Los Tiristores

• Dispositivos de estado sólido que se disparan

bajo ciertas condiciones pasando de un estado
de alta impedancia a uno de baja, estado que
se mantiene mientras que la corriente y la
tensión sean superiores a un valor mínimo
denominado: niveles de mantenimiento.
• Se consideran interruptores ideales en
aplicaciones con potencia.
 Características
• Dispositivo de 4 capas p-n
alternadas
• Tiene estados estables de
conducción y bloqueo.
• Capaz de soportar las potencias
más elevadas, I>4000Amp
V>7000Volt, lo cual los hace
ideales para aplicaciones de
potencia.
• Control del encendido por corriente
de puerta (pulso).
• Frecuencias de conmutación no
superiores a 2kHz.
• Pueden tener 2-3 o 4 terminales.
• Pueden ser de conducción
unilateral o bilateral.
 Características
• Existen 2 parámetros propios de los tiristores que se
deben considerar al momento de su selección y que
no deben ser excedidos: Velocidad de crecimiento
de dv/dt en bloqueo y el crecimiento de la (I)
principal di/dt al momento de la conducción.
• Para encendido se provee un pulso de disparo en su
compuerta.
• Para apagarlos se inyecta una corriente negativa de
compuerta (excepto los GTO).
Construcción-Sección Longitudinal
 Tipos de Tiristores
• SCR(Silicon Controlled Rectifier). Interruptor
unidireccional
• GTO(Gate Turn-off) Interruptor unidireccional.
Apagado por puerta
• TRIAC(Triode AC) Interruptor bidireccional
• DIAC(Diode AC) Interruptor bidireccional ( Control de
tiristores)
• IGBT( Insulated Gate Bipolar Transistor) Interruptor
controlado.
 Símbolos

SCR GTO

TRIAC DIAC

IGBT
Curva Característica
Curva Característica
 Parámetros mas Significativos
• Estado de Bloqueo Directo:
– V(BO): Tensión a la cual el tiristor pasa del estado de corte al
de conducción para un valor dado de la corriente de gate.
– V(BO)0: Tensión a la cual se el tiristor pasa del estado de
corte al de conducción para corriente de gate nula.
– VD(DC): Tensión de continua directa permitida al tiristor en
el estado de bloqueo directo.
– VDRM: Máxima tensión de pico repetitivo en condición de
bloqueo directo.
– VDSM: Máxima tensión de pico no repetitivo en condición
de bloqueo directo.
– IDRM: Corriente de pérdidas a VDRM en condición de
bloqueo directo (corriente de pérdida directa)
• Estado de Conducción:
- VF (AV): Valor medio de la tensión (caída de tensión en bornes del tiristor) en
conducción durante un semiciclo, e integrada en el ciclo completo. Se
considera carga resistiva y un ángulo de conducción de 180º.
IF; IFAV; IFRMS; Corrientes directas en el estado de conducción
IF; valor instantáneo
IFAV; valor medio
IFRMS; valor eficaz
- IFAVM; Máxima corriente directa media en el estado de conducción,
correspondiente una tensión senoidal de media onda con una carga resistiva, a
una determinada temperatura de
cápsula Tc y una frecuencia entre 40 y 60 Hz.
- IFRMSM; Máxima corriente directa eficaz en el estado de conducción.
- IFSM: Máxima corriente no repetitiva que puede soportar en un semiciclo de
conducción (sobre corriente de cortocircuito durante 10 ms)
- I2t;: Es una medida de la sobre corriente en valor eficaz (no repetitiva) durante
un semiciclo (se utiliza para el cálculo de fusibles); su unidad es A2 seg.
• Estado de Bloqueo Inverso:

– VRRM; Tensión inversa máxima (de pico) inversa que

puede soportar el tiristor en forma repetitiva.
– VSRM: Tensión inversa máxima (de pico) inversa que
puede soportar el tiristor, no repetitiva.
– VRBO(DC): Tensión de continua inversa permitida al tiristor
en el estado de bloqueo inverso.
– IRRM; Valor de la corriente en el tiristor bloqueado con
tensión inversa (corriente de pérdida inversa)
• Condición de Encendido:

– VGT: Tensión continua (D.C.) necesaria para que circule IGT.

