UNIVERSIDAD NACIONAL

DE EDUCACIÓN A DISTANCIA

GRADO EN INGENIERÍA EN ELECTRÓNICA

INDUSTRIAL Y AUTOMÁTICA

Ciencia e Ingenierı́a de Materiales

Tarea 1. Mecanismos de difusión en materiales de

uso tecnológico

Daniel Cruz Barcia

Centro asociado de A Coruña
Curso académico 2022-2023
Resumen

El presente trabajo se enfoca en el análisis de los mecanismos de difusión en mate-

riales de uso tecnológico y los factores que influyen en dicha difusión. La difusión es un
fenómeno fundamental en los materiales que tiene un impacto significativo en sus propie-
dades y comportamiento. Para comprender este proceso, se explican los conceptos básicos,
incluyendo la definición, los tipos de difusión, las leyes de Fick y los factores que influyen
en ella.
Se analizan los diferentes mecanismos de difusión que se producen en los materiales
de uso tecnológico. En la difusión intersticial, los átomos se desplazan de un sitio intersticial
a otro. En la difusión vacante, los átomos se desplazan a través de sitios vacantes en
la red cristalina. En la difusión por grano, los átomos se desplazan a lo largo de los
lı́mites de grano. Además, se discuten los factores que influyen en la difusión, incluyendo
la temperatura, la concentración y el tamaño de los átomos.
Finalmente se explora cómo se pueden aplicar estos conceptos para diseñar materia-
les con propiedades especı́ficas, como el aumento de la resistencia a la corrosión y la mejora
de la conductividad eléctrica. Se analizan casos de estudio donde la difusión juega un papel
importante en el rendimiento de materiales de uso tecnológico, como en la fabricación de
semiconductores y en la mejora de la durabilidad de los componentes mecánicos.

Abstract

This work focuses on the analysis of diffusion mechanisms in materials of techno-

logical use and the factors that influence it. Diffusion is a fundamental phenomenon in
materials that has a significant impact on their properties and behavior. To understand
this process, basic concepts are explained, including definition, types of diffusion, Fick’s
laws, and the factors that influence it.
The different diffusion mechanisms that occur in materials of technological use are
analyzed. In interstitial diffusion, atoms move from one interstitial site to another. In
vacancy diffusion, atoms move through vacant sites in the crystal lattice. In grain boundary
diffusion, atoms move along grain boundaries. Additionally, the factors that influence
diffusion are discussed, including temperature, concentration, and atomic size.
Finally, the application of these concepts in designing materials with specific proper-
ties is explored, such as increasing corrosion resistance and improving electrical conducti-
vity. Case studies are analyzed where diffusion plays a significant role in the performance
of materials of technological use, such as in semiconductor manufacturing and in improving
the durability of mechanical components.

2
Índice general

Índice general 3

1 Objetivos 1

2 Difusión en materiales sólidos 2

2.1 Mecanismos de difusión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.1.1 Difusión por vacantes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2.1.2 Difusión instersticial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2.2 Leyes de Fick . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2.1 Primera ley de Fick. Flujo estacionario . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.2.2 Segunda ley de Fick. Flujo no estacionario . . . . . . . . . . . . . . . 5

3 Factores que influyen en la difusión 7

4 Aplicación práctica de los mecanismos de difusión 8

4.1 Tratamientos termoquı́micos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4.1.1 Cementación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
4.1.2 Nitruración . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
4.1.3 Carbonitruración . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
4.2 Sinterizado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
4.3 Difusión para la obtención de simiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

