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Diodo
Diodo
• La unión PN en equilibrio.
• Polarización del diodo. Polarización
directa e inversa.
• Curva característica. Influencia de la
temperatura.
• El diodo como rectificador.
• El diodo Zener.
• Diodos LED
• El diodo Schottky
La unión PN en equilibrio
P N A temperatura ambiente, los
huecos de la zona p pasan por
difusión hacia la zona n y los e-
de la zona n pasan a la zona p.
En la zona de la unión, huecos y
e- se recombinan, quedando una
estrecha zona de transición
Ipdif Ipdes con una distribución de carga
300
0 K K
Indes Indif debida a la presencia de los
V0 iones de las impurezas y a la
r ausencia de huecos y e-.
E
Se crea, entonces un campo
eléctrico que produce
corrientes de desplazamiento,
que equilibran a las de
Xp Xn
difusión.
La unión PN en equilibrio
pp0 » NA nn0 » ND
E
Xp Xn
np0 pn0
Xp + Xn
0
V
- V0
Xp Xn
-qNA Diferencia de potencial
Distribución de carga
La unión PN en equilibrio
pp 0 nn0
V0 Vxn Vxp VT ln VT ln VT = 0.026 V a 300 K
pn 0 np0
NAND
V0 Vxn Vxp VT ln 2
ni
I VD
r
E
V0 + VI
V0
VI I0 <<<<
R
I
0.0000 mA 0 mV
0
V
Curva característica
VV
I I0 e T
1
0,15
I (mA)
kT
0,05
VT
qe
I0 < mA
Io
0,2 0,4 0,6 0,8
-0,05
V (V)
R R
I I
I
Aproximación lineal (2ª)
Se considera que el diodo conduce sin
resistencia por encima de la tensión umbral, y
no conduce por debajo de la misma. Esto
I
equivale a considerar un diodo como un
interruptor o un diodo ideal en serie con un
receptor.
VU= 0.3 V para el diodo de Ge
Rd = DV/DI
R=1k I (mA) DI
0,05
V0 = 6V I DV
Io
0,2 0,4 0,6 Vu 0,8
R=1k -0,05
V (V)
V0 = 6V I
Rd = 500
VU=0.7 V V0 VU 6 0 .7
I 3.5 mA
R 1000 500
Tres modelos de diodo
ID
Diodo ideal
(1ª aproximación)
VD
ID
VU
Modelo simplificado
(2ª aproximación)
VU VD
ID
VU RD RD
Modelo lineal
(3ª aproximación)
VU VD
Influencia de la temperatura
Eg
I0 CT 3 e kT
300 K
310 K
320 K
-0.1
-70 -20 30 80 V (mV)
Capacidad de la unión p-n
V0 -qNA +qND
p n
r
E
xp xn
-qNA +qND xp xn
Varactores
El diodo como rectificador
De media onda:
V
V
~ salida
t
t
De onda completa:
~
V
Salida
~
Diodo Zener
I
• Ruptura Zener
zona de transición
Portador
minoritario
zona de transición
I
R
Vs= Vz
Conduce
Vz
V0 Vz Vs= Vz
V
Diodo Zener: aplicaciones
Regulador de R=1k Las tensiones Vz» [3 - 20V]
tensión Vs
Vs = VZ=
V0 = 6V I Vz=5V 5V
V Vz 6 5
I 0 1 mA
R 1k
Vs = Vz
V V
Vrizada
t Vz Vs t
V0
Diodo Schottky
electrones.
En los diodos de silicio y germanio la FOTÓN
es mayoritariamente en forma de
calor. P N
En los de GaAsP y GaP es, de modo
significativo, en forma de luz visible:
electroluminiscencia.
Color de la luz emitida por LED
GaAs dopado con Zn
I
GaAs0.6P0.4
GaAs0.35P0.65
GaAs0.15P0.85
1 2 3 V (V)
SiC, ZnSe
Intensidad a través del diodo
10 V 2 k
0.7 V
7V
i i
35 k
Intensidad a través del diodo
12 V 30 k
0.3 V
i
10 k
5 k
i2 i1
0.7 V
0.25 80 20
10 0.7
20 V J2 43.6 mA
J2 80 10
10 k 10 40
30 k
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El diodo como rectificador
Si Vu = 0,7 V
V 5V
4,3 V
~ salida
0,7 V