EVOLUCIÓN DE LAS MEMORIAS RAM - López Reynoso Javier Vladimir

● FLASH MEMORY

● FPM-RAM

● EDO-RAM

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● BEDO-RAM

SDR SDRAM
-

● DDR-SDRAM -

DDR-SDRAM
-

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 DDR3 – 1066
-

● DDR4 SDRAM

● DDR5 SDRAM

Events

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● FLASH MEMORY
Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de
baterías como teléfonos móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de
fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simples dispositivos de
almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta
32GB, basadas en NOR y NAND.

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● FPM-RAM
Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más
rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en
procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100,
133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no
generar estados de espera de la cpu.

La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de

memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en
ese caso. El acceso más rápido de la FPM RAM es de 5-3-3-3 ciclos de reloj para
la lectura a ráfagas de cuatro datos consecutivos.

Velocidad de transferencia:
200 MB/s

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● EDO-RAM
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a
introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su
Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).

Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se
instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs
de 168.

Velocidad de transferencia:
320 MB/s

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● BEDO-RAM
Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en
ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición
determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de
reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador.
En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al
igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar
por encima de los 66 MHz.

Velocidad de transferencia:
Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s

● SDR SDRAM
- Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La
diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del
sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por
acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria
incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un
acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.

Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en

módulos DIMM de 168 contactos en ordenadores de sobremesa y en módulos
SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los ordenadores
portátiles.

PC66
Fecha de introducción: 1997
Velocidad de transferencia
La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece
t d t f i d h t 533 MB/

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tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.

PC100
Fecha de introducción: 1998
Velocidad de transferencia
La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece
tasas de transferencia de hasta 800 MB/s.

PC133
Fecha de introducción
1999
Velocidad de transferencia
La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y
ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s.

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● DDR-SDRAM
- Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en
encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales
distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs
soportan una capacidad máxima de 1 GB.

No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas
frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y
el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El número simplemente señala la
velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR
SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue
diseñado o para velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado.

● DDR-SDRAM
- Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en
encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales
distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs
soportan una capacidad máxima de 1 GB.
No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas
frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y
el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El número simplemente señala la
velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR
SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue

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SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue
diseñado o para velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado.

PC1600 – DDR200
Fecha de introducción: 2001
Velocidad de transferencia
1600 MB/s

PC2100 – DDR266
Fecha de introducción: 2002
Velocidad de transferencia
2133 MB/s

PC2100 – DDR266
Fecha de introducción: A mediados del 2003
Velocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con
un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.7 GB/s.

PC3200 – DDR400
Fecha de introducción: Junio del 2004
Velocidad de transferencia
Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz
con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3.2 GB/s.

PC4200 – DDR533
Fecha de introducción: A mediados del 2004
Velocidad de transferencia
Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de
frecuencia ya son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines. Trabaja a una
frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de
transferencia máxima de 4.2 GB/s.

PC4800 – DDR600
Fecha de introducción: A mediados del 2004
Velocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz
con un bus de 150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.8 GB/s.

PC5300 – DDR667
Fecha de introducción: A finales del 2004
Velocidad de transferencia
T l í d i RAM DDR2 t b j f i d 667 MH

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 Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con
un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s.

PC6400 – DDR800
Fecha de introducción: A finales del 2004
Velocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 800 MHz
con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.4 GB/s.

● DDR3 – 1066
- DDR3 – 800
Fecha de introducción: Junio del 2004
Velocidad de transferencia
Posee el mismo número de pines que la DDR2. A pesar de eso son
incompatibles con las DDR2, puesto que la muesca esta ubicada en un lugar
diferente. Trabajan a un voltaje de 1.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.5,
dándoles la ventaja de menor consumo de energía. Trabaja a una frecuencia de
800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de
6.4 GB/s.

DDR3 – 1066
Fecha de introducción: Mayo del 2007
Velocidad de transferencia
Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz
con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.53 GB/s.

DDR3 – 1333
Fecha de introducción: Mayo de 2007

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 ec a de t oducc ó : ayo de 00
Velocidad de transferencia
De las primeras memorias clasificadas como de “Low-Latency” con velocidades
de transferencia de 10.667 GB/s @ 1333 MHz

DDR3 – 1600
Fecha de introducción: Julio de 2007
Velocidad de transferencia de la información
12.80 GB/s @ 1600 MHz

DDR3 – 1800
Fecha de introducción: Agosto de 2007
Velocidad de transferencia
14.40 GB/s @ 1800 MHz

DDR3 – 2000
Fecha de introducción: Marzo de 2008 (pruebas)
Velocidad de transferencia
16.0 GB/s @ 2000 MHz

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● DDR4 SDRAM
Los módulos de memoria DDR4 SDRAM tienen un total de 288 pines DIMM. La
velocidad de datos por pin, va de un mínimo de 1,6 Gb hasta un objetivo máximo
inicial de 3,2 Gb.
Las memorias DDR4 SDRAM tienen un mayor rendimiento y menor consumo
que las memorias DDR predecesoras. Tienen un gran ancho de banda en
comparación con sus versiones anteriores.

Samsung anunció ese año que había comenzado a producir en masa los
primeros módulos de memoria DDR4 con el proceso de fabricación a 20 nm,
permitiendo crear módulos de 16 GB y 32 GB. El uso de estos nuevos módulos
de memoria permitiría a los servidores empresariales de próxima generación
reducir el consumo y a la vez aumentar el rendimiento del sistema. Estos chips
de memoria DDR4 ofrecen una tasa de transferencia de 2.667 megabits por
segundo, más de un 25% superior a los chips DDR3 fabricados a 20 nm y con
un consumo un 30% inferior.

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● DDR5 SDRAM
Se planea que DDR5 reduzca el consumo de energía, mientras se duplica el
ancho de banda pasando de 3,2 GB/s a los 6,4 GB/s, doblando también su tasa
de transferencia máxima de los 25,6 GB/s de las DDR4 actuales a un máximo de
51,2 GB/s y la capacidad en relación con la SDRAM DDR4.
El tamaño de la memoria que aceptarán las placas base compatibles con DDR5
también aumentará, pasando de 12 a 16 canales. Esto permitirá pasar del límite
actual de 64 GB de las principales placas de consumo hasta los 128 GB de RAM.

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