JUNTURA METAL SEMICONDUCTOR

1. EQUILIBRIO DE SISTEMAS DE FERMI EN CONTACTO

Supongamos dos sistemas con energas de Fermi diferentes. Designamos como EF1,2; g1,2();fFD1,2(); n1,2 () y v1,2 () a las energas de Fermi, la funcin densidad de estados, la funcin de distribucin de Fermi-Dirac, el nmero de electrones y el nmero de estados vacantes de los sistemas 1 y 2 respectivamente. 1 f FD1, 2 = 1 + exp[( F1, 2 ) / kT ] n1,2= g1,2 fFD1,2 v1,2= g1,2(1- fFD1,2) Cuando los sistemas se ponen en contacto comienza la transferencia de electrones de un sistema a otro hasta que se alcanza el equilibrio y las corrientes de electrones en ambos sentidos se iguala. Los procesos de transferencia en ambos sentidos se producen a la misma velocidad. Se puede pensar que en equilibrio la probabilidad de transferencia de electrones es proporcional al nmero de electrones en un sistema n() y al nmero de estados accesibles vacantes v()del otro sistema: pn1v2, probabilidad de transferencia. Entonces en equilibrio n1v2 = n2v1 g1 fFD1 g2(1- fFD2) = g2 fFD2 g1(1- fFD1) fFD1 g1 g2 = fFD2 g1 g2 Esta ltima igualdad es cierta slo si ambos sistemas tienen una nica Energa de Fermi. Entonces si dos sistemas de Fermi estn en contacto, en equilibrio trmico todo el sistema debe tener la misma energa de Fermi.

2. JUNTURA METAL-SEMICONDUCTOR IDEAL

2.1.-DIAGRAMA DE BANDAS
En un metal la distribucin de niveles de energas accesibles es continua y el nivel de Fermi es uno de ellos. En un semiconductor el nivel de Fermi se encuentra dentro de la banda prohibida. g() F
dn/d

c F v

dn/d

gc()

dp/d

gv()

Metal

Semiconductor

Para los dos sistemas aislados los diagramas de energa son

0
eS e

eM

c FM

FS i

v
Metal Semiconductor

En este dibujo se introducen las siguientes magnitudes:

M : funcin trabajo del metal. S : funcin trabajo del semiconductor. 0 c = e;

e: carga del electrn

0: energa del electrn libre o de vaco. 0 F = e: funcin trabajo. [] = Volt

: afinidad electrnica o trabajo real de salida

Recordemos que la energa de Fermi del semiconductor depende del dopaje en cambio la funcin trabajo del metal y la afinidad electrnica del semiconductor dependen slo del material. Cuando el semiconductor y el metal se ponen en contacto, se produce una transferencia de electrones desde el material cuya funcin trabajo es menor hacia el otro. O sea que el flujo de electrones se producir{a desde el material cuyos electrones tengan mayor energa promedio o sea mayor energa de Fermi. La transferencia contina hasta que se alcance el equilibrio o sea hasta que la energa de Fermi sea nica. En esta situacin una corriente de electrones en sentido contrario mantiene la condicin de corriente nula en toda la juntura o sea: Jms = Jsm Debido a que el material que perdi electrones queda cargado positivamente y el que gan electrones negativamente se origina un potencial de contacto 0 . La diferencia de potencial cae sobre el semiconductor en la regin de precontacto. Slo en el semiconductor se puede generar una regin de vaciamiento de portadores con cargas fijas (las impurezas ionizadas) de resistencia muy alta. Entonces en esa regin las bandas se flexionan siguiendo la forma de la variacin de la energa potencial como muestran las figuras. En el metal la carga opuesta se distribuye sobre la superficie. Para representar esta situacin en el diagrama de bandas en equilibrio partimos de la igualdad del nivel de Fermi y de las magnitudes que al ser una propiedad de los materiales, se mantienen ms all de la regin de precontacto.

Las figuras muestran la estructura de bandas para los distintos tipos de contacto M-SC.