5 Conclusiones 13

Bibliografı́a 14

3
1 Objetivos

La difusión es un fenómeno fundamental en los materiales de uso tecnológico que

tiene un impacto significativo en sus propiedades y comportamiento. Para comprender la
difusión en estos materiales, es necesario analizar los diferentes mecanismos de difusión
y los factores que influyen en ella. El objetivo de esta tarea es identificar y describir los
mecanismos de difusión en materiales de uso tecnológico, analizar los factores que influyen
en la difusión, evaluar su aplicación práctica en el diseño y fabricación de materiales
con propiedades especı́ficas, y donde la comprensión de los mecanismos de difusión han
tenido un impacto significativo en su rendimiento y en el desarrollo de nuevas aplicaciones
tecnológicas.
Para ello se propone:

Identificar y describir los diferentes mecanismos de difusión en materiales de uso

tecnológico.
Analizar los factores que influyen en la difusión en estos materiales.
Evaluar la aplicación práctica de los mecanismos de difusión en el diseño y fabricación
de materiales con propiedades especı́ficas.
Analizar casos de estudio relevantes donde la comprensión de los mecanismos de
difusión ha sido clave para el desarrollo de nuevas aplicaciones tecnológicas.

1
2 Difusión en materiales sólidos

La difusión es un fenómeno de transporte por movimiento atómico o molecular. Los

átomos se transfieren en un material desde los lugares donde hay mayor concentración hacia
donde hay menor hasta obtener una distribución uniforme. A la diferencia de concentración
en un material se le denomina gradiente de concentración. Este movimiento se puede dar
en un mismo material o puede haber difusión entre dos sustancias.
Este proceso que se produce debido a la migración de átomos, iones o moléculas desde
una región de alta concentración hacia una región de baja concentración, y ocurre debido
a que los átomos o moléculas que componen el material están en constante movimiento,
lo que se producen interacciones entre ellos y su entorno.
En un material sólido, los átomos se encuentran ordenados en una estructura cris-
talina, y las posiciones de los átomos están determinadas por las fuerzas interatómicas.
Cuando se introduce un átomo o molécula extraño al material, éstos pueden ocupar una
posición en la estructura cristalina, desplazando a los átomos originales y creando una
región de alta concentración.

2.1. Mecanismos de difusión

Los átomos o moléculas pueden migrar desde esta región de alta concentración a una
región de baja concentración debido a diferentes mecanismos de difusión, como la difusión
intersticial o la difusión vacante. En la difusión intersticial, los átomos o moléculas extraños
ocupan un lugar en los intersticios entre los átomos originales, mientras que en la difusión
vacante, los átomos originales se mueven para ocupar un vacante creado por la introducción
de un átomo o molécula extraño.
La difusión es un proceso térmicamente activado ya que la velocidad del proceso
aumenta de modo exponencial con la temperatura, según la siguiente ecuación general:

Q
ν = De− RT (2.1)

donde:

D, es una constante independiente de la temperatura

Q, es la energı́a de activación
R, es la constante de los gases
T, es la temperatura absoluta.

2
 2 Difusión en materiales sólidos

2.1.1. Difusión por vacantes

Un primer mecanismo de difusión tiene lugar mediante la migración de vacantes, de

tal forma que un átomo puede desplazarse desde su posición de equilibrio hasta la vacante
más próxima, siempre que disponga de la energı́a de activación suficiente, generándose un
flujo de vacantes en sentido contrario a su desplazamiento, tal y como se representa en la
figura 2.1. En el caso de los metales al aumentar la temperatura se producen más vacantes,
esto provoca que la difusión sea más sencilla.

Figura 2.1:

2.1.2. Difusión instersticial

La difusión intersticial es el movimiento de átomos de pequeño tamaño en una

red cristalina. Estos átomos tienen que ser tan pequeños como para caber en la parte
intersticial de dicha red. Este proceso de difusión es más fácil y rápido debido a que no
se necesita tanta energı́a adicional para crearlos ya que los intersticios están siempre en la
red cristalina. Los intersticiales más idóneos son aquellos que presentan radios atómicos
pequeños; tal es el caso del H, C, N, B, etc.

