Memoria flash[editar]

Casi la totalidad de los fabricantes comercializan sus SSD con memorias no volátiles NAND
para haber un desarrollo de un dispositivo no solo veloz y con una gran capacidad, sino
robusto y a la vez lo más pequeño posible tanto para el mercado de consumo como el
profesional. Al ser memorias no volátiles, no requieren ningún tipo de alimentación constante
ni pilas para no perder los datos almacenados, incluso en apagones repentinos, aunque cabe
destacar que las SSD NAND son más lentos que los que se basan en DRAM. Son
comercializadas con las dimensiones heredadas de los discos duros, es decir, en 3.5
pulgadas, 2.5 pulgadas y 1.8 pulgadas, aunque también ciertas SSD vienen en formato tarjeta
de expansión.
En algunos casos, las SSD pueden ser más lentas que los discos duros, en especial con
controladoras antiguas de gamas bajas, pero dado que los tiempos de acceso de una SSD
son inapreciables, al final resultan más rápidos. Este tiempo de acceso tan corto se debe a la
ausencia de piezas mecánicas móviles, inherentes a los discos duros.
Una SSD se compone principalmente:

• Controladora: es un procesador electrónico que se encarga de administrar,

gestionar y unir los módulos de memoria NAND con los conectores en entrada y
salida. Ejecuta software a nivel de firmware y es con toda seguridad, el factor más
determinante para las velocidades del dispositivo.
• Caché: un SSD utiliza un pequeño dispositivo de memoria DRAM similar al caché
de los discos duros. El directorio de la colocación de bloques y el desgaste de
nivelación de datos también se mantiene en la memoria caché mientras la unidad
está operativa.
• Condensador: es necesario para mantener la integridad de los datos de la
memoria caché, si la alimentación eléctrica se ha detenido inesperadamente, el
tiempo suficiente para que se puedan enviar los datos retenidos hacia la memoria
no volátil.
El rendimiento de las SSD se incrementan añadiendo chips NAND en paralelo. Un solo chip
NAND es relativamente lento, dado que la interfaz de entrada y salida es de 8 o
16 bits asíncrona y también por la latencia adicional de las operaciones básicas de E/S (típica
de los SLC NAND, aproximadamente 25 μs para buscar una página de 4 KiB de la matriz en el
búfer de E/S en una lectura, aproximadamente 250 μs para una página de 4 KiB de la
memoria intermedia de E/S a la matriz de la escritura y sobre 2 ms para borrar un bloque de
256 KiB). Cuando varias unidades con NAND operan en paralelo dentro de un SSD, las
escalas de ancho de banda se incrementan y las latencias de alta se minimizan, siempre y
cuando suficientes operaciones estén pendientes y la carga se distribuya uniformemente entre
los dispositivos.
Las SSD de Micron e Intel fabricaron unidades flash mediante la aplicación de los datos de
creación de bandas (similar a RAID 0) e intercalado. Esto permitió la creación de SSD
ultrarápidos con 250 MB/s de lectura y escritura.
Las controladoras serie SF 1000 de Sandforce consiguen tasas de transferencia cercanas a la
saturación de la interfaz SATA II (rozando los 300 MB/s simétricos tanto en lectura como en
escritura). La generación sucesora, las de la serie SF 2000 de Sandforce, permiten más allá
de los 500 MB/s simétricos de lectura y escritura secuencial, requiriendo de una interfaz SATA
III si se desea alcanzar estos registros.
 Comparación entre Chips MLC y SLC.
Cada celda de la memoria NAND puede contener uno o más bits, y en función de ello se
fabrican de manera distinta y reciben nombres distintos.

• Celda de un nivel (SLC): este proceso consiste en cortar las obleas de silicio y
obtener chips de memoria. Este proceso monolítico tiene la ventaja de que los
chips son considerablemente más rápidos que los de la tecnología opuesta (MLC),
mayor longevidad, menor consumo, un menor tiempo de acceso a los datos. A
contrapartida, la densidad de capacidad por chips es menor, y por ende, un
considerable mayor precio en los dispositivos fabricados con este método. A nivel
técnico, pueden almacenar solamente un bit de datos por celda.
• Celda de múltiples niveles (MLC): este proceso consiste en apilar varios moldes
de la oblea para formar un solo chip. Las principales ventajas de este sistema de
fabricación es tener una mayor capacidad por chip que con el sistema SLC y por
tanto, un menor precio final en el dispositivo. A nivel técnico es menos fiable,
durable, rápido y avanzado que las SLC. Estos tipos de celdas almacenan dos bits
por cada una, es decir cuatro estados, por esa razón las tasas de lectura y
escritura de datos se ven mermadas. Toshiba ha conseguido desarrollar celdas de
tres bits.23
• Celda de triple nivel (TLC): tecnología más habitual en las SSD actuales, en el que
se mantienen tres bits por cada celda. Su mayor ventaja es la considerable
reducción de precio. Su mayor desventaja es que solo permite 1000 escrituras.24
• Celda de cuádruple nivel (QLC): la última innovación en que se aumentan a cuatro
bits por cada celda. La reducción de precio respecto a las anteriores es mayor. Al
aumentar los bits, se reduce el número de escrituras/borrado hasta solo unas 100
veces.25 Aunque tenga un número reducido de escrituras, no hay límite en el
número de lecturas y a velocidad de una SSD.
DRAM[editar]
Las SSD basados en este tipo de almacenamiento proporcionan muy bajo tiempo de acceso a
datos, en torno a 10 μs y se utilizan principalmente para acelerar aplicaciones que de otra
manera serían mermadas por la latencia del resto de sistemas. Estas SSD incorporan una
batería o bien un adaptador de corriente continua, además de un sistema de copia de
seguridad de almacenamiento para desconexiones abruptas que al restablecerse vuelve a
volcarse a la memoria no volátil, algo similar al sistema de hibernación de los sistemas
operativos.
Estas SSD son generalmente equipados con los mismos módulos de memoria RAM que
cualquier ordenador corriente, permitiendo su sustitución o expansión.
Sin embargo, las mejoras de las unidades basadas en flash están haciendo las SSD basadas
en DRAM no tan efectivas y acortando la brecha que los separa en términos de rendimiento.
Además los sistemas basados en DRAM son mucho más caros.

Otras aplicaciones[editar]
Las unidades de estado sólido son especialmente útiles en un ordenador que ya llegó al
máximo de su memoria RAM. Por ejemplo, algunas arquitecturas x86 tienen 4 GiB de límite,
pero éste puede ser extendido colocando una SSD como archivo de intercambio (mecanismo
de memoria virtual). Estas SSD no proporcionan tanta rapidez de almacenamiento como la
RAM principal debido al cuello de botella del bus que los conecta y a que la distancia de un
dispositivo a otro es mucho mayor, pero aun así mejoraría el rendimiento con respecto a
colocar el archivo de intercambio en una unidad de disco duro tradicional.