Barrera de potencial en un diodo

En el punto de unión p-n de las dos piezas semiconductoras de diferente polaridad que forman el
diodo, se crea una “barrera de potencial”, cuya misión es impedir que los electrones libres
concentrados en la parte negativa salten a la parte positiva para unirse con los huecos presentes
en esa parte del semiconductor, hasta tanto los electrones no alcancen el nivel de energía
necesario que le debe suministrar una fuente de energía externa conectada a los dos extremos
del diodo, no podrán atravesar esa barrera.
 Efecto de potencial de barrera
• Cuando se utiliza el modelo práctico del diodo con el potencial de barrera de 0.7 V tomado en cuenta, sucede lo descrito a
continuación: Durante el semi ciclo positivo, el voltaje de entrada debe superar el potencial de barrera para que el diodo
se polarice en directa. Esto produce una salida de media onda con un valor pico 0.7 V menor que el valor pico de la
entrada
• 𝑉𝑝(𝑠𝑎𝑙) = 𝑉𝑝(𝑒𝑛𝑡) − 0,7V
Preguntas
• La unión p-n ¿es igual a?
• ¿Qué es PIV?