Tema-7-TE.

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Tecnología Electrónica

2º Grado en Ingeniería Electrónica Industrial

Escuela Politécnica Superior

Universidad de Sevilla

Reservados todos los derechos.

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
 Tema 7. Diodos Zener.

No se permite la explotación económica ni la transformación de esta obra. Queda permitida la impresión en su totalidad.
Índice.
1. Descripción básica. ................................................................................................................ 2
1.1- Curva característica. ...................................................................................................... 2
1.2- Efecto avalancha. .......................................................................................................... 2
1.3- Efecto Zener. ................................................................................................................. 2
1.4- Resistencia Zener. ......................................................................................................... 2

Reservados todos los derechos.

2. Modelos de aproximación. ................................................................................................ 3
2.1- Zener ideal. .................................................................................................................... 3
2.2- 1ª Aproximación. ........................................................................................................... 3
3. Características técnicas. ........................................................................................................ 3
3.1- Efecto de la temperatura. ............................................................................................. 3
3.2- Temperatura máxima. ................................................................................................... 4
3.3- Potencia nominal........................................................................................................... 4

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 1. Descripción básica.
Se fabrica controlando de forma adecuada su comportamiento en la zona de polarización
inversa, son diseñados para operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya.

1.1- Curva característica.

- En polarización directa: conduce.
- En polarización inversa: no conduce.

La tensión de ruptura es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar

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antes de que se vuelva conductor. Hay dos mecanismos para que se produzca este
fenómeno:

- Efecto avalancha.
- Efecto Zener.

Es en la zona inversa donde se trabajará, pues mantiene la tensión cte frente a cambios en la
intensidad que circula.

- Izmin: es la mínima intensidad que debe circular para que se produzca l efecto
Zener/avalancha, y así la tensión en el diodo se mantiene constante e independiente
de la corriente que circula por él.
- Izmáz: es la máxima intensidad que debe circular por el diodo para garantizar la

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integridad del dispositivo.

1.2- Efecto avalancha.

Ocurre con tensiones inversas elevadas en la unión p-n. los electrones libres se aceleran a
velocidades tan altas que son capaces de desalojar a los electrones de valencia; estos se
convierten en electrones libres que desaloja a otros electrones de valencia. Resultado:
avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Características

- Diodos poco impurificados.

- Vz > 6V.
- Coeficiente de temperatura positivo, es decir, aumenta la tensión Zener con la
temperatura.

1.3- Efecto Zener.

Cuanto más dopado está el material, menor es la anchura de la zona de carga y mayor es el
campo eléctrico, causando así la rotura de los enlaces entre los átomos y dejando así
electrones libre capaces de estableces la conducción. Características

- Diodos muy impurificados.

- Vz < 6V.
- Coeficiente de temperatura negativo, es decir, disminuye la tensión Zener con la
temperatura.

1.4- Resistencia Zener.

Alcanzada la tensión de ruptura, la tensión no se mantiene estrictamente constante frente a
cambios en la intensidad. Tiene una inclinación, pues se producen pequeños incrementos en la
tensión conforme aumenta la intensidad. Esto se modela como:
∆𝑉𝑍
𝑅𝑧 =
∆𝐼𝑍

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 2. Modelos de aproximación.
Para simplificar los cálculos se crean modelos que verifiquen en mayor o menor grado el
comportamiento del diodo. Se pueden crear varios modelos, y ellos dependen exclusivamente
del grado de exactitud que se desee aplicar al posterior análisis.

Los parámetros de la modelación pueden ser:

- La tensión de codo/ruptura.
- Las resistencias en las zonas de conducción directa e inversa.

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- Temperaturas del componente.

2.1- Zener ideal.

Polarización directa:
𝑅𝐹 = 0 Ω
- Diodo actúa como corto circuito { 𝑉 = 0 𝑉
𝛾

Polarización inversa:
𝑅𝑧 = ∞ Ω
➢ −𝑉𝑧𝑜 < 𝑉𝐷 < 0 {
𝐼0 = 0 𝐴
𝑅𝑧 = 0 Ω
➢ −𝑉𝑧𝑜 > 𝑉𝐷 { 𝐼0 = 0 𝐴

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𝑉𝐷 = 𝑉𝑧𝑜

2.2- 1ª Aproximación.
Polarización directa:
𝑅𝐹 = 0 Ω
- Diodo actúa como corto circuito { 𝑉 = 0 𝑉
𝛾

Polarización inversa:
𝑅𝑧 = ∞ Ω
➢ −𝑉𝑧𝑜 < 𝑉𝐷 < 0 {
𝐼0 = 0 𝐴
𝑅𝑧 ≠ 0 Ω
➢ −𝑉𝑧𝑜 > 𝑉𝐷 { 𝐼0 = 0 𝐴
𝑉𝐷 = 𝑉𝑧𝑜 + (𝐼𝑍 · 𝑅𝑍 )

3. Características técnicas.
Muchas de las características de este tipo de diodos son iguales que las ya mencionadas en el
tema anterior, por ello, solo vamos a describir algunas variantes.

3.1- Efecto de la temperatura.

La temperatura afecta a los diodos Zener del mismo modo, pero añadimos otro efecto: la
tensión de ruptura también es dependiente de la temperatura.
𝑚𝑉
𝑉𝑧𝑜 (𝑇𝑐 ) = 𝑉𝑧𝑜 + 𝛼 · (𝑇𝑐 − 𝑇𝑜 ); 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝛼: 𝑐𝑜𝑒𝑓 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 ( )
𝐾
%
𝑉𝑧𝑜 (𝑇𝑐 ) = 𝑉𝑧𝑜 · (1 + 𝛼 · (𝑇𝑐 − 𝑇𝑜 )); 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝛼: 𝑐𝑜𝑒𝑓 𝑡𝑒𝑚𝑝𝑒𝑟𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎 ( )
𝐾

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 Tensiones de ruptura inferiores a 6V:

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- Predomina el efecto Zener.
- Coef de temperatura negativo.

Tensiones de ruptura superiores a 6V:

- Predomina el efecto avalancha.

- Coef de temperatura positivo.

El coeficiente de temperatura varía con la intensidad.

3.2- Temperatura máxima.

Cuando se alcanza el equilibrio térmico entre diodo y medio, la temperatura alcanzada por el
componente no debe sobrepasar una determinada especificada por el fabricante: Tmax.

- Ge = 75∼100 oC

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- Si = 150∼200 oC

3.3- Potencia nominal.

Es la potencia máxima disipable por el componente en servicio continuo, sin sufrir deterioro, a
temperatura nominal.

- Polarización directa: 𝑃𝑛 = 𝑉𝐷 · 𝐼𝐷 = (𝑉𝐹 + 𝐼𝐷 · 𝑟𝐹 ) · 𝐼𝐷 = 𝑉𝐹 · 𝐼𝐷 + 𝑟𝐹 · 𝐼𝐷2

- Polarización inversa: 𝑃𝑛 = 𝑉𝑍 · 𝐼𝑍 = (𝑉𝑧𝑜 + 𝐼𝑧 · 𝑅𝑧 ) · 𝐼𝑧 = 𝑉𝑧𝑜 · 𝐼𝑧 + 𝑅𝑧 · 𝐼𝑧2

La potencia nominal de disipación varía con el tamaño (menor resistencia térmica).

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