qumicos. Smbolo: Ge Configuracin electrnica: Ar 3d10 4s2 4p2 Nmero atmico: 32 Punto de fusin: 938,2 C Descubrimiento: 1886 Masa atmica: 72,64 0,01 u USO DEL GERMANIO COMO SEMICONDUCTOR Semiconductores extrnsecos. Donadores y aceptadores. Se denominan semiconductores extrnsecos a aquellos semiconductores puros a los que se les han introducido impurezas en pequesimas cantidades, con el propsito de aumentar su conduccin. Estas impurezas suelen ser elementos pertenecientes a los grupos tercero y quinto de la tabla peridica y se mezclan con el germanio o el silicio en estado de fusin para que algunos tomos de estos sean sustituidos por tomos de impureza durante el proceso de cristalizacin. Este efecto se denomina dopado y segn sea el elemento utilizado como impureza del grupo tercero o quinto el semiconductor se denomina de tipo P o N respectivamente. Veamos el porqu de estas denominaciones y como influye el dopado en el aumento de la capacidad conductora del material. Tomemos el Germanio (Ge) como material semiconductor puro, aadmosle, en estado de fusin impurezas del grupo quinto, por ejemplo Sb. Al cristalizar algunos tomos de Ge habrn sido sustituidos por los de Sb sin distorsionar la red cristalina dada la pequea proporcin de las impurezas. Como es sabido, el Sb tiene cinco electrones de valencia por lo que solo cuatro de ellos podrn formar enlace covalente con sus vecinos tomos de Ge. Ello supone que el quinto electrn quede unido, muy dbilmente, al ncleo de Sb y se necesite una energa tan pequea para separarlo de el que puede considerarse como electrn libre y por tanto, utilizarse en la conduccin como portador de carga. Estos elementos que al ser introducidos como impureza dan un exceso de electrones libres, se denominan donadores. Al tener el tomo de Sb cinco electrones en su ltima capa, uno de ellos no puede situarse en la banda de valencia del germanio puro que queda completa con cuatro electrones. Sin embargo el hecho de haber introducido la impureza modifica la distribucin de los niveles energticos de manera que se crea un LASTEROS ALFERES JOSUE A. 11190095

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nuevo nivel de energa disponible, dentro de la banda prohibida, que contiene ese quinto electrn. Este nivel se sita muy cerca del nivel inferior de la banda de conduccin a una distancia equivalente a la energa necesaria para separarlo del ncleo de Sb. Se comprende que el mas pequeo aporte de energa har que este quinto electrn pase a la banda de conduccin dejando el tomo de Sb ionizado. La carga positiva es inmvil por pertenecer al ncleo pero, por el contrario, los electrones en la banda de conduccin son fcilmente desplazables y dan lugar a una corriente elctrica cuando se aplica una campo exterior. Cuando se introducen impurezas del grupo tercero por ejemplo In el proceso es anlogo pero del signo contrario. Al finalizar la cristalizacin un tomo de In ha sustituido a uno de Ge. Como el In solo tiene tres electrones de valencia para compartir, habr un hueco o falta de electrn en uno de los enlaces con el Ge. Este tipo de impurezas que proporciona un exceso de huecos se denominan aceptadoras por dar lugar a una configuracin que posibilita la aceptacin de un electrn para cubrir un hueco. En este caso aparece un nuevo nivel de energia disponible en la banda prohibida muy cerca del nivel superior de la banda de valencia .Asi pues con un pequeo aporte de energia algunos electrones de la banda de valencia pueden pasar a ocupar el nuevo nivel. Este movimiento de electrones crea huecos en la banda de valencia que se desplazan dentro de la misma como se explico para semiconductores intrnsecos. Se puede decir que a temperatura ambiente todos los tomos de impureza estn ionizados y por tanto, la corriente en los donadores ser debida, sobre todo, a electrones ya que habr muchos mas de estos en la banda de conduccin que huecos en la de valencia. En los aceptadores , ser debida a los huecos por la razn inversa. Por ello a los primeros se les llama semiconductores del tipo N (portadores negativos) debido a que los electrones son mayoritarios y a los segundos semiconductores de tipo P (portadores positivos) por la razn contraria. Si los semiconductores tienen ambos tipos de impureza, las concentraciones de electrones y huecos vienen reguladas, en cada zona, por la ley de accin de masa que se expresa: Nn Pn =Np Pp =N1^2 Donde Nn y Pn, son las concentraciones de electrones y huecos respectivamente en la zona de tipo N ;Np y Pp, las concentraciones de electrones y huecos respectivamente en la zona de tipo P y n1 la concentracin intrnseca. Ello indica que la ecuacin general de equilibrio en un semiconductor puro, sigue siendo vlida para un semiconductor con impurezas. Por otra parte en los diagramas de distribucin de niveles y de ocupacin de los mismos que representan un semiconductor dopado con impurezas de tipo P LASTEROS ALFERES JOSUE A. 11190095

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y N pero con n>p; puede verse que el nivel de Fermi se encuentra situado en una posicin intermedia dentro de la banda prohibida, pero mas prximo a la banda de conduccin que a la de valencia a causa del predominio de la concentracin de electrones sobre la de huecos.

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