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MASTER OFICIAL EN TECNOLOGA DE LOS SISTEMAS DE ENERGA SOLAR FOTOVOLTAICA

Asignatura 2. Recurso y Generacin Solar Captulo 1. El Mdulo Fotovoltaico. Caracterizacin

Autor:
Mari Carmen Alonso Garca

NDICE

1.

EL MDULO FOTOVOLTAICO. Caracterizacin................................................... 3 1.1. Resumen y objetivos ....................................................................................... 3 1.2. La hoja de caractersticas tcnicas del mdulo fotovoltaico ........................... 4 1.3. Curva caracterstica del mdulo fotovoltaico .................................................. 4 1.3.1. Terminologa ........................................................................................... 4 1.3.2. Ecuacin caracterstica ........................................................................... 6 1.3.3. Asociacin de clulas en serie y paralelo ............................................... 7 1.4. Factores que afectan a la caracterstica I-V del generador fotovoltaico ....... 10 1.4.1. Condiciones de Referencia para la curva I-V ........................................ 13 1.4.2. Eficiencia del mdulo fotovoltaico ......................................................... 14 1.5. Extrapolacin a otras condiciones de operacin .......................................... 15 1.5.1. Procedimiento segn la norma EN-60891 [] ......................................... 15 1.5.2. Traslacin a los valores corregidos de Isc y Voc ..................................... 18 1.6. Las normas internacionales relacionadas con la caracterizacin de mdulos y clulas fotovoltaicas ............................................................................................... 19 1.6.1. Introduccin........................................................................................... 19 1.6.2. Resumen de normas relacionadas con la caracterizacin de dispositivos fotovoltaicos .......................................................................................................... 20 1.7. La medida de la curva I-V ............................................................................. 21 1.8. Referencias captulo 1 .................................................................................. 23

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CONTENIDOS

1. EL MDULO FOTOVOLTAICO. Caracterizacin

1.1. Resumen y objetivos Este captulo se centra en la caracterizacin del mdulo fotovoltaico, como primera unidad comercial en la que se materializa el generador fotovoltaico. El captulo comienza con una descripcin del tipo de informacin que puede hallarse en las hojas de caractersticas tcnicas de los mdulos fotovoltaicos que suministran los fabricantes o es posible encontrar en sus pginas web Por qu? S, nos podramos preguntar el por qu de este comienzo, pues bien, la respuesta es sencilla. Al final, la informacin a la que puede tener acceso un usuario acerca de los diferentes tipos de mdulos que ofrece un fabricante es la que se suministra en las hojas de caractersticas tcnicas. Estar familiarizados con las mismas y, sobre todo, saber interpretar la informacin que all se presenta, es fundamental para todo aquel que quiera profundizar un poco en la energa solar fotovoltaica. A partir de aqu y, teniendo en cuenta la informacin que se presenta en dichas hojas, se profundizar en los aspectos relacionados con las mismas, esto es: Curva caracterstica del mdulo fotovoltaico: Terminologa, factores que influyen en sus variaciones, condiciones de referencia, asociacin de clulas en serie y paralelo, etc. Con esto se podr interpretar toda la informacin elctrica que se presenta en las hojas de caractersticas tcnicas de los mdulos, y tener una visin crtica en la seleccin de un determinado mdulo. Normativa internacional relacionada con la caracterizacin de mdulos fotovoltaicos. Nos dar una idea del tipo de ensayos que se realizan sobre un mdulo para que pueda ofrecer la etiqueta de acreditacin conforme a normativas internacionales La medida de la curva I-V. Nos resumir la manera en que puede obtenerse experimentalmente el principal descriptor del generador fotovoltaico, que es la curva I-V. En definitiva, lo que se pretende es que el alumno se familiarice con la terminologa usada en la descripcin de un mdulo fotovoltaico mediante su curva caracterstica

corriente-tensin, y que sea capaz de interpretar correctamente la informacin ofrecida en las hojas de caractersticas tcnicas de los mdulos fotovoltaicos comerciales.

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1.2. La hoja de caractersticas tcnicas del mdulo fotovoltaico Las principales caractersticas de los mdulos fotovoltaicos disponibles en el mercado se encuentran resumidas en su hoja de caractersticas tcnicas. Es documentacin, suministrada por el fabricante y habitualmente disponible en sus pginas web, en la que se halla la informacin que el comprador y usuario requiere para poder determinar si un mdulo fotovoltaico es el adecuado para sus necesidades. Generalmente, aunque puede variar, la informacin que encontramos en las hojas de caractersticas tcnicas de los mdulos es la siguiente: Caractersticas generales y constructivas: Aqu suele encontrarse documentacin sobre la calidad y las garantas del producto, detalles constructivos del mismo como el tipo de clula, tipo de laminado y encapsulado, las caractersticas de la caja de conexiones, las certificaciones (si las tiene), y las garantas. Esta informacin normalmente se presenta en la primera pgina del documento. Especificaciones mecnicas, caractersticas elctricas y curvas I-V: Se suele presentar en la segunda pgina de la hoja de caractersticas tcnicas del mdulo, con la siguiente informacin: Las especificaciones mecnicas indican el tamao y dimensiones del mdulo, incluido su peso, informacin necesaria a la hora de elegir su estructura de soporte. Las caractersticas elctricas nos muestran los principales parmetros elctricos del mdulos FV, a saber, potencia mxima, corriente de cortocircuito, voltaje de circuito abierto, principales coeficientes de temperatura, etc., es decir, toda aquella informacin relacionada con el comportamiento del modulo en operacin, o partir de la cual nosotros podremos estimar este comportamiento. Finalmente, se suelen incluir detalles de la caracterstica I-V completa del mdulo, con objeto de que el cliente pueda tener una idea del rango posible de corrientes y voltaje La informacin que se presenta en estas hojas de caractersticas tcnicas utiliza la simbologa ms convencional empleada en el mundo fotovoltaico, junto con los parmetros ms representativos. Este tema del sistema de generacin tiene el objetivo de profundizar en todo lo relacionado con el mdulo fotovoltaico, de manera que seamos capaces de interpretar correctamente una hoja de caractersticas tcnicas de un mdulo fotovoltaico, y extrapolar a partir de sta y otros datos que seamos capaces de obtener o medir, cmo va a funcionar mi mdulo en condiciones reales.

