DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

CONTENIDO
• INTRODUCCION A LOS SEMICONDUCTORES
• APLICACIONES DEL DIODO
• DIODOS PARA PROPÓSITO ESPECIAL
• TRANSISTORES DE UNIÓN BIPOLAR
• CIRCUITOS DE POLARIZACION CON TRANSITORES
• AMPLIFICADORES CON BJT
• AMPLIFICADORES DE POTENCIA
• TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO(FET)
• AMPLIFICADORES BASADOS EN FET Y CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN
• RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR
• TIRISTORES
INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES
• ESTRUCTURA ATÓMICA
• AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES
• CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
• SEMICONDUCORES TIPO N Y TIPO P
• EL DIODO
• POLARIZACIÓN DE UN DIODO
• CARACTERÍSTICAS DE VOLTAJE-CORRIENTE DE UN DIODO
• MODELOS DEL DIODO
• PRUEBA DE UN DIODO
ESTRUCTURA ATÓMICA
• MODELO ATOMICO DE BOHR
• NUMERO ATÓMICO:
#p+ = #e- , en un átomo neutro.

• CAPAS Y ORBITAS DE LOS ELECTRONES:

Electrones describen orbitas discretas
Órbitas forman bandas de energía(capas)

• NÚMERO MÁXIMO DE ELECTRONES POR CAPA:

• ELECTRONES DE VALENCIA:
-Electrones ubicados en la ultima capa(Capa de valencia).
-Define las propiedades eléctricas.
• IONIZACIÓN:
-Proceso de perder un electrón de valencia.
-Resulta un ion positivo.
-Genera un electrón libre.
AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES
• AISLANTES:
-No conduce corriente eléctrica.
-Pocos electrones libres.
• CONDUCTORES:
-Conduce corriente eléctrica fácilmente.
-Electrones libres = Electrones de valencia.
• SEMICONDUCTORES:
-No es ni buen conductor ni buen aislante.
-Tienen 4 electrones de valencia.
• BANDAS DE ENERGÍA:
• COMPARACIÓN DE UN ÁTOMO SEMICONDUCTOR CON UN ÁTOMO
CONDUCTOR:
• SILICIO Y GERMANIO:
• ENLACES COVALENTES:
CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES
• ELECTRONES DE CONDUCCIÓN Y HUECOS:
-Electrones libres = Electrones de conducción.
-Generación de par: electrón-hueco
• Cuando un electrón de la banda de conducción pierde energía ocurre una
recombinación .
CORRIENTE DE ELECTRÓN Y HUECO
-Aplicación de voltaje en un trozo de silicio intrínseco.
-Electrones libres atraídos al extremo positivo(Corriente de electrón).
-Corriente de huecos en la banda de valencia.
SEMICONDUCTORES TIPO P Y TIPO N

• DOPADO:
-Adición controlada de impurezas al material semiconductor intrínseco.
-Incrementa el número de portadores de corriente(electrones o huecos).
-Portadores de impurezas pueden ser de tipo P, o de tipo N.
• SEMICONDUCTOR TIPO N:
-Agrega átomos de impureza
pentavalente o átomo donador.
-Portadores mayoritarios: Electrones.
-Portadores minoritarios: Huecos.
-Arsénico(As), fosforo(P), bismuto(Bi) y
antimonio(Sb.)
• SEMICONDUCTOR TIPO P:
-Agrega átomos de impureza
trivalente o átomo aceptor.
-Portadores mayoritarios: Huecos.
-Portadores minoritarios: Electrones.
-Boro(B), Indio(In) y Galio(Ga).
EL DIODO
• Dispositivo que conduce la corriente en una sola dirección.
• FORMACIÓN DE LA REGIÓN DE EMPOBRECIMIENTO:
-La región de queda sin portadores de carga.
-Actúa como una barrera ante el movimiento continuo de electrones a través de
la unión.
• POTENCIAL DE BARRERA:
-Se crea un campo eléctrico en la región de empobrecimiento.
-Este campo eléctrico es una barrera para los electrones libres en N.
-Un electrón libre debe consumir energía(externa) para pasar a través del
campo eléctrico.
-La diferencia de potencial del campo eléctrico a través de la zona de
empobrecimiento es el POTENCIAL DE BARRERA(volts).
-El potencial de barrera es:
a) 0.7v en silicio.
b) 0.3v en germanio.
• DIAGRAMAS DE ENERGÍA DE LA UNIÓN PN Y LA REGIÓN DE
EMPOBRECIMIENTO:
POLARIZACIÓN DE UN DIODO

• Nos referimos al uso de un voltaje de CC. para establecer ciertas condiciones

de operación para un dispositivo electrónico.
• En un diodo son de dos tipos:
- Polarización directa.
- Polarización inversa.
• POLARIZACIÓN EN DIRECTA:
-Permite la circulación de corriente a través de la unión pn.
-Lado positivo a la región P, y lado negativo a la región N.
- Vpolarizacion tiene que ser mayor al potencial de barrera.