CASO I : Juntura metal- semiconductor tipo-N

a: M > S
e0 eM eB e
o

b: M < S
o

e0 eM c F

eS

eS

++ ++ ++

+ -+ -+ --

c F

CASO I I : Juntura metal- semiconductor tipo-P

a: M < S
o

b: M > S
e0 eM eB - + +
F v o c F v

e0 eM

+ -+ -+ --

eS

e eS

++ ++

En los casos I a y II a en la zona del precontacto dentro del semiconductor, se crea una regin de carga espacial de iones positivos para el caso de un semiconductor tipo-N o de iones negativos para un semiconductor tipo-P. En los casos I b y II b, la zona de precontacto se enriquece de portadores mayoritarios.

B = M - : es el potencial de barrera o de Schotty. 0 = M - S : es el potencial de contacto

2.2.-ESTUDIO DE LA CARGA EL CAMPO ELCTRICO Y EL POTENCIAL EN LA REGIN DE VACIAMIENTO
Estudiamos el caso I a de una unin metal semiconductor tpo-N. Supongamos que el semiconductor tiene una concentracin de tomos donores ND. Entonces la regin de carga espacial en la aproximacin de vaciamiento tendr una densidad de carga

positiva = eND hasta una profundidad x = xn. La carga de signo opuesto se distribuye en un plano sobre la superficie del metal como se ve en la siguiente figura.

ND Q+ = eNDxnA

xn Q- = -eNDxnA

El campo elctrico se sostiene sobre la regin de vaciamiento luego:

1 1 eN D dx + C 1 = eN D x + C 1 1 E(x n ) = 0 C 1 = eN D x n eN D E(x) = (x x n ) 1 E mx = eN D x n E(x) E(x) =

xn x

Emx

El potencial se obtiene integrando el campo:

eN D eN x 2 ( x x n )dx + C'1 = D ( xx n ) + C'1 2 2 eN D x n = ( x n ) (0) = 0 = 2 eN D x 2 eN D x 2 n n 0= + C'1 C'1 = Si elegimos ( x n ) = 0 2 2 eN D ( x ) = (x n - x) 2 y (0) = 0 2 ( x ) = E( x )dx + C'1 =
0(x) xn x

-0

Recordamos que la energa potencial de los electrones es -e(x): e2 ND e( x ) = (x n - x) 2 y - e(0) = e 0 2

e0

xn

Entonces los electrones cerca del contacto tienen una energa e0 mayor que en el seno del semiconductor y las bandas se curvan hacia arriba. eN D x 2 n podemos obtener la penetracin de la zona desierta dentro A partir de la relacin 0 = 2 del semiconductor:
2 0 2 ( M S ) = eN D eN D se ve que cuanto mayor es el dopaje, mayor es la profundidad de penetracin del campo en el semiconductor. La carga espacial en el semiconductor ser: Q = AeN D x n = A 2e 0 N D xn =

Dnde A es el rea del contacto.

2.3 Polarizacin aplicada

Consideremos un potencial aplicado a la juntura o sea la situacin fuera del equilibrio. La figura muestra la situacin de equilibrio. Se observa que existe una barrera eB entre los electrones en el metal y los estados accesibles de banda de conduccin. La altura de esta e0 barrera es independiente de la polarizacin eM o aplicada porque dentro del metal no puede e sostenerse ningn potencial. eB eS c La cada del voltaje, cae totalmente sobre la - ++ F zona desierta del semiconductor. - ++ Si se aplica un voltaje externo, este caer - ++ totalmente sobre la regin desierta cambiando la curvatura de las bandas y modificando el salto de v potencial 0 0 - V0. El movimiento de los electrones desde el semiconductor hacia el metal depende del valor del potencial aplicado pues el alto de la barrera puede ser modificado por la aplicacin de un potencial externo.
eB e(0 -V0) c eB

FS FM

e(0 +V0)