1.3. Curva caracterstica del mdulo fotovoltaico

1.3.1. Terminologa La representacin estndar de un dispositivo fotovoltaico es la caracterstica corrientetensin (Figura 1.1). La curva representa las posibles combinaciones de corriente y voltaje para un dispositivo fotovoltaico bajo unas condiciones ambientales determinadas. El dispositivo podr trabajar en cada uno de los pares I-V de la curva, fijndose el punto de trabajo por la carga a la que est conectado.

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5.0 4.5 4.0 Isc 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0.00

Pmax

Corriente (A)

Voc 0.20 0.40 Voltaje (V) 0.60 0.80

Figura 1.1. Curva caracterstica, con sus principales elementos, de una clula fotovoltaica.

Los principales parmetros de la caracterstica I-V del dispositivo fotovoltaico, segn se sealan en la Figura 1.1, son:

Corriente de cortocircuito (Icc notacin espaola, Isc notacin internacional): Es la mxima corriente que producir el dispositivo bajo unas condiciones definidas de iluminacin y temperatura, correspondientes a un voltaje igual a cero. Voltaje de circuito abierto (Vca notacin espaola, Voc notacin internacional): Es el mximo voltaje del dispositivo bajo unas condiciones determinadas de iluminacin y temperatura, correspondientes a una corriente igual a cero. Potencia mxima (Pmax): Es la mxima potencia que producir el dispositivo en unas condiciones determinadas de iluminacin y temperatura, correspondiente al par mximo VxI. Corriente en el punto de mxima potencia (Imax): Es el valor de la corriente para Pmax en unas condiciones determinadas de iluminacin y temperatura. Voltaje en el punto de mxima potencia (Vmax): Es el valor de voltaje para Pmax en unas condiciones determinadas de iluminacin y temperatura. Factor de llenado o fill factor (FF): Es el valor correspondiente al cociente entre Pmax y el producto Isc x Voc. Puede venir expresado en tanto por ciento o tanto por 1, siendo el valor 100% el que correspondera a un hipottico perfil de curva cuadrado, no real. Nos da una idea de la calidad del dispositivo fotovoltaico, siendo ste tanto mejor cunto ms alto sea su factor de llenado.

Generalmente las clulas dentro del mdulo fotovoltaico se asocian en serie, con el fin de obtener unos valores de voltaje ms apropiados para su conexin a distintas cargas o a una batera (el voltaje de una clula estndar suele ser de unos 0.6 V). El voltaje total del mdulo depender, por tanto, del nmero de clulas asociadas en serie. Por el contrario, la corriente que podremos obtener del mdulo fotovoltaico va a depender bsicamente del tipo y tamao de clulas (suponiendo que no haya clulas conectadas en paralelo en el interior del mdulo). La clula clsica de silicio cristalino de 100 cm de rea produce unos 3 A. Actualmente hay clulas FV de tamaos mucho mayores, hasta 15.5x15.5 cm, con valores de corriente de hasta 15-16 A.

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1.3.2. Ecuacin caracterstica Una de las formas ms universales de representar la curva caracterstica corriente tensin de una clula fotovoltaica es utilizando la ecuacin:

V + IRs I = I L I 0 exp m vt

V + IRs (1.1) 1 Rsh

donde IL es la corriente fotogenerada, I0 es la corriente inversa de saturacin del diodo, vt es el voltaje trmico (vt = KT/e , siendo K la constante de Boltzman, T la temperatura en grados Kelvin y e la carga del electrn), m es el factor de idealidad del diodo, Rs es la resistencia serie y Rsh la resistencia paralelo (en espaol se puede representar por Rp). Para el caso de un mdulo FV, su caracterstica elctrica depender fundamentalmente del nmero de clulas en serie y paralelo que posea. Si suponemos que todas las clulas constituyentes de un mdulo fueran iguales, la corriente generada por el mdulo sera igual a la corriente de la clula multiplicada por el nmero de clulas en paralelo, y el voltaje sera igual al voltaje de la clula multiplicado por el nmero de clulas en serie:

I mod = I c x N p
Vmod = Vc x N s

(1.2) (1.3)

donde Np y Ns son respectivamente el nmero de clulas en paralelo y en serie que contiene el mdulo segn se muestra en la Figura 1.2.

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1 2 3

Np

Imod
+
Figura 1.2. Esquema de conexionado elctrico en un mdulo fotovoltaico

Vmod
-

Ns

Teniendo esto en cuenta, si combinamos las ecuaciones (1.1), (1.2) y (1.3) se obtendra, para la curva caracterstica de un mdulo fotovoltaico formado por clulas iguales y con relacin a los parmetros de la clula:

I = N p I L I0

V / N s + IRs / N p V / N s + IRs / N p exp 1 m vt Rsh

(1.4)

Esta ecuacin muestra el mismo comportamiento que la caracterstica I-V de una clula, y de hecho en la prctica, cuando se habla de la ecuacin caracterstica y los parmetros fundamentales de un mdulo fotovoltaico, no se suele hacer referencia a su relacin con la clula solar sino que se escribe la ecuacin (1.1) con todos los parmetros caractersticos (IL, I0, m, Rs y Rsh) del mdulo. En otras secciones de este tema se explicar en detalle las distintas variaciones de la caracterstica I-V del generador fotovoltaico, junto con los principales modelos y la manera de calcular los parmetros.

