Capitulo 3 y 4

F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO

ETN-501 INGENIERO TEODORO BUSCH

3.1 Fsica De Semiconductores
En los materiales semiconductores, la banda prohibida es mucho menor ancha
que los aislantes. Por lo general, a 0 K los materiales semiconductores se
comportan como aislantes. Pero a medida que aumenta la temperatura lo hace
su capacidad de conduccin ya que este aporte de energa sirve para que los
electrones puedan saltar de la banda de valencia a la de conduccin.
La anchura de la banda prohibida condiciona la energa que debe aportarse a los
electrones para que pasen de la banda de valencia a la de conduccin. El ajuste
de engra debe superar lo 0.78 [ ] eV . en el caso del germanio y los 1,21 [ ] eV .
Para el silicio.
Un electronvoltio en el caso del energa que adquiere un electrn al estar
sometido a la accin de un campo elctrico en un punto cuyo potencial es de un
voltio.
Al saltar de la banda de valencia a la de conduccin, los electrones dejan un
hueco. Por lo tanto, se establecen dos corrientes, una producida por los
electrones situados en el banda de conduccin y otra originada por los huecos.
3.2 Semiconductores intrnsecos y extrnsecos.-
3.2.1 Semiconductores intrnsecos.- Son los semiconductores puros, en los
que la conduccin se debe al aumento de electrones originados por la
CAPTULO
3

FSICA DE SEMICONDUCTORES
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IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


temperatura. Los portadores de carga son los electrones y huecos. Los
semiconductores intrnsecos no presentan impurezas en su estructura, y
estn constituidos solamente por el elemento tetravalente semiconductor,
Germanio y Silicio puro
3.2.2 Concentracin de portador intrnseco.- Se dice que un semiconductor
si es qumicamente puro, es decir no contiene impurezas o sustancias
distintas, de las que constituyen el material semiconductor.
Se dice tambin que el semiconductor es intrnseco cuando la cantidad de
impurezas que contiene es pequea comparada con los electrones y
huecos generados trmicamente (Ni).
Funcin de distribucin de Fermi-Dirac- El objetivo final de toda teora
estadstica es la de encontrar una expresin matemtica (distribucin) que
a una temperatura absoluta T proporciona cual es la probabilidad de que
una partcula ocupe un nivel dado de energa E en equilibrio trmico.
Semiconductores extrnsecos.-
Cuando un semiconductor intrnseco es dejado con impurezas, el semiconductor
se convierte en extrnseco. La aparicin de impurezas crea en el diagrama de
bandas nuevos niveles de energa. Existen tres tipos de procesos para la adicin
de impurezas a la red cristalina, difusin, implantacin de iones y crecimiento
epitaxial.
Los semiconductores extrnsecos se forman al aadir pequeas cantidades de
determinadas impurezas al semiconductor intrnseco. Esta adicin produce
efectos considerables en las propiedades de conduccin del material
semiconductor. El efecto de aadir impurezas causar el incremento de la
concentracin de uno de estos portadores de carga (electrones o huecos) y, en
consecuencia afectar considerablemente a la conductividad elctrica. A estas
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CCA
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DDE
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LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


impurezas se conoce como sustancias dopantes, y al proceso de adicin de
impurezas se llama dopado del semiconductor.
El dopado produce dos tipos de semiconductores extrnsecos, identificados
segn el tipo de portador de carga cuya concentracin ha incrementado
semiconductor de tipo N, si es que ha incrementado la concentracin de
electrones y semiconductores de tipo P si existe incrementado de huecos.
Semiconductor de tipo N.
Cuando se introducen sustancias dopantes de tipo pentavalente (5 electrones de
valencia), entonces cuatro tomos de las sustancias dopantes formarn enlaces
covalentes con los tomos de Si, el quinto electrn que no comparte enlaces, es
un electrn de conduccin el cual ser donado a la banda de conduccin.
Entonces diremos que el semiconductor de Si es de tipo N debido a que recibe
una cantidad adicional de portadores de carga negativa y la sustancia
pentavalente (P, As, Sb) se llama donador.

+4 * +4 * +4
Si Si Si
* * -q* Electrn de Conduccion

+4 * +5 * +4
Si Si Si

+4 +4 +4
Si Si Si

Fig. #1 Adicion de un electrn de Arsnico de 5 electrones de valencia

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DDE
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LL E
EES
SST
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DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


En un semiconductor de tipo N, la energa necesaria para llevar el quinto
electrn de la sustancia pentavalente a la banda de conduccin de manera que
ste electrn se convierta en un electrn libre, dando lugar a un tomo dador
ionizado (cargado positivamente). Se dice que es la energa necesaria para la
ionizacin del tomo dador.

0.044ev (P)
E
C

E
d
+
+

+

+

+

1.12 ev
E
i

E
v
T = 0 K T = 100 K T = 300 K

Fig # 2 Representacin de bandas de energa al introducir impurezas
donadoras en el Si y efecto de temperatura.

En la fig. # 2, para el caso del fsforo el nivel energtico E
D
est muy prximo a
la banda de conduccin, cuando mayor sea la temperatura de la muestra
(semiconductor + impurezas), mayor ser la energa conseguida por efecto
trmico y mayor ser el nmero de electrones que accedern a la banda de
conduccin.
Semiconductor de tipo P.-
De manera similar, si introducen en la red de Si. Impurezas de tipo trivalente
(tres electrones de valencia), aparece un enlace covalente con el resto de los
tomos de Si. Sin formar, entonces es un enlace roto o una ausencia del electrn
de valencia para llevar enlace. Esta deficiencia de electrn en los enlaces que
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DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


puede formar el tomo trivalente provoca que sea aceptado un electrn de los
enlaces covalente de los tomos de Si. Formndose en consecuencia hueco en
la banda de valencia. El semiconductor dopado con sustancias triviales se llama
de tipo P y dichas sutancias (B, Al, Ga) se denominan aceptores.

+4 +4 +4
Si * Si * Si

* * * * * *

+4 * +3 * +4
Si * B * Si
* *
+q Hueco
+4 +4
Si * Si * Si

Fig # 3 Introduccin de impurezas de Boro

El electrn se consigue de la banda de valencia del semiconductor, el tomo
aceptor queda ionizado negativamente. La condicin para la ionizacin de los
tomos aceptores es similar a la de los tomos donores. La energa E
A
necesaria
para la ionizacin del tomo aceptor est ubicado en un nivel energtico
ligeramente superior a la banda de valencia a temperatura ambiente, existe
suficiente energa trmica para excitar los electrones desde la banda de valencia
hasta el nivel E
A.

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LL E
EES
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DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


E
C

E
i

0.045ev (B)
E
a

E
g

_ _ _ _
_
E
N

T = 0 K T = 100 K

Fig # 4 Nivel energtico aceptor E
A
en el diagrama de bandas de energa del
Si y efecto de la temperatura sobre la ionizacin de los tomos aceptores.

Condicin de ionizacin completa.-
A temperatura ambiente la energa trmica debida a la propia vibracin de las
partculas es suficiente para que todos los tomos donores estn ionizados
positivamente y cada tomo aceptor est ionizado negativamente. Vale decir
cada tomo donor ha proporcionado un electrn libre a la banda de conduccin y
cada tomo aceptor ha generado un hueco en la banda de valencia.
En el semiconductor de tipo N, por tanto, se produce el mismo nmero de
electrones que de sustancia donora. Esta condicin se llama condicin de
ionizacin completa. Entonces bajo estas condiciones puede decirse con
respecto a la concentracin de electrones.
T k
E E
C d
B
F C
e N N n
) (
= = (1)
Siendo
D
N la concentracin de tomos donores.
F
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LL E
EES
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TTA
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OO S
SS
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LLI
IID
DDO
OO


E
C
E
C
E
d

Iones clonores
E
i
E
i

Iones aceptores
E
V
E
a

E
V

Fig # 5 Representacin esquemtica de las bandas de energa para
semiconductores extrnsecos con iones donores y iones aceptores

