SEMICONDUCTORES

Prof: HERNAN Cortez Galindo

QU ES UN SEMICONDUCTOR?
Elemento que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de las condiciones en las que se encuentre. El numero de electrones libres de un semiconductor depende de los siguientes factores: Calor, luz, campos elctricos y magnticos.

Materiales semiconductores
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si) Compuestos IV: SiC y SiGe Compuestos III-V: Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb Ternarios: GaAsP, AlGaAs Cuaternarios: InGaAsP Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe

Son Son materiales materiales de de conductividad conductividad intermedia intermedia entre entre la la de de los los metales metales y y la la de de los los aislantes, aislantes, que que se se modifica modifica en en gran gran medida medida por por la la temperatura, temperatura, la la excitacin excitacin ptica pticay ylas lasimpurezas. impurezas.

SEMICONDUCTORES
Fundamentos de los semiconductores
tomos de Silicio y Germanio: Ms comnmente empleados en electrnica

BANDAS DE ENERGIA

Son los niveles de un tomo los cuales pueden estar influenciados por energa externa o energa interna, en el tomo con estructura cristalina ordenada estn: la banda de conduccin, la banda de valencia

Diagramas de bandas
Diagrama de bandas del Ge Energa 4 estados/tomo Eg=0,67eV - - 4 electrones/tomo - -

Banda de conduccin Banda prohibida Banda de valencia

Si Si un un electrn electrn de de la la banda banda de de valencia valencia alcanza alcanza la la energa energa necesaria necesaria para para saltar saltar a a la la banda banda de de conduccin, conduccin, puede puede moverse moverse al al estado estado vaco vaco de de la la banda banda de de conduccin conduccin de de otro otro tomo tomo vecino, vecino, generando generando corriente corriente elctrica. elctrica. A A temperatura temperatura ambiente ambiente algunos algunos electrones electrones tienen tienenesta estaenerga. energa. Es Esun unsemiconductor. semiconductor.

Diagramas de bandas
Banda de conduccin Eg Banda de valencia Aislante Eg=5-10eV Banda de conduccin
Eg

Banda de conduccin

Banda de valencia Semiconductor Eg=0,5-2eV

Banda de valencia Conductor No hay Eg

A A 0K, 0K, tanto tanto los los aislantes aislantes como como los los semiconductores semiconductores no no conducen, conducen, ya ya que que ningn ningn electrn electrn tiene tiene energa energa suficiente suficiente para para pasar pasar de de la la banda banda de de valencia valencia a a la la de de conduccin. conduccin. A A 300K, 300K, algunos algunoselectrones electronesde delos lossemiconductores semiconductoresalcanzan alcanzaneste estenivel. nivel.Al Al aumentar aumentar la la temperatura temperatura aumenta aumenta la la conduccin conduccin en en los los semiconductores semiconductores(al (alcontrario contrarioque queen enlos losmetales). metales).

Representacin plana del Germanio a 0 K Ge Ge Ge Ge

No No hay hay enlaces enlaces covalentes covalentes rotos. rotos. Esto Esto equivale equivale a a que que los los electrones electrones de de la la banda banda de de valencia valencia no no pueden pueden saltar saltar a ala labanda bandade deconduccin. conduccin.

G e

G e

G e

G e

Situacin del Ge a 0K 300 K G e G e G e G e

99 Hay 1 enlace roto por cada 1,710 Hay 1 enlace roto por cada 1,710 tomos. tomos. Un Un electrn electrn libre libre y y una una carga carga + + por por cada cada enlace enlace roto. roto.

G e

G e

G e

G e

Siempre Siempre se se estn estn rompiendo rompiendo (generacin) (generacin) y y reconstruyendo reconstruyendo (recombinacin) (recombinacin) enlaces. enlaces. La La vida vida media media de de un un electrn electrn puede puede ser ser del del orden orden de de milisegundos milisegundos o o microsegundos. microsegundos.

G e

G e

G e

G e

Recombinacin

Generacin

Generacin

G e

G e

G e

Recombinacin G
e

Muy importante

Generacin

Situacin del Ge a 300 K -

 El Elelectrn electrnlibre librese semueve muevepor poraccin accindel delcampo. campo. Y Yla lacarga carga+ +?. ?.

G e

G e

G e

G e

- -

--

G e

G e

G e

G e

- -

Aplicacin de un campo externo

+++++++

 La Lacarga carga+ +se semueve muevetambin. tambin.Es Esun unnuevo nuevo portador .. portadorde decarga, carga,llamado llamado hueco hueco

G e

G e

G e

G e

--

G e

G e

G e

G e

Muy importante

Aplicacin de un campo externo

+++++++

Movimiento de cargas por un campo elctrico exterior

jp

jn

Existe Existecorriente corrienteelctrica elctricadebida debidaa alos losdos dosportadores portadoresde decarga: carga:

jj =q pp p p es esla ladensidad densidadde decorriente corrientede dehuecos. huecos. p p=q jj =q nn n n es esla ladensidad densidadde decorriente corrientede deelectrones. electrones. n n=q

+ +

+++++

Movimiento de cargas por un campo elctrico exterior

jp=q pp

jn=q nn

q = carga del electrn p = movilidad de los huecos n = movilidad de los electrones p = concentracin de huecos n = concentracin de electrones = intensidad del campo elctrico Ge Si As Ga
(cm2/Vs) (cm2/Vs) (cm2/Vs)

n p

3900 1900

1350 480

8500 400

Muy importante

Semiconductores Intrnsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados Semiconductores Intrnsecos, en los que: No hay ninguna impureza en la red cristalina. Hay igual nmero de electrones que de huecos n = p = n i
Ge: ni = 21013 portadores/cm3 Si: ni = 1010 portadores/cm3 AsGa: ni = 2106 portadores/cm3 (a temperatura ambiente)

