Docente : Ing.

Moiss Tanca

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Electrnica de Potencia

TIRISTORES
El nombre de Tiristor proviene de la palabra griega , que significa una puerta. Los tiristores son dispositivos semiconductores de 4 capas, llamados tambin diodos de 4 capas, tienen una estructura pnpn adems de algn dispositivo de control. Entre los mas importantes tenemos: SCR (Silicon Controlled Rectifier) SCS (Silicon Controlled Switch)

Para aplicaciones de potencia estos dispositivos se consideran como interruptores ideales.

Rectificador Controlado de Silicio

Es un componente con dos terminales principales, nodo y ctodo y uno auxiliar para disparo opuerta. Se puede decir que se comporta como un diodo rectificador con iniciacin de la conduccin controlada por la puerta: como rectificador, la conduccin no es posible en sentido inverso, pero s en sentido directo.

SCR

Sin embargo, a diferencia de los diodos, el tiristor no conduce en sentido directo hasta que no se aplica un pulso de corriente por el terminal de puerta.

El instante de conmutacin (paso de corte a conduccin), puede ser controlado con toda precisin actuando sobre el terminal de puerta, por lo que es posible gobernar a voluntad el paso de intensidades por el elemento, lo que hace que el tiristor sea un componente idneo en Electrnica de Potencia, ya que es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez como comprobaremos con posterioridad

IH: Corriente de mantenimiento. Es la corriente mnima de nodo que se requiere para que el dispositivo siga mantenindose en conduccin, despus de dispararse.

Ia

IBO, definida como la corriente de nodo mnima que hace bascular al tiristor del estado de bloqueo al estado de conduccin.
VH : voltaje de mantenimiento. VBO :Tensin de ruptura directa , si es alcanzada, el dispositivo entra en conduccin sin daarse. Es decir: se dispara. VRWM : Tensin de ruptura inversa, si es alcanzada, aunque sea por una vez, el dispositivo colapsa y se destruye. VBR

IH VAK

VH

VBO

CARACTERSTICAS ESTTICAS DEL TIRISTOR

1. VAk < 0 (zona de bloqueo inverso). Dicha condicin corresponde al estado de no conduccin en inversa, comportndose como un diodo. 2. VAk > 0 sin disparo (zona de bloqueo directo). El tiristor se comporta como un circuito abierto hasta alcanzar la tensin de ruptura directa. 3. VAk > 0 con disparo (zona de conduccin). Se comportar como un cortocircuito, si una vez ha ocurrido el disparo, por el SCR circula una corriente superior a la corriente de enclavamiento. Una vez en conduccin, se mantendr si el valor de la corriente nodo-ctodo es superior a la corriente de mantenimiento.

Interruptor controlado de silicio SCS

Este dispositivo se comporta de manera similar al SCR, adems tiene una terminal adicional; este dispositivo se puede disparar por medio de cualquiera de sus dos puertas (de nodo y ctodo) Para analizar su funcionamiento al igual que en un SCR es de utilidad dividir las 4 zonas en 2 transistores como se muestra en la figura:

SIMBOLO DEL SCS

Formas de encendido del SCS

Con tensin positiva en la compuerta del ctodo
Al aplicar un pulso positivo en la compuerta del ctodo el transistor T2 se enciende. Al encenderse T2, el transistor T1 se hace mas sensible al incremento de tensin en Vak as cuando este se incrementa el interruptor se dispara y entra en conduccin.

Con tensin positiva en la compuerta del ctodo

Al aplicar un pulso negativo en la compuerta del nodo el transistor T1 se enciende. Al encenderse T1, el transistor T2 se hace mas sensible al incremento de tensin en Vak as cuando este se incrementa el interruptor se dispara y entra en conduccin.