La figura # 5 muestra la misma concentracin de electrones en la banda de
conduccin (los cuales son mviles) que de iones donores en su nivel energtico
E
D
(los cuales son fijos). Luego de la ecuacin anterior se puede obtener.
=
d
c
B F C
N
N
T k E E ln (2)
Tenemos el nivel de Fermi para el semiconductor de tipo N, con respecto al nivel
E
C
Si
i D
n N >> (la concentracin de electrones en la banda de conduccin
producidos por la introduccin de impurezas es mucho mayor que los electrones
producidos por efecto trmico,
i
n )
En la misma forma para el semiconductor de tipo P, se cumple la condicin de
ionizacin completa para concentracin de los huecos.
F
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AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


T k
E E
V a
B
V F
e N N p
) (
= = (3)
Siendo A
A
la concentracin de tomos aceptores. Entonces el nivel de Fermi,
con respecto al nivel E
V
en un semiconductor de tipo P.
=
a
V
B V F
N
N
T k E E ln (4)
Si
i a
n N >> (la concentracin de huecos en la banda de valencia producidos por
la introduccin de impurezas es mucho mayor que la producida por efecto
trmico,
i
n )
Concertaciones extrnsecas.-
Se expresa la concentracin de portadores en un semiconductor extrnseco en
funcin de los parmetros que definen el semiconductor intrnseco,
concretamente la concentracin de portadores intrnseca y el nivel de Fermi
intrnseco,
i
n y
i
E , respectivamente.
T k
E E
i
T k
E E
T k
E E
C
T k
E E
C
B
i F
B
i F
B
i C
B
F C
e n e e N e N n
) ( ) ( ) ( ) (
= = = (5)
y
T k
E E
i
T k
E E
T k
E E
V
T k
E E
V
B
F i
B
F i
B
i V
B
F
e n e e N e N p
) ( ) ( ) ( ) (
V

= = = (6)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Fig. # 6 Semiconductor de tipo N. a) Diagrama de bandas b) densidad de
estados, c) Funcin de distribucin de Fermi, d) concentracin de
portadores.
F
FF
S
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AA D
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LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Cuando el semiconductor tiene adulteraciones tipo N (tipo p) el nivel de Fermi se
mueve hacia el borde de la banda de conduccin (de valencia). En este caso, la
aproximacin de Boltzmann no es muy buen y las expresiones simples que
relacionan la concentracin de portador y el nivel de Fermi no son muy precisas.
Un enfoque para una relacin mas precisa es utilizar una funcin tabulada que
de el valor de la integral para la densidad de carga.
La densidad del portador es:
F
FF
S
SSI
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CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


( )
=
C
T
B
k
F
E E
C
E e
dE E E
e
m
n
1
2
3
2 2
) (
2
1
2
2
1
(7)
Se define
T k
E E
n
B
F
= (8)
T k
E E
n
B
C F

=
F
(9)
La concentracin de los electrones n es:
=
0
1
2
3
2 2
) (
2
1
2
2
1
F
n n
e
dn n
B e
T k m
n
(10)
La integral de Fermi Dirac (o media integral de Fermi)
=
0
1
) (
2
1
2
1
) (
F
n n
e
dn n
F
n F
(11)
Y al aplicar la definicin de la densidad efectiva
C
N .
) (
2
2
1
F C
n F N n =
(12)
2
3
2
1
3
4
3

>
T k
E E
F n
B
C F
F
(13)
2
3
2
1
exp 3

<
T k
E E
F n
B
C F
F
(14)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


La densidad efectiva de estado
2
3
2
2
2
T k m
N
B e
C
(15)
[ ]
3 19
2
3
2
3
300
10 512 . 2 ) (

= cm
T
m
m
T N
e
de
C
(16)
La densidad de estado de huecos
( )
2
1
2
3
2
2
4 ) ( E E
m
E N
V
h
h

(17)
La densidad de huecos (o concentracin de huecos) esta dada por:
) ( ) ( ) (
2
1
h V
E
h h
n F N dE E f E N p
v
= =

(18)
Es la concentracin de densidad de estados de huecos, donde
2
3
2
2
2
T k m
N
B h
V
(19)
Es la densidad efectiva de estados de huecos, para la banda de valencia y

T k
E E
n
B
F V
h
= (20)
Ahora la densidad de estados de electrones y huecos
( )
2
1
2
3
2
2
4 ) (
C
e
e
E E
m
E N
(21)
F
FF
S
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CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


( )
2
1
2
3
2
2
4 ) ( E E
m
E N
V
h
h

(22)

Semiconductor compensado.- Con frecuencia cada tomo donor en un
semiconductor de tipo n, suministra un electrn a la banda de conduccin, y el
electrn de concentracin n, en la banda de conduccin es aproximadamente
igual a la concentracin donora
d
N . En una manera similar a la temperatura
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


ambiente o temperatura elevada, cada aceptor crea un hueco en la banda de
valencia de un semiconductor de tipo -p es aproximadamente igual a la
concentracin aceptora
a
N . Si ambos, tanto los aceptores y donores son
agregados a un semiconductor, stos compensan de cada electrn suministrado
que los donores ocupan los niveles vacantes, en la banda de valencia creado por
los tomos aceptores
Semiconductores no degenerados.- Cuando el nivel de Fermi E
F
esta en la
energa de brecha, entonces
( )
F C
E E y
( )
V F
E E son mucho mayores que la
energa ( T k
B
). En consecuencia se dice que es un semiconductor no
degenerado, cuando
( )
T k E E
B F C
3 >> y la integral de Fermi- Dirac.
2
1
F ) (
T k
E E
B
C F

Se reduce a una funcin exponencial
2
1
F = exp. ) (
T k
E E
B
C F

La concentracin de electrones est definido como:
T k
E E
C
B
C F
e N n
= (23)
La concentracin de huecos es:
T k
E E
V
B
F V
e N p
= (24)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Semiconductor degenerado.- Cuando el nivel de Fermi
F
E ,est en la banda de
conduccin, y
( )
T k E E
B C F
3 > donde el nivel de Fermi, est en la banda de
valencia y
( )
T k E E
B F V
3 > ,entonces el semiconductor se llama degenerado.
Para un semiconductor degenerado de tipo n:
2
3
2
1
3
4
,
_
T k
E E
F
B
C F
(25)
( )
2
3
2
2
3
2
n
m
E E
e dos
C F

(26)
( )
2
3
2 2
2
3
1
1
1
]
1
C F e dos
E E m
n
(27)
Para un semiconductor degenerado de tipo p:
2
3
2
1
3
4
,
_
T k
E E
F
B
F V
(28)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


( )
2
3
2
2
3
2
p
m
E E
h dos
F V
=

(29)
( )
2
3
2 2
2
3
1
F V h dos
E E m
p
(30)
En este caso el semiconductor se llama compensado
Neutralidad de la carga.-
De manera general, si en el semiconductor extrnseco estn presentes ambos
tipos de impurezas (donores y aceptoras) aquella concertacin mayoritaria es la
que determinar el tipo de semiconductores extrnseco (p n), as como la
conductibilidad del semiconductor. A temperaturas finitas, los electrones, sern
distribuidos, pero sus nmeros sern conservados y satisfacen la siguiente
igualdad de la neutralidad de carga:
d d i
N n n n = + (31)
a a i
N p p p = + (32)
La concentracin intrnseca de portadores se cumple que ni= pi, entonces,
restando de la primera ecuacin la segunda, resulta que:
a d a d
N N p n p n = +
a a d d
p p N N n n + + = + ) ( (33)
Donde:
n = total de los electrones libres en la banda de conduccin
nd = electrones ligados a los tomos donores
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


p = total de huecos libres en la banda de valencia
pa = huecos ligados a los tomos aceptores
Nd = Los iones donores fijos ubicados en el nivel donador
Na = Los iones aceptores fijos en el nivel aceptor
Esta neutralidad de carga en equilibrio trmico como
d a
N p N n + = + (34)
Considerando la Ley de accin de masas y esta ltima de masas y esta ltima
igualdad se pueden obtener las concentraciones de portadores en equilibrio
trmico para un semiconductor extrnseco
2
i
n p n = (35)
) (
2
n tipo para n p n
i n n
= (36)
d n a n
N p N n + = + (37)
d n i a n n d
n
i
a n
N n n N n n N
n
n
N n + = + + = +
2 2
2

0 ) ( 0 ) (
2 2 2 2
= + = + +
i a d n n i d a n n
n N N n n n N N n n
[ ]
2 2
4 ) ( ) (
2
1
i a d a d n
n N N N N n + + = (38)
Se considera el semiconductor extrnseco de tipon, si (Nd > Na), ahora, para el
semiconductor de tipo p (Na > Nd), implica que el portador mayoritario es el
hueco y el minoritario el electrn, considerando la ley de accin de masas y la
concentracin de los huecos en equilibrio trmico es:
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