1.3.3. Asociacin de clulas en serie y paralelo 1.3.3.1. Asociacin serie

Una asociacin serie consiste en la unin del terminal positivo de una clula con el negativo de la siguiente, de forma que los valores de voltaje se suman para un mismo valor de corriente. Supuestamente todas las clulas que componen un mdulo fotovoltaico son idnticas, por lo que sus valores de corriente sern iguales, y el voltaje de la asociacin serie se obtendra multiplicando el nmero de clulas por el voltaje de la clula, segn se ha explicado en el punto anterior. El efecto sobre la caracterstica IV lo podemos observar en la Figura 1.3, donde se ha esquematizado el conexionadao de dos clulas en serie, las curvas I-V individuales y la resultante.

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5.0 Corriente (A) Corriente (A) 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0 0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25

5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0 0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25

Voltaje (V)

Voltaje (V)

Clula 1

Clula 2
Corriente (A)

5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0 0.00

Conexin en serie
2xV

IT=I1=I2 V1 V2

VT=V1+V2

2 x Voc 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25

Voltaje (V)

Figura 1.3. Esquema del conexionado en serie y obtencin de la curva I-V de dos clulas fotovoltaicas asociadas en serie.

1.3.3.2.

Asociacin paralelo

La asociacin paralelo es la conexin de los terminales positivos y negativos de todas las clulas entre s, de forma que los valores de corriente se suman para un mismo valor de voltaje. La corriente de cortocircuito se multiplica por el nmero de elementos conectados en paralelo, e igualmente proporcionales aparecen todos los valores de corriente de la curva I-V, mientras que los voltajes son iguales al voltaje del elemento individual. La Figura 1.4 presenta el esquema del conexionado en paralelo de dos clulas fotovoltaicas, junto con las curvas individuales y la resultante de la asociacin paralelo.

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10.0 Corriente (A) Corriente (A) 8.0 6.0 4.0 2.0 0.0 0.00 0.20 0.40 Voltaje (V) 0.60 0.80

10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0.0 0.00 0.20 0.40 Voltaje (V) 0.60 0.80

Clula 1
10 Corriente (A) 8 6 4 2 0 0.00 0.20 0.40 Voltaje (V) 0.60 0.80
2 x Isc 2xI
Conexin en paralelo

IT = I1+ I2

Clula 2

VT=V1=V2

Figura 1.4. Esquema del conexionado en paralelo y obtencin de la curva I-V de dos clulas fotovoltaicas asociadas en paralelo.

1.3.3.3.

Asociacin mixta

En instalaciones reales la asociacin suele ser mixta, contando elementos tanto en serie como en paralelo. Generalmente se asocian los mdulos primero en serie, constituyendo lo que suele llamarse una rama, para luego asociar las ramas de mdulos en serie en paralelo. La potencia mxima del generador vendr dada por el nmero de mdulos que dispongamos, pero los rangos de corrientes y voltajes van a depender de cmo se realice la asociacin. A modo de ejemplo en la Figura 1.5 podemos ver las curvas I-V de una asociacin de 36 clulas fotovoltaicas con diferentes configuraciones: la asociacin clsica de 36 clulas en serie (36s), la asociacin de 18 clulas en serie para luego asociar estas dos ramas de 18s en paralelo (18s x 2p), o la asociacin de 12 clulas en serie, para luego asociar tres de estas ramas de 18s en paralelo (18s x 3p). El valor de la potencia mxima es el mismo en todos los casos, ya que no cambia el nmero global de clulas, pero los valores de corriente de cortocircuito, voltaje de circuito abierto, y la corriente y voltaje correspondiente al punto de mxima potencia (el par Vm, Im) si varan significativamente en funcin de cmo se efecte la asociacin. La Tabla 1-I muestra estos parmetros para las curvas presentadas en la Figura 1.5.

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12 10 Corriente (A) 8 6 4 2 0 0 5 10 15 20 25 Voltaje (V) 18s x 2p 36s x 1p 12s x 3p 46 W 46 W 46 W

Figura 1.5. Curvas caractersticas de un mdulo fotovoltaico de 36 clulas con diferentes combinaciones serie-paralelo.

Configuracin 36s 18s x 2p 12s x 3p

Isc (A) 2.8 5.6 8.5

Voc (V) 21.6 10.8 7.2

Pmax (W) 46 46 46

Vm (V) 17.7 8.8 5.9

Im (A) 2.6 5.1 7.7

Tabla 1-I. Parmetros principales de las curvas I-V mostradas en la Figura 1.5

1.4. Factores que afectan a la caracterstica I-V del generador fotovoltaico Las caractersticas I-V mostradas en los puntos anteriores presentan las posibles combinaciones de corriente-voltaje para un dispositivo en concreto, pero cuando el mdulo est trabajando en operacin real, hay una serie de factores que hacen que esta curva I-V se modifique sensiblemente con respecto a sus valores nominales. Comentaremos en este apartado los principales factores que influyen en la caracterstica I-V de un dispositivo FV, con las aproximaciones ms generales de uso comn en fotovoltaica. En los apartados de modelado y clculo de energa se mostrarn otros mtodos de clculo con aproximaciones ms complejas. Los principales factores que afectan a la caracterstica I-V de un generador fotovoltaico son la intensidad de iluminacin, la temperatura, la distribucin angular y el contenido espectral de la luz.

