NANOFABRICACIÓN

CAP 7 NANOFABRICACIÓN
7.1 Nanofabricación con Fotones
7.2 Nanofabricación con Haz de Electrones
7.3 Nanofabricación con Haz de Iones
7.4 Nanofabricación con Sondas de Barrido
7.5 Nanofabricación por Replicación
7.6 Transferencia de Nanopatrones por Ataque Químico
7.7 Transferencia de Nanopatrones por Deposición
7.8 Nanofabricación Indirecta
7.9 Nanofabricación por Autoensamblaje
7.10 Nanofabricación con Impresión 3D
7.11 Aplicaciones de la nanofabricación

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 2

 NANOFABRICACIÓN

Fabricación
• modificar materias primas en con determinadas funciones usando herramientas
• procesamiento mecánico
• cortar, fresar o moldear
• ensamblar
• Rectificado, pulido
• precisión de nanómetros
• no se pueden llamar nanofabricación.
Nanofabricación
• estructuras y partes fabricadas en la dimensión de menos de 100 nm
• Procesamiento planar
• base de la tecnología de fabricación de circuitos integrados

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 NANOFABRICACIÓN

Procesamiento planar
1. modelado y transferencia del modelo de partes o estructuras
• Modelado: litografía óptica, similar a la fotografía
• negativo es una capa de polímero sensible a la energía
• capa de resistencia sobre un sustrato plano
• exposición y revelado
• Transferencia
• modelo revelado se transfiere al sustrato plano
• por ataque o por deposición de una película adicional

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NANOFABRICACIÓN

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 5

 NANOFABRICACIÓN
PROCESAMIENTO PLANAR

2. Proceso planar fabrica estructuras planas 2D, no objetos 3D

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 NANOFABRICACIÓN
PROCESAMIENTO PLANAR

3. fabricación planas es un proceso por lotes

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 NANOFABRICACIÓN
CLASIFICACIÓN

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 NANOFABRICACIÓN
CLASIFICACIÓN

Litografía de proyección
• Proyección de una imagen máscara sobre una capa de resistencia de
polímero revestida sobre un sustrato plano.
• litografía de proyección óptica
• litografía de proyección de electrones
• litografía de proyección de iones
• litografía de proyección de átomos
• fabricación de alto volumen de circuitos integrados

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 NANOFABRICACIÓN
CLASIFICACIÓN

Litografía de sonda
• Sondas no sólidas
• haz de electrones enfocado,
• haz de iones
• Láseres
• haz de átomos
• Sondas sólidas
• Microscopio de efecto túnel
• microscopio de fuerza atómica

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 NANOFABRICACIÓN
CLASIFICACIÓN

Litografía de moldeo
• Nanoimpresión
• nanoimpresión térmica,
• nanoimpresión curado por UV,
• impresión de contacto blandos, etc.
• estampado en caliente
• microinyección

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 NANOFABRICACIÓN
CLASIFICACIÓN

AUTOENSAMBLAJE
• forma estructuras tipo tramado o matrices periódicas
• Usa estructuras como plantilla fabricadas por procesos
• Top-down: descendente
• Bottom- up: ascendente

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES

Litografía óptica o fotolitografía

• máscara o fotomáscara, también llamada retícula (modelo)
• grabado sobre un sustrato plano recubierto con una capa delgada de polímero
fotorresistente con un haz de fotones
• Revelado del modelo máscara dela capa fotorresistente

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES

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NANOFABRICACIÓN CON FOTONES

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con longitudes de onda cortas
UV profundo
Resolución límite de proyección de un método de litografía

donde
λ = longitud de onda de iluminación
NA = apertura numérica del sistema óptico (NA = n sen θ)
k1 = factor del proceso específico de formación de imágenes (k1 < 1)

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con longitudes de onda cortas
UV profundo
láseres excimer
• alta energía de fotones
• longitud de onda más corta
• láseres de descarga de gas pulsado de ultravioleta
Láser excimer de KrF
• fabricación de CI
Láser excimer de ArF
• DUV: deep UV

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con longitudes de onda cortas
UV profundo

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con longitudes de onda cortas
UV profundo

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 20

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con longitudes de onda cortas
UV Extremo
Litografía EUV (EUVL)
• Rayos X blandos
• longitud de onda de 13 nm
• Componentes
• fuente de EUV
• óptica de proyección EUV
• máscara EUV
• resistencia EUV

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con longitudes de onda cortas
Rayos X
Longitud de onda
• rayos X blandos de 1 nm hasta rayos X duros de 0.1 nm
Materiales de bajo número atómico
• transparentes a los rayos X,
Materiales de alto número atómico
• Au, W, Ta y otros metales pesados
• ​ bloquean los rayos X

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con longitudes de onda cortas
Rayos X

