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Modulo Iii - Submodulo Ii: Cecyte - Tulancingo Mecatrónica
Modulo Iii - Submodulo Ii: Cecyte - Tulancingo Mecatrónica
CECyTE – Tulancingo
Mecatrónica
Canal P
JFET Canal N
MESFET
FET MOSFET Acumulación
Canal P
Canal N
Deplexión Canal P
Canal N
BJT:Transistores bipolares de unión.
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-
semiconductor.
ATE-UO Trans 01
Características comunes a todos los
transistores (I)
•Son dispositivos (típicamente) de 3 terminales.
•Dos de los tres terminales actúan como terminales de salida. Un terminal es común a
entrada y salida.
ie is
+ +
Ve Vs
- -
Entrada Cuadripolo Salida
ATE-UO Trans 02
Características comunes a todos los
transistores (III)
is +
Zona Activa is
+ Vs
-
Vs = -
is is
Zona de +
Saturación
-
Vs = Vs=0
is is=0
Zona de +
+
Corte
-
Vs = Vs
- ATE-UO Trans 04
Transistores bipolares de unión (I)
Transistor PNP: zona P, zona N y zona P
Transistor NPN: zona N, zona P y zona N
Colector (P) Colector (N)
Base Base
(N) (P)
PNP Emisor (P) NPN Emisor (N)
•El emisor debe estar mucho más dopado que la base.
•La base debe ser mucho más pequeña que la longitud de
difusión de los mayoritarios del emisor. (video) mostrar Muy, muy
importante
ATE-UO Trans 05
El sistema de puente en H de ejemplo se basa en la utilización de
interruptores, los cuales los permitirán pasar o cortar la corriente
en un determinado sentido.