– VGR: Tensión máxima de pico inversa entre Gate y Cátodo.
– IGT; Corriente continua (D.C.) necesaria en el gate del tiristor para que lo haga
conducir.
– IGF: Valor instantáneo de la corriente de gate del tiristor para que lo haga conducir.
– IGF: Valor instantáneo de la corriente de gate directa. A este valor le corresponde
una tensión VGF.
– IH; Corriente de mantenimiento. Es la corriente mínima que requiere el tiristor para
mantenerse en conducción. Por debajo de este valor se corta la conducción.
– IL; Corriente de enganche. Es la corriente mínima necesaria para que el tiristor entre
en conducción y la mantenga, sin cortarse después que desaparezca el pulso de gate.
(IL>IH)
– PG; Máximo valor instantáneo de potencia en el Gate.
– PGAV: Máximo valor de potencia media que puede ser disipada en la compuerta
sobre un ciclo completo
Tipos de Encapsulados
 Los SCR
• Dispositivo semiconductor de 4 capas NP
alternas, que forma parte de la familia de los
tiristores.
• Presentan un comportamiento biestable.
• Conduce cuando su ánodo es positivo con
respecto al cátodo.
• Conduce cuando se activa un pulso positivo de
compuerta.
 Principio de Funcionamiento
• Tensión Anodo-Catodo Negativa VAK<0
Los diodos U1 y U3 quedan polarizados en
sentido inverso y el diodo U2 en sentido directo
La corriente IA obtenida mediante esta ecuación es muy
pequeña, y por lo tanto, idealmente, se puede
considerar que es nula para cualquier valor de VAK
inferior a VRSM (tensión inversa máxima). En estas
condiciones de trabajo, el dispositivo se comporta como
un circuito abierto
• Tensión Anodo-Catodo positiva VAK>0:
Sin Excitación de Puerta:
las uniones U1 y U3 estarán polarizadas en sentido
directo, estando la unión U2 polarizada en sentido
inverso, y por el mismo razonamiento anterior, se
llega a la conclusión de que la única corriente que
circula por el dispositivo es la corriente inversa de
saturación, IS2 del diodo formado en la unión U2
• Con excitación de puerta:
Si se aumenta la corriente a través de la unión U2
inyectando corriente por la base, disminuye la polarización
inversa de U2. En estas condiciones una vez disparado el
tiristor, idealmente, se comporta como un cortocircuito. La
tensión ánodo cátodo, VAK en conducción es del orden de 1
a 2V.
Podemos utilizar el modelo equivalente de dos transistores
para analizar el funcionamiento del tiristor.
Estos transistores están conectados de forma que se obtiene
una realimentación positiva.
Modelo Equivalente de SCR
 Encendido del SCR
• Cuando Iԍ=0, el SCR se comporta como un diodo de 4 capas
(schockley) en estado OFF. En este estado la alta resistencia entre
A y K se asemejan a un circuito abierto.
• Cuando se aplica un pulso positivo de corriente a la compuerta,
ambos transistores se encienden .
• IB2 enciende Q2
• Se habilita IB1 hacia Q2, lo cual enciende Q1.
• ICQ1, se suma a IBQ1, por lo que cuando el pulso desaparece
Q2 sigue en conducción.
• Q2 mantiene a Q1 en saturación, al permitir fluir IB1.
• Q1 mantiene a Q2 en saturación , al permitir fluir IB2.
• Debido a la acción regenerativa explicada anteriormente el SCR
se mantiene en conducción así el pulso de disparo haya cesado.
• Debido a su estado de conducción la resistencia entre A y K es
muy baja con lo cual se asemeja a un corto circuito.
Características Nominales de los SCR
 Modos de Disparo
• Por tensión suficientemente elevada:
Aplicada entre A – K, lo que provoca que el tiristor entre en
conducción por efecto de "avalancha" (Efecto no deseado).
• Por intensidad positiva de polarización en la puerta:
Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el
estado de polarización inversa, existen unas pequeñas
corrientes de fugas.
 Disparo por Conmutación Forzada

• T1 se activa, si la IL fluye a través de RL por el ánodo y si es

mayor que la Iн, T1 quedara cebado aun sin pulso de la
compuerta. Al mismo tiempo C se carga a través de R, siendo
mas positivo del lado del interruptor U.
• Cerrando U, C se descarga en paralelo con T1, con potencial
inverso obligando a que IL cambie de dirección, apagando T1.
 Disparo Resistivo

• Permite controlar el ángulo de disparo entre 0 y 90 grados

eléctricos.
• Variando R1, se logra variación del ángulo de disparo.
 Angulo de Disparo