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

NA es equivalente al diámetro de una lente

Lente con diámetro grande
• colecciona más rayos de luz difractados
• enfoca la imagen sobre el plano focal
Difracción de la luz a través de una característica pequeña
• cuanto más pequeños sean los detalles de la característica,
• se difractarán más rayos de luz del eje óptica central

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

Sistema óptico de lentes

• mientras mas alto el valor de NA
• más rayos de luz difractada formarán la imagen sobre el plano focal
• mejor imagen de las características de la máscara modelo
• imagen más brillo y más contraste
• mejora la resolución de la litografía óptica

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 27

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

Profundidad de enfoque (DOF, depth of focus)

• relacionada con la longitud de onda de iluminación y la apertura numérica

• k2 = constante relacionada con un sistema de litografía y un proceso fotorresistente

específicos (k2 < 1)
• aplicable para NA menor de 0.5

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

Para NA mayores de 0.5

DOF parámetro más importante para la litografía de circuitos integrados

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 29

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

Sistema óptico con más A alto valor de NA es más

• complejo
• más grande
• más pesado
• costoso

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 31

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 32

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

Formación de Imágenes por inmersión

• desarrollo más importante de la historia de la litografía óptica
• EUV,
• proyección de electrones,
• proyección de iones
• nanoimpresion
• utilizado durante hace más un siglo por el microscopio óptico para
• mejorar la resolución de la imagen
• investigación médica y biológica

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 33

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

Comparación esquemática de formación de imágenes con lentes "húmedos"

(mitad derecha) y lentes "secos" (mitad izquierda)

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 34

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

Ángulos de refracción de la luz en diferentes medios con NA = 0,85

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 35

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Alta NA

Diseño de nuevos materiales para los

• líquidos de inmersión
• materiales de las lentes
• Requerimientos
• baja absorción a 193 nm de longitud de onda
• baja variación del índice de refracción con respecto a la temperatura (dn/dT)
• viscosidad y humectación del líquido de inmersión adecuado para el escaneo a alta
velocidad
• baja coloración de la fotorresistencia y bajo nivel de defectos
• fácilmente disponible a un costo relativamente bajo

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 36

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Bajo Factor k1

Definición del criterio de Rayleigh

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 37

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Bajo Factor k1

Origen de k1
• Criterio de Rayleigh
• El mínimo detalle resoluble de dos imágenes con un sistema óptico está limitado por la
difracción.
• Dos puntos de luz son resolubles cuando un mínimo de difracción del punto de luz de la
imagen coincide con el máximo de otro punto de luz de la imagen.
• Por difracción a través de una apertura circular

• θR = ángulo de la intensidad mínima de difracción en el plano de la imagen

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 38

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Bajo Factor k1

Límite de resolución
• separación mínima de la intensidad de dos puntos de luz difractados
• mitad de la distancia entre dos mínimos de difracción

• k1 = 0.61

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 39

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Bajo Factor k1

Resumen de las técnicas de mejoramiento de la resolución

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica con Bajo Factor k1

Reducción del factor k1 hasta la introducción de la litografía óptica de 193 nm

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 41

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica de campo cercano

Litografía óptica de proyección

• Proceso óptico de formación de imagen de campo lejano
• límite de resolución fundamental de λ/2
Litografía óptica de contacto
• proceso óptico de formación de imagen de campo cercano
• sin espacio para que la onda de luz se desplace entre la apertura de la máscara y la
capa de fotorresistencia, excepto dentro de la capa de fotoprotección.
Litografía óptica de campo cercano
• denominado también litografía óptica de campo cercano evanescente
• (ENFOL, evanescent near-field optical lithography)

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 42

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica de campo cercano

Configuración de la litografía óptica de campo cercano

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica de Talbot

Efecto Talbot
• Fenómeno óptico descubierto hace 200 años
• Cuando un haz de luz monocromático pasa a través de una máscara con aperturas
periódicas, las imágenes de las aperturas de la máscara reaparecen a diferentes
distancias de la máscara y, a una determinada distancia, estas imágenes pueden ser
más pequeñas que la dimensión de apertura de la máscara.
• Efecto de la interferencia de las ondas detrás de la máscara con aperturas
• se puede utilizar para estructuras de patrones mucho más pequeños que las
características de una máscara.

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 44

 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica de Talbot

Longitud de Talbot, ZT

• a = período de rejilla
• λ = longitud de onda de la luz incidente.
A fracciones enteras de distancia de la longitud Talbot
• se forman subimágenes de Talbot
• con una frecuencia que es un múltiplo de la frecuencia de la red

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica de Talbot

Demostración del efecto Talbot

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 NANOFABRICACIÓN CON FOTONES
Litografía óptica interferométrica

Ingeniería de Materiales Nanofabricación 47