Pueden Puedenmodificarse modificarse estos estosvalores? valores? Puede Puededesequilibrarse desequilibrarseel elnmero nmero de de electrones electrones y yde de huecos? huecos? La Larespuesta respuestason sonlos los Semiconductores Semiconductores Extrnsecos Extrnsecos

Semiconductores Extrnsecos
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del

grupo V

Tiene 5 electrones en la ltima capa

A A 0K, 0K, habra habra un un electrn electrn adicional adicional ligado ligado al al tomo tomo de de Sb Sb

G e

Sb

G e

G e

- -

0K

G e

G e

G e

G e

Sb, P, AS (Pentavalente)

Semiconductores Extrnsecos Tipo N

A A 300K, 300K, todos todos electrones electrones adicionales adicionales de de los los tomos tomos de de Sb Sb estn estn desligados desligados de de su su tomo tomo (pueden (pueden desplazarse desplazarse y y originar originar corriente corriente

elctrica). elctrica). El El Sb Sb es es un un donador donador y y en en el el Ge Ge hay hay ms ms electrones electrones que quehuecos. huecos.Es Esun unsemiconductor semiconductor tipo tipo N. N.

G e

Sb Sb+

G e

G e

- -

300K 0K

Ge

Ge

Ge

Ge

Semiconductores Extrnsecos
Interpretacin en diagrama de bandas de un semiconductor extrnseco Tipo N

Energa

34est./atm. est./atm. 10electr./atom. electr./atm. ESb=0,039eV

300K 0K Eg=0,67eV

- - - 4 electr./atom.
El El Sb Sb genera genera un un estado estado permitido permitido en en la la banda banda prohibida, prohibida, muy muy cerca cerca de de la la banda banda de de conduccin. conduccin. La La energa energa necesaria necesaria para para alcanzar alcanzar la la banda banda de de conduccin conduccinse seconsigue consiguea ala latemperatura temperaturaambiente. ambiente.

Semiconductores Extrnsecos Tipo P

Introducimos pequeas cantidades de impurezas del

grupo III

B, Ga, In, Al, Ta ( Trivalente)

Tiene 3 electrones en la ltima capa

A A 0K, 0K, habra habra una una falta falta de de electrn electrn adicional adicional ligado ligado al al tomo tomo de de Al Al

G e

Al

G e

G e

0K

Ge

Ge

Ge

Ge

Semiconductores Extrnsecos Tipo P

+

A A 300K, 300K, todas todas las las faltas faltas de de electrn electrn de de los los tomos tomos de de Al Al estn estn cubiertas cubiertas con con un un electrn electrn procedente procedente de de un un tomo tomo de de Ge, Ge, en en el el que que se se genera genera un un hueco. hueco. El El Al Al es es un un aceptador aceptador y y en en el el Ge Ge hay hay ms ms huecos huecos que que electrones. electrones. Es Es un unsemiconductor semiconductor tipo tipoP. P.

G e

Al Al

G 4 (extra) e

G e

300K 0K

Ge

Ge

Ge

Ge

Semiconductores Extrnsecos
Interpretacin en diagrama de bandas de un semiconductor extrnseco Tipo P

Energa

4 est./atom. - - 4 + 3 electr./atom. - - 0 1 huecos/atom. hueco/atom.

EAl=0,067eV

300K 0K Eg=0,67eV

El El Al Al genera genera un un estado estado permitido permitido en en la la banda banda prohibida, prohibida, muy muy cerca cerca de de la la banda banda de de valencia. valencia. La La energa energa necesaria necesaria para para que que un un electrn electrn alcance alcance este este estado estado permitido permitido se se consigue consigue a a la la temperatura temperatura ambiente, ambiente, generando generando un un hueco hueco en enla labanda bandade devalencia. valencia.

Resumen
Semiconductores intrnsecos:
Igual nmero de huecos y de electrones
Muy importante

Semiconductores extrnsecos: Tipo P:

Ms huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios) Impurezas del grupo III (aceptador) Todos los tomos de aceptador ionizados -.

Tipo N:
Ms electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios) Impurezas del grupo V (donador) Todos los tomos de donador ionizados +.

Ecuaciones en los semiconductores extrnsecos

ND= concentr. donador NA= concentr. aceptador

Neutralidad elctrica (el semiconductor intrnseco era neutro y la sustancia dopante tambin, por lo que tambin lo ser el semiconductor extrnseco): Dopado Dopadotipo tipoN: N: Dopado Dopadotipo tipoP: P: n n= =p p+ +N N D D n =p n+ +N N A A= p
Muy importante
2 pn pn =n =ni2 i

Ambos = p + NDD Ambosdopados: dopados: n n+ +N N A A = p + N Producto np

Simplificaciones si ND >> ni n=ND NDp = ni2

Simplificaciones si NA >> ni p=NA NAn = ni2

DIODOS SEMICONDUCTORES
Semiconductor extrnseco : TIPO N
Sb

Sb Sb Sb

Sb Sb Sb

Sb Sb Sb

+ +

Impurezas grupo V 300K

Sb

Sb Sb

Sb Sb

Sb

Electrones libres

tomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son electrones libres

DIODOS SEMICONDUCTORES
Semiconductor extrnseco
Al

: TIPO P
Al Al

Al Al Al

Al Al Al

Al

Al

Al Al

Al Al

300K Impurezas grupo III

Al

Huecos libres

tomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son Huecos. Actan como portadores de carga positiva.

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio

+ + +

+ + + +

+ + +

+ + + + + +

Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N

La unin P-N
La unin P-N en equilibrio Zona de transicin

+ + +
+

+ + + +

+ + +

+ + + + + +

Semiconductor tipo P

Semiconductor tipo N

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.