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Universidad Privada Antenor Orrego

Ingeniería Electrónica
Circuitos Analógicos 2
MODELO DE PARAMETROS HIBRIDOS
PEQUEÑA SEÑAL
ALTA FRECUENCIA

CIRCUITO “ π ”
HIBRIDO EQUIVALENTE
DE UN BJT
CIRCUITO EQUIVALENTE DEL TRANSISTOR

ib

hie βib
CIRCUITO “ π ” HIBRIDO EQUIVALENTE

B C

E
ib

B Rbb´ Rb´e Cb´c C
vB´E gm vB´E
Cb´e

E
Cb´e

B
EMISOR BASE Rb b´
CONTACTOS DE CONTACTOS DE
ALUMINIO ALUMINIO
P

N+

N

Cb´c
COLECTOR
hie = Rb b´ + Rb´e

hie β hie
hie = -------- + -------------- = Rx + Ry
(1 + β) (1 + β)

Cb´e = Ce = Capacidad de Difusión del diodo B-E (dir) pF

Cb´c = Cc = Capacidad de Transición del diodo B-C (inv) pF


CIRCUITO “ π ” HIBRIDO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO

B C

E
ib

B Rbb´ Rb´e gm vB´E C
vB´E
CM CM´

E
TEOREMA DE MILLER
I + I (Z) -

A V1 V2 B

V1 = I (Z) + V2 V2 = G (V1)
V1 = I (Z) + G (V1)
(1 – G) V1 = I (Z)
V1 / I = Zeq = Z / (1 – G)
I
Z Z(-G)
A V1 V2 B
(1 – G) (1 – G)
hie = Rb b´ + Rb´e

hie β hie
hie = -------- + -------------- = Rx + Ry
(1 + β) (1 + β)

CM = Capacidad de Miller = Cb´e + Cb´c (1 – G)

CM = Cb´e + Cb´c (1 – AvBJT) = Cb´e + Cb´c (1 + β Ro/hie)

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