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Efecto de la Intensidad de Iluminacin (Irradiancia) La intensidad de iluminacin o irradiancia (G) afecta principalmente a la corriente, de forma que en primera aproximacin se puede considerar que la corriente de cortocircuito del generador fotovoltaico es proporcional a la irradiancia:

I sc (G2 ) = I sc (G1 )
donde:

G2 (1.5) G1

Isc (G2) es la corriente de cortocircuito para un nivel de irradiancia G2 Isc (G1) es la corriente de cortocircuito para un nivel de irradiancia G1.

Esta ecuacin es vlida para variaciones de irradiancia a temperatura constante, y resulta una aproximacin cuando sta vara, ya que supone despreciar los efectos que la temperatura tiene sobre la corriente de cortocircuito. Sin embargo podemos considerarlo como una expresin adecuada para tener una idea de cules seran los valores de la Isc a diferentes irradiancias ya que el error que se comete es inferior al 0.5%. Ms adelante se estudiarn expresiones ms completas para la variacin de la curva I-V completa con la irradiancia. Un ejemplo de la variacin de la curva I-V con la intensidad de iluminacin lo podemos ver en la Figura 1.6. En ella se presenta un ejemplo de esta variacin sobre una curva I-V medida en laboratorio desde 120 W/m hasta 1180 W/m y temperatura constante.

1180 W/m

Aumento de irradiancia Corriente

120 W/m

Voltaje

Figura 1.6. Efecto de la irradiancia sobre la caracterstica I-V de un generador fotovoltaico.

Efecto de la Temperatura La temperatura afecta principalmente a los valores de voltaje de la caracterstica I-V, y tiene su mayor influencia en el voltaje de circuito abierto, aunque tambin modifica los valores del punto de mxima potencia y el valor de Isc (ste muy ligeramente). En la Figura 1.7 puede verse un ejemplo de la variacin de la curva caracterstica I-V de un generador fotovoltaico al variar la temperatura manteniendo la irradiancia constante.

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Corriente

Aumento de temperatura

55C

10C

Voltaje
Figura 1.7. Ejemplo de la variacin de la caracterstica I-V del generador FV al variar la temperatura manteniendo la irradiancia constante.

Existen tres coeficientes , y que representan la variacin de los parmetros fundamentales de la caracterstica I-V del generador fotovoltaico con la temperatura. As, expresa la variacin de la corriente de cortocircuito con la temperatura, la variacin del voltaje de circuito abierto y la variacin de la potencia mxima. Los fabricantes de mdulos FV suelen incluir en sus hojas de caractersticas tcnicas los valores estos tres coeficientes, cuyos valores ms comunes pueden ser:

I sc + 0.04 % (1.6) T V = oc 0.4 % (1.7) T Pmax 0.44% (1.8) = T

Los valores presentados en las ecuaciones (1.6), (1.7) y (1.8) son valores tpicos para dispositivos de silicio monocristalino expresados en porcentaje, sin embargo es ms comn encontrarse estos valores como referencia a los de una clula constituyente del mdulo fotovoltaico con valores tpicos, para el caso de una clula de 100 cm: 1.1 mA/C -2.3 mV/C

1 = 0.0044 1 C Pmax

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Efecto de la distribucin angular de la luz. Los valores nominales del mdulo estn medidos con un haz de luz perpendicular al mismo, sin embargo, cuando ste opera en condiciones reales la luz solar no incide perpendicularmente al mdulo debido al movimiento continuo del sol, lo que hace que aumente las prdidas por reflexin. Estas prdidas suelen considerarse de segundo orden, y se minimizan en el caso de los sistemas con seguimiento, en los que, dependiendo del tipo de seguimiento, puede llegar a tenerse incidencia perpendicular en todo momento. Efecto del contenido espectral de la luz Dependiendo de la hora de medida y la poca del ao el espectro presenta pequeas desviaciones respecto al espectro considerado estndar en la superficie terrestre, y estas variaciones producen fotocorrientes distintas segn sea la respuesta espectral. Existen mtodos matemticos para calcular la correccin espectral en funcin de la localidad, aunque es un factor que suele excluirse de los programas de simulacin comerciales. Si se trata de curvas I-V medidas en exterior y se realiza una medida del espectro en el momento de tomar la medida de la curva I-V , se puede realizar una pequea correccin multiplicando la corriente de cortocircuito por el "factor espectral", obtenido de la comparacin del espectro estndar y el espectro en condiciones experimentales.

1.4.1. Condiciones de Referencia para la curva I-V Dado que la curva caracterstica del mdulo fotovoltaico cambia con las condiciones ambientales, es necesario definir una serie de condiciones de operacin para poder contrastar los valores de distintos fabricantes y extrapolar a partir de ellas a otras condiciones deseadas. Las condiciones ms empleadas son: Condiciones Standard de Medida Son en las de uso ms generalizado y universal, y vienen definidas por: Irradiancia Distribucin espectral Incidencia Normal Temperatura de la clula 1000 W/m AM 1.5G 25C

Normalmente los parmetros caractersticos de los mdulos o clulas incluidos en las hojas de especificaciones tcnicas de los fabricantes vienen definidos en estas condiciones. Si embargo la experiencia muestra que pocas veces los mdulos fotovoltaicos alcanzan estas condiciones, ya que con un nivel de irradiancia de 1000 W/m que puede alcanzarse al medioda, los mdulos adquieren temperaturas de ms de 25 C, a no ser que sea un da claro de invierno. Es por ello por lo que se definen adems, otras condiciones que pretenden representar el comportamiento del mdulo de manera ms realista.

