DIODOS

SEMICONDUCTORES
INTRODUCCION
Los principios fundamentales en este campo cambian
poco con el tiempo.
Los dispositivos que serán analizados en este curso
han estado en uso durante algún tiempo.
Los textos sobre el tema escritos hace una década
siguen siendo buenas referencias cuyo contenido no
ha cambiado mucho.
Los cambios más importantes se han presentado en
la comprensión de cómo funcionan estos dispositivos
y de su amplia gama de aplicaciones.
Actualmente los sistemas son increíblemente más
pequeños.
La miniaturización que ha ocurrido en años recientes
hace que sistemas completos ahora aparezcan en
obleas miles de veces más pequeñas. Ejemplo: el
procesador cuádruple Intel Core 2 Extreme cuenta
con 410 millones de transistores en cada chip de
doble núcleo.
Las velocidades de operación actuales son
extraordinariamente grandes.

Cada día aparecen nuevos equipos.

La miniaturización futura parece estar limitada por
tres factores: la calidad del material semiconductor, la
técnica de diseño y los límites del equipo de
fabricación.

SEMICONDUCTORES

Para entender como funcionan los diodos,

transistores y circuitos integrados es necesario
estudiar los materiales semiconductores:
componentes que no se comportan ni como
conductores ni como aislantes.
MATERIALES SEMICONDUCTORES: Ge, Si y GaAs
La fabricación de cualquier elemento electrónico
(diodos, transistores, etc. ) de estado sólido o circuito
integrado, se inicia con un material semiconductor de
la más alta calidad.
Los semiconductores son una clase especial de
elementos cuya conductividad se encuentra entre la de
un buen conductor y la de un aislante.
Los materiales semiconductores pueden ser de dos
clases: de un solo cristal (Ge: Germanio, Si: Silicio):
tienen una estructura cristalina repetitiva y compuesto
(GaAs: Arseniuro de Galio): se componen de dos o
más materiales semiconductores de diferentes
estructuras atómicas.
y compuesto
Los diodos y transistores construidos en base de Ge
son sensibles a los cambios de la temperatura.

Los diodos y transistores fabricados en base de Si

fueron luego muy utilizados, pues no sólo es menos
sensible a la temperatura, sino que es uno de los
materiales más abundantes en la Tierra.

Pero el campo de la electrónica requiere de

dispositivos más veloces, por lo que se desarrolló del
transistor basado en GaAs que opera a velocidades
hasta de cinco veces la del Si.
En la actualidad se utiliza el GaAs de manera
consistente como material base para diseños de
circuitos integrados de gran escala de integración
(VLSI, por sus siglas en inglés) de alta velocidad.

Se siguen fabricando dispositivos de Ge, aunque

para un número limitado de aplicaciones; el Si tiene
el beneficio de años de desarrollo y es el material
semiconductor líder para la fabricación de
componentes electrónicos y circuitos integrados.
 ENLACE COVALENTE Y MATERIALES
INTRÍNSECOS
Todo átomo se compone de tres partículas básicas:
electrón, protón y neutrón. Los neutrones y los protones
forman el núcleo; los electrones aparecen en órbitas
fijas alrededor de éste. El modelo de Bohr de cuatro
materiales es la siguiente:
Cinco electrones Tres electrones
Capa de valencia Electrón de valencia
de valencia
(Cuatro electrones de valencia) de valencia

Núcleo
El Si tiene 14 electrones en órbita, el Ge 32, el Ga 31 y
el As 33.
El término valencia en los átomos se utiliza para indicar
que el potencial (potencial de ionización) requerido para
remover cualquiera de los electrones de la estructura
atómica es significativamente más bajo que el
requerido para cualquier otro electrón en la estructura.
En el Ge y Si hay 4 electrones de valencia. El As tiene
5 electrones de valencia y el Ga 3.
Los átomos que tienen cuatro electrones de valencia se
llaman tetravalentes, los de tres se llaman trivalentes y
los de cinco se llaman pentavalentes.
Cuando los átomos de un material semiconductor se
combinan para formar un sólido, lo hacen en una
estructura ordenada llamada cristal. En un cristal de Si
o Ge puros, los cuatro electrones de valencia de un
átomo forman un arreglo de enlace con cuatro átomos
adyacentes de tal manera que tiene 8 electrones en la
órbita de valencia.
Los electrones de valencia dejan de pertenecer a un
solo átomo y están siendo atraídos por los núcleos de
los átomos vecinos lo cual los mantiene unidos.

Este enlace de átomos, reforzado por compartir

electrones, se llama enlace covalente.

