Materiales

Materiales semiconductores
semiconductores

Diferencias conductor semicondu

ctor
Semiconductores. Conduccin
intrnseca y extrnseca
Modelo de bandas de energa
Ley de accin de masas
Ley de la neutralidad elctrica
Corrientes de desplazamiento
Corrientes de difusin

Ms
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Descubrimiento
Descubrimientode
delos
lossemiconductores
semiconductoresyyprimeras
primerasaplicaciones
aplicaciones
1782 A. Volta Introduce la palabra semiconductor
1833 M. Faraday Descubre que la conductividad de algunos materiales aumenta con T
1874 F. Braun Primer diodo de vaco

1897 J.J. Thomson Descubrimiento del electrn

Descubre que la corriente elctrica en los metales es debida al movimiento de los
1901 V. E. Riecke
electrones

1903 J. Koenigsberg Postula que la resistividad de los semiconductores depende de T

Propone una teora de bandas del slido y el concepto de impurezas donadoras y

1931 A. Wilson
aceptoras.

1931 W. Heisenberg Concepto de hueco como quasi-partcula de carga positiva

1936 Bell T. Laboratories

Programa de bsqueda para sustituir los conmutadores electromecnicos con otros
basados en semiconductores.

1939 Shockley: dispositivo amplificador basado en semiconductores

1940 Primer fotodiodo basado en la unin p/n de silicio

1947 Invencin del transistor ( Bardeen, Brattain, Shockley )
1948 Primera radio de transistor
Western Electric: primer transistor comercial (amplificador para auriculares para
1951
sordos)

Bardeen, BrattainPresentacin
e Shockley reciben el premio Nobel por la descubrimiento del
por Jos Quiles Hoyo
1956
transistor.
Diferencias
Diferencias conductor
conductor semiconductor
semiconductor
Influencia de la temperatura en la resistencia

108 (m)-1 106 (m)-1

Cu Ge

T T

Efecto Hall
Fotoresistencia

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Variacin
Variacin de
de la
la conductividad
conductividad por
por iluminacin
iluminacin

Fotoconductividad del Ge
luz

A
Frecuencia radiacin
Energa de los fotones

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Efecto
Efecto Hall
Hall
En conductores
VH

va
F J

En semiconductores: silicio dopado con galio

-VH

va
F J

B
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
 Estructura
Estructura de
de un
un metal
metal

+ +
+ + +
+ +
+ + +
+ +
+ + + +
+ + +
+ + +
+ +
+ + +
+ + + +
+ + +
+ + +
+ +
+ + +
+
+ +

1029 e- libres/m3

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Estructura
Estructura de
de un
un semiconductor
semiconductor

1019 e- libres/m3

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Semiconductores.
Semiconductores. Conduccin
Conduccin intrnseca
intrnseca
A 300 K: 1e cada 109
E tomos, 1019 e/m3

Concentracin de e-: (n)

Ge
Concentracin de h : (p)

n=p
0K
T=

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Semiconductores.
Semiconductores. Conduccin
Conduccin extrnseca
extrnseca

tipo N tipo P
E
e poco ligado
(0.03 -0.1 eV)
A
Ga
s
e ocupa el hueco
(0.04 -0.12 eV)

tomo donador P,As,Sb: (ND) tomo aceptor B,Al,Ga,In: (NA)

Portadores mayoritarios: n 1022/m3 Portadores mayoritarios: p 1022/m3
Portadores minoritarios: p 1016/m3 Portadores minoritarios: n 1016/m3
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Donadores
Donadores yy aceptores
aceptores para
para el
el silicio
silicio

1 2
H He
1,008 4,003

3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183

11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948

19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80

37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30

55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Donadores
Donadores yy aceptores
aceptores para
para el
el germanio
germanio

1 2
H He
1,008 4,003

3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183

11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948

19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80

37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30

55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Estructura
Estructura electrnica
electrnica
6
Carbono: 1s2 2s2 2p2
Hidrgeno
aislante
p + +6

Estados o niveles de
energa permitidos
14
Silicio: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
ENERGA DEL e-