 Firing Angle (α)=

 
VDC=(Vp/(α))
 Ejercicio
• Se necesita diseñar un control de disparo resistivo que permita
la manipulación del ángulo de disparo del SCR C106D entre 10
y 80 grados eléctricos, con una alimentación de 120 VAC, 60
Hz. La carga es un bombillo incandescente de 100W.
 Disparo Red RC

• Los fabricantes de SCR proporcionan curvas

detalladas para ayudar al dimensionamiento
de R y C para los circuitos de control de
compuerta.
• T esta entre 1 mS y 30 mS para f=60Hz.
 Disparo Red RC de Primer Orden

• T=(R1+R2)xC1, 1ms<T<30ms
• C1=0.5 uF
• Calcular los valores de R1 y R2, dado el valor de C1.
 Forma de Onda en la Carga

α β

• Angulo de Disparo(α): Nro. De grados de un ciclo

AC antes de que el SCR pase a conducción.
• Angulo de Conducción(β): Numero de grados de un
ciclo AC durante el cual el SCR esta en conducción.
 Forma de Onda Ideal VAK e IG

• Fig. a: La IGT es baja lo cual provoca un ángulo de disparo

cercano a 90 grados.
• Fig. b: La IGT es alta lo cual provoca un ángulo de disparo
cercano a o grados.
 Circuito de Disparo red RC doble

• T1=(R1+R2)xC1, 1ms<T<30ms
• T2=R3xC2, T=25 ms
• C1=0.5 uF, C2=0,05 uF.
• Calcular los valores de R1, R2 y R3, dados los valores de C1 y C2.
Factores a tener en cuenta para el diseño
del circuito de control por compuerta
• La señal de compuerta debe eliminarse después
de activar el tiristor. Una señal continua de
compuerta contribuye a perdida de potencia en
la unión de la compuerta.
• Mientras el tiristor este polarizado en inversa no
debe haber señal de compuerta, ya que se
incrementa la corriente de fuga y produce una
falla.
• El ancho del pulso IG debe ser mayor al tiempo
requerido para que la corriente de ánodo
alcance la Iн. En la practica Iн>Tоn.
Red Snubber (Amortiguamiento) de Voltaje y
Corriente
• Es un arreglo RC que se conecta en paralelo al
tiristor en un circuito de conmutación, como
protección para el dv/dt. Es básicamente un
circuito de frenado al apagado del tiristor,
cuyo objetivo es amortiguar el efecto de una
variación de voltaje/tiempo que en algún
momento pudiera destruir el tiristor.
• La relación de sus componentes estada dada
por: dv 0.632 RVs

dt Cs( Rs  R) 2

ITD
• Rs esta ligada a la corriente de descarga ITD,
(circulara cuando T1 este encendido y se
descargue el condensador) y siempre se
sugiere unas 10 veces mayor a la corriente de
carga.
Vs
Rs 
I TD
 Calculo Red Snubber
Para el diseño de la red snubber primero se calculó el valor de Rs,
para lo cual consideramos una carga de 100 W, 130 VAC, entonces
RL=130²/100=169 Ω, se aproxima al valor comercial 160 Ω
Entonces IL= Vs/RL
IL=130/160=812.5 mA
Si consideramos que la corriente de descarga es 10 veces la IL,
tenemos:
RS=130/(10*812.5mA)=16 Ω.
Se aproxima 15 Ω, que es un valor comercial.
El calculo de Cs se realiza así:
0.632 RVs 0.632  160  130
Cs    53.65nF
(dv / dt )( Rs  R) 2
8  10  (15  160)
6 2

Se aproxima a un valor comercial de 68 nF.

 LOS TRIACS
• Dispositivos que también pertenecen a la
familia de los tiristores.
• Ventaja frente a SCR es que controla en ambos
semiciclos, tanto negativo como positivo.
• Conduce en cualquier dirección entre sus
terminales MT1 y MT2.
• El triac se puede controlar entre 0 y 360
grados-
Símbolo y Circuito de Disparo
Construcción de un TRIAC
Formas de Onda
Disparo a Diferentes Ángulos
Polarización Directa e Inversa
Circuitos de Disparo de TRIACS
 Circuitos de Disparo mejorados para
TRIACS

DIAC: Diodo Bidireccional de Disparo DIAC: Curva característica

Grafica de Voltaje y Corriente
utilizando DIAC´s
Características del circuito RC utilizando DIAC
´s

• Voltaje de ruptura mas alto, típico de +/- 32 V.