) (
2
p tipo para n n p
i p p
= (39)
d p a p
N p N n + = + (40)
d p p a p i d p a
p
i
N p p N p n N p N
p
n
+ = + + = +
2 2
2

0 ) (
2 2
= +
i d a p p
n N N p p
[ ]
2 2
4 ) ( ) (
2
1
i d a d a p
n N N N N p + + = (41)
En resumen, en un semiconductor de tipo n (Nd >> Na)
d n
N n

2
i n n
n p n = (42)
Bsicamente, en una material de tipo n la poblacin de electrones es
mayoritaria respecto a la de huecos, se dice que el electrn es el portador
mayoritario y que el hueco es el portador minoritario.
En un semiconductor de tipo - p (Na >> Nd);
n
i
. << Na = p
p
N
a
2
i p p
n p n = (43)
Funcin de distribucin para los tomos de impurezas.-
La funcin de distribucin de Fermi Dirac para calcular la funcin de
probabilidad para un nivel de donador que tiene una energa Ed medida desde
que el borde de la banda de conduccin. La probabilidad de que un estado
donador, est ocupado dado por (nd es el numero de electrones ligados a los
donadores, Nd es la densidad del donador)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


1 exp
2
1
1
+
,
_
T k
E E N
n
B
F d d
d
(44)
El factor surge esencialmente del hecho de que hay dos estados que un
electrn puede ocupar en un sitio de donador correspondiente a los estados de
Spin.
La probabilidad de que un hueco sea atrapado para un nivel de aceptor esta
dado por (pa es el nmero de huecos ligados a los aceptores, Na es la densidad
de aceptor)
1 exp
4
1
1
+
,
_
T k
E E N
p
B
a F a
a
(45)
El factor se debe a la presencia de las dos bandas, hueco ligero, hueco pesado
y los dos estados de spin.
Para encontrar el nmero de electrones en la banda de conduccin y de huecos
en la banda de valencia, de electrones en los tomos donadores y huecos en los
niveles aceptores, se necesita emplear una computadora. Sin embargo, se puede
obtener una expresin aproximada al aplicar la aproximacin de Boltzamann, que
es vlida si E
d
E
f
>> k
b
T y E
c
E
f
>> k
b
T, con esta aproximacin tenemos (si se
supone un material de tipo n, para el cual Na sea cero).
1
]
1
,
_
,
_
T k
E E
N
T k
E E
N
n
B
F d
d
B
F d
d
d
exp 2
exp
2
1
(46)
Adems, tenemos que para la densidad de electrones en la banda de conduccin

F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


1
]
1
,
_

T k
E E
N n
B
F c
c
exp (47)
Entones la fraccin de electrones ligados a los niveles de donador es ahora
(para concentraciones intrnsecas pequeas Nd = n + nd)
( )
1
]
1

+
1
]
1
1
]
1
+
T k
E E
N
T k
E E
N
T k
E E
N
n n
n
B
F d
d
B
F c
c
B
F d
d
d
d
exp 2 exp
exp 2

1 exp
2
1
+
1
]
1
+
T k
E E
N
N n n
n
B
d c
d
c d
d
(48)
Con esta aproximacin el nivel de Fermi no aparece en la relacin y la energa
de ionizacin del donador (Ec E
d
) y la temperatura determinan la fraccin de
electrones ligados
A bajas temperaturas, la relacin
1
+ nd n
nd
(se aproxima a la unidad), de modo
que todos los electrones se encuentran ligados a los donadores. Esto se
denomina inmovilizacin de portador ahora, la fraccin de huecos ligados a los
niveles de aceptor (para concentraciones intrnsecas pequeas Na = p + pa)

( )
1
]
1
,
_
T k
E E
N
T k
E E
N
p
B
a F
a
B
a F
a
a
exp 4
1 exp
4
(49)
La densidad de huecos en la banda de valencia
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


,
_
T k
E E
N p
B
F v
v
exp (50)
( )
1
]
1

+
1
]
1
1
]
1
+
T k
E E
N
T k
E E
N
T k
E E
N
p p
p
B
a F
a
B
F v
v
B
a F
a
a
a
exp 4 exp
exp 4

1 exp
4
1
+
1
]
1
+
T k
E E
N
N p p
p
B
v a
a
v a
a
(51)
La operacin de dispositivo electrnica a temperatura ambiente se supone n = Nd
para materiales de tipo n y p = Na para materiales de tipo p.
Las ecuaciones relativas para dopar.-
Nivel de Fermi intrnseco
,
_
+
+
*
*
ln
4
3
2
h dos
e dos
B
v c
Fi
m
m
T k
E E
E (52)
Niveles donores pronosticados para un mdulo parecido a hidrgeno.
2 2
0
2
4
*
0
32

e m
m
m
E E
e
e
e
s
d c

,
_
,
_
(53)
,
_
,
_

e
e
s
d c
m
m
eV E E
*
2
0
6 . 13 ) (

Radio donora de Bohr
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


=
0
* 2
2
0
4

s
e
e
e
Beff
m
m
m e
a

(54)
=
0
*
52917 . 0 ) (
s
e
e
Beff
m
m
A a

Conductores, semiconductores y aislantes.-
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


El modelo de bandas expuesto anteriormente podr aplicar satisfactoriamente la
existencia de conductores, semiconductores y aislantes. Entonces para los
electrones respondan al campo elctrico externo y por tanto contribuyan a la
corriente elctrica, los electrones deben ganar energa y situarse en estados
energticos superiores. En consecuencia, solo aquellos electrones que posean
estados superiores prximos disponibles vacios y permitidos respondern a la
accin de un campo elctrico externo. Con este razonamiento podemos
concluir que aquellos electrones cuyas energas corresponden a las de una
banda completamente llena, no contribuirn a la corriente.
[A] O llena banda I = (1)
Para explicar el comportamiento elctrico de los slidos se distinguen dos
situaciones en funcin de la temperatura T = 0[
0
K] y T > 0[
0
K]
A T=0[
0
K], un slido que tiene la banda de valencia llena ser un
aislante debido a que los electrones de dicha banda bajo la accin de
una campo elctrico externo. Adems la existencia de la banda prohibida
impide que los electrones puedan desplazarse hacia la banda de
conduccin, por el contrario, si la banda de valencia est parcialmente
llena y no hay banda prohibida entonces los electrones pueden
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


desplazarse hacia niveles ms altos de energa en el interior de dicha
banda y el slido se comporta como un conductor.
Ahora, un aislante cuya banda prohibida sea relativamente pequea, se
denominar semiconductor, aunque a T = OK, tanto el aislante como el
semiconductor como aislantes perfectos
A T > 0[
0
K] es posible que, en aislantes y semiconductores, algunos
electrones de la bandad de valencia sean excitados trmicamente y
lleguen a la banda de conduccin y por tanto, que hagan algunos
portadores disponibles para la conduccin de la corriente elctrica. La
probabilidad de salto de electrones de la banda de valencia a banda de
conduccin ser directamente proporcional a la temperatura e
inversamente proporcional a la anchura energtica, E
g
de la banda
prohibida. En consecuencia, a mayor E
g
menor concentracin de
electrones en la banda de conduccin y menor conductividad elctrica.
Por otra parte, dado para estos materiales la concentracin de electrones
en la banda de conduccin aumenta con la temperatura, la conductividad
crecer a medida que la temperatura aumenta, lo que explica as, la
conecta dependencia de la conductividad con la temperatura para
aislantes y semiconductores.
En los conductores la situacin energtica de los electrones ligados en la banda
de valencia y parcialmente llena la banda de conduccin es muy similar para
los electrones libres en el modelo de Sommerfeld dentro del pozo de potencial
finito. Los conductores tienen una conductividad muy alta debido al nmero
mucho mayor de electrones que participan en el transporte de corriente. Es
difcil alterar la conductividad de los metales en cualquier forma simple como
resultado de lo anterior. Por otra parte, los semiconductores tienen
conductividad cero a 0 [
0
K] y una conductividad bastante baja a temperaturas
finitas, pero es posible alterar su conductividad en rdenes de magnitud.
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Funcin de trabajo es la diferencia de energa ente el nivel vaco y el estado
electrnico ocupado mas alto en un metal.
Afinidad electrnica es la diferencia de la energa entre el nivel vaco y la parte
baja de la banda de conduccin.
Semiconductores directos e indirectos.-
Semiconductores directos.- En semiconductores directos la transicin se
realiza en la parte baja de la banda de conduccin en k = 0, con el mximo
de la banda de valencia. Este hecho permite que pueda darse la mnima
transicin energtica entre las dos bandas sin que haya un cambio en el
momento lineal (debido a que k no varia).

