Tecnología Eléctrica 1

Introducción a la electrónica de potencia

La electrónica de potencia es la parte de la electrónica que estudia los dispositivos y circuitos

usados en la modificación de las características de la energía eléctrica, principalmente el voltaje,
la frecuencia y su forma de onda.

El campo de la Electrónica de potencia puede dividirse en tres grandes disciplinas o ramas:

De la electrónica de potencia se desprende la electrónica industrial, la cual estudia la adaptación

de los sistemas electrónicos de potencia en los diferentes procesos industriales.

Nuestro estudio se centrará en los componentes electrónicos de potencia, los cuales tienen como
característica más importante, que todos ellos trabajan en régimen de conmutación,
comportándose como un interruptor en modo abierto (no circula corriente) y en modo cerrado
(circula toda la corriente del circuito).

El componente básico de un circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:

 Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja
impedancia (conducción).
 Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña potencia.
 Ser capaces de soportar grandes intensidades de corriente con pequeñas caídas de tensión
cuando está en estado de conducción.
 Soportar grandes caídas de tensión entre sus bornes, cuando está en estado de bloqueo.
 Las dos condiciones anteriores lo capacitan para controlar grandes potencias.
 Permitir el paso de estado de bloqueo a conducción y viceversa con baja disipación de potencia.
 Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.
 Capacidad de trabajo a altas y bajas frecuencias.

Clasificación de los dispositivos de potencia

En función del tipo de conmutación es posible clasificar a los dispositivos semiconductores de

potencia como:

 No controlados: Los semiconductores no controlados como por ejemplos los diodos son los
dispositivos sobre los que no podemos realizar ningún tipo de gestión o control sobre ellos. Su
paso a conducción y a bloqueo dependerá de la corriente que circule por él. (Diodos de Potencia)

 Semicontrolados: Los semiconductores semicontrolados como por ejemplo los tiristores permiten
gestionar el paso a conducción, pero no el paso a bloqueo. El paso a bloqueo coincidirá con el
cese de corriente. (SCR, TRIAC, DIAC, QUADRAC)

 Controlados: Los semiconductores controlados, como por ejemplo los transistores, permiten
gestionar el paso a conducción y a bloqueo. Esta característica hace que sean funcionalmente de
los dispositivos más versátiles. Tienen limitaciones relacionadas con los voltajes y corrientes
máximas de trabajo. (GTO, BJT, UJT, IGBT)

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Diodo de potencia

Es un dispositivo unidireccional, no pudiendo circular corriente en sentido contrario al de

conducción. El único procedimiento de control (apagado) consiste en invertir la tensión ánodo (A)
- cátodo (K), no disponiendo de ningún terminal de control.

Tiene características similares al diodo de baja tensión, el cual está conformado por la unión P-N,
existiendo electrones libres en el material tipo N y huecos libres en el material tipo P. Los diodos
de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una
alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de
soportar una fuerte tensión negativa de ánodo - cátodo, con una pequeña intensidad de corriente
de fugas.

Curva característica (Tensión – Corriente)

VTD: Tensión de activación del diodo.

VBR: Tensión de ruptura.

El diodo conduce si la tensión VAK es mayor que la tensión VTD, en forma típica para un material de
Silicio el nivel de VTD es de 0.7 V y para Germanio 0.3 V. Si el nivel de tensión en sentido inverso
es mayor que VBR, el dispositivo puede dañarse. Dicho valor es especificado en las hojas de datos
del fabricante.

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Una aplicación ampliamente utilizada de esta característica y los diodos en general es en la

conversión de una tensión alterna (AC) en una tensión continua (DC). En otras palabras, la
rectificación. Sin embargo, los diodos para baja tensión también se pueden usar como
rectificadores en aplicaciones de baja potencia y baja corriente (menos de 1 A); cuando las
corrientes de polarización directa son más grandes o las tensiones de bloqueo de polarización
inversa son más altas, se tiene comprometida la unión P-N de un diodo de señal pequeño, el cual
eventualmente se sobrecalentaría y derretiría, de modo que en su lugar se usan diodos de
potencia más grandes y robustos.

Características de recuperación inversa

Una vez que un diodo está en conducción, y a continuación su corriente en sentido directo se
reduce a cero, el diodo continúa conduciendo, por los portadores minoritarios que quedan
almacenados en la unión P-N. A este tiempo se le llama tiempo de recuperación inverso (trr ), el
cual se define como el intervalo de tiempo entre el instante que la corriente pasa por cero en
conducción directa a la condición de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente en sentido
inverso ha bajado hasta el 25 % de su valor pico.
El tiempo de recuperación inverso (trr ), está conformado por dos componentes:

ta: Tiempo desde el cruce con cero hasta el pico de corriente en sentido inverso inverso (IRR).
tb: Tiempo debido al almacenamiento de carga en la masa del material semiconductor.
trr = ta + tb

La corriente pico en sentido inverso se puede expresar en función de di/dt como sigue:

𝑑𝑖
𝐼𝑅𝑅 = 𝑡𝑎
𝑑𝑡

𝑄𝑅𝑅 se define como la carga de recuperación inversa y su valor se determina como el area
encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperación inversa.
𝑡
𝑄𝑅𝑅 = ∫ 𝐼𝑅𝑅 𝑑𝑡
0

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Un valor aproximado de 𝑄𝑅𝑅 es igualarlo al rea de dos triángulos.

𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑎 𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑏
𝑄𝑅𝑅 = +
2 2

𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑟𝑟
𝑄𝑅𝑅 =
2

La frecuencia máxima de operación de un diodo depende del tiempo de recuperación, el cual se

refiere a la rapidez que tiene el diodo para pasar del estado on a off (conmutar).

1
𝑓𝑚á𝑥. =
2 𝑡𝑅𝑅
Ejercicio:

Dada la figura correspondiente a la respuesta de un diodo con la corriente determine:

𝑑𝑖
𝑑𝑡
, 𝑡𝑟𝑟 , 𝐼𝑅𝑅 , 𝑄𝑅𝑅 y la frecuencia máxima de operación del diodo.

Solución

Para I = 0 A, se tiene un tiempo de 440 ns aproximadamente, mientras que para I =- 4 A, el

tiempo es de 650 ns. Por tanto, la pendiente (derivada) será:

𝑑𝑖 (−4 A−0 A)
= (650 = −19.047 (A⁄µs), este valor suele darse en forma positiva 𝟏𝟗. 𝟎𝟒𝟕 (𝐀⁄µ𝐬)
𝑑𝑡 ns−440 ns)

𝑡𝑟𝑟 = 𝑡𝑎 + 𝑡𝑏

𝑡𝑎 = (650 ns − 440 ns) = 210 ns

Para calcular 𝑡𝑏 se debe encontrar el valor de 25 % del pico de corriente de 𝐼𝑅𝑅

0.25(𝐼𝑅𝑅 ) = 0.25 (−4 A) = −1 A

Para I =-1 A, se tiene un tiempo de 800 ns

𝑡𝑏 = (800 ns − 650 ns) = 150 ns

𝑡𝑟𝑟 = 210 ns + 150 ns = 360 ns

A pesar de que 𝐼𝑅𝑅 , ya se obtuvo en la gráfica, también se podría hallar con la expresión:

𝑑𝑖
𝐼𝑅𝑅 = 𝑡𝑎 = 210 ns (−19.047 (A⁄µs)) = − 4 A
𝑑𝑡

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𝐼𝑅𝑅 𝑡𝑟𝑟 −4 A (360 ns)

𝑄𝑅𝑅 = = = |722 x 10−9 | (𝑐𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏)
2 2

1 1
𝑓𝑚á𝑥. = = = 1.38 MHz
2𝑡𝑅𝑅 2(360 ns)

Circuito típico de aplicación del diodo de potencia (rectificador de media onda):

𝑉s = 𝑉𝑚𝑎𝑥 sen(𝜔𝑡)
1
𝜔 = 2𝜋𝑓 𝑓=𝑇
1 𝑇
𝑉prom = ∫ 𝑉 𝑑𝑡
𝑇 0 𝑅𝐿

Durante el proceso de rectificación, el voltaje y la corriente de salida de CC resultantes son, por

lo tanto, "ON" y "OFF" durante cada ciclo. Como el voltaje a través de la resistencia de carga solo
está presente durante la mitad positiva del ciclo (50% de la forma de onda de entrada), esto da
como resultado un valor de CC promedio bajo que se suministra a la carga.

La variación de la forma de onda de salida rectificada entre esta condición de "Encendido" y

"Apagado" produce una forma de onda que tiene grandes cantidades de "ondulación" que es una
característica indeseable. La ondulación de CC resultante tiene una frecuencia que es igual a la de
la frecuencia de suministro de CA.

1 𝑇/2
𝑉prom = ∫ 𝑉𝑚𝑎𝑥 sen(𝜔𝑡) 𝑑𝑡
𝑇 0

𝑇
𝑉𝑚𝑎𝑥 cos(𝜔𝑡) 2
𝑉prom =− |
𝑇𝜔 0

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0
𝑉𝑚𝑎𝑥 cos(𝜔𝑡)
𝑉prom = |
2𝜋 𝑇
𝑇
𝑇 2

𝑉𝑚𝑎𝑥 2𝜋 𝑇 𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉prom = (1 − cos( . )) = (1 − cos(𝜋))
2𝜋 𝑇 2 2𝜋

𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉prom = = 0.318 𝑉𝑚𝑎𝑥
𝜋

La tensión eficaz se define como:

1 𝑇
𝑉RMS = √ ∫ (𝑉(𝑡))2 𝑑𝑡
𝑇 0

Para una onda senoidal (𝑉𝑚𝑎𝑥 sen(𝜔𝑡)) será:

𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉RMS = = 0.707. 𝑉𝑚𝑎𝑥 𝑉prom = 0
√2

Para la onda rectificada se tiene:

1 𝑇/2 𝑉𝑚𝑎𝑥
𝑉RMS = √ ∫ (𝑉𝑚𝑎𝑥 sen(𝜔𝑡))2 𝑑𝑡 =
𝑇 0 2

Muy a menudo, al rectificar un nivel alterno, se desea producir un nivel de CC “estable” y continuo,
libre de cualquier variación u ondulación. Una forma de hacerlo es conectar un capacitor en
paralelo con la carga, que permita mantener con un tiempo lo suficientemente largo la tensión
constante a la salida. Este tipo de condensador se conoce comúnmente como un "depósito" o
condensador de suavizado (smoothing capacitor).

