Universidad Nacional Experimental del

Táchira
Departamento de Electrónica

AMPLIFICADORES DE
ALTAS FRECUENCIAS
BANDA ANCHA

Jonathan Valduz Numero 25

 AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
BANDA ANCHA

El diseño de amplificadores banda ancha trae consigo nuevas

dificultades,
para resolverlos se necesita experiencia y cuidado.
En principio se debe compensar la transferencia de frecuencia, Por
medio del parámetro S21, Incorporando un sistema de
retroalimentación o de acoplamiento adecuado.
Para el diseño de problemas simples se hace uso de Programas CAD
y CAE (Computer Aided Education).
Se puede determinar un compromiso entre:
• Superficialidad del amplificador, ruido, estabilidad, Impedancia
de entrada y de salida.
Usando uso de procedimientos de optimización adecuados, como:
• Método Monte-Carlo.
• Determinación del Gradiente.
• Optimización evolutiva.
 Comportamiento típico de la dependencia de
frecuencia de los parámetros |S12|, |S21| y |S12S21|
 AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS BANDA
ANCHA.
SISTEMAS DE ACOPLAMIENTO COMPENSADOS

Genera para la frecuencia central un determinado grado de

desacoplamiento en la entrada y salida de los transistores.
• Dentro de la función de transferencia correspondiente al sistema
permanece
la amplificación aproximadamente constante dentro de un
determinado
rango de frecuencia.
• La causa de la generación del grado de desacoplamiento es:
• Un incremento de la frecuencia para un buen dimensionamiento
del sistema que significa una disminución del parámetro |S21|,
mejora el acoplamiento.

Esta mejora se aprecia:

• En que una gran parte de la potencia se entrega al¨transistor, y
• Una gran parte de potencia también entrega el transistor a la carga.
• Al contrario el desacoplamiento se incrementa al disminuir la
frecuencia.
La desventaja de un diseño simplificado se presenta en que:
Necesariamente la entrada y la salida del amplificador tendrán un determinado
grado de desacoplamiento. Para superar esta desventaja, se plantean diseños
como el amplificador banda ancha de dos etapas.
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
BANDA ANCHA. CON ACOPLAMIENTO NEGATIVO
AMPLIFICADORES DE149 AMPLIFICADORES DE
ALTAS FRECUENCIAS BANDA ANCHA.
BALANCEADO CON LÍNEA ACOPLADORA DE 3dB
BRANCH
ALTAS FRECUENCIAS
DE DOS PUERTOS
 AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS DE DOS
PUERTOS

Con esta técnica se amplía el proceso clásico de amplificación banda ancha.

Para determinar la Ganancia Independiente del número de etapas n así como
de los parámetros del circuito. Se hace uso del circuito equivalente
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS BANDA
ANCHA. DISTRIBUIDOS DE ONDAS DE PASO.
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS DE
UN PUERTO

Las condiciones de estabilidad exigen, que se cumpla:

Rn<Rsi+RL, en la práctica se considera como válidas las siguientes relaciones:

Rn≤0,9.(Rsi+RL) y GT≤100(20dB).
Este tipo de amplificador puede operar acoplado, Ya sea en la entrada, para la condición:
Rsi≈RL-Rn, O bien, en la salida, para la condición: RL≈Rsi-Rn.
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS DE
UN PUERTO

Usualmente se diseñan amplificadores como sistemas activos de

un puerto, como amplificadores de reflexión.

En estos sistemas se separan unos de otros, con un circulador,

el cual es un elemento de transmisión asimétrico, Generador,
Impedancia de carga, y Resistencia negativa.

De esta forma el sistema amplificador de un puerto, se amplía

convirtiéndose en un sistema amplificador de dos puertos.
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS DE
UN PUERTO
Representación básica de
un amplificador de
reflexión.

La resistencia negativa –Rn, Genera un Factor de Reflexión con el módulo, |r2|>1,

en el puerto 2 del Circulador. La potencia entregada al puerto 1 por el generador
de señales, se alimenta, agregando Ganancia de amplificación, a la resistencia
de carga RL a través del puerto 3. En el puerto 4 se cierra el circulador, conectando
una resistencia libre de reflexión Zo. Esto se hace para evitar los efectos de una
retroalimentación del puerto 3 hacia el puerto 1.
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
DE
REFLEXIÓN CON DIODO TÚNEL
Los diodos túnel están formados por
uniones pn de semiconductores
tipo p o n altamente dopados, entre
1019-1020 átomos/cm3.

El punto de trabajo A se ubica

según la curva característica
siguiente, en la región de caída de
la curva.

UH: Tensión de protuberancia

UT: Tensión de depresión

1: Efecto túnel directo

2: Efecto túnel indirecto. A través de niveles de Trap.
3: Curva característica de flujo de Shockley.
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS DE
REFLEXIÓN CON DIODO TÚNEL

Circuito equivalente de pequeña señal de un Diodo Túnel

En un amplio rango de operación en la región de las microondas, la

resistencia negativa dinámica –Rn con Rn>0, es independiente de la
frecuencia.

La respuesta de operación queda limitada para las altas frecuencias por:

• La Capacidad de bloqueo superficial Cj,
• La Resistencia de trayectoria RB.
• LS representa la inductividad de conductividad Interna.
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS DE
REFLEXIÓN CON DIODO TÚNEL

Circuito equivalente de
Circuito básico de un amplificador de diodo pequeña señal del amplificador
túnel en circuitos series. de diodo túnel
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS DE
REFLEXIÓN CON DIODO TÚNEL

Circuito equivalente de pequeña señal del amplificador de diodo túnel con circulador
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
DE
REFLEXIÓN CON DIODO TÚNEL
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
DE
REFLEXIÓN CON DIODO TÚNEL
 AMPLIFICADORES DE REFLEXIÓN CON
ELEMENTO GUNN Y DIODO DE AVALANCHA

Con el diodo IMPATT: Impact Avalanche Transit Time.

Con diodos TRAPATT: Trapped Plasma Avalanche Triggered Transit.
Se pueden alcanzar altas potencias de salida, en modo de operación de
pulsos, como la que se necesita en aplicaciones de RADAR.

Amplificador de reflexión con Diodo TRAPATT.

 AMPLIFICADORES DE REFLEXIÓN CON
ELEMENTO GUNN Y DIODO DE AVALANCHA

b) Configuración de un sistema de transformación con líneas de transformación en

serie.
c) Configuración de un sistema de transformación con acopladores con λ/4 en técnica
Microstrip.
AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS
PARAMÉTRICO DE REACTANCIA

El amplificador paramétrico se usa como amplificador de bajo ruido,

debido a que básicamente es un elemento reactivo, no genera Ruido
Térmico.

Se usa junto a ferritas en la generación de efectos no lineales.

También encuentra aplicación con diodos VARACTO capacitivos. la mas

importante aplicación se encuentra como Amplificador de muy alta
sensibilidad en la región superior de las ondas ultra cortas y de
microondas.

Son altamente utilizados para:

•En equipos de radar,
•En la radio astronomía en las mediciones de las radiaciones
interestelares.