32
Germanio: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p63d10 4s24p2
semiconductores

Estao: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p63d10 4s24p64d105s25p2

50

conductor

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energa
energa (continuacin)
(continuacin)

BC BC BC

Eg = 10 eV Eg = 1 eV

BV BV BV

Aislante Semiconductor Conductor

Eg(Si) = 1,12 eV
T = 300 K
Eg(Ge) = 0,66 eV
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energa.
energa. Conduccin
Conduccin
intrnseca
intrnseca

E
Banda de conduccin

T=0K Eg Banda prohibida T>0K

Banda de valencia

Eg (Ge) 0,7 eV n = p = ni
Eg (Si) 1,1 eV

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energa.
energa. Conduccin
Conduccin
extrnseca
extrnseca (tipo
(tipo n)
n)

In de
E Nivel donante impureza
donante
0.01 eV

T=0K T>0K

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energa.
energa. Conduccin
Conduccin
extrnseca
extrnseca (tipo
(tipo p)
p)

Nivel aceptor

0,01 eV

T=0K Huecos en la BV T>0K In de

impureza
aceptora
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
 Ley
Ley de
de accin
accin de
de masas
masas

np = n 22
np = ni i

n: nmero de electrones por unidad de volumen

p: nmero de huecos por unidad de volumen
ni: concentracin intrnseca

ni(Ge, 300 K) = 2,41019 port./m3

ni(Si, 300 K) = 1,51016 port./m3

3 Eg

ni f ( t ) AT 2 e 2kT

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Ley
Ley de
de la
la neutralidad
neutralidad elctrica
elctrica

NA + n = N D + p

Intrnseco NA = ND = 0 p = n = ni

Tipo n NA = 0; n ND
ni2
p
ND
Tipo p ND = 0; p NA
ni2
n
NA

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Concentraciones
Concentraciones de
de portadores
portadores

P
N

Iones de impureza aceptora INMVIL Iones de impureza dadora INMVIL

Hueco dejado por electrn MVIL Electrn liberado por dador MVIL
Electrn trmico MVIL Electrn trmico MVIL
Hueco trmico MVIL Hueco trmico MVIL

NA + n = p ; p >>>>> n; NA p ND + p = n ; n >>>>> p; ND n

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 silicio
el silicio
Ge
Ge Si
Si
Nmero
Nmeroatmico
atmico 32
32 14
14
Masa
Masaatmica
atmica(g/mol)
(g/mol) 72,6
72,6 28,08
28,08
Radio
Radioatmico
atmico(nm)
(nm) 0,137
0,137 0,132
0,132
germanio yy el

22 10 2 22 22
Estructura
Estructuraelectrnica
electrnica [Ar]4s 3d
[Ar]4s 3d 4p 104p 2 [Ne]3s
[Ne]3s 3p 3p
3
Densidad
Densidadkg/m
kg/m3 5323
5323 2330
2330
Temperatura
Temperaturade defusin 937,4
937,4C 1410
1410C
del germanio

fusin C C
Calor
Calorespecfico
especficoJ/kgC
J/kgC 309
309 28 677
677 28
33
Concentracin atmica
Concentracin atmica at/m at/m 4,4210
4,4210 28 4,9610
4,9610 28
19
Concentracin
Concentracin-3intrnseca
intrnseca (300
(300K)K) 2,3610
2,36101921 mm-3-3 1,510 16
1,51016m m
-3-3
-3/2 21
Constante
ConstanteAAmm-3K K-3/2 1,9110
1,9110 21 4,9210
4,921021
Anchura
Anchurabanda
bandaprohibida
prohibida(300
(300K)K) 0,67
0,67eV eV 1,1
1,1eV eV
Propiedades del

22 22
Movilidad
Movilidadelectrones
electrones(300 (300K)K) 0,39 m
0,39 m2 /Vs/Vs 0,135
0,135 mm /Vs
/Vs
2
Movilidad
Movilidadhuecos
huecos(300 (300K)K) 0,182
0,182mm /Vs 2
/Vs 0,05
0,05mm /Vs 2
/Vs
Propiedades