El capacitor y la resistencia configuran un filtro pasa bajas. Sin embargo, debe tenerse en cuenta
que debido a la no linealidad del circuito que lo precede, el filtro no se limita a mantener el valor
de continua (valor promedio) de la onda rectificada y rechazar los armónicos.

1 1
𝑡𝑑 = 𝑅𝐿 𝐶 ≫ 𝑇 𝑇= 𝐶≫
𝑓 𝑅𝐿 𝑓

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Diodo Shockley

El diodo Shockley o diodo PNPN es un dispositivo de conmutación semiconductor de cuatro capas

(PNPN) y dos terminales (es decir, ánodo y cátodo). También se le llama diodo de cuatro
capas. Funciona como un diodo normal sin entradas de disparo, en condición de polarización
inversa, no fluye corriente a través de él y en condición de polarización directa la corriente fluye
a través de él cuando el voltaje a través de él es mayor que el voltaje de ruptura del mismo. Fue
inventado por William Bradford Shockley, y por eso lleva el nombre de su inventor.

Cuando el ánodo de la unión J1 y J3 se hace positivo y el cátodo negativo, la corriente comienza

a aumentar gradualmente. Pero antes de alcanzar la tensión de ruptura o también llamada de
transición conductiva, la resistencia que ofrece el diodo es bastante alta. Por lo tanto, solo una
pequeña corriente de fuga fluye a través del diodo.

Curva característica (Voltaje – Corriente)

Cuando la tensión de polarización directa excede el voltaje de transición conductiva (VBO), la

corriente comienza a aumentar significativamente. Cuando la corriente aumenta desde un límite
particular (IL), el diodo cambia al estado encendido.

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La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarización directa tiene un límite impuesto
por el propio componente (IMAX), que si se supera llevará a la destrucción del mismo. Por esta
razón, será necesario diseñar el circuito en el que se instale este componente de tal modo que no
se supere este valor de corriente.
En la curva se destacan tres regiones:
I: Región de bloqueo inverso: Igual a cualquier diodo, bloquea la corriente hasta que alcance
el voltaje de ruptura inversa (VBR).
II: Región de bloqueo directo: Se distingue de cualquier otro diodo, porque cuando se polariza
directamente, no fluye corriente hasta tanto la tensión V AK no
supere el voltaje VBO y así el diodo entrará en conducción.
III: Región de conducción: Igual a cualquier diodo, se deja pasar corriente con poca caída de
voltaje.
Si la corriente en conducción directa decae por debajo del valor mínimo (I H, corriente de
sostenimiento) el diodo se apagará y no conducirá hasta que VAK sea mayor que VBO.

Ventajas del diodo Shockley

 El diodo Shockley tiene una alta velocidad de conmutación.
 Puede hacer mucho más que un transistor, ya que su arquitectura de construcción se compone
de dos transistores conectados con un terminal común.

Desventajas del diodo Shockley

 Su construcción es compleja debido a la participación de cuatro capas de material

semiconductor.
Aplicaciones del diodo Shockley
 Actúa como oscilador de relajación.
 Interruptores de activación para SCR.

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Diodo Schottky

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán Walter H.
Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los
estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de
diámetro) y muy bajas tensiones de umbral (VT).

La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que el diodo actúe como
conductor en lugar de circuito abierto; esto, dejando de lado la región Zener, que es cuando existe
una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de estar polarizado en
inversa este opere de forma similar a como lo haría regularmente.

Los diodos Schottky tienen voltaje nominal inverso de pico limitado en comparación con los diodos
de unión de silicio. Esto generalmente limita su uso a fuentes de alimentación conmutadas de bajo
voltaje. El diodo de referencia 1N5822 tiene una clasificación respetable de pico de voltaje inverso
de 40 voltios y una corriente directa máxima de 3 A.

LM2595: Regulador de voltaje reductor

Los diodos Schottky se pueden usar para proteger los circuitos reguladores contra la aplicación no
deseada de polaridad invertida en la entrada. El diodo D1 cumple ese propósito en el ejemplo. La
principal ventaja del diodo en esta aplicación es su baja caída de voltaje directo.

Una función más importante para un diodo Schottky, en este caso D2, es proporcionar una ruta
de retorno para la corriente a través del inductor, L1, cuando el interruptor se apaga. D2 tiene que
ser un diodo rápido conectado con un cableado corto de baja inductancia para realizar esta función.
Los diodos Schottky proporcionan el mejor rendimiento en esta aplicación para suministros de
bajo voltaje.

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