FM

FS

metal

semiconductor

metal

semiconductor

Polarizacin directa V0>0

Polarizacin inversa V0<0

La barrera disminuye cuando el metal se polariza positivamente. La energa de Fermi no es la misma y es mayor en las regiones donde se inyectan electrones. Con polarizacin inversa, la barrera aumenta. El potencial eB no cambia con la polarizacin. Podemos generalizar la expresin de xn para un potencial aplicado V0: x n =
2( 0 V0 ) . eN D

2.4 Capacidad a pequea seal

La carga espacial cambia con la polarizacin:

Q = AeN D x n = A 2e( 0 V0 ) N D

Bajo condiciones de pequea seal, la juntura tiene un comportamiento capacitivo:

C=

dQ eN D A =A = dV0 2(0 V0 ) x n

A partir de mediciones de capacidad se puede calcular el potencial de contacto 0 y el dopaje del semiconductor: 1 2 Despejando se tiene: 2 = 2 ( 0 V0 ) C A eN D Si se grafica 1/C2 vs V0 se obtiene una recta de cuya pendiente puede obtenerse ND.

1/C2

V0

3.- Caracterstica corriente-voltaje

Cuando no hay polarizacin aplicada la corriente a travs de la juntura es nula y se compone de: JnS-M: la corriente de electrones de la banda de conduccin que fluye desde el semiconductor al metal. Estos electrones tienen suficiente energa como para saltar el potencial de contacto 0. JnM-S: la corriente de electrones desde el metal al semiconductor. En este caso los electrones deben superar el potencial B.

En equilibrio ambas corrientes deben ser iguales JnS-M = JnM-S. La corriente de huecos, que tambin debe ser nula se compone de: JpM-S : la corriente de huecos desde el metal al semiconductor. Se compone de huecos que se generan en la superficie del semiconductor cuando electrones de la banda de valencia pasan a ocupar estados accesibles dentro del metal. JpS-M: la corriente de huecos desde el semiconductor al metal. Se compone de huecos que llegan desde el interior del semiconductor y desaparecen en la superficie cuando atrapan un electrn del metal. Ambas corrientes en equilibrio tambin deben ser iguales: JpM-S = JpS-M desde el semiconductor es ms pequea : 0-V0. Para los electrones que pasan desde el metal, el potencial que deben superar es el mismo : B. Cuando se aplica una diferencia de potencial V0, La barrera de potencial que ven los electrones

Para calcular la corriente de electrones desde el semiconductor al metal, consideramos que debe ser proporcional al nmero de electrones cuya energa supere 0-V0. Supongamos que la superficie del contacto es perpendicular a la direccin x. En este caso las componentes y, z de la velocidad del electrn no se vern afectadas cuando el electrn atraviesa la superficie, de manera que la energa requerida para escapar debe provenir de la componente x de la velocidad del electrn. Entonces el electrn que llega a la superficie desde la banda de conduccin en el semiconductor debe tener una energa proveniente de la componente x de su velocidad mayor que e(0-V0): 1 2 mv x mn e(0 V0 ) 2 La corriente debida a estos electrones ser

I n S - M = (-e)

- v x dn = e

v x dn

v x mn

v x mn

El nmero de electrones con sus velocidades entre vx y vx+dvx; vy y vy+dvy; vz y vz+dvz est dado por

dn = g( v x , v y , v z )f FD ( v x , v y , v z )dv x dv y dv z h3 (ver por ejemplo McKelvey 5.4-17)