• Pulso de corriente estable en la puerta del
TRIAC.
• Al ser un switch simétrico permite los disparos
al mismo ángulo.
 Ejemplo
• Un circuito de disparo tiene un DIAC de Vво=32 v.
Los valores de R y C dan un ángulo de disparo de
75°. Se reemplaza el DIAC por uno de 28 V sin
cambiar R ni C, que sucede con el ángulo de
disparo?.
• Discutir y concluir.
• Que sucede con la red RC, cuando se utiliza un
DIAC?.
El TRIAC puede ser disparado en los cuadrantes I y III
El TRIAC puede ser disparado en los cuadrantes 1+y 3-
• El primer modo del primer cuadrante designado
por 1(+), es aquel en que la tensión del ánodo
MT2 y la tensión de la compuerta son positivas
con respecto al ánodo MT1 y este es el modo mas
común (Intensidad de compuerta entrante).
• El Segundo modo, del tercer cuadrante, y
designado por 3(-) es aquel en que la tensión del
ánodo MT2 y la tensión de la compuerta son
negativos con respecto al ánodo MT1 (Intensidad
de compuerta saliente).
• El tercer modo del cuarto cuadrante, y
designado por 1(-) es aquel en que la tensión del
ánodo MT2 es positiva con respecto al ánodo
MT1 y la tensión de disparo de la compuerta es
negativa con respecto al ánodo MT1( Intensidad
de compuerta saliente).
• El cuarto modo del Segundo cuadrante y
designado por 3(+) es aquel en que la tensión
del ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo
MT1, y la tensión de disparo de la compuerta es
positiva con respecto al ánodo MT1(Intensidad
de compuerta entrante).
• El estado 1(+), seguido de 3(-) es aquel en que
la corriente de compuerta necesaria para el
disparo es mínima. En el resto de los estados
es necesaria una corriente de disparo mayor.
El modo 3(+) es el de disparo más difícil y debe
evitarse su empleo en lo posible.
Circuito de Disparo de TRIAC Utilizando un
DIAC
 UJT(UniJunction-Transistor)
• Dispositivo de tres terminales con una unión P-N formada entre
una barra de aluminio y una pastilla de silicio tipo N.
• Se utiliza fundamentalmente como disparador de TRIAC´s y SCR´s.

Construcción Símbolo
 Circuito Equivalente
• RB1 varia entre 5K Ohm y
50 Ohm.
• RBB varia entre 4K Ohm y
10K Ohm
• η es la relación intrínseca y
varia entre 0.45 y 0.82
Curva Característica
 Disparo de SCR
• R1, se escoge de tal forma que la línea de carga determinada
por R1 pase por la región de resistencia negativa.
• R2, se debe escoger lo suficientemente pequeña para
asegurar que el SCR no se dispare por VR2.
Red de Disparo