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Condiciones Nominales de Operacin (CNO) Irradiancia 800 W/m Temperatura Temperatura de Operacin Nominal de la Clula (TONC) Velocidad del viento 1 m/s Temperatura ambiente 20C Donde TONC es lo que se define como la temperatura nominal de operacin de la clula, y representa la temperatura que alcanzaran las clulas solares para un nivel de irradiancia de 800 W/m, temperatura ambiente de 20C, velocidad del viento de 1m/s e incidencia normal. El valor de la TONC tambin viene incluido en las hojas de caractersticas tcnicas de los mdulos, y puede tener valores tpicos entre los 47 y los 51 , aunque depende del tipo de tecnologa del modulo (si es lmina delgada, Si-m o Si-p, etc.) y del tipo de encapsulado. La normativa internacional [1] especifica la manera en que ha de calcularse esta temperatura, aunque suele ser informacin fcilmente accesible a travs del fabricante. Dado que las condiciones nominales de operacin hacen referencia a la temperatura ambiente, y no a la temperatura del modulo, se hace necesario una expresin que relacione ambas. Una expresin ampliamente utilizada es:

Tc = Ta +

NOCT 20 G 800

(1.9)

donde

Tc es la temperatura de la clula o mdulo Ta es la temperatura ambiente NOCT es la Temperatura de Operacin Nominal de la Clula G es la irradiancia

1.4.2. Eficiencia del mdulo fotovoltaico La eficiencia de un dispositivo es la manera comn de definir la calidad del mismo. Para el caso de un generador fotovoltaico, sta sera el cociente entre la energa la energa producida por el dispositivo y la energa incidente. Sin embargo, existen varias maneras de definir la eficiencia del generador fotovoltaico, dependiendo del rea del mismo que se tenga en cuenta. As, en los catlogos de fabricantes y en bibliografas de referencia podemos encontrar: Eficiencia con respecto al rea total: Esta definicin implica la relacin entre la mxima potencia generada por el dispositivo y la cantidad de radiacin solar incidente en el dispositivo completo. Por dispositivo completo se entiende el rea total del mdulo, incluyendo clulas, espacio intercelular, contactos y marco del mismo.

reatotal =

Pmax AT GT

(1.10)

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Donde reatotal es la eficiencia con respecto al rea total, Pmax es la potencia mxima que puede generar el dispositivo, AT es el rea total del mismo y GT es la radiacin solar incidente total. Eficiencia con respecto al rea de clula: Es una versin modificada de la anterior, en la que slo se considera el rea cubierta por clulas dentro del mdulo ignorando el espacio entre clulas y el marco del mdulo. De esta manera se evita el efecto de marcos muy grandes, que en realidad no afectan a la calidad de la clulas FV. La expresin sera la misma que la de la ecuacin (1.10), sustituyendo el rea total por el rea de clulas Ac. Eficiencia con respecto al rea activa de clula: Esta definicin implica el clculo de la eficiencia basada solamente en el rea del dispositivo que est expuesta a la luz solar incidente. Las reas sombreadas por los contactos o las rejillas de las clulas no estaran incluidas. Esta es la eficiencia que nos ofrece siempre un valor mayor, aunque normalmente slo se utiliza para clulas individuales y en resultados de laboratorio, y no en dispositivos comerciales acabados.

1.5. Extrapolacin a otras condiciones de operacin La ventaja de representar un sistema mediante un modelo matemtico consiste en la posibilidad de predecir su comportamiento en distintas condiciones de operacin a partir de un nmero mnimo de medidas. En los apartados anteriores se describieron los modelos para ajustar la caracterstica I-V de dispositivos fotovoltaicos de distintos modelos, aqu se explicar la manera de extrapolar a las condiciones que nosotros deseemos la curva I-V en las condiciones de medida o referencia. Ya hemos visto que las variables fundamentales que determinan una variacin de la respuesta elctrica del generador son la irradiancia y la temperatura. Recodatorio: Cmo afecta la irradiancia y la temperatura a la curva I-V? Es comn expresar los parmetros caractersticos de los mdulos con referencia a unas condiciones de irradiancia y temperatura determinadas y aceptadas como Condiciones Estandard de Medida (CEM), que suponen una irradiancia E=1000 W/m y una temperatura T=25C. Para extrapolar a partir de unas condiciones experimentales a CEM u otras condiciones deseadas existen diversos mtodos. Aqu se expondr el que es hasta ahora el ms aceptado (corresponde a una norma internacional), y otro mtodo algo ms sencillo basado en las variaciones de Isc y Voc.

1.5.1.

Procedimiento segn la norma EN-60891 [2]

La norma internacional estndar EN-60891 describe el proceso para corregir con la irradiancia y la temperatura la caracterstica I-V de un dispositivo fotovoltaico siempre que el rango de irradiancia al que se vaya a corregir est en 30% con

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respecto al medido. Segn esta norma, la caracterstica I-V de un dispositivo fotovoltaico se podr corregir a CEM u otras condiciones deseadas aplicando las siguientes ecuaciones:

