25: transistor semiconductor A: radio frecuencia 186: nmero de serie Identificacin de un transistor Se coloca el ohmmetro hasta obtener 2 lecturas

de baja resistencia con un punto comn, en caso de no obtener las 2 lecturas de baja resistencia, intercambie las puntas de pruebas y repita las mediciones, para ubicar el contacto de colector, de las dos lecturas de baja resistencia se selecciona la menor. Transistor Darlington Viene a ser la conexin de 2 transistores del mismo tipo, la gran ventaja que se obtiene con este tipo de transistor, es una alta ganancia de corriente de 1000 a 10000 veces, en comparacin con un transistor comn y corriente cuya ganancia de corriente es 600 como mximo, el fabricante internamente le conecta u par de resistores y un diodo al transistor Darlington con el fin de lograr alta estabilidad en su funcionamiento y proteccin contra ruptura por voltaje inverso. Circuito integrado.Ms comnmente conocido como CI, CHIP o IC. Es un diminuto dispositivo electrnico que contiene una asombrosa cantidad de elementos electrnicos. Clasificacin CI monoltico: es un pequeo mono cristal de silicio de material semiconductor normalmente 50 x 50 milsimas de milmetro dentro del cual se han fabricado los componentes electrnicos activos y pasivos. CI hibrido: se llama asi a la combinacin de 2 o ms CI monolticos o bien un CI monoltico junto con elementos discretos como ser bobinas, condensadores, resistores. CI tipo To.- clasificados por el tipo de cubierta son generalmente generadores de voltaje entre ellos tenemos: LM 309K LM 340 Circuitos integrados Modo de trabajo: son lineales y digitales Circuito integrado lineal.- ejecuta funciones de tipo lgico y matemtico, las entradas de un CI digital reciben seales elctricas, cuentan, dividen, suman, almacenan, decodifican o ejecutan algn otro tipo de funcin finita, los CI digitales son comnmente agrupados por familiares denominados TTL(lgica transistor transistor), DTL(lgica diodo transistor), ICMOS(semiconductor de xido de metal), la tecnologa ms y usada en las PC por su velocidad bajo consumo de energa. CI por su complejidad Es la cantidad de dispositivos y componentes electrnicos que se pueden fabricar por milmetro cuadrado en un chip, por la complejidad se clasifican: SSI: integracin en pequea escala 10 a 100 MSI: integracin en mediana escala 100 a 1000 LSJ: integracin en gran escala 1000 a 10000 VLSI: ultra larga 10000 a 100000 GLSI: giga larga 100000 a 1000000 Disipacin de potencia en los CI.- el problema de todo dispositivo semiconductor, transistor o CI en funcionamiento, es el lmite mximo de disipacin de potencia conocido como desbocamiento trmico, cuando la corriente circula a travs de la juntura de un transistor, se genera calor y si este no es disipado por el caso o encapsulado, la temperatura de la juntura aumenta y se produce la destruccin del semiconductor, por esta razn no debe exceder los 200 C CI Cermica Resistencia trmica 140 C por c/w Temp max 178 C CI tipo To Resistencia trmica 140 C por c/w Temp max 200 C