Figura 2.2:

3
 2 Difusión en materiales sólidos

2.2. Leyes de Fick

Las leyes de Fick regulan matemáticamente la difusión en el estado sólido. Se con-

sidera una barra de metal como la representada de forma esquemática en la figura 2.3,
cuya concentración volumétrica de defectos C, varı́a a lo largo del eje x. Si se aumenta la
temperatura, al cabo de cierto tiempo la concentración de defectos se igualará por despla-
zamiento o difusión de los mismos, en sentido de mayor a menor concentración, de forma
que aunque cualquier átomo tiene la misma probabilidad de moverse de forma aleatoria
en cualquier dirección, serán los gradientes de concentración de los distintos defectos los
que establezcan el flujo neto de los distintos defectos. Según sea la naturaleza del flujo de
defectos (estacionario o no estacionario), se establecen las dos leyes de Fick.

Figura 2.3:

2.2.1. Primera ley de Fick. Flujo estacionario

El flujo de difusión o velocidad de difusión se define como los átomos que atraviesa
una determinada superficie en una unidad de tiempo,

M 1 dM
J= = × (2.2)
A×t A dt
donde:

J, corresponde al flujo de difusión expresado en kg/m2 · s

M , cantidad de átomos que atraviesan un área dado. Expresado en kg o átomos
A, área transversal que atraviesan los átomos
t, tiempo de difusión.

Si consideramos que el flujo es estacionario es constante y el gradiente de concen-

tración es dC/dx conocido e invariable con el tiempo da como resultado la primera ley de
Fick:

dC
J = −D (2.3)
dx

4
 2 Difusión en materiales sólidos

El coeficiente de difusión D expresado en m2 · s depende de:

1. El material que se difunde (soluto)

2. La red cristalina anfitriona en la que se difunde
3. La temperatura a la que tiene lugar el proceso

Por tanto, podemos destacar que el flujo de difusión estacionario es proporcional al

gradiente de concentración.

2.2.2. Segunda ley de Fick. Flujo no estacionario

En la mayorı́a de las aplicaciones industriales de difusión, esta ocurre en estado no

estacionario, lo que significa que el flujo de difusión y el gradiente de concentración varı́an
con el tiempo y disminuyen. Por tanto, es esencial estudiar y analizar cómo evoluciona la
velocidad de difusión respecto al tiempo para comprender mejor los procesos de difusión
en los materiales. La siguiente imagen (2.4) ilustra el proceso de difusión de un gas como
el hidrógeno en un material, donde podemos observar cómo la concentración varı́a con el
tiempo y aumenta a medida que nos acercamos a la superficie del material.

Figura 2.4:

Esta “Segunda ley de Fick” regula la difusión en las condiciones mencionadas y

en las que el coeficiente de difusión es independiente del tiempo, y viene definida por la
ecuación:

∂C ∂2C
=D 2 (2.4)
∂t ∂x

donde C es la concentración del soluto en el material, t es el tiempo, D es el coefi-

ciente de difusión y x es la distancia en la dirección de la difusión.
A efectos prácticos para los procesos industriales más comunes con tratamiento
térmico, se plantea una solución mucho más sencilla, considerando que el material es un
sólido semiinfinito si ningún átomo del soluto alcanza el final de este mientras dure el
proceso.

5
 2 Difusión en materiales sólidos

La concentración del gas con el que vamos a poner en contacto a este sólido tiene
una concentración definida Cs . Antes de la difusión, todos los átomos están uniformemente
distribuidos en el sólido a concentración C0 , y la diferencial de x la consideramos 0 en la
superficie y aumenta hacia el interior del sólido. El tiempo se toma 0 instantes antes del
comienzo de la difusión.
Para t > 0, C = CS en x = 0 y C = C0 en x = ∞.