I (1.11) I 2 = I1 + I sc SR 1 + (T2 T1 ) I MR V2 = V1 Rs ( I 2 I1 ) K I 2 ( T2 T1 ) + ( T2 T1 ) (1.12)


donde: I1, V1 son las coordenadas de los puntos I-V medidos I2, V2 son las coordenadas correspondientes de los puntos en la curva corregida Isc es la corriente de cortocircuito medida del dispositivo test IMR es la corriente de cortocircuito medida para el dispositivo de referencia ISR es la corriente de cortocircuito del dispositivo de referencia en CEM u otras condiciones a las que se deseen extrapolar la curva I-V T1 es la temperatura medida del dispositivo test T2 es la temperatura en condiciones estndar u otras condiciones a las que se extrapole la curva y son los coeficientes de temperatura para la corriente y el voltaje de la especie test a irradiancia estndar u otra irradiancia deseada ( es negativo) Rs es la resistencia interna de la especie test K es un factor de correccin de la curva Determinacin de los coeficientes de temperatura Los coeficientes de temperatura suelen venir incluidos en las hojas de caractersticas tcnicas de los mdulos que suministran los fabricantes. No obstante, explicaremos la manera en que podran calcularse a partir de datos expermientales. Los coeficientes de temperatura y se calculan variando la temperatura de la clula test a una irradiancia fija y registrando los valores de Isc y Voc a las distintas temperaturas. A continuacin se representan grficamente los valores de Isc y Voc en funcin de la temperatura y se construye la recta por mnimos cuadrados para cada conjunto de datos. De las pendientes de las curvas de corriente y voltaje se obtienen los coeficientes de temperatura y respectivamente. Si los coeficientes han sido calculados para clulas y se requiriesen para mdulos o campos de paneles, el coeficiente global se calcula como:

= np c = ns c
donde c y c son los coeficientes de temperatura de la clula, np es el nmero de clulas en paralelo y ns el nmero de clulas en serie. Un valor tpico para c para una clula de Si monocristalino con Isc=3A es de 3 mA/C (1 mA por A y C) y c se puede tomar por defecto como -2.3 mV/C.

Determinacin de la resistencia serie segn la norma EN-60891

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La propia norma EN-60891 establece una manera para determinar la resistencia serie de un dispositivo fotovoltaico utilizando tres curvas I-V medidas a la misma temperatura y tres irradiancias diferentes. El procedimiento es el que sigue:
1. 2. 3. 4. 5. Se traza la caracterstica I-V a temperatura ambiente y dos irradiancias diferentes. Se elige un punto P en la curva I-V de mas irradiancia, con un voltaje ligeramente superior al correspondiente al Pmax (Fig.3.9). Se mide la diferencia I entre la corriente en este punto e Isc1 . Se determina el punto Q de la curva inferior en el cual la corriente es igual a Isc2 I Medimos el desplazamiento en voltaje V entre los puntos P y Q. Calculamos Rs1 segn:

Rs1 =

V I sc1 I sc 2

6. 7.

A continuacin se repiten los pasos 2, 3, y 4 usando una curva medida a un tercer nivel de irradiancia y la misma temperatura, y se determina Rs2 y Rs3 combinando esta ltima curva con las dos primeras. Rs es la media de los tres valores calculados Rs1, Rs2 y Rs3. Determinacin del factor de correccin de la curva K

Segn la misma norma, el factor de correccin de la curva K se puede calcular con los siguientes pasos: 1. 2. Se traza la curva I-V del dispositivo test a una irradiancia de 30% del nivel seleccionado y a 3 temperaturas distinta (T3, T4 y T5) sobre un rango de al menos 30C. Partiendo de un valor de K=1.25x10-3 /C que es tpico para clulas de Si monocristalino se traspone la caracterstica medida a la t T3 hasta T4 aplicando las ecuaciones:

I 4 = I 3 + ( T4 T3

(1.13)

V4 = V3 K I 4 ( T4 T3 ) +
donde 3. 4.

( T4 T3 )

(1.14)

I3, V3 son las coordenadas de los puntos a la temperatura T3 I4, V4 son las coordenadas de los puntos a la temperatura T4

5.

Si la caracterstica I-V transpuesta a la temperatura T4 no coincide con la precisin deseada con la medida se repite el paso 2 insertando diferentes valores de K hasta que la curva transpuesta a la temperatura T4 coincida con la medida. Una vez obtenido el valor apropiado de K se trasponen las curvas medidas a las temperaturas T3 y T4 hasta la t T5. Si las curvas trasladadas no coinciden con la medida, entonces se repite el proceso usando un valor de K ligeramente diferente hasta encontrar un valor de K que ajuste cada uno de los casos. El valor de K que se emplear para corregir segn las ecuaciones (1.11) y (1.12)

ser el valor medio de los tres valores determinados en el punto 4.

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3.5 DV Isc1 DI

2.5

Isc2 DI

1.5

Corriente (A)

0.5

0 0 5 10 15 20 Voltaje (V) 25 30 35 40

Figura 1.8. Determinacin de Rs segn la norma EN-60891.

1.5.2. Traslacin a los valores corregidos de Isc y Voc El mtodo consiste en corregir los valores de Isc y Voc a los niveles de irradiancia y temperatura deseados y posteriormente trasladar toda la curva I-V hasta la Isc y Voc corregidas. Los valores de Isc y Voc en las condiciones deseadas se obtienen segn las ecuaciones:

I sc 2 = I sc1

G2 + ( T2 T1 G1

(1.15)

Voc 2 = Voc1 + m

G kT Ln 2 + ( T2 T1 e G1

(1.16)

donde Isc1, Voc1, T1 y G1 son la corriente de cortocircuito, voltaje de circuito abierto, temperatura e irradiancia respectivamente en las condiciones experimentales, Isc2, Voc2, T2, y G2 son estos mismos parmetros en las condiciones a las que se desea corregir la curva m es el factor de idealidad del diodo (presente tambin en la ecuacin del modelo de una exponencial) y son los coeficientes de temperatura (los mismos que en el mtodo IEC 891)

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k es la constante de Boltzmann y e la carga del electrn. Una vez corregidos los valores de Isc y Voc cada punto de la curva I-V se traslada la cantidad necesaria hasta alcanzar los valores corregidos de Isc y Voc, es decir: I2 = I1 + Isc V2 = V1 + Voc ( Isc = Isc2 - Isc1) ( Voc = Voc2 - Voc1)

Los coeficientes de temperatura y se calculan del mismo modo que propone la norma IEC. El valor de m se puede obtener si se ha modelado previamente la curva. Si no se conoce el valor de m para ese mdulo se puede fijar entre 1 y 1.2 que es un valor tpico para clulas de Si cristalino. Al igual que en apartado anterior, si se conocen los parmetros de la clula y la curva que se va a corregir es de un mdulo, stos tienen que ser multiplicados por el nmero de clulas serie-paralelo:

= np c = ns c

m = ns mc donde el subndice c se refiere al parmetro de la clula, ns es el nmero de clulas en serie y np es el nmero de clulas en paralelo.

