IST = IS + ISF

IST = CORRIENTE DE SATURACIÓN TOTAL

IS = CORRIENTE DE SATURACIÓN INVERSA
ISF == CORRIENTE DE FUGA SUPERFICIAL

IS SE DUPLICA POR CADA 10° C DE AUMENTO DE LA

TEMPERATURA.
EN POLARIZACIÓN DIRECTA
I == CORRIENTE DE CONDUCCIÓN
q = CARGA DEL ELECTRÓN (1.602 x 𝟏𝟎−𝟏𝟗 ) COULOMBIOS

k = CONSTANTE DE BOLTZMAN (1.38 x 𝟏𝟎−𝟐𝟑 JOULES/ °K

T = TEMPERATURA AMBIENTE (25°C) (300°K)

= TENSIÓN NETA EN EL DIODO (V - )

 = VOLTAJE DE BARRERA DE POTENCIAL

AL REEMPLAZAR

q/KT = 38.65 === KT/ q = 0.026

DETERMINAR LA TENSIÓN (V) APLICADA A UN DIODO

DE GERMANIO QUE CONDUCE (I) 20 mA A LA
TEMPERATURA AMBIENTE Y CUYA CORRIENTE DE
SATURACIÓN INVERSA ES DE 10 A.
 = TENSIÓN NETA EN
EL DIODO

APLICANDO LOGARITMO
NATURAL

REEMPLAZANDO
 ===

= 0.377 + 0.3

V === VOLTAJE APLICADO AL DIODO

V = 0.677 Voltios
CURVA CARACTERISTICA VOLTAJE Vs
CORRIENTE DE UN DIODO SEMICONDUCTOR (V-I)
ZONA I == ZONA NO POLARIZADA

ZONA II == ZONA DE POLARIZACIÓN INVERSA

ZONA III == ZONA DE POLARIZACIÓN DIRECTA

VOLTAJE INVERSO PICO (VIP)

VOLTAJE ANTES DE SU DETERIORO

VOLTAJE PICO INVERSO
 RESISTENCIA DINAMICA DEL DIODO
SEMICONDUCTOR Rd

CUANDO ESTA EN CONDUCCIÓN, DEPENDE DE LA

CORRIENTE QUE CIRCULA A TRAVES DEL DIODO EN UN
DETERMINADO MOMENTO.

……….. 1

COMO :

CUANDO EL DIODO ESTA EN CONDUCCIÓN

LUEGO PODEMOS DECIR

DERIVANDO CON RESPECTO A V´

REEMPLAZANDO EN LA ECUACIÓN 1

= Rd =
COMO = 0.026 LUEGO Rd = 0.026/ I

ENTONCES Rd =
EN EL CIRCUITO DE LA FIGURA, SE PIDE CALCULAR LA
CORRIENTE A TRAVES DE LA RESISTENCIA DE 10 KΩ
CONSIDERAR EL DIODO IDEAL.
ID = (20v )/ 10KΩ = 2 m A

ID = 2 m A
CONSIDERE EL DIODO DE LA FIGURA IDEAL, ¿CUÁNTA
CORRIENTE CIRCULA POR LA RESISTENCIA DE 20 KΩ ?
DIBUJE LA FORMA DE ONDA A TRAVES DE LA
RESISTENCIA DE 20 KΩ. HALLAR EL VIP.

ANALIZANDO EN LA PRIMERA MITAD DE LA SEÑAL DE

ENTRADA (0 – T/2).
CONSIDEREMOS QUE LA FUENTE Vi SE PUEDE
REEMPLAZAR POR UNA FUENTE DE TENSIÓN
CONTINUA DE VOLTAJE DE 20 v.

APLICANDO TRANSFORMACIÓN DE FUENTE, Y

CALCULANDO LA CORRIENTE RESPECTIVA.

PORQUE: 20v/ 10 KΩ = 2 m A
SIMPLIFICANDO LAS RESISTENCIAS PARALELAS
LUEGO POR DIVISOR DE CORRIENTE TENDREMOS:

ID = (I x 5)/ (5 + 20) = (2 x 5)/(25) = 0.4 m A

PERO TAMBIÉN Vo = ID x 20 = 0.4 x 20 = 8v

ANALIZANDO LA SEGUNDA MITAD DE LA SEÑAL DE

ENTRADA
 OBSERVAMOS QUE EL DIODO ESTA ABIERTO LUEGO LA
CORRIENTE ID = 0 Y EL VOLTAJE Vo = 0

VAC = VIP = (20 x 10) / (10 + 10) = 10 v

VIP = 10 Voltios
CALCULAR LA CORRIENTE PICO QUE CIRCULA POR LA
RESISTENCIA DE 12.5 KΩ , USAR LA SEGUNDA
APROXIMACIÓN DEL DIODO.
ANALIZAREMOS ENTRE 0 Y T/2 LA SEÑAL DE ENTRADDA
 EL DIODO SOLO CONDUCE EN EL SEMICICLO
POSITIVO DE LA SEÑAL DE ENTRADA (0 – T/2)

POR TRANSFORMACION DE FUENTE TENDREMOS:

SIMPLIFICANDO EL CIRCUITO

VOLVIENDO A TRANSFORMAR LA FUENTE TENDREMOS:

LUEGO CALCULANDO EL VALOR DE IR TENDREMOS:

IR = ( 7.5 – 0.7)/ (7.5 + 12.5) = 6.8/20

FINALMENTE :

IR = 0.34 mA
CUANDO SE POLARIZA INVERSAMENTE TENDREMOS
QUE:

IR = 0
USESE LA TERCERA APROXIMACIÓN DEL DIODO, PARA
CALCULAR LA CORRIENTE DIRECTA A TRAVES DE ÉL Y
CALCULE LA TENSIÓN PICO A TRAVÉS DE LA
RESISTENCIA DE 300Ω. (Rp = 25 Ω )
APLICANDO KIRCHOFF
ID = (10 – 0.7) / ( 50 + 25 + 300) = 9.3/ 375

LUEGO :
ID = 24.8 mA
Vo ES EL VOLTAJE EN LA RESISTENCIA DE 300 Ω

Vo = ID x 300 = 24.8 m A x 0.3 KΩ = 7.44v

Vo = 7.44Voltios
COMO LA POLARIZACIÓN INVERSA DEJARA A LA MALLA
EN CIRCUITO ABIERTO, LUEGO NO CIRCULARA
CORRIENTE.

LUEGO IR = 0 Y EL VOLTAJE Vo = 0

TAMBIEN, EL VIP SERA EL VOLTAJE DE LA FUENTE 10 v.