Tomando estas consideraciones la ecuación resultante es la siguiente:

 
Cs − Cx x
= erf √ (2.5)
Cs − C0 2 Dt

El cociente que se encuentra entre paréntesis se denomina z, que corresponde a la

función de error gaussiana:

x
z= √ (2.6)
2 Dt

Esta expresión permite calcular la concentración a una determinada distancia de la

superficie transcurrido un determinado tiempo, o el tiempo necesario para alcanzar una
determinada concentración. Para ello debe conocerse el coeficiente de difusión y la función
de error gaussiana (z) que se basa en la integración de la campana de Gauss (erf ), función
matemática acordada para esta solución tecnológica y tabulada en la tabla.

6
3 Factores que influyen en la difusión

A continuación se abordan los diferentes factores que afectan la difusión en materiales

sólidos, esto es, al coeficiente de difusión D, cuya magnitud indica la velocidad de difusión.
La comprensión de estos factores es esencial para el diseño y la fabricación de materiales
con propiedades especı́ficas, ası́ como para la mejora del rendimiento y la durabilidad de
los componentes tecnológicos.

Temperatura. Cuanto mayor sea la temperatura a la que se produce la difusión,

mayor será la probabilidad de vencer las barreras de energı́a y por tanto, mayor
será la velocidad de difusión. Puede considerarse que un aumento de 20 °C en la
temperatura duplica el coeficiente de difusión del sistema.
Mecanismo de difusión. Según sea por vacantes o por intersticiales influirá en
el coeficiente de difusión. Ası́, el C se difunde a través de los intersticios en el Fe,
mientras que el Cu se difunde mediante vacantes en el Al.
Concentración. La influencia de la concentración sobre la difusión se explica, por
un lado, por la variación de las fuerzas de cohesión afectadas por la composición
quı́mica del material; por otro lado por la dirección de difusión, que no es al azar
sino que transcurre en el sentido que provoca un mayor descenso en la energı́a interna
de red.
Estructura cristalina. Los diferentes factores de empaquetamiento, ası́ como las
distancias interatómicas que presentan las diferentes redes cristalinas, justifican la
mayor o menor facilidad de difusión o coeficiente de difusión.
Defectos cristalinos. La difusión es mayor en las zonas con mayor densidad de
defectos cristalinos. Ası́ por ejemplo, la difusión es mayor en las fronteras de grano,
defecto superficial, y un número de vacantes en exceso incrementa la velocidad de
difusión.

7
4 Aplicación práctica de los mecanismos de
difusión

En este capı́tulo se exploran algunas aplicaciones prácticas de los mecanismos de

difusión en materiales sólidos. Por un lado se analizan algunos tratamientos termoquı́micos
empleados en el acero y por otro la difusión para la obtención de semiconductores.

4.1. Tratamientos termoquı́micos

Los tratamientos termoquı́micos se emplean para modificar tanto la estructura del

acero como su capa superficial con el objetivo de mejorar sus propiedades. En estos trata-
mientos, se añaden ciertos productos quı́micos en la superficie del acero para que penetren
a una profundidad especı́fica y produzcan los cambios deseados.

4.1.1. Cementación

A la difusión del carbono sobre la superficie del acero se le llama cementación. Este
proceso consiste en el calentamiento de las piezas a una temperatura de unos 900º en
un medio favorable en el que el carbono penetre en la superficie del acero durante un
tiempo determinado. Este procedimiento se puede efectuar con medios sólidos, pero el
más habitual son con gases como CO , H2 , N2 , Cm Hn .
Después de la cementación se efectúa un enfriamiento rápido para alcanzar la dureza
superficial necesaria de forma que los aceros con bajo contenido en carbono, alcancen una
superficie dura con un núcleo dúctil que proporcione a las piezas su máxima resistencia.
Las aplicaciones más importantes son para levas, piñones o ejes, debido a que necesitan
gran resistencia al choque y tenacidad.