1.6. Las normas internacionales relacionadas con la caracterizacin de mdulos y clulas fotovoltaicas

1.6.1. Introduccin Existen diversas normas internacionales en relacin a la energa solar fotovoltaica que tienen el objeto de garantizar la viabilidad de los productos y sistemas cuando stos estn operando en condiciones reales, al tiempo que armonizar los mercados. A nivel mundial, el organismo encargado de desarrollar las normas de energa solar fotovoltaica es la Internacional Electrotechnical Commission- IEC (en Espaa conocido como Comisin Electrotcnica Internacional-CEI). En Europa, se hizo necesario crear un comit con la funcin de asumir los trabajos de normalizacin nacionales de los distintos pases que forman la UE, y para el caso de la normalizacin electrotcnica ste es CENELEC. Finalmente, en Espaa la asociacin Espaola de Normalizacin y Certificacin AENOR, es la encargada desarrollar todas las tareas de normalizacin y certificacin de los sectores industriales y servicios, por lo que se encarga tambin de la normalizacin relacionada con la energa solar fotovoltaica. As, las normas internacionales IEC, cuando pasan a ser aprobadas por CENENLEC tienen su equivalente en normas EN, y al ser aprobadas por AENOR pasan a ser normas espaolas UNE.

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A continuacin se nombrarn las normas IEC-EN existentes en la actualidad relacionadas con la caracterizacin de dispositivos fotovoltaicos, para pasar a comentar brevemente la que est ms relacionada con el tema del mdulo fotovoltaico.

1.6.2. Resumen de normas relacionadas con la caracterizacin de dispositivos fotovoltaicos IEC 60891:1987, amendment 1:1992 (EN-60891: 1994, UNE-EN 60891: 1994). Procedimiento de correccin con la temperatura y la irradiancia de la caracterstica I-V de dispositivos fotovoltaicos de silicio cristalino. IEC 904-1: 1987 (EN-60904-1: 1993, UNE- EN-60904-1: 1994). Medida de la caracterstica intensidad-tensin de mdulos fotovoltaicos. IEC 904-2 1989, Amendment 1: 1998 (EN-60904-2: 1993, EN-60904-2/A1: 1998, UNE-EN-60904-2: 1994, UNE-EN-60904-2/A1: 1998). Requisitos de clulas solares de referencia. IEC 904-3:1989 (EN-60904-3: 1993, UNE-EN-60904-3: 1994). Fundamentos de medida de dispositivos solares fotovoltaicos de uso terrestre con datos de irradiancia espectral de referencia. IEC904-5:1993, (EN-60904-5: 1995; UNE-EN-60904-5: 1996). Determinacin de la temperatura de la clula equivalente (TCE) de dispositivos fotovoltaicos por el mtodo de la tensin de circuito abierto. IEC 60904-6:1994/A1: 1998 (EN-60904-6:1994, modificada por EN-609046/A1:1998, UNE-EN-60904-6:1997, UNE-EN-60904-6/A1:1998) Requisitos para los mdulos solares de referencia. IEC 60904-7:1998 (EN-60904-7:1998, UNE-EN-60904-7:1999). Clculo del error introducido por el desacoplo espectral en las medidas de un dispositivo fotovoltaico (FV). IEC 60904-8:1998 (EN-60904-8: 1998, UNE-EN-60904-8: 1999). Medida de la respuesta espectral de un dispositivo fotovoltaico. IEC60904-10:1998 (EN-60904-10: 1998, UNE-EN-60904-10: 1999). Mtodos de medida de la linealidad. IEC 61215: 1993 (EN 61215: 1995, UNE 61215: 1997). Mdulos fotovoltaicos (FV) de silicio cristalino para aplicaciones terrestres. Cualificacin de diseo y aprobacin de tipo. IEC 61277: 1995 (EN 61277: 1998, UNE-EN 61277: 1998). Sistemas fotovoltaicos (FV) terrestres generadores de potencia. Generalidades y gua. IEC 61345:1998 (EN 61345:1998, UNE-EN 61345:1999). Ensayo ultravioleta para mdulos fotovotlaicos (FV). IEC 61646: 1996 (EN 61646: 1997, UNE-EN 61646: 1997). Mdulos fotovoltaicos (FV) de lmina delgada para aplicaciones terrestres. Cualificacin de diseo y aprobacin de tipo. IEC 61701: 1995 (EN 61701: 1999, UNE-EN 61701: 2000). Ensayo de corrosin por niebla salina para mdulos fotovotlaicos (FV).

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IEC 61721:1995 (EN 61721:1999, UNE-EN 61721:2000): Susceptibilidad de un mdulo fotovoltaico (FV) al dao por impacto accidental (resistencia al ensayo de impacto). IEC 61724: 1998 (EN 61727: 1998, UNE-EN 61727: 2000). Monitorizacin de sistemas fotovoltaicos. Guas para la medida, el intercambio de datos y el anlisis. IEC 61829: 1995 (EN 61829:1998, UNE-EN 61829: 2000). Campos fotovoltaicos de silicio cristalino. Medida en el sitio de la caracterstica I-V. EN 50380: 2003 (UNE-EN 50380: 2003). Informaciones de las hojas de datos y las placas de caractersticas para los mdulos fotovoltaicos.

