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Actividad A1

Problema 1

la variación de la banda prohibida (Eg) del silicio y GaAs con la temperatura se puede expresar como
αT 2
Eg(t) = Eg(0) − T +β , donde Eg(0) = 1.17eV, α = 4.73 · 10−4 eV
k y β = 636k para el silicio; y

Eg(0) = 1.519eV, α = 5.405 · 10−4 eV

k y β = 204K para GaAs. Encuentre el valor de Eg del Si y GaAs a

100K, 300K y 600K.

Si:

(4.73 · 10−4 eV
K )(100K)
2
(4.73 · 10−4 eV
K )(300K)
2
Eg(100) = 1.17eV − Eg(300) = 1.17eV −
100K + 636K 300K + 636K

Eg(100K) = 1.1635eV Eg(300K) = 1.1245eV

(4.73 · 10−4 eV
K )(600K)
2
Eg(600) = 1.17eV −
600K + 636K

Eg(600K) = 1.0322eV
GaAs:

(5.405 · 10−4 eV
K )(100K)
2
(5.405 · 10−4 eV
K )(300K)
2
Eg(100K) = 1.519eV − Eg(300K) = 1.519eV −
100K + 204K 300K + 204K

Eg(100K) = 1.5012eV Eg(300K) = 1.4224eV

(5.405 · 10−4 eV
K )(300K)
2
Eg(600K) = 1.519eV −
600K + 204K

Eg(600K) = 1.2769eV

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Problema 2

a) ¿Cuál es la distancia entre los átomos vecinos más cercanos en la red diamante de silicio?

≈ 0.235nm o ≈ 2.35Angstroms

b) Encuentre el número de átomos por centı́metro cuadrado en el silicio en los planos (100),(110) y (111).

Plano 100:

Numero de átomos del plano 100 = 2atm

( 41 (4) + 1)atm atm

Natm = −8 2
= 6.781 · 1014 2
(5.4307 · 10 ) cm

Plano 110:

Numero de átomos del plano 110 = 3.5atm ≈ 3

( 41 (4) + 12 (2) + 2)atm atm

Natm = √ = 9.590 · 1014 2
(5.4307 · 10−8 )2 ( 2) cm

Plano 111:

Numero de átomos del plano 111 = 2atm

( 31 (3) + 1)atm atm

Natm = √ = 2.604 · 107 2
−8
5.4307 · 10 ( 2) cm

2
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Problema3:

Encuentre el máximo porcentaje del volumen de la celda unitaria, que se puede llenar con esferas duras

idénticas en la celda cúbica simple, la cúbica centrada en las caras y la red diamante

a = 5.4307 · 10−8

Cúbica simple:

 3
Vesf eras 8 · 43 π( a2 )3 4 1
= 3
= π (100) = 52.23%
Vceldas a 3 2

Cúbica centrada:

a 3 a 3
8 · 43 π 1
· 34 π



Vesf eras 2 +6· 2 2 11
= = π = 183.2%
Vceldas a3 6

Red diamante:

no se : (

3
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Problema 4

Explique los conceptos de semiconductor, concentración intrı́nseca ni , band gap Eg, electrones y huecos, y

dopado.

ˆ Semiconductor:

Un semiconductor es un tipo de material que tiene una conductividad eléctrica entre la de un

conductor (como el cobre) y la de un aislante (como el vidrio). Los semiconductores son

fundamentales en la electrónica y la tecnologı́a moderna, ya que permiten la construcción de

componentes como transistores, diodos y circuitos integrados.

ˆ Concentración intrı́nseca(ni ):

La concentración intrı́nsecani es una medida de la densidad de electrones y huecos en un material

semiconductor en equilibrio térmico. En un material semiconductor puro y a una temperatura dada,

hay una cierta cantidad de portadores de carga (electrones y huecos) presentes debido a la generación

térmica. La concentración intrı́nseca varı́a según la temperatura y el material.

ˆ Ancho de Banda Prohibida (Eg ):

El ancho de banda prohibida Eg es la energı́a necesaria para que un electrón en un material

semiconductor pase de la banda de valencia (la banda de energı́a ocupada más alta) a la banda de

conducción (la banda de energı́a desocupada más baja). Es un valor clave para determinar las

propiedades eléctricas de un semiconductor. Los materiales con un pequeño Eg son semiconductores

aptos para la conducción, mientras que aquellos con un Eg grande son aislantes.

ˆ Electrones y Huecos: En un material semiconductor, la banda de valencia está llena de electrones,

mientras que la banda de conducción está vacı́a. Los electrones pueden moverse desde la banda de

valencia a la banda de conducción si se les proporciona la energı́a suficiente (como en un proceso de

excitación térmica o mediante la absorción de luz). Cuando un electrón se mueve de la banda de

valencia a la banda de conducción, deja atrás un ”hueco” en la banda de valencia, que puede

considerarse como la falta de un electrón. Los electrones y los huecos son portadores de carga en los

semiconductores y juegan un papel crucial en la conducción eléctrica.

ˆ Dopado: El dopado es el proceso de introducir átomos de impureza en un material semiconductor

para modificar sus propiedades eléctricas. Los átomos de impureza, llamados dopantes, pueden ser de

dos tipos: donores y aceptores. Los donores agregan electrones extra a la estructura, lo que da lugar a

semiconductores tipo n (carga negativa). Los aceptores crean huecos adicionales, lo que conduce a

semiconductores tipo p (carga positiva). El dopado controlado es esencial para crear regiones con

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diferentes tipos de conducción en los semiconductores y construir dispositivos como diodos y

transistores.