En este tipo de transiciones se observa un fotn simultneamente a la transicin
electrnica entre bandas. Los semiconductores como: GaAs, InP, Ingaes, etc.
son semiconductores de banda de separacin directa y ptimamente activos.
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Semiconductores indirectos.- En semiconductores indirectos, la forma de
las bandas es tal que el mnimo de la banda de conduccin y el mximo de
la banda de valencia no ocurren para el mismo valor de k. Lo que implica
que una transicin electrnica entre Bv y Bc debe llevar aparejado un
proceso que da cuenta del cambio de momento lineal necesario. En la
prctica esto implica que el electrn debe primero realizar una transicin
hacia otro estado (es un estado energtico provocado por la presencia de
algn defecto en la red) y desde ah realizar la transicin entre bandas sin
intercambio de momento. Los semiconductores como: Si, Ge, Al, As, etc.
Estos materiales tienen interacciones muy agudas con la luz y no pueden
utilizarse para dispositivos pticos eficaces. Las razones estn basadas en
las reglas de conservacin de momento en transiciones pticas, lo que hace
difcil tener transiciones fuertes en semiconductores indirectos.
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


La energa cerca de los bordes de la banda en el punto k = ko, se representa la
estructura de bandas mediante la relacin:
( ) ( )
( )
+ =
z y x i
i
i i
m
k k
k E k k E
, ,
2
0 2
0 0
,

(2)
Donde el ndice i representa las componentes x, y, Z de k y ko, para materiales
con banda de separacin directa ko = (0,0,0). Entonces la relacin para
semiconductores directos, se transforma en:
( )

+ =
e
m
Ec k E
2
2 2
(3)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Donde Ec, es el borde de la banda de conduccin y la estructura de bandas es
una simple parbola con superficies de energa iguales a las superficies de una
esfera.
Para materiales indirectos como el Si, la parte baja de la banda de conduccin
se presenta en los seis puntos equivalentes:
a
2
(0.85,0,0),
a
2
(0, 0.85,0),
a
2
(0,0,0.85), y sus inversos. La relacin del momento de energa es:
( )

+ + =
t
t
l
l
m m
Ec k E
2 2
2 2 2 2

(4)
Donde k
l
es la parte longitud de k (es decir paralela al valor de k en el borde de
la banda) y k
t
es la parte transversal medida desde el borde de la banda de
conduccin.
La superficie de energa constante de la estructura de bandas es un elipsoide.
Cerca de los bordes de las bandas, los electrones en semiconductores se
comportan como si tuvieran una masa m
e
que se conoce como la masa
efectiva. Para semiconductores de brecha directa, la masa efectiva de los
electrones en el borde de la banda de conduccin est dada por la relacin:
g
cv
e e
E m m
2
2 1 1
+ =
(5)
Donde para la mayora de los semiconductores,
] [ 20
2
2
ev
m
e
cv
=
(6)
Donde m
e
es la masa del electrn libre.
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Ahora, cerca de la parte superior de la banda de valencia hay tres curvas
importantes (fig. 3). La banda de masa ms pesada se denomina banda de
hueco pesado (I). La segunda banda mas ligera se conoce como banda de
hueco ligero (II), y la tercera, separada, por una energa i se llama banda de
separacin (III). Las masas de los electrones de la banda de valencia son
generalmente mucho ms pesadas que los situados en la banda de conduccin
y tambin son negativos. En general, la masa efectiva est definida como:
2 2
2
2
1 1

E
m
e

(7)
La densidad de estados en un sistema tridimensional
( )
2 / 1
2 2
2 / 3
2
) ( E
m
E N
dos
= (8)
Donde m
*
dos

es la masa de densidad de estados para los semiconductores de
banda de separacin directa se cumple que:
( ) efectiva masa m m
e dos

= (9)
Para materiales como el Si, la masa de densidad de estados para un vale:

( )
3 / 1
3 2 1
. . m m m m
dos
=
(10)
Donde m
1
,

m
2
y m
3
son las masas efectivas en las tres direcciones principales
para el silicio.
m
*
e
= m
1,
m
*
t
= m
2
=

m
3
m
*
e
= es la masa efectiva longitudinal
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


m
*
t
= es la masa efectiva transversal
El silicio tiene 6 valles de bordes de la banda de conduccin, entonces la
densidad de estados calculada para un valle debe multiplicarse por seis para
obtener la densidad total de los estados
( )
2 / 1
2 2
2 / 3
2 6
) )( ( E
m
Si E N
dos
= (11)
En el caso de las masas de la banda de valencia, existen las masas de los
huecos pesados y los huecos ligeros. Se puede definir el efecto de estas dos
bandas mediante una masa de densidad de estados efectiva esta dada por:
( )
2 / 3 2 / 3 2 / 3

+ =
hh lh dos
m m m (12)
Donde m
*
lh
= es la masa efectiva de huecos ligeros
m
*
hh
= es la masa efectiva de huecos pesados
Huecos en semiconductores.- Un estado electrnico vaco en la banda de
valencia se comporta como si fuera una partcula con carga positiva y una
masa efectiva dada por las propiedades de la banda de valencia. Los
semiconductores estn definidos como materiales en los que la banda de
valencia se encuentra llena de electrones y la banda de conduccin esta vacia a
0 [
0
K]. A temperaturas finitas algunos de los electrones abandonan la banda de
valencia y ocupan la banda de conduccin. La banda de valencia se queda
entonces con algunos lugares sin ocupar.
Cuando todos los estados de la banda de valencia estn ocupados, la suma
sobre todos los estados del vector de onda es cero, es decir.
e i
e i i
k k
k k k
+ =

0
(13)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Este resultado es apenas una indicacin de que hay tantos estados k positivos
ocupados como negativos. Ahora, en la situacin donde un electrn con vector
de onda k, se pierde, el vector de onda total es:
e i
e i
k k
k k
(14)
El estado perdido se denomina hueco y el vector de onda del sistema es k
e
.
Es importante advertir que el electrn se pierde del estado k
e
y el momento
asociado con el hueco esta en k
e
. La posicin del hueco se presenta como la
del electrn perdido. Pero en realidad el vector de onda k
h
del hueco es k
e
,
entonces k
h
= -k
e
.

Cuando se aplica un campo elctrico al sistema, todos los electrones se
mueven en direccin opuesta al campo elctrico. Al mismo tiempo esto resulta
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


en el estado no ocupado movindose en la direccin del campo. El hueco
responde entonces como si tuviera carga positiva. Por tanto responde a los
campos externos elctricos y magnticos respectivamente, entones la ecuacin
del movimiento es:
+ =
B
c
v
e
t
k
h h

(15)
Donde k
h
y v
h
son el momento y la velocidad del hueco. Los huecos se
comportan como si tuviera una carga positiva. Esto ocurre porque los huecos
de los estados ocupados en la banda de valencia responden a las fuerzas
externas con una respuesta de carga negativa propia, pero el estado del
electrn perdido responde con una respuesta de carga positiva. La masa del
hueco tiene un valor positivo, aunque la masa del electrn en su banda de
valencia sea negativa.

F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


INTRODUCCIN

Un movimiento de portadores libres en un conductor conduce a una corriente.
Este movimiento puede ser causado por un campo elctrico debido a un voltaje
externo aplicado. Pero, la citacin externa puede ser tambin, trmico u ptico.
Los mecanismos provocarlos en los portadores por accin de citacin alternas
reciben el nombre de fenmenos de transporte.

Entre los fenmenos de transporte cabe mencionar como fundamentales a los
fenmenos de arrastre, difusin y efecto es Hall.