En la aproximacin de Boltzman podemos escribir:
2m 3 ( F ) / kT e dv x dv y dv z h3 entonces dn =

g( v x , v y , v z ) =

2m 3

I n S- M = e

v x dn =

2em 3 h
3

v x e ( F ) / kT dv x dv y dv z

v x mn 0 0

v x mn 0 0

= c +

1 2 2 m( v 2 x + v y + vz ) 2

reemplazando
2em 3 ( c F ) / kT I nS M = e v x e 2kT dv x e 2kT dv y e 2kT dv z h3 v x mn 0 0 mv 2 x mv 2 y mv 2 z

mv y e 2kT dv

mv z e 2kT dv

2kT m

vxe

mv 2 x 2kT

v x mn

kT 2kT dv x = e m

mv 2 x mn

I nS M =

e4m h
3

(kT) 2 e

mv 2x mn 2 kT

e ( c F ) / kT

Suponemos que la regin de contacto es muy delgada, entonces los electrones pueden pasar al 1 metal por efecto tnel cuando su energa cumpla la condicin mv2 x e(0 V0 ) . La energa 2 1 mnima ser mv2 x mn = e(0 V0 ) . Podemos reemplazar en la expresin de la corriente y nos 2 queda: e4m I nS M = (kT ) 2 e e( 0 V0 ) / kT e ( c F ) / kT 3 h Cuando no hay tensin aplicada V0=0 y las corrientes en ambos sentidos sern: e4m I nS M = I nM S = (kT) 2 e [e0 + ( c F )] / kT 3 h Del grfico de bandas en equilibrio se ve que e0 + (c F ) = eB o y podemos rescribir: e0 eB c - ++ F e4m 2 e B / kT ++ I nS M = I nM S = ( kT ) e h3 - ++ Cuando se aplica una tensin externa, se modifica la v corriente desde el semiconductor al metal pues ahora la barrera ser e(0-V0). La corriente desde el metal al semiconductor no se modifica pues la barrera que deben saltar los electrones sigue siendo 0. La corriente neta en la juntura fuera del equilibrio ser: e4m e4m I n = I nM S I nS M = 3 (kT) 2 e e( B V0 ) / kT 3 (kT) 2 e e B / kT h h e4m I n = 3 (kT) 2 e e B / kT eeV0 / kT 1 h

I n = IS eeV0 / kT 1

" ecuacin del diodo ideal"

En el tratamiento que hemos hecho, no tuvimos en cuenta las corrientes de huecos. La inclusin de estas corrientes, no cambia la dependencia funcional de la corriente con el potencial aplicado. Si el semiconductor es fuertemente extrnseco sus contribuciones son muy pequeas. Se observa que la corriente aumenta en forma exponencial cuando la tensin es directa y tiende a un valor de saturacin para tensin inversa. Esto significa que un contacto de este tipo tiene caractersticas rectificadoras.

IS

4.-CONTACTOS METAL-SEMICONDUCTOR NO RECTIFICANTES (HMICOS)

Hemos estudiado contactos metal semiconductor en los cuales se origina una zona de vaciamiento de portadores mayoritarios. Al generarse una barrea de potencial que dificulta el paso de los electrones del metal al semiconductor y viceversa, tenemos una juntura rectificante. Cuando el contacto ofrece una resistencia despreciable al flujo de corriente el contacto es hmico.

4.1-Contacto tnel
Un contacto M-SC se hace hmico si el efecto de la barrera se hace despreciable. Por ejemplo dopando fuertemente al semiconductor se puede reducir el ancho de la carga espacial. 20 xn = eN D Cuando el espesor de la zona desierta es muy pequeo, se produce efecto tnel para ambos tipos de polarizacin.

eB

e(0 -V0)

FM

FS

eB

FM

e(0 +V0)

C FS V

Si se construye un contacto en el cual el tuneleo es posible, la resistencia es muy baja.

4.2 Contactos hmicos de Schotty

Otra manera de obtener un contacto hmico es hacer que los portadores mayoritarios sean ms numerosos en las cercanas del contacto. Se origina una regin de acumulacin de portadores. Por ejemplo para un contacto M-SC tipo-N en el cual la funcin trabajo del semiconductor es mayor que la del metal (caso I.b), los electrones pueden pasar fcilmente del metal al semiconductor y esta condicin es independiente de la tensin aplicada. Si se trata de un contacto M-SC tipo-P, esta condicin se cumple para el caso II.b. Se produce una regin de acumulacin de huecos en las proximidades del contacto.