Resistividad
Resistividadintrnseca
intrnseca(300(300K)K) 0,47
0,47-3 m
m2 2300
2300 m
m
-3
Difusividad
Difusividadelectrones
electrones 10,110
10,110 -3mm /s/s 3,510
2
3,510 -3mm22/s/s
-3-3 22 -3-3 22
Difusividad
Difusividadhuecos
huecos 4,910
4,910 m /sm /s 1,310
1,310 mm /s/s
Permitividad
Permitividadelctrica
elctrica 15,7
15,7 12
12
Masa
Masaefectiva
efectivaelectrones
electrones 0,5
0,5mm00 1,1
1,1m m00
Masa
Masaefectiva
efectivahuecos
huecos 0,37
0,37mm00 0,59
0,59m m00
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Conduccin en semiconductores
 Corrientes
Corrientes de
de desplazamiento
desplazamiento


vn = -nE Eext vp = pE

Jn Jp

Jn nqv n n( qe )( nE) nqenE Jp pqv p pqepE

J = Jp + Jn = qe(nn + pp)E = E
= qe(nn + pp)
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
 Corrientes
Corrientes de
de desplazamiento
desplazamiento en
en SC
SC

Intrnsecos Extrnsecos

n n >> p
p = n = ni
qnn

= qe(nn + pp)

= qeni(n + p) p >> n
p qpp

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

 Conductividad
Conductividad de
de semiconductores
semiconductores
30
30

25
25

(S/m)
Conductividad(S/m)
A poca temperatura, 20
20
las impurezas se ionizan Ge
Ge

Conductividad
rpidamente. 15
15
Los portadores procedentes de
Semiconductor
Semiconductorextrnseco
extrnseco10
10 las impurezas, ya ionizadas, no
NND=10 20 -3
20m -3 55 aumentan sensiblemente.
D=10 m
(S/m)
Conductividad(S/m)

22 00
250
250 270
270 290
290 310
310 330
330 350
350 370
370
Conductividad

19 -3 TT(K)
(K)
NND=510
=510 19m -3
m
D
11
A temperaturas altas, la
SiSipuro
puro conduccin intrnseca se
00 hace significativa.
00 100
100 200
200 300
300 400
400Jos 500
500
Presentacin porT (K)
T (K) Hoyo
Quiles

difusin
de difusin

n = 0 dn
n
dx Ley de Ohm

Jdif = -qDn J = -V
Ley de Fick
Corrientes de

Dn Difusividad de electrones (D n Si = 3,510-3 m2/s)

Corrientes

Dp Difusividad de huecos (D p Si = 1,3110-3 m2/s)

Dn Dp kT
Relacin de Einstein: VT
n p q

k (Constante de Boltzmann) = 1,3810-23 JK-1 VT(300 K) = 25,85 mV

Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Corrientes
Corrientes de
de difusin
difusin (continuacin)
(continuacin)

n p

Jn Jp

N P

Jn = qeDnn Jp = -qeDpp

Presentacin por Jos Quiles Hoyo

Variacin
Variacin de
de potencial
potencial en
en un
un semiconductor
semiconductor
con
con dopado
dopado no
no uniforme
uniforme
p(x1) p(x2)

E
p = p(x)

x1 x2

0 x
en circuito abierto Jdif + Jdesp = 0

dp
qDp p p qE 0
dx
kT
Relacin de Einstein: Dp p VT p
q sigue
Presentacin por Jos Quiles Hoyo
Variacin
Variacin de
de potencial
potencial en
en un
un semiconductor
semiconductor con
con
dopado
dopado no
no uniforme
uniforme (continuacin)
(continuacin)

dp VT(300 K) = 25.85 mV
VT Edx dV
p
V2 V1
p1 VT
p V2 - V1 VT ln p1 p 2e
p2
V2 V1

n1 VT
n V2 - V1 VT ln n1 n2e
n2

Ejemplo: p1 = 1016 huecos/m3; p2 = 1022 huecos/m3

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