Conduccin por arrastr.- Se produce cuando se somete la sustancia
semiconductora a una definida de potencial o a la accin de una campo
elctrica externo.
Conduccin por difusin.- Las corrientes de portadores generados por
difusin se deben a diferente concentracin de estas en el semiconductor.
Efecto de Hall.- La corriente de portadores se crea por la accin conjunta
de un campo elctrico y una magntico sobre el semiconductor.

4-1. Fenmeno de arrastr de portadores.-
Se considera una muestra de semiconductor de tipo N con una concentracin
demora constante y en equilibrio trmico.

CAPTULO
4

Fenmeno de transporte de
portadores
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Los electrones en la banda de conduccin son partculas libres, y no estn
asociados a ninguna estructura en particular. La influencia de la Estructura
cristalina est en la masa efectiva de los electrones en conduccin, la cual es
ligeramente diferente a la de los electrones libres, bajo las condiciones de
equilibrio trmico. La energa trmica promedio de los electrones en la banda de
conduccin se puede obtener a partir del teorema de equiparticin de energa:
KT
2
1
por cada grado de libertad, donde K es la constante de Boltzmann y T es la
temperatura absoluta.
kT K
2
3
=
(1)
Los electrones en un semiconductor tiene tres grados de libertad ya que pueden
moverse en un espacio tridimensional. Por lo tanto, la energa cintica de los
electrones es:
kT V m
th n
2
3
2
1
2 *
= (2)
Donde m
n
*
= masa efectiva de los electrones y V
th
= velocidad trmica. A
temperatura ambiente (T= 300
o
K) V
th
= 10
7
[m/s] para Si y GaAs.
*
3
n
th
m
kT
V = (3)

Debido a la energa trmica, los electrones estn en un movimiento constante en
todas las direcciones. Los electrones estn continuamente en movimiento, no
estn asociados con ninguna particular posicin de la estructura. El movimiento
trmico de un electrn individual se puede ver como una sucesin de
movimientos aleatorios con colisiones con tomos de la estructura cristalina, con
impurezas, etc. como se ve en la figura # 1,
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Este movimiento aleatorio de los electrones conduce a un desplazamiento neto
cero de un electrn en un periodo de tiempo largo. Entonces, la velocidad media
de los electrones es nula. La distancia promedio entre colisiones es llamado
recorrido libre medio l y el tiempo promedio entre colisiones tiempo libre medio
Tc. Estas magnitudes estn relacionadas con la velocidad trmica es:
T
V
th
=
(4)
Para los electrones, = 10
-5
(cm) y T = 1ps (para T= 300
o
K).
4.1.2. Velocidad de arrastre.- Cuando se aplica al semiductor un campo
elctrico ) (
, cada electrn experimenta una fuerza

=

e F
e

Los electrones se mueven en sentido contrario al campo elctrico y los huecos en
el mismo sentido. En consecuencia, adquieren una nueva componente de
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


velocidad de arrastre
r
V
. Esta velocidad es, en la mayor parte de los dispositivos,

mucho ms pequea que la velocidad trmica, por lo que la velocidad de arrastr
puede considerarse como una perturbacin de la velocidad trmica. La accin
combinada de la velocidad de arrastr puede considerarse como una
perturbacin de la velocidad Trmica. La accin combinada de la velocidad
trmica y la de arrastr da lugar a un movimiento neto de los electrones en
sentido contrario al capo elctrico aplicado.
Suponiendo que todos los portadores en el semiconductor se mueven con al
misma velocidad, entonces la corriente debe expresarse como la fuerza total en
un semiductor por el tiempo necesario para viajar de un electrodo a otro.

r
r r
v Q
v
Q Q
i
= = =
/
(5)
Donde
r
es el tiempo de trnsito de una partcula, que viajan con una velocidad
Vr.
La densidad de corriente se puede escribir como una funcin de cualquiera de
densidad de carga o densidad de portadores n en el semiconductor:
r r
r
v n e v
A
v Q
J
= = =
(6)
Ahora, analizaremos el movimiento de portadores considerado solamente la
velocidad promedio Vr de los portadores. En virtud de la segunda ley de Newton:
t
v
m a m F
= =
(7)
La fuerza consiste de la diferencia entre la fuerza electrosttica y la fuerza de
dispersin al momento en el tiempo de dispersin. Esta fuerza de dispersin es
igual al momento dividido por el tiempo promedio entre eventos de dispersin.
r
r n
v m
e F
*
=
(8)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Combinando ambas relaciones proporcionan una expresin para la velocidad
promedio entre eventos de dispersin
Combinando ambas relaciones proporcionan una expresin para la velocidad
promedio de la partcula.
r
r n r
n
v m
e
t
v
m
*
*
=
(9)
Podemos considerar solamente la situacin de estado estacionario en el que la
partcula ha sido acelerado y alcanza una velocidad promedio constante. Bajo
estas condiciones la velocidad es proporcional al campo elctrico aplicado y se
define la movilidad como la razn entre velocidad con campo elctrico.
*
*
n
r
r
r
r n
m
e
v
v m
e

= =
*
n
r
r
m
e
v = (10)

n rn
v = (11)
rn
n
r
n
v
m
e
= =
*
(12)
La movilidad de una partcula en un semiconductor se espera, por tanto que sea
grande si su ms efectiva es pequea y el tiempo de vida media entre intervalos
de dispersin sea grande.
La movilidad es un parmetro importante en el transporte de portadores ya que
expresa cuantitativamente la facilidad o no de movimiento de los electrones frente
a la accin del campo elctrico. Su unidad de medida es
Vs
m
o
Vs
cm
2 2

Para los huecos en la banda de valencia se define:

p rp
V = (13)
=
*
h
r
p
m
e
(14)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


La densidad de corriente de electrones en funcin de movilidad es:

n n
en J = (15)

p p
en J = (16)

La densidad de corriente de huecos en funcin de movilidad es:
4.1.3.- Resistividad.- Supongamos un semiconductor de tipo N, dopado
homogneamente cuyo diagrama de bandas en la figura # 3 donde se muestra al
diagrama de bandas cuando se aplica una tensin de polarizacin en el terminal
de la parte derecha.

Cuando se aplica un campo elctrico al semiconductor, dicho campo realiza una
fuerza sobre cada electrn. Adems esta fuerza ejercida es igual al valor negativo
del gradiente de la energa potencial del electrn.
x
E
e F
Fi
= = (17)
Para el gradiente de la energa potencial se puede utilizar cualquier parte del
diagrama de bandas que sea paralelo a E
c
, (E
F
,E
i
o E
v
). Es conveniente utilizar E
i

pues esta magnitud es ampliamente utilizado en el caso de uniones p-n, entonces
el campo es
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


x
E
e
Fi
=
1
(18)
La cada de tensin entre dos puntos se define como la energa empleada para
mover una carga positiva unidad desde uno al otro terminales.
Para mover una carga positiva desde un punto a otro entre los cuales existe una
diferencia de potencial V y realiza un trabajo y la energa empleada es E
o
=eV,
cuando la carga llega a su destino gana una energa potencial E
o
=eV. Para el
electrn, se lleva desde B hasta con una diferencia de potencial V, el electrn
pierde una energa potencial E
o
=-eV.
Variacin de la energia potencial eV E
p
=
Entonces el campo electrn, se define como:
x
V
x
E
e
=
1
(19)
Para un campo elctrico constante, V diferencia de potencial y la longitud del
semiconductor.
V
(20)
Ahora, la densidad de corriente neta de portadores debida a la accin del campo
elctrico externo.

p n p n
ep en J J J + = + =
( )
p n
p n e J + = (21)
La conductividad se define como ( m)
-1
:
( )
p n
p n e + = (22)
La contribucin de los electrones y los huecos a la conductividad es simplemente
aditiva. La resistividad del semiconductor ( m), es el valor recproco de la
conductividad, esta definido como:
( )
p n
p n e
+
= =
1 1
(23)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Para el caso de semiconductor extrnsecos, generalmente hay una concentracin
de portadores de carga que es mayoritaria respecto a la otra, entonces:
Semiconductor tipo N (n>>p);
n
=1/en
n
Semiconductor tipo P (p>>n);
p
=1/en
p