Figura 4.1:

8
 4 Aplicación práctica de los mecanismos de difusión

4.1.2. Nitruración

La nitruración es un proceso de difusión de nitrógeno usado principalmentesobre

aceros para endurecer la capa superficial de este. Especialmente recomendado para aceros
aleados con aluminio, wolframio o molibdeno. Es un proceso similar a la cementación
aunque este proporciona mayor dureza a la superficie.
El sistema más común para llevar a cabo la nitruración es meter el material en
una atmósfera cerrada de amoniaco y elevar la temperatura hasta aproximadamente los
500ºC. La penetración de este tratamiento es muy lenta, del orden de 1mm de espesor
cada 100 horas, aunque después de esto no necesitará temple. Si hay partes que no se
quieren nitrurar se introducen en un baño de estaño.
Las aplicaciones principales de la nitruración son para piezas sometidas a grandes
fuerzas de rozamiento, como pistas de rodamientos, camisas de cilindros, etc. Estas piezas
deben tener una superficie dura resistente al desgaste y un núcleo relativamente plástico
que soporten golpes y vibraciones.

Figura 4.2:

4.1.3. Carbonitruración

Este proceso es una mezcla de los dos anteriores trabajando en temperaturas entre
700 y 850º. Como diferencia a los anteriores, se puede decir que después de este proceso
el material adquiere una dureza superficial extremadamente fuerte, además de tenacidad
en el núcleo y resistencia a la fatiga el desgaste y la fricción.
Una ventaja significativa es que presenta muy poca deformación debido a que el
nitrógeno absorbido disminuye la velocidad crı́tica del temple del acero. Algunas de las
aplicaciones más comunes son pistones, ejes y engranajes o palancas accionadas hidráulica
y mecánicamente.

Figura 4.3:

9
 4 Aplicación práctica de los mecanismos de difusión

4.2. Sinterizado

La sinterización consiste en el compactado uniforme del polvo de un material cerámi-

co o metálico homogéneamente obteniendo enlaces muy fuertes. Una vez compactado se
someten a tratamientos térmicos a una temperatura inferior a la de difusión para obte-
ner una pieza conexionada y compacta. El proceso genera puentes de unión mediante la
difusión de átomos entre las partı́culas del polvo, se puede decir también que como en
cualquier proceso de difusión a más temperatura se acelera este proceso. En este caso se
utilizan temperaturas en torno al 70 % de la temperatura de fusión del material. Para evi-
tar la oxidación de la pieza se realizan en atmósferas controladas, normalmente amoniaco,
hidrógeno o monóxido de carbono.
Este proceso es muy útil ya que puedes obtener un material con fuertes enlaces en
un solo bloque y dándole una forma determinada con un molde.
Existen diversas formas de fabricar el polvo de la materia prima, una de ellas es
por atomización mediante la cual se solidifica un material fundido que previamente ha
sido pulverizado. Otra de las formas es por métodos quı́micos por los cuales se reducen
los óxidos de diferentes materiales. El tamaño y forma de las partı́culas influirán en la
posterior sinterización del material.

Figura 4.4:

10
 4 Aplicación práctica de los mecanismos de difusión

4.3. Difusión para la obtención de simiconductores

Se puede definir a un semiconductor como un elemento aislante que, cuando se le

añadendiferentes sustancias o en un contexto determinado, se puede comportar como un
conductor. Es decir, según una serie de factores el material se puede comportar como
aislante o conductor.
Existen dos tipos de semiconductores: intrı́nsecos y extrı́nsecos. Los semiconductores
intrı́nsecos son aquellos formados por un solo tipo de átomo. Los más frecuentes son el
silicio y el germanio. Los electrones son incapaces de moverse a través de la red cristalina a
menos que se le aplique una energı́a suficiente para excitarlos desde su posición de enlace.
Un semiconductor extrı́nseco es aquel al que se le añaden átomos de impurezas para
modificar su conductividad eléctrica, a este proceso se le denomina dopaje. Se pueden
distinguir dos tipos de dopajes según la impureza añadida:

Semiconductor tipo P: se emplean elementos trivalentes como el boro, indio o galio,

como elemento dopante. Esta impureza no aporta los electrones suficientes para
obtener los 4 enlaces covalentes, por tanto habrá una carencia de electrones en la
red cristalina. De esta manera se originan huecos que favorecen el movimiento de
electrones a través del material. A este nuevo material se le puede llamar aceptador
de electrones.

