Historia de la Memoria RAM

“La memoria RAM es una memoria volátil, es un tipo de memoria temporal que pierden sus datos cuando se quedan sin energía. Se utiliza generalmente para
almacenar temporalmente datos, con este trabajo pretendemos mostrar la historia y la evolución de la memoria RAM a través del tiempo desde un punto de vista
técnico.” Mensionaremos clases de memorias.

FPM-RAM
Fecha de introducción: 1990
Descripción de la tecnología
Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70
nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades
de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de
60 nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu.
La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en
la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. El acceso más rápido de
la FPM RAM es de 5-3-3-3 ciclos de reloj para la lectura a ráfagas de cuatro datos consecutivos.
Velocidad de transferencia: 200 MB/s

EDO-RAM
Fecha de introducción: 1994
Descripción de la tecnología
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos
mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o
menos).
Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en
SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.
Velocidad de transferencia: 320 MB/s

BEDO-RAM
Fecha de introducción: 1997
Descripción de la tecnología
Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una
vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo
ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es
soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO
RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.
Velocidad de transferencia: Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s 1997

SDR SDRAM
Descripción de la tecnología
Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este
tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de
reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología
InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el
anterior.
Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos en
ordenadores de sobremesa y en módulos SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los
ordenadores portátiles.

 PC66
Fecha de introducción: 1997
Velocidad de transferencia
La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.

 PC100
Fecha de introducción: 1998
Velocidad de transferencia
La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de
hasta 800 MB/s.
 PC133
Fecha de introducción: 1999
Velocidad de transferencia
La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de
hasta 1066 MB/s.

DDR-SDRAM
Descripción de la tecnología
Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que
permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los
módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB.
No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por
ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El
número simplemente señala la velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el
DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue diseñado o para
velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado.

 PC1600 - DDR200
Fecha de introducción: 2001
Velocidad de transferencia
1600 MB/s

 PC2100 - DDR266
Fecha de introducción: 2002
Velocidad de transferencia
2133 MB/s

 PC2100 - DDR266
Fecha de introducción: A mediados del 2003
Velocidad de transferenciaTecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz
con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s.

 PC3200 – DDR400
Fecha de introducción: Junio del 2004
Velocidad de transferencia
Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece
una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.

 PC4200 – DDR533
Fecha de introducción: A mediados del 2004
Velocidad de transferencia
Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de
frecuencia ya son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines. Trabaja a una
frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia
máxima de 4.2 GB/s.

 PC4800 – DDR600
Fecha de introducción: A mediados del 2004
Velocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de
150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s.

 PC5300 – DDR667
Fecha de introducción: A finales del 2004
 Velocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s.

 PC6400 – DDR800
Fecha de introducción: A finales del 2004
Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de
transferencia máxima de 6.4 GB/s.

 DDR3 – 800
Fecha de introducción: Junio del 2004
Velocidad de transferencia
Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2,
puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras que las
DDR2 trabajan a 2.5, dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de
800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.

 DDR3 – 1066
Fecha de introducción: Mayo del 2007
Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de
1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s.

 DDR3 – 1333
Fecha de introducción: Mayo de 2007
Velocidad de transferencia
De las primeras memorias clasificadas como de “Low-Latency” con velocidades de transferencia de 10.667 GB/s
@ 1333 MHz

 DDR3 – 1600
Fecha de introducción: Julio de 2007
Velocidad de transferencia de la información
12.80 GB/s @ 1600 MHz

 DDR3 – 1800
Fecha de introducción: Agosto de 2007
Velocidad de transferencia 14.40 GB/s @ 1800 MHz

 DDR3 – 2000
Fecha de introducción: Marzo de 2008 (pruebas)
Velocidad de transferencia
16.0 GB/s @ 2000 MHz

RDRAM
Descripción de la tecnología
También llamadas Rambus, se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit
 RAMBUS PC600
Fecha de introducción: 1999
Velocidad de transferencia
1.06 GB/s por canal, que hacen en total 2.12 GB/s @ 266MHz

 RAMBUS PC700
Fecha de introducción: 1999
Velocidad de transferencia
1.42 GB/s por canal, que hacen en total 2.84 GB/s @ 356 MHz

 RAMBUS PC800
Fecha de introducción: 1999
Velocidad de transferencia
1.6 GB/s por canal, que hacen en total 3.2 GB/s @ 400 MHz

ESDRAM
Fecha de introducción: A mediados de año de 1999
Descripción de la tecnología
Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria,
aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales.
Velocidad de transferencia de la información:
Hasta 1.6 GB/s @ 133MHz y hasta 3.2 GB/s @ 150 MHz

Flash Memory
Este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento, pero actualmente Windows Vista nos la
opción de utilizarla también como memoria RAM, a continuación las características:
Fecha de introducción
Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas también en ese año en el
IEEE-IEDM, pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. En 1988 Toshiba
anunció el tipo NAND en el ISSCC.
Descripción de la tecnología
Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos móviles,
PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simples
dispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND.
Velocidad de transferencia
La velocidad de transferencia de estas tarjetas, al igual que la capacidad de las mismas, se ha ido incrementando progresivamente, generalmente la velocidad es
mayor en lectura que en escritura. Las más comunes actualmente tienen una velocidad de transferencia de ~20 MB/s, aunque la nueva generación de tarjetas
permitirá velocidades de hasta 30 MB/s.