En un cristal, por ejemplo de silicio, hay miles de

millones de átomos, cada uno con 8 electrones de
valencia. Estos electrones de valencia son los enlaces
covalentes que mantienen unido el cristal, dándole
solidez.
Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro;
o, lo más puro posible que se pueda fabricar utilizando
tecnología actual.

Los electrones libres presentes en un material

intrínseco debido sólo a causas externas se conocen
como portadores intrínsecos. El número de estos es
importante para sus aplicaciones, aunque también la
movilidad relativa (µn), es decir, la capacidad de los
electrones libres de moverse por todo el material. Esta
característica en el GaAs es más de cinco veces que
en el Si.
MATERIALES TIPO n - TIPO p
El análisis se realiza para semiconductores de Si.
Las características de un material semiconductor puro
se pueden modificar con la adición de átomos de
impurezas específicos. Estas impurezas, que pueden
ser de 1 parte en 10 millones, pueden cambiar
totalmente las propiedades eléctricas del material.
Un material semiconductor que ha sido sometido al
proceso de dopado (adición de impurezas) se conoce
como material extrínseco.
Hay dos materiales extrínsecos de importancia en la
fabricación de dispositivos semiconductores:
materiales tipo n y tipo p.
Material tipo n
Un material tipo n se crea introduciendo elementos de
impureza que contienen cinco electrones de valencia
(pentavalentes), como el antimonio, arsénico y fósforo a
un cristal de Si o Ge puros.
Se observa que los cuatros enlaces covalentes
permanecen. Existe, sin embargo, un quinto electrón
adicional debido al átomo de impureza, el cual no está
asociado con un enlace covalente particular.
Este electrón restante, enlazado de manera poco firme
a su átomo padre (antimonio), está en cierto modo libre
para moverse dentro del material (tipo n) recién
formado, puesto que el átomo de impureza insertado
ha donado un electrón relativamente “libre” a la
estructura.

Las impurezas difundidas con cinco electrones de

valencia se conocen como átomos donadores.
Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal de
germanio o silicio puro con átomos de impureza que
tienen tres electrones de valencia (boro, galio e indio).
El número de electrones es insuficiente para completar
las bandas covalentes de la estructura recién formada.
El vacío resultante se llama hueco y se denota con un
pequeño círculo o un signo más y aceptará con facilidad
un electrón libre.
Las impurezas difundidas con tres electrones de
valencia se llaman átomos aceptores.
Si un electrón de valencia adquiere suficiente energía
cinética para romper su enlace covalente y llenar el
vacío creado por un hueco, entonces se creará un vacío
o hueco en la banda covalente que cedió el electrón.
Existe, por consiguiente, una transferencia de huecos
hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha.
Portadores mayoritarios y minoritarios

En el estado intrínseco, el número de electrones

libres se debe sólo a los electrones de la banda de
valencia que adquirieron suficiente energía de fuentes
térmicas o luminosas para romper el enlace covalente o
a las impurezas que no pudieron ser eliminadas. Los
vacíos que quedan en la estructura de enlace covalente
representan una fuente muy limitada de huecos.
En un material tipo n, el número de huecos no cambia
significativamente con respecto a este nivel intrínseco.
El resultado neto, por consiguiente, es que el número
de electrones sobrepasa por mucho al de huecos. Por
eso: en un material tipo n el electrón se llama portador
mayoritario y el hueco portador minoritario.
En el material tipo p el número de huecos excede por
mucho al de electrones. Por consiguiente: en un
material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el
electrón el minoritario.

Cuando el quinto electrón de un átomo donador

abandona el átomo padre, el átomo que queda adquiere
una carga positiva neta: de ahí el signo más en la
representación de ion donador. Por las mismas razones,
el signo menos aparece en el ion aceptor.

Los materiales tipo n y p representan los bloques de

construcción básicos de los dispositivos
semiconductores.
Proceso de dopaje de un cristal de silicio
Primero se funde un cristal puro de Si para romper los
enlaces covalentes y pasar de sólido a líquido. Luego
se añaden átomos pentavalentes al Si fundido.

Cristal de silicio luego de enfriarse y formar de nuevo el cristal sólido

Como únicamente pueden situarse 8 electrones en la
órbita de valencia, el electrón adicional queda en una
órbita mayor. Por lo tanto se trata de un electrón libre.

Cada átomo pentavalente en un cristal de Si, produce

un electrón libre. Un fabricante controla así la
conductividad de un semiconductor dopado.

Cuanto mayor impurezas se añadan mayor será la

conductividad.

Un semiconductor dopado ligeramente tendrá una

resistencia alta y uno fuertemente dopado tendrá una
resistencia pequeña.