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ALI LEONEL SALAZAR

ELECTRÓNICA RAMIREZ
JESÚS CRUZ MOREO

ANALÓGICA ELIAS RAMOS FISCAL


EMMANUEL ROSARIO
SOTO
EJEMPLO 5-1

Determine el punto Q para el circuito de la figura 5-7 y trace la recta de carga en cd.
Determine el valor pico máximo de la corriente en la base para operación lineal.
Suponga βCD= 200

Solución Los valores de IC y VCE definen el punto Q

= = 198

VCE = VCC - ICRC = 20 V - 13.07 V = 6.93 V


El punto Q se encuentra en IC = 39.6 mA y en VCE = 6.93 V
Como IC(corte) = 0, se tiene que conocer IC(sat) para determinar qué tanto puede variar la
corriente en el colector sin que cambie la operación lineal del transistor.

= 60.9 mA

La recta de carga en cd se ilustra en la figura 5-8 y muestra que antes de alcanzar la


saturación, IC se incrementa en una cantidad igual a

IC(sat) - ICQ = 60.6 mA - 39.6 mA = 21.0 mA


Sin embargo, IC puede disminuir 39.6 mA antes de llegar al corte (IC = 0). Por
consiguiente, la variación límite es de 21 mA porque el punto Q está más cerca de
saturación que de corte.
Los 21 mA son la variación pico máxima de la corriente en el colector. En realidad,
en la práctica sería un poco menor porque VCE(sat) no es realmente cero.
TRANSISTOR EFECTO DE
CAMPO (JFET)
El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect transistor) es un transistor
que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad
de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también
suele ser conocido como transistor unipolar.

• Puerta (G)
• Drenado (D)
• Fuente (S)

Canal N (izquierda) Canal P (derecha)


Un JFET es básicamente una barra semiconductora (tipo N o P), con contactos
óhmicos en sus extremos identificados como drenaje (D) y fuente (S), que forma un
canal en el medio de la difusión (P o N) de puerta (G).

El JFET nunca opera con la puerta polarizada


directamente, o sea que no hay circulación de corriente por
ese terminal, salvo la corriente de fuga.
EL JFET
El JFET (transistor de efecto de campo de unión) es un tipo de FET que opera con una
unión pn polarizada en inversa para controlar corriente en un canal. Según su estructura, los
JFET caen dentro de cualquiera de dos categorías, de canal n o de canal p.
La figura (a) muestra la estructura básica de un JFET de canal n (transistor de efecto de
campo de unión).
MUCHAS GRACIAS AFICIÓN ESTO
ES PARA VOSOTROS….SIUUUUUU!!

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