VR2= V*R2/(R2+RBB)
 Pulso de Disparo
• C, determina la duración de cada pulso y el
intervalo de tiempo entre ellos.
Circuito Equivalente UJT cuando se Enciende
UJT-2N2646
 Ejercicio
• Diseñar el circuito rectificador de media onda con SCR
con circuito de disparo con UJT, con control exponencial.
 IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor)
• Dispositivo semiconductor de potencia hibrido que
combina la características de conductividad (bajo voltaje
de saturación) del transistor BJT y la alta impedancia de
entrada y rapidez de un MOSFET.
• Al igual que el MOSFET de potencia, el IBGT no presenta
el fenómeno de ruptura secundaria como el BJT.
• El IGBT se utiliza de preferencia en circuitos de potencia.
• Por lo anterior es utilizado en conmutación de sistemas
de alta tensión.
• La tensión de control de puerta es de aprox. 15 V, lo cual
le otorga el beneficio de control de alta tensión con un
bajo voltaje.
Simbología
Esquema Equivalente
Curva Característica IGBT
 Funcionamiento
• Consideremos que el IGBT se encuentra bloqueado inicialmente, lo
cual indica que no hay ningún voltaje aplicado al Gate.
• Si se aplica un voltaje VGS al Gate, el IGBT se enciende
inmediatamente, ID es conducida y VDS se va del valor de bloqueo a 0
V.
• ID persiste para el tiempo ton en el que la señal en el Gate es aplicada.
• Para encender el IGBT la terminal D (DRAIN) debe ser polarizada
positivamente con respecto a la terminal S. La señal de encendido es
un voltaje positivo VG que es aplicado al Gate G.
• Si el voltaje de Gate se aplica con un nivel de 15V, puede causar que el
tiempo de encendido sea menor a 1 Seg, después de esto la corriente
de Drain ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como kte).
• Una vez encendido se mantiene en este estado mientras persista la
señal en el Gate, a pesar de esto la disipación de potencia en el Gate es
muy baja.
• El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal VG del
Gate.
• La transición de conducción a bloqueo es de aprox. 20 uS, por
lo que la frecuencia de conmutación es del orden de los
50KHz.
• El IGBT requiere un valor limite VGS(TH) para el estado de
cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es
generalmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VGS cae a
un valor cercano a los 2 V.
• Como el voltaje de encendido se mantiene bajo, el Gate debe
tener un voltaje mayor a 15V, la corriente ID se auto-limita.
• El IGBT se aplica en controles de motores eléctricos tanto en
DC como en AC, manejando niveles por encima de los 50 KW.
Tabla de Comparación IGBT
 Características a tener en cuenta en un IGBT
• IDmax Limitada por el efecto Latch-Up.
• VGSMax limitada por el espesor del oxido de silicio.
Se diseña para que cuando VGS=VGSMax, la
corriente de cortocircuito sea entre 4 y 10 veces la
nominal y pueda soportarlo durante 10 S, para que
pueda actuar una protección electrónica.
• VDSMax es la tensión de ruptura del transistor PNP.
• La temperatura máxima de la unión suele ser de
150°.
Presentaciones mas comunes de los IGBT´s
 Aplicaciones Generales
• Convertidores CC/CA.
• Vehículos eléctricos híbridos.
• Sistemas de Iluminación de Edificios.
• Sistemas de Soldadura.
Variador de Frecuencia
 OPTOACOPLADORES

Son conocidos como optoaisladores o dispositivos de

acoplamiento óptico, basan su funcionamiento en el
empleo de un haz de radiación luminosa para pasar
señales de un circuito a otro sin conexión eléctrica.
En general pueden sustituir los relés ya que tienen una
velocidad de
conmutación mayor, así como, la ausencia de rebotes
Circuito Típico con Optoacoplador
 Que tipos de OPTOACOPLADORES hay

Existen varios tipos de optoacopladores cuya

diferencia entre sí depende de los dispositivos de
salida que se inserten en el componente.
Según esto tenemos los siguientes tipos:
Optotransistor: se compone de un
optoacoplador con una etapa de salida formada
por un transistor BJT. Los mas comunes son el
4N25 y 4N35.
Optotransistor Darlington
Optotransistor De Encapsulado Ranurado
Optotriac: se compone de
un optoacoplador con una
etapa de salida formada por
un triac .
Optotriac de paso por
cero: Optoacoplador en
cuya etapa de salida se
encuentra un triac de cruce
por cero. El circuito interno
de cruce por cero conmuta
al triac solo en los cruces
por cero de la corriente
alterna. Ejemplo el
MOC3041.
Optotiristor: Diseñado
para aplicaciones en donde
sea preciso un aislamiento
entre una señal lógica y la
red.
Diagrama de un circuito de disparo controlado
mediante Optoacoplador
Los optoacopladores se caracterizan por rangos
de voltaje y corriente, además de la velocidad de
respuesta.
Manejan pocos miliamperios para su
polarización.
La resistencia de compuerta RG se calcula por:
 Calculo de valores
La resistencia de compuerta RG se calcula por:

• Donde VR es el valor del voltaje de conducción

del optoacoplador, dato que viene en el
datasheet.
• La potencia en RG, viene dada por
» PRG =

• Para hallar RT se debe tener en cuenta el valor

de voltaje y corriente que maneja el
optoacoplador.
• Calculo de RT :

• IOPTO es el valor de la corriente nominal del

optoacoplador en su salida, e ID es la corriente
máxima que consume el optoacoplador.
• La potencia de RT esta definida por
»PRT=
• El valor de RD se determina por:
• RD es la corriente máxima del diodo del
optoacoplador:

• Siendo VOPTO el voltaje de polarización del diodo

emisor dentro del optoacoplador. El diodo se
polariza con un voltaje promedio de 2V.
• RB, es el voltaje de la base del transistor.

• Vo es el voltaje de base entre 3.3 V y 5 V

• IB es la corriente de saturación de base del
transistor.