Para una concentracin de impurezas (donoras y aceptoras) la resistividad de un
semiconductor de tipo P es mayor que la de un semiconductor de tipo N:
n
>
p
,
(m
n
*
> m
h
*
)
p
>
n.
4.2.- Fenmenos de difusin de portadores.- se considera ahora el flujo de
corriente por difusin. Si no hay campos elctricos aplicados, los portadores se
mueven aleatoriamente, chocan con la red cristalina y son dispersados al azar.
Un flujo neto de corriente, en tal proceso ocurre si hay gradinete de concentracin
de portadores.
Si consideramos conduccin por huecos, entonces P sea la concentracin de
huecos y sea
p
su gradiente con componentes
z
p
y
y
p
x
p
, . Luego la densidad
de corriente de huecos ser:
p p p
D J = (24)
Se considera un perfil de concentracin n(x,t) de electrones de al Fig # 4,
entonces se calcula el flujo de electrones (x,t) a travs del plano x=x
o
en
cualquier instante del tiempo.
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Podemos considerar en una regin del espacio una trayectoria libre media a
cada lado de x
o
, de la que los electrones pueden provenir a travs de la frontera
x=x
o
en el tiempo de dispersin
disp
. Los electrones de regiones adicionales
aparte sufrirn colisiones que cambiarn en forma aleatoria sus direcciones.
En las dos regiones denominadas n
1
y n
2
las regiones se mueven de manera
aleatoria, la mitad de los electrones en la regin n
1
irn a travs de x=x
o
hacia la
derecha y la otra mitad irn hacia al izquierda en le tiempo de dispersin
disp
. El
flujo hacia la derecha es entonces
( )
disp
n
n n
t x
2
) , (
2 1
= (25)
donde n
1
y n
2
son las densidades de portador promedio en las dos regiones. Ya
que las dos regiones propiamente tales se encuentran separadas por la distancia
, entonces:
x
t x n
n n

) , (
2 1
(26)
Donde es la distancia libre media para los electrones, ese decir la distancia que
viajan los electrones entre colisiones, luego, el flujo neto es:
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


x
t x n
D
x
t x n
t x
n
disp
n
=
) , ( ) , (
2
) , (
2

(27)
Donde Dn es el coeficiente de difusin del sistema electrnico y dependen de los
procesos de dispersin que controlan y el tiempo
disp
. Puesto que la
trayectoria libre media es esencialmente:
disp th
v =
(28)
Donde V
th
es la velocidad trmica media, el coeficiente de difusin de la
temperatura, entonces:
disp
n
D
2
2
= (29)
De la misma forma, el coeficiente de difusin de los huecos proporcionan el flujo
de huecos debido a un gradiente de huecos.
x
t x p
D t x
p p
=
) , (
) , ( (30)
Donde Dp es el coeficiente de difusin de los huecos. En consecuencia el flujo de
electrones y huecos, puede fluir una corriente en la estructura cristalina, que en
ausencia de un campo elctrico est dada por la carga multiplicada por el flujo de
partculas.
( ) ( )
x
t x p
eD
x
t x n
eD Jp Jn J
p n diff diff diff
= + =
) , ( ) , (
(31)
Tanto los electrones como huecos se mueven en la direccin de la menor
concentracin de electrones y huecos respectivamente, las corriente que
conducen ellos son opuestas debida a la diferencia de sus cargas.
Transporte por deriva y difusin; la relacin de Einstein.- en muchos
dispositivos electrnicos la carga se mueve bajo la influencia combinada de
campos electrnicos y gradiente de concentracin. La densidad de corriente est
dada por:
dx
t x dn
eD x x n e x J
n n n
) , (
) ( ) ( ) ( + = (32)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


dx
t x dp
eD x x p e J
p p p
) , (
) ( ) ( = (33)

Las movilidades de electrones y huecos no son constantes. En campos de gran
intensidad las movilidades disminuyen y el factor alcanza una constante
correspondiente con la velocidad de saturacin. As la corriente de deriva se
satura y llega ser independiente del campo.
El efecto de los campos elctricos sobre las bandas de energa del
semiconductor. Las bandas de energa representan los niveles de energa del
electrn, incluso el efecto de la carga negativa. Si se aplica un campo elctrico
) ( x , la fuerza sobre los electrones es ) ( x e y por lo tanto la energa potencial
) ( x u y la fuerza estarn relacionados por:
) ( x u F = (34)
Para un campo elctrico uniforme podemos escribir:
x x e x u = ) ( ) ( (35)
As, puesto que la carga del electrn es negativa, las bandas se encurvan.
x x e E x E
c c
+ = = ) ( ) 0 ( ) ( (36)
Si un potencial positivo es aplicado a la izquierda del material y el otro negativo a
la derecha, las bandas se doblarn. La deriva de los electrones descender en al
imagen de la banda de energa y as opuesto al campo (Fig.#3).
En equilibrio, las corrientes totales de electrn y hueco son individualmente cero.
0
) , (
) ( ) ( ) ( = + =
dx
t x dn
eD x x n e x J
n n n

dx
t x dn D
x n
x
n
d
) , (
) (
1
) (
= (37)
Si suponemos que la funcin de distribucin del electrn esta dado por la
distribucin de Boltzmann:
[ ]
T k
E E
B
x F F
ni x n
) (
exp ) (

= (38)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Donde E
Fi
y E
F
son el nivel de Fermi intrnseco y el nivel de Fermi en presencia
de cargas extrnsecas:
[ ]
=

dx
dE
dx
dE
T k
n
dx
x dn
F Fi
T k
E E
B
i
B
x F Fi ) (
exp
) (

=
dx
dE
dx
dE
T k
x n
dx
x dn
F
i F
B
) ( ) (
(39)
En equilibrio, el nivel de nivel de Fermi no puede variar espacialmente de otro
modo la probabilidad de hallar electrones a lo largo de una posicin de energa
constante variar a lo largo del semiconductor. Puesto que no est permitido por
difusin de las condiciones de equilibrio, el nivel de Fermi tiene que ser constante
en equilibrio.
0 =
dx
dE
F
(40)
El campo elctrico est definido en funcin de
dx
dE
i F

dx
dE
e
i F
1
= (41)
Si
dx
dE
T k
x n
dx
x dn
i F
B
) ( ) (
=
Luego, con la ecuacin (37)
T k
D e
dx
x dn
T k
D e
dx
x dn
dx
t x dn
T k
D e
dx
t x dn
x n
D e
T k
x n
dx
x dn
B n
n
B n
n
B n
n
n
n
B

=
=
= =
1 0
) (
0 1
) ( ) , ( ) , (
) (
1 ) ( ) (

n
n B
D
e
T k
= (43)
Por el mismo procedimiento se obtiene:
p
p
B
D
e
T k
= (44)
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Estas ltimas educaciones son la relacin de Einstein que satisface para
electrones y huecos.
Para campos elctricos de gran magnitud, la movilidad disminuye como un
inverso del campo elctrico debido a la
Disminucin del tiempo de dispersin El coeficiente de difusin tambin tiene
el mismo final. Para campos de gran intensidad la relacin de Eisntein no se
mantiene, as como tambin lo hace para campos de baja intensidad, puerto que
la funcin de distribucin electrnica es bastante complicada.
Efecto de Hall.- Cuando por una muestra semiconductora circula una densidad
de corriente J
perpendicular a un campo magntico B
, ste provoca la aparicin

de un campo elctrico normal al plano determinado por B
y J
. Este mecanismo
recibe el nombre de efecto Hall y puede ser usado para determinar algunas
caractersticas de semiconductores como: el tipo de portador (hueco o electrn),
la concentracin o la movilidad. Tambin es la base de dispositivos utilizados en
la medida de campos magnticos.

