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Dren Adores
Dren Adores
Leccin 5
EL MOSFET DE POTENCIA
Sistemas Electrnicos de Alimentacin 5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin
Es un dispositivo unipolar: la conduccin slo es debida a un tipo de portador Los usados en Electrnica de potencia son de tipo acumulacin
EL MOSFET DE POTENCIA
D G
Canal N
D G
S
Canal P
S
Conduccin debida a huecos
Los ms usados son los MOSFET de canal N La conduccin es debida a los electrones y, por tanto, con mayor movilidad menores resistencias de canal en conduccin
D G + VGS -
ID 4
- Curvas de salida
EL MOSFET DE POTENCIA
+ VDS S -
ID [mA]
VGS = 4,5V VGS = 4V
VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V
Referencias normalizadas
VDS [V]
6
VGS < VTH = 2V
Zonas de trabajo
ID
2,5KW
D G
ID [mA]
4
VGS = 4,5V VGS = 4V
EL MOSFET DE POTENCIA
+ VDS -
2
10V
VGS = 3,5V
VGS = 3V VGS = 2,5V
VGS
12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
Precauciones en el uso de transistores MOSFET - El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos - El xido se puede llegar a perforar por la electricidad esttica de los dedos. A veces se integran diodos zener de proteccin - Existe un diodo parsito entre fuente y drenador en los MOSFET de enriquecimiento
EL MOSFET DE POTENCIA
S
N+ P-
D
N+
+
D G S
Substrato
Estn formados por miles de celdas puestas en paralelo (son posibles integraciones de 0,5 millones por pulgada cuadrada) Los dispositivos FET (en general) se paralelizan fcilmente Algunas celdas posibles
Fuente Fuente
EL MOSFET DE POTENCIA
Puerta
Puerta
n+
n+
n+
n-
n-
n
+
Drenador Estructura planar (D MOS)
n
+
Drenador Estructura en trinchera (V MOS)
S G D
Encapsulados de MOSFETs de Potencia En general, semejantes a los de los diodos de potencia (excepto los encapsulados axiales) Existe gran variedad Ejemplos: MOSFET de 60V
EL MOSFET DE POTENCIA
RDS(on)=9,4mW, ID=12A
RDS(on)=12mW, ID=57A
RDS(on)=5,5mW, ID=86A
RDS(on)=9mW, ID=93A
RDS(on)=1.5mW, ID=240A
EL MOSFET DE POTENCIA
RDS(on)=3.4mW, ID=90A
5 -Velocidad de conmutacin
1 Mxima tensin drenador-fuente
EL MOSFET DE POTENCIA
Corresponde a la tensin de ruptura de la unin que forman el substrato (unido a la fuente) y el drenador.
Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qu pequea circulacin de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
Baja tensin
EL MOSFET DE POTENCIA
Ejemplo de clasificacin
15 V 30 V 45 V 55 V 60 V 80 V
400 V
EL MOSFET DE POTENCIA
A 100C, ID=230,7=16,1A
3 Resistencia en conduccin Es uno de los parmetro ms importante en un MOSFET. Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo Se representa por las letras RDS(on) Para un dispositivo particular, crece con la temperatura Para un dispositivo particular, decrece con la tensin de puerta. Este decrecimiento tiene un lmite.
EL MOSFET DE POTENCIA
3 Resistencia en conduccin Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes, RDS(on) crece con el valor de VDSS
EL MOSFET DE POTENCIA
3 Resistencia en conduccin En los ltimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores de RDS(on) en dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V)
MOSFET de
1984
EL MOSFET DE POTENCIA
4 Tensiones umbral y mximas de puerta La tensin puerta fuente debe alcanzar un valor umbral para que comience a haber conduccin entre drenador y fuente
Los fabricantes definen la tensin umbral VGS(TO) como la tensin puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA
Las tensiones umbrales suelen estar en el margen de 2-4 V
EL MOSFET DE POTENCIA
EL MOSFET DE POTENCIA
4 Tensiones umbral y mximas de puerta La mxima tensin soportable entre puerta y fuente es tpicamente de 20V
EL MOSFET DE POTENCIA
5 Velocidad de conmutacin
Los MOSFET de potencia son ms rpidos que otros dispositivos usados en electrnica de potencia (tiristores, transistores bipolares, IGBT, etc.)