De todas ellas, las ms importantes con respecto a la acreditacin de mdulos fotovoltaicos son las siguientes: IEC 61215: 1993 (EN 61215: 1995, UNE 61215: 1997). Mdulos fotovoltaicos (FV) de silicio cristalino para aplicaciones terrestres. Cualificacin de diseo y aprobacin de tipo.

IEC 61646: 1996 (EN 61646: 1997, UNE-EN 61646: 1997). Mdulos fotovoltaicos (FV) de lmina delgada para aplicaciones terrestres. Cualificacin de diseo y aprobacin de tipo. Estas normas son las que nos especifican que ensayos han de realizarse sobre un mdulo fotovoltaico de silicio cristalino o lmina delgada para garantizar una larga vida til del mismo, ya que hace referencia a sus caractersticas constructivas, de durabilidad y de comportamiento. Es la que suelen aplicar los fabricantes de mdulos FV cuando desarrollan nuevos prototipos, y se convierte en una garanta para el comprador.
1.7. La medida de la curva I-V Todo lo que hemos estudiado en este captulo nos resalta la importancia de la caracterstica I-V del generador fotovoltaico, como indicativo fundamental del comportamiento que va a tener el mismo cuando opere en condiciones reales. Llegados este punto merece la pena comentar la manera en que ha de realizarse la medida de esta caracterstica I-V, segn la normativa internacional, para garantizar unos valores adecuados de los principales parmetros de la misma. Cuando hablemos del tema de modelado veremos como la manera en que se han registrado los pares IV que conforman la curva caracterstica puede influir a la hora de hacer el clculo de los parmetros fundamentales, y cmo en muchas ocasiones es necesario disponer de curvas en diferentes condiciones y ampliar el rango de medida para poder realizar clculos ms precisos. No se va a presentar en detalle la medida de la caracterstica I-V de acuerdo a norma, pero s se relatarn los procedimientos y mtodos de uso generales, de forma que el que quiera ampliar informacin tenga una base de la que partir. Y para comenzar, lo mejor es mostrar el esquema del montaje tpico des sistema de medidas, que es el presentado en la Figura 1.9. El esquema de conexionado para la medida de la clula y el mdulo fotovoltaico es similar. De la clula o mdulo parte un terminal positivo y otro negativo, que sern los que se conecten a las cargas, en el caso de una aplicacin, o al sistema de medida, si lo que queremos es obtener la curva I-V. El mtodo de medida indicado en las normativas internacionales es el llamado mtodo de las cuatro puntas, porque la corriente y el voltaje se miden de manera independiente. As, como puede verse en la

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edida, lo que suele hacerse con un dispositivo de referencia calibrado, colocado coplanar con el dispositivo test. Este dispositivo de referencia ha de cumplir una serie de condiciones, entre las que destaca una respuesta espectral igual a la del dispositivo a medir. Ha de registrarse tambin la temperatura del sensor de referencia para la irradiancia, ya que si esta difiere en ms de 2C con respecto al valor con el que fue calibrado, se deber corregir con la temperatura el valor de calibracin.

Irradiacin incidente

Equipo de medida (Corriente)


0.003 V

Carga electrnica Sensor de temperatura


DC VOLTS

DC AMPS

Clula FV

Equipo de medida (Voltaje)


0.6 V

25.0 C 25.0 C

Monitor de temperatura

Referencia para G

25.0 mV

Equipo de medida (Irradiancia)

25.0 C 25.0 C

Monitor de temperatura

Figura 1.9. Esquema tpico para la medida de la curva I-V de un dispositivo FV con los elementos necesarios.

Con esto quedara descrito, en lneas generales, el procedimiento usado para la medida de la caracterstica I-V de dispositivos FV segn la norma (EN 60904-1:1993). La medida puede hacerse en exterior, a sol real, o en interior con un simulador solar. La ventaja de las medidas en exterior es que, en das claros, la fuente de irradiancia (el sol) es muy estable y permite realizar la medida en unas condiciones muy controladas y con un espectro solar real. Por otra parte, en las medidas en interior con simulador solar, es ms sencillo el control de la temperatura del dispositivo a medir durante la medida, y tambin podemos forzar variaciones en la irradiancia y

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temperatura si es que necesitamos tener medidas en distintas condiciones experimentales. Por supuesto, para que una fuente de luz pueda ser considerada un simulador solar ha de cumplir ciertos requisitos en cuanto a uniformidad de la luz, estabilidad, y espectro, de manera que se garantice la mayor similitud con las medidas a sol real. As mismo, los equipos de medida necesarios para la adquisicin de la curva I-V deben cumplir unos mnimos en cuanto a precisin, y tener su certificado de calibracin correspondiente.

Ejercicio opcional (para aquellos que estn especialmente interesados en los mtodos de medida de la caracterstica I-V). Bsqueda en Internet: Realizar una bsqueda en Internet de
los distitntos tipos de simuladores solares que existen en el mercado, recopilando las caractersticas fundamentales de los mismos y su clasificacin segn el uso al que se les vaya a destinar.

1.8. Referencias capt [1] Norma Europea EN 61215, 1995. Crystalline silicon terrestrial photovoltaic (PV) modules. Design qualification and type approval. 1995 (Equivalente a la CEI 1215:1993, y a la norma Espaola UNE-EN 61215 de 1997). [2] Norma UNE-EN60891: 1994. Procedimiento para la correccin con la temperatura y la irradiancia de la caracterstica I-V de dispositivos fotovoltaicos de silicio cristalino.

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