Historia de la Memoria ROM

El tipo más simple de ROM en estado sólido es de la misma antigüedad que la propia tecnología semiconductora. Las puertas
lógicas combinacionales pueden usarse en conjunto para indexar una dirección de memoria de n bits en valores de m bits de
tamaño (una tabla de consultas). Con la invención de los circuitos integrados se desarrolló la máscara ROM. La máscara ROM
consistía en una cuadrícula de líneas formadas por una palabra y líneas formadas por un bit seleccionadas respectivamente a
partir de cambios en el transistor. De esta manera podían representar una tabla de consultas arbitraria y un lapso de
propagación deductible.
En las máscaras ROM los datos están codificados en el mismo circuito, así que sólo se pueden programar durante la fabricación.
Esto acarrea serias desventajas:
Sólo es económico comprarlas en grandes cantidades, ya que el usuario contrata fundiciones para producirlas según sus
necesidades.
El producto entre completar el diseño de la máscara y recibir el resultado final es muy largo.
Son inútiles para I+D por el hecho de que durante el desarrollo se ha de producir más de una.
Si un producto tiene un error en la máscara, la única manera de arreglarlo es cambiando físicamente la ROM.
Los desarrollos posteriores tomaron en cuenta estas deficiencias, así pues se creó la memoria de sólo lectura programable
(PROM). Inventada en 1956 permitía a los usuarios modificarla sólo una vez con la aplicación de pulsos de alto voltaje. Eliminó
los problemas 1 y 2 antes mencionados, ya que el usuario podía pedir gran cantidad de PROMs vacías y programarlas con el
contenido necesario elegido por los diseñadores. En 1971 se desarrolló la memoria de sólo lectura programable y borrable
(EPROM) que permitía reiniciar su contenido exponiendo el dispositivo a fuertes rayos ultravioleta. De esta manera erradicaba
el punto 3 de la anterior lista. Más tarde en 1983 se inventó la EEPROM, resolviendo el conflicto número 4 de la lista ya que se
podía reprogramar el contenido mientras proveyese un mecanismo para recibir contenido externo (por ejemplo, a través de un
cable serial). En medio de la década de 1980 Toshiba inventó la memoria flash, una forma de EEPROM que permitía eliminar y
reprogramar contenido en una misma operación mediante pulsos eléctricos miles de veces sin sufrir ningún daño.
Todas estas tecnologías mejoraron la versatilidad y flexibilidad de la ROM aunque el costo por chip incrementaba. Por eso las
máscaras ROM fueron la solución económica durante bastantes años. Aún así, hay que tener en cuenta que las nuevas
tecnologías con más capacidad de modificación estuvieron diseñadas para eliminar del mercado a las ROM y reemplazarla.
El producto más reciente es la memoria NAND, otra vez desarrollada por Toshiba. Los diseñadores rompieron explícitamente
con el pasado diciendo que enfocaba "ser un reemplazo de los discos duros y no de la antigua ROM. En 2007, NAND ha
avanzado bastante en su meta, ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros, una mejor tolerancia a los choques
físicos y una miniaturización extrema (como por ejemplo memorias USB y tarjetas de memoria MicroSD).

Uso de la ROM para almacenamiento de software

Los ordenadores domésticos a comienzos de los años 1980] venían con todo su sistema operativo en ROM. No había otra
alternativa razonable ya que las unidades de disco eran generalmente opcionales. La actualización a una nueva versión significa
usar un soldador o un grupo de interruptores DIP y reemplazar el viejo chip de ROM por uno nuevo. Actualmente los sistemas
operativos en general ya no van en ROM. Todavía los ordenadores pueden dejar algunos de sus programas en memoria ROM,
pero incluso en este caso, es más frecuente que vaya en memoria flash. Los teléfonos móviles y los asistentes personales digitales
(PDA) suelen tener programas en memoria ROM (o por lo menos en memoria flash).
Algunas de las videoconsolas que usan programas basados en la memoria ROM son la Super Nintendo, la Nintendo 64, la Sega
Mega Drive o la Game Boy. Estas memorias ROM, pegadas a cajas de plástico aptas para ser utilizadas e introducidas repetidas
veces, son conocidas como cartuchos. Por extensión la palabra ROM puede referirse también a un archivo de datos que contenga
una imagen del programa que se distribuye normalmente en memoria ROM, como una copia de un cartucho de videojuego.
Una razón de que todavía se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad ya que los discos son más lentos. Aún
más importante, no se puede leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Por lo tanto, la
BIOS, o el sistema de arranque oportuno del PC normalmente se encuentran en una memoria ROM.