Los MOSFET de potencia son dispositivos de conduccin unipolar. En ellos, los niveles de corriente conducida no estn asociados al aumento de la concentracin de portadores minoritarios, que luego son difciles de eliminar para que el dispositivo deje de conducir
EL MOSFET DE POTENCIA
La limitacin en la rapidez est asociada a la carga de las capacidades parsitas del dispositivo Hay, esencialmente tres: - Cgs, capacidad de lineal - Cds, capacidad de transicin Cds k/(VDS)1/2 - Cdg, capacidad Miller, no lineal, muy importante
5 Velocidad de conmutacin
Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran informacin de tres capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:
- Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 ( capacidad de entrada) - Crss = Cdg (capacidad Miller) - Coss = Cds + Cdg ( capacidad de salida)
EL MOSFET DE POTENCIA
D Cdg G
Ciss
D Cdg Cds
Coss
G Cgs
Cds S
Cgs
EL MOSFET DE POTENCIA
5 Velocidad de conmutacin
La carga y la descarga de estas capacidades parsitas generan prdidas que condicionan las mximas frecuencias de conmutacin de los MOSFET de potencia
Carga y descarga de un condensador desde una resistencia En la carga de C: - Energa perdida en R = 0,5CV12 - Energa almacenada en C = 0,5CV12
EL MOSFET DE POTENCIA
V1
R C
Adems, en general estas capacidades parsitas retrasan las variaciones de tensin, ocasionando en muchos circuitos convivencia entre tensin y corriente, lo que implica prdidas en el proceso de conmutacin
5 Velocidad de conmutacin Anlisis de una conmutacin tpica en conversin de energa: - Con carga inductiva - Con diodo de enclavamiento - Suponiendo diodo ideal
EL MOSFET DE POTENCIA
V2
5 Velocidad de conmutacin Situacin de partida: - Transistor sin conducir (en bloqueo) y diodo en conduccin - Por tanto: vDG = V2, vDS = V2 y vGS = 0
iDT = 0 y iD = IL
- En esa situacin, el interruptor pasa de B a A
EL MOSFET DE POTENCIA
IL
iD
vDG
A V1 Cdg + vGS -
+
+ -
iDT
+ -
+
vDS V2
Cds Cgs
5 Velocidad de conmutacin
vGS
BA
VGS(TO)
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA
iDT
IL IL vDG A V1 B R + Cdg +
+ + -
iD iDT
+ -
+ vDS V2
Cds Cgs
vGS
5 Velocidad de conmutacin
vGS
BA
VGS(TO)
La corriente que da V1 a travs de R se emplea fundamentalmente en descargar Cdg prcticamente no circula corriente porCgs vGS = Cte
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA
iDT
IL IL vDG A V1 B R + Cdg +
+ -
iDT
+ -
+ vDS V2
+
-
Cds Cgs
vGS
5 Velocidad de conmutacin
vGS
BA
V1
Constante de tiempo determinada por R, Cgs y por Cdg(V1)
VGS(TO)
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA
iDT
IL IL vDG A V1 B R + Cdg +
+ -
iDT
+
-
vGS
5 Velocidad de conmutacin
vGS
BA
V1
VM Valoracin de prdidas entre t0 y t2:
VGS(TO)
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA
iDT
IL
+ +
iDT
iDT
t0 t1 t2 t3
Cdg
+ vDS V2
PVI
+
vGS -
+ -
Cgs Cds -
vGS
BA
V1
VM
VGS(TO)
- Hay que descargar Cds hasta 0 e invertir la carga de Cdg desde V2-VM hasta -VM - Hay convivencia tensin corriente entre t2 y t3
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA
iDT
IL
t0 t1 t2 t3
PVI
+
vGS -
Cgs Cds -
+ -
Cdg
iCds +
vDS IL
5 Velocidad de conmutacin
vGS
BA
V1
VM
VGS(TO)
- Hay que acabar de cargar Cgs y Cdg hasta V1 - No hay convivencia tensin corriente salvo la propia de las prdidas de conduccin
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA
iDT
IL Cdg
iCdg
iL
-
iDT = IL
t0 t1 t2 t3
+
vDS Cgs Cds IL
PVI
+
vGS -
+ -
5 Velocidad de conmutacin
Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta: - La corriente que da la fuente V1 es aproximadamente constante entre t0 y t3 (comienzo de una exponencial, con IV1 V1/R) - De t0 a t2, la corriente IV1 se ha encargado esencialmente en cargar Cgs. Se ha suministrado una carga elctrica Qgs
vGS
iV1
Qgs t0
Qdg
EL MOSFET DE POTENCIA
- De t2 a t3, la corriente Iv1 se ha encargado en invertir la carga de Cdg. Se ha suministrado una carga elctrica Qdg - Hasta que VGS = V1 se sigue suministrando carga. Qg es el valor total (incluyendo Qgs y Qdg) - Para un determinado sistema de gobierno (V1 y R), cuanto menores sean Qgs, Qdg y Qg ms rpido ser el transistor - Obviamente t2-t0 QgsR/V1, t3-t2 QdgR/V1 y PV1 = V1QgfS, siendo fS la frecuencia de conmutacin
t2 t3 Q
g
iV1 V1
5 Velocidad de conmutacin Valoracin de la rapidez de un dispositivo por la carga de puerta: Informacin de los fabricantes IRF 540
EL MOSFET DE POTENCIA
BUZ80
MOSFET de 1984
5 Velocidad de conmutacin Otro tipo de informacin suministrada por los fabricantes: conmutacin con carga resistiva
VDS
90%
VGS
EL MOSFET DE POTENCIA
10%
td on
tr
td off
tf
iDT RD
D
td on : retraso de encendido
tr : tiempo de subida td off : retraso de apagado tf : tiempo de bajada
RG +
+ -
+ vDS -
vGS
5 Velocidad de conmutacin Otro tipo de informacin suministrada por los fabricantes: conmutacin con carga resistiva
IRF 540
EL MOSFET DE POTENCIA
iDT RD
td on : retraso de encendido
tr : tiempo de subida td off : retraso de apagado tf : tiempo de bajada D
RG +
+ -
+ vDS -
vGS
Prdidas en un MOSFET de potencia Prdidas por convivencia tensin corriente entre drenador y fuente
vGS
vDS
EL MOSFET DE POTENCIA
Pcond = RDS(on)iDT(rms)2
Pconm = fS(won + woff)
iDT
PVI
Won
Prdidas en conduccin
Prdidas en conmutacin
Woff
iV1 V1
vGS
EL MOSFET DE POTENCIA
iV1
Qgs t0
Qdg
Circuito terico
iV1
t2 t3 Q
g
V1 RB
Circuito real
PV1 = V1QgfS
El diodo parsito suele tener malas caractersticas, sobre todo en MOSFETs de alta tensin
IRF 540
EL MOSFET DE POTENCIA
D G S
EL MOSFET DE POTENCIA
EL MOSFET DE POTENCIA
Este fabricante denomina mounting base a la cpsula y suministra informacin de la RTHja = RTHjc + RTHca