Supongamos una muestra de semiconductor de tipo P,(Fig.# 1) sometida a una
diferencia de potencial V en la direccin X. Esta diferencia de potencial origina un
campo elctrico en la direccin de x,
x
el cual por el fenmeno de arrastre

proporcionar una velocidad a los huecos V
x
en la direccin x. En esta situacin
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


se aplica a la muestra semiconductora un campo magntico a lo largo de la
direccin z,B
z
.
La fuerza de Lorentz B v e F

=
(en magnitud,
z x
B v e

) debida a la presencia
del campo magntico ejercer una fuerza ascendente (en la direccin y) sobre los
huecos que juegan en el eje x. Como consecuencia de esta fuerza, la velocidad
de los huecos presentar una componente en el eje y.
El resultado ser una acumulacin de cargas positivas en la parte superior de la
muestra y negativos en la parte inferior de la misma. Esta acumulacin de cargas
crear ahora otro campo elctrico en la direccin y orientado hacia abajo
y
.
Entonces, no se produce un flujo neto de corriente en la direccin y, en las
fuerzas elctrico y magntico son iguales tal que la fuerza resultante es cero.
z x y
z x y z x y
B v
B v e e B v e e F
=
= = =

0
0

La nica corriente existente en el semiconductor es la corriente I proporcionada
por la fuente externa V, de arrastre en la direccin x es V
X
.
Donde
y
es campo elctrico Hall, y la diferencia de potencial elctrico creado

por este capo, se llama voltaje de Hall v
H
. Luego la velocidad V
X
es la velocidad
de arrastre de huecos, la densidad de los huecos:
p e
J
v v v p e J
p
p x p p
= = =

En consecuencia:
z p H z
p
z x y
B J R B
p e
J
B v
= = =

Donde:
p e
R
H
1
=
coeficiente de Hall ( 0
>
H
R )
El campo elctrico de Hall es proporcional al producto de la densidad de corriente
y el campo magntico. El coeficiente de proporcionalidad de R
H
es llamado
coeficiente Hall.
Para los electrones en un semiconductor de tipo N:
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


n n
n
n x
v n e J
n e
J
v v = = =
z n H z
n
z x y
B J R B
n e
J
B v = = =
Donde:
n e
R
H
1
= coeficiente de Hall ( 0 <
H
R )

A partir de al medida de este coeficiente, se pueden obtener las medidas de
concentracin de portadores. As para un semiconductor de tipo P.
( )
( ) A V e
w B I
w V e
B A I
e
B J
R e
p
H
z
H
z
y
z p
H
=
= = =
1

Donde: w es el espesor de la muestra (eje y)
A seccin transversal
I corriente de huecos
Para semiconductor de tipo P los portadores mayoritarios son los huecos, la
corriente I es debida a la densidad de huecos I
p
(mucho mayor que la densidad
de electrones). El campo elctrico es:
w B R w V
w
V
z A
I
H y H
H
y
) ( = = =
En un semiconductor de tipo P; 0 0 > >
H H
V R
En un semiconductor de tipo N; 0 0 < <
H H
V R
y
z n
H
e
B J
R e
n
= =
1

Inyeccin de Portadores.- El proceso por el cual se introducen portadores de
carga en exceso recibe de inyeccin de portadores. A los portadores que se han
introducido externamente se les llama portadores en exceso. Existen varios
mtodos diferentes de inyeccin de portadores en un semiconductor entre las
cuales cabe destacar la excitacin ptica. Tambin hay un proceso de inyeccin
de portadores en exceso para el caso de unin P-N directamente polarizada. En
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


el caso de excitacin ptica, se irradia la muestra del semiconductor. Si la
energa del fotn de la luz
g
E hf > (anchura de la banda prohibida
g
E del
semiconductor), el fotn es absorbido por el semiconductor por el semiconductor
generndose un par electrn hueco.

Proceso de generacin recombinacin directa entre bandas.- El proceso de
generacin directa ocurre cuando un electrn es excitado directamente desde al
banda de valencia a la banda de conduccin, dando como resultado un gran
electrn hueco. Por el contrario, la recombinacin directa ocurre cuando un
electrn cae desde al banda de conduccin directamente a la banda de valencia,
eliminndose tanto el electrn como el hueco.
Si llamamos
th
G al nmero de electrn hueco producidos por generacin por
unidad de volumen y por unidad de tiempo y
th
R al nmero de pares de electrn
hueco aniquilados por recomendacin, pero en equilibrio trmico ambas.
Son iguales, entonces se cumple la ley de accin de masas
2
i
n pn = .

F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Cuando es introducido un exceso de portadores en el semiconductor, hay una
alta probabilidad de que los electrones y huecos se recombinen directamente. En
forma general es lgico pensar que la velocidad de recombinan R sea
proporcional al nmero de electrones disponible en la B. de C. (n) y al nmero de
huecos disponibles de la B. de V. (p), entonces:
p n R = (1)
Donde es la constante de proporcionalidad. En equilibrio trmico las
velocidades de generacin y recombinacin son iguales. Por tanto para un
semiconductor de tipo N.
0 0 n n th th
p n R G = = (2)
Donde n
n0
y p
n0
son las concentraciones respectivas de electrones y huecos en el
semiconductor de tipo N en el equilibrio trmico. Cuando se produce una
excitacin externa (hay luminoso) Que incrementa la concentracin de portadores
minoritarios. Entonces el proceso de generacin recombinacin acta para
reducir la concentracin de estos portadores causando que la velocidad de
recombinacin supere a la velocidad de generacin.
th L
G G G + = (3)
El efecto es doble. Por un lado se altera la velocidad de generacin de poner
electrn hueco ahora ya no solo se atribuye al caso de equilibrio trmico sino
tambin la excitacin trmica. Al existir un exceso de portadores, las poblaciones
en las dos bandas quedarn alteradas, ( ) n n
n
+
0
y ( ) p p
n
+
0

respectivamente de forma que la nueva velocidad de recombinacin ser
( )( ) p p n n R
n n
+ + =
0 0
(4)
Donde n y p son las concentraciones en exceso de portadores introducidas,
se cumple n = p (se conserva la neutralidad de carga). El cambio que
experimentar la concentracin de huecos (portadores minoritarios) vendr dado
por la velocidad neta de generacin recombinacin:
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


R G G R G
dt
dp
th L
n
+ = =
Existe un proceso de variacin de dicha concentracin con el tiempo hasta
llegar al caso estacionario se estabiliza en un valor constante (dicho valor
constante ser superior al equilibrio trmico
0 n
p , ya que se ha inyectado
portadores minoritarios en exceso):
u G R G
dt
dp
th L
n
= = = 0
La cantidad U recibe el nombre de velocidad recombinacin neta.
Siguiendo el estado estable y sustituyendo R y
th
G queda:
( )( ) 0
0 0 0 0
= + + = n p p n p p n n u
n n n n

[ ] ( ) n p p n p n p n np p n p n u
n n n n n n n n
+ = + + + =
0 0 0 0 0 0 0 0

Bajo nivel de inyeccin p , p n
n
>>
0
(concentracin de portadores mayoritarios
mucho mayor que la concentracin de portadores en exceso). Para
semiconductor tipo N,
0 0 n n
p n >> y
0 n n
p p p =
( )
p
n n
n
n n
n n n n
p p
n
p p
p p n p n u

0
0
0
0 0 0
1
= = =
=
0 n n
p p p Exceso de portadores minoritarios.
Significa que la velocidad de recombinacin neta es proporcional al exceso de
portadores minoritarios. La constante de proporcionalidad
0
1
n
p
n
= es el tiempo
de vida media de portadores minoritarios en exceso.
Para un semiconductor de tipo P:
n
p p
n n
u
= y
0
1
n
n
p
=
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


El significado fsico del tiempo de vida media puede ser comprendido analizando
la respuesta del dispositivo cuando se retira sbitamente cuando se retira la
fuente de luz.
Consideremos una muestra del semiconductor de tipo N, que esta iluminada y en
la cual los pares electrn hueco son generados de forma uniforme en toda la
muestra con una velocidad de generacin
L
G .
L p n n
p
n n
L
th L th L
n
G p p
p p
G
u G R G R G G R G
dt
dp
+ =
=
= = = + = =
0
0
0

En un tiempo arbitrario, la luz es apegada. La variacin que experimentar la
concentracin de huecos ser ( 0 =
L
G ):
p
n n
th
n
p p
u R G
dt
dp
= = =
(-) es debido a que la concentracin de huecos experimente una disminucin
8predomina la recombinacin frente a la generacin), se obtiene ) (t p
n

resolviendo la ecuacin diferencial:
( ) 0
1
0
= +
n n
p
n
p p
dt
dp

0
0
) (
) 0 ( 0
n n
L p n n
p t p t
G p t p t
=
+ = = =

(La concentracin de huecos tiende a la concentracin de huecos en equilibrio
trmico).
La solucin ser:
p
t
L p n n
e G p t p

+ =
0
) (
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Proceso de generacin recombinacin indirecta.