Figura 4.5:

Semiconductores tipo N: Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (5

electrones de valencia) algunos ejemplos son el fosforo, arsénico o antimonio. Este
elemento aporta electrones en exceso, por tanto favorece la conductividad eléctrica.
A este nuevo material se le puede llamar donador de electrones.

Figura 4.6:

11
 4 Aplicación práctica de los mecanismos de difusión

Para fabricar láminas de silicio dopadas, llamadas obleas, se emplea la difusión

anteriormente vista. Gracias a la difusión de impurezas cambian las caracterı́sticas de
conductividad térmica, fase muy importante para la fabricación de circuitos electrónicos
integrados. Este método consiste en exponer la superficie a un vapor de una sustancia
determinada y a una temperatura de aproximadamente 1110ºC en un horno de tubo de
cuarzo. Las partes de la oblea que no han de ser expuesta a este cambio debe ser protegida
para que la difusión de impurezas solo actué donde se desea.

Figura 4.7:

Una de las aplicaciones más importantes en la actualidad de estos materiales do-

pados son los transistores, elemento que podemos encontrar en la mayorı́a de aparatos
electrónicos. Un transistor está divido en tres partes, en la imagen se puede observar que
se pueden obtener dos combinaciones. El emisor se encarga de proporcionar las cargas
eléctricas, el colector recoge la cargas que proporciona el colector y la base se encarga de
controlar el fugo de corriente.

Figura 4.8:

Los transistores tienen múltiples aplicaciones, como conmutador, amplificador, os-

cilador, etc. Actualmente existen múltiples variantes y gracias a los avances tecnológicos
cada vez son más pequeños.

12
5 Conclusiones

Se han presentado los principales conceptos relacionados con la difusión, como la

definición, los mecanismos y los factores que influyen en ella, ası́ como los distintos procesos
en la difusión en sólidos. Por último, se han abordado ejemplos de su importancia en
la fabricación de semiconductores y en la mejora de la durabilidad de los componentes
mecánicos, ası́ como su relación con la resistencia a la corrosión y la conductividad eléctrica.
Comprender los mecanismos de difusión y los factores que influyen en los mismos
es fundamental para el diseño y la fabricación de materiales con propiedades especı́ficas
en diversas aplicaciones tecnológicas, ya afectan directamente a las propiedades de los
materiales, como su conductividad térmica y eléctrica, su resistencia a la corrosión y su
durabilidad. Además, la comprensión de estos mecanismos es crucial en la optimización
de procesos de fabricación y diseño de nuevos materiales con propiedades especı́ficas, lo
que tiene un gran impacto en la industria tecnológica y en la innovación de productos y
servicios. En resumen, la difusión en sólidos es un área de investigación fundamental para
la ingenierı́a de materiales y la tecnologı́a en general.

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Bibliografı́a

[1] Barroso Herrero, Gil Bercero, Camacho López. Introducción al conocimiento de los
materiales y a sus aplicaciones. Cuadernos de la UNED. 2008.
[2] Ana Miren Garcı́a Romero y Nuria Monasterio Guisasola. Difusión en sólidos. Univer-
sidad del Paı́s Vasco; 2018.
[3] William D. Callister. Ciencia e Ingenierı́a de los materiales. Reverte. 2009.
[4] Garces, Ruben. Mecanismos de difusión en materiales metálicos
https://www.studocu.com/es/document/uned/ciencia-e-ingenieria-de-materiales/
ruben-garces-tarea-1/28018293

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