Manual de Prácticas

Dispositivos y Circuitos
Electrónicos
División: Ingeniería Eléctrica Departamento: Electrónica

Práctica 9

Transistor de efecto de campo

(FET) Caracterización MOSFET

Nombre completo del alumno Firma

Hernandez Ruiz Valentin

Brigada No. Fecha de elaboración: 24/11/22 Grupo: 5

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Introducción.
El transistor es un dispositivo electrónico que permite el paso de una señal en respuesta a
otra, en donde se puede comportar como un amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador como lo hemos venido observando a lo largo de las practicas pasadas, para esa
practica toca el momento de analizar un transistor en particular conocido como transistor de
efecto de campo metal-oxido-semiconductor o MOSEFET, el cual es un transistor utilizado
para amplificar o conmutar señales electrónicas, es el transistor mas utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión
bipolar BJT fue mucho mas popular en otro momento, actualmente todos los componentes
de microprocesadores están basados en transistores de tipo MOSFET.
Su estructura la podemos ver que esta conformada de cuatro terminales llamados, fuente
(S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B) donde generalmente esta conectado
internamente el sustrato al terminal de la fuente y por lo mismo podremos encontrar
transistores de ter terminales como el implementado para esta practica transistor 2N7000.
En la Figura 1, podremos apreciar la composición del transistor 2N7000 (MOSFET),
implementado para la practica.

Figura 1. Estructura del transistor MOSFET 2N7000.

Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados e la estructura MOS (dispositivo
electrónico formado por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer una capa
de oxido). Los primeros son los MOSFET de enriquecimiento, que se basa en la creación de
un canal entre el drenador y la fuente , al aplicar una tensión en la compuerta atrae portadores
minoritarios hacia el canal de manera que se forma una región de inversión, lo cual mejor es
conocido que se forma una región con dopado compuesta que tenia el sustrato originalmente.
La otra región es la de empobrecimiento o depleción, donde se tiene un canal conductor en
su estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión
eléctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de
carga o diminución respectiva de la conductividad.
Objetivos de aprendizaje
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Caracterizar un MOSFET, para identificar cada una de sus regiones de operación.

Material y equipo

Equipo de computo y simulador de circuitos.

Desarrollo.

Analizar y simular el circuito de la figura 1 utilizando un transistor 2N7000.

Figura 1. Circuito para caracterizar un transistor MOSFET.

Con este circuito el alumno debe de obtener las curvas IV, el alumno debe de
identificar la zona óhmica, de corte y saturación, con los criterios de voltaje y
corriente. De simulaciones el alumno debe determinar el parámetro de
transconductancia y el voltaje de umbral.

Trabajo previo.
Se realizo el circuito propuesto mostrado en la Figura 2, en donde se implemento
el uso del transistor 2N7000.

Figura 2. Circuito propuesto.

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Posteriormente se llevo al simulador en donde se obtuvieron las curvas del
transistor 2N7000, en donde podremos apreciar las zona óhmica (de inferior a
superior, parte izquierda) la región de saturación (parte central) y la zona de corte
(parte inferior central). Estas tres regiones las podremos ver en la Figura 3.

Figura 3. Curvas del transistor 2N7000, en donde apreciamos los modos de

operación.
Posteriormente con un simulador propuesto por el profesor, en donde con nuestro
transistor comprado lo procedimos a poner en el circuito del profesor, el cual nos
ayudara a la aplicación e implementación de manera mas precisa y mas visual a la
obtención de las curvas del transistor 2N7000, en donde lo podremos ver en la
Figura 4.
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Figura 4. Curvas del transistor 2N7000, en programa proporcionado por el

profesor.

Resultados y conclusiones

Tabular y graficar las mediciones realizadas en el desarrollo.

El alumno debe analizar y comparar los resultados teóricos, simulados y

experimentales obtenidos, con la finalidad de generar, de carácter obligatorio, sus
propias conclusiones, haciendo énfasis en los objetivos planteados al inicio de la
práctica.

Resultados:
Comenzando con el armado del circuito podremos tener el circuito de la Figura 2 y
lo podremos observar en la figura 5.
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Figura 5. Armado del circuito eléctrico.

Tomando datos con respecto a los voltajes 𝑉𝐷𝑆 y 𝑉𝐺𝑆 así como la corriente 𝐼𝐷

𝑽𝑫𝑺 𝑽𝑮𝑺 𝑰𝑫
2.1 1 0.15
2.1 2 0.15
2.1 3 0.15
2.1 4 0.16
2.1 5 0.16
2.1 6 0.16
2.1 7 0.17
2.1 8 0.17
2.1 9 0.18
2.1 10 0.18
2.2 1 0.39
2.2 2 0.61
2.2 3 0.36
2.2 4 0.36
2.2 5 0.37
2.2 6 0.37
2.2 7 0.39
2.2 8 0.39
2.2 9 0.4
2.2 10 0.4
2.3 1 0.77
2.3 2 1.43
2.3 3 2.1
2.3 4 0.76
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2.3 5 0.77
2.3 6 0.78
2.3 7 0.81
2.3 8 0.83
2.3 9 0.85
2.3 10 0.87
2.4 1 2.07
2.4 2 2.18
2.4 3 2.5
2.4 4 2.89
2.4 5 2.33
2.4 6 2.38
2.4 7 2.47
2.4 8 2.56
2.4 9 2.62
2.4 10 2.7
2.5 1 6.63
2.5 2 15.13
2.5 3 22.39
2.5 4 34.29
Tabla 1. Datos calculados en el laboratorio.

Graficando los datos de los valores proporcionados tendremos la siguiente grafica de las
curvas del transistor
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Curvas del transistor 2N7000

3.5

2.5

2
𝐼𝐷

1.5

0.5

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VDS

Vgs 2.1V Vgs 2.2 Vgs 2.3 Vgs 2.4

Grafico 1. Curvas del transistor partiendo de las mediciones del salón.

Conclusiones
En esta practica podremos ver lo que es un transistor MOSFET y sus principales
características, así como la obtención de las curvas para sus distintas zonas de
operación (óhmica, saturación y corte). Hubo algunas extrañas mediciones en el
laboratorio el cual podremos ver en el Grafico 1, esto puede deberse a un ligero
pulso de corriente que hace que se dispare la corriente del drenaje, el MOSFET es
uno de los principales transistores implementados en la electrónica moderna lo cual
es muy importante poder conocer sus características y modos de operación.

Referencias

- Boylestad, Robert L., Nashelsky, Louis. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y

Dispositivos Electrónicos (décima edición). México. Pearson Education.