Existen 4 procesos que dan lugar a la generacin y recombinacin indirecta en
semiconductores. En la fig # 4, donde existe un estado localizado aceptar
ligeramente por encima del centro de la banda prohibida. El 1er proceso es el de
captura de un electrn por el estado localizado, mientras que el inverso, segundo
proceso, ocurre cuando el electrn es llevado desde el estado localizado a la
banda de conclusin y es conocido como emisin de un electrn.
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


El 1er proceso, conocido como captura de un hueco, corresponder a la
transferencia de un electrn desde el estado localizado hasta la banda de
valencia. Finalmente, el 4to proceso corresponde a la transicin de su electrn
desde la banda de valencia hasta el estado localizado, dejando un hueco detrs y
el llamado emisin de un hueco.

Los estados localizados son centros de generacin, recombinacin o desvos.
Estos centros de recombinacin son debidos a imperfecciones en la estructura
cristalina, causados por dislocaciones o defectos del cristal o por la presencia de
impurezas, las cuales pueden haber sido introducido de forma deliberada.
a) En volumen.- En primer se considerar una situacin de equilibrio trmico. La
existencia de impurezas o defectos en el cristal da lugar a la presencia de niveles
de energa incluidos en la banda prohibida del semiconductor. Estos niveles de
energa son los centros de generacin recombinacin que son utilizados por los
electrones y huecos como etapas en los procesos de generacin
recombinacin indirecta.
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Un electrn de la B.C. es capturado por el centro cuando un centro es ocupado
por un electrn ya no puede ser ocupado ese nivel por otro electrn que se
capture. En consecuencia, la velocidad de captura de ese u los electrones sern
proporcionales a la concentracin de centros que toda va no estn ocupados (los
centros que permanecen neutros). Sea
t
N la concentracin de centros en el
semiconductor, entonces la concentracin de centros no ocupados vendr dado
por ) 1 ( F N
t
. Siendo F la probabilidad de que un centro sea ocupado por un
electrn. Luego es funcin de distribucin de Fermi Dirac.
T k E E
E
B F t
e
F
/ ) (
) (
1
1
+
=

t
E : nivel de energa del centro.
F
E : nivel de Fermi.
) 1 ( F nN K R
t a a
= (velocidad de captura de electrones)
De esta forma, la velocidad de captura de electrones R por este proceso ser
proporciona a la concentracin de centros no ocupados y a la de electrones de la
B.C.
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


La velocidad de emisin electrnica Rb ser proporcional a la concentracin de
centros ocupados por electrones, o sea F N
t
entonces:
F N K R
t b b
= (velocidad de emisin de electrones)
La constante K
b
recibe el nombre, la probabilidad de emisin. Bajo las
conclusiones de equilibrio trmico, las velocidades de captura y emisin
electrnica consideran:
F
F n K
K R R
a
b b a
) 1 (
= =
Luego la concentracin de electrones en equilibrio trmino y la funcin de
contribucin de Fermi para el nivel energtico del centro.
T k E E
i a b
T k E E
T k E E
i
B F t
B F t
B t F
e n K K
e
F
F
e n n
/ ) (
/ ) (
/ ) (
1
=
=
=

Esta ltima expresin significa que si el nivel del centro E esta cerca de la banda
de conduccin (E
t
E
i
aumenta), la emisin de electrones desde los centros
aumenta la probabilidad.
La velocidad de captura de un hueco por parte de un cuerpo ser proporcional a
la concentracin de electrones presentes en los centros:
F pN K Rc
t c
= (velocidad de captura de un hueco por parte del centro)
La velocidad de emisin de un hueco (o lo que es lo mismo de que un electrn de
la B.V. pase al centro) ser proporcional a la concentracin de centros no
ocupados por electrones:
) 1 ( F N K R
t d d
= (velocidad de emisin de un hueco)
d
K la probabilidad de emisin de un hueco.
T k E E
i c d
B t F
e n K K
/ ) (
=
La probabilidad de emisin de un electrn de la B.V. aumenta a medida que el
nivel del centro est ms cercano a la banda de valencia.
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Experimentalmente se pueden medir las constantes
a c t t
K y K E N , , , mediante el
uso de las expresiones iniciales para
d c b a
R y R R R , , determina la emisin de una
recombinacin indirecta bajo condiciones de no equilibrio.

Bajo la situacin de no equilibrio de un semiconductor de tipo N, el cual mediante
excitacin uniforme produce una velocidad de generacin
L
G .
En situacin de estado estable, la velocidad de abandono de los electrones de la
B.C. ser igual a la de incorporacin a esta banda:
0 ) ( = =
b a L
n
R R G
dt
dn

Para huecos en la B. de V. 0 ) ( = =
d c L
n
R R G
dt
dp

Bajo condiciones de equilibrio trmico d c b a R R y R R 0 = = = y GL
pero en equilibrio dinmico
d c b a
R R y R R , entonces
d c b a L
R R R R G = =
Tomando las expresiones anteriores

) 1 ( ) 1 (
) ( ) (
F e n F p N K F e n F n N K
T k
E E
i n t c
T k
E E
i n t a
B
t F
B
F t

Eliminando F y resolviendo para la velocidad de recombinacin neta definida
como:
p
n n
n n t c b a
p p
p p N K u R R u
0
0
) (

= =
F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO


Bajo inyeccin en un semiconductor de tipo N (
n n
p n >> ,despus de la inyeccin
de portadores la concentracin de electrones en la B. de C. sigue siendo mucho
mayor que la de los huecos en la B. de V.)y que los centros presentan un nivel
cercano a la B.P.:
T k E E
i n
B F t
e n n
) (
>>
El tiempo de vida media para los electrones y los huecos. El caso considerado, el
tiempo de vida media para los huecos en el semiconductor de tipo N es:
t c
p
N K
1
=

E
EES
SST
TTA
AA E
EES
SS U
UUN
NNA
AA C
CCO
OOL
LLA
AAB
BBO
OOR
RRA
AAC
CCI
II
N
NN D
DDE
EE L
LLO
OOS
SS A
AAL
LLU
UUM
MMN
NNO
OOS
SS
D
DDE
EE E
EET
TTN
NN-
--5
550
001
11 F
FF
S
SSI
IIC
CCA
AA D
DDE
EEL
LL E
EES
SST
TTA
AAD
DDO
OO S
SS
L
LLI
IID
DDO
OO;
;; D
DDE
EEL
LL
S
SSE
EEM
MME
EES
SST
TTR
RRE
EE I
II/
//2
220
000
005
55 U
UUN
NNI
IIV
VVE
EER
RRS
SSI
IIT
TTA
AAR
RRI
IIO
OOS
SS,
,, C
CCA
AAP
PP.
..1
11-
--4
44:
::
V
VVI
IIC
CCT
TTO
OOR
RR S
SSE
EER
RRA
AAF
FF
N
NN A
AAR
RRR
RRO
OOY
YYO
OO A
AAZ
ZZO
OOG
GGU
UUE
EE.
..
E
EES
SST
TTE
EEF
FFA
AAN
NNN
NNY
YY E
EEL
LLI
IIZ
ZZA
AAB
BBE
EET
TTH
HH C
CC
R
RRD
DDE
EEN
NNA
AAS
SS A
AAR
RRC
CCE
EE.
..
J
JJU
UUA
AAN
NN P
PPA
AAB
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NNA
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VVI
IIA
AA E
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VVE
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..
R
RRU
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YY R
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TTI
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NNI
IIN
NNI
II H
HHI
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LLA
AAR
RRI
II
N
NN.
..
R
RRO
OOB
BBY
YY J
JJH
HHO
OON
NNN
NNA
AAT
TTA
AAN
NN P
PPO
OOR
RRT
TTU
UUG
GGA
AAL
LL Z
ZZA
AAM
MMB
BBR
RRA
AAN
NNA
AA.
..
B
BBA
AAJ
JJO
OO L
LLA
AA R
RRE
EEV
VVI
IIS
SSI
II
N
NN D
DDE
EE E
EEL
LL I
IIN
NNG
GG.
.. T
TTE
EEO
OOD
DDO
OOR
RRO
OO B
BBU
UUS
SSH
HH D
DD.
..

Capitulo 3 y 4

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F

, cada electrn experimenta una fuerza

. Esta velocidad es, en la mayor parte de los dispositivos,

perpendicular a un campo magntico B

, ste provoca la aparicin

el cual por el fenmeno de arrastre

es campo elctrico Hall, y la diferencia de potencial elctrico creado

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