UNIDAD No 4. FINAL Acoplamiento-Amplificadores FINAL

CAPITULO 5 BFA - UNIDAD 4.
ACOPLAMIENTO - AMPLIFICADORES
Jorge A.Maciel UNIDAD 4
ACOPLAMIENTO- AMPLIFICADORES
Limusa-NORIEGA EDITORES
Cuando la oscilación o variación pico a pico de la señal de entrada, a un

transistor polarizado, es muy pequeña y se grafica sobre las características de
salida del transistor, éstas variaciones por ser tan pequeñas se consideran
lineales y para propósitos de análisis, de éstas, se obtiene el circuito
equivalente a pequeña señal. La aproximación gráfica se abandona y se analiza
el circuito equivalente a pequeña señal, para determinar la respuesta del
amplificador.
En la práctica, el análisis y diseño de amplificadores de voltaje o
corriente a pequeña señal se divide en dos partes esencialmente: La primera,
en un análisis de cd, en el que se utiliza el circuito equivalente a cd del
transistor, se determinan los parámetros del transistor en función del punto de
operación y se obtienen las fórmulas que lo definen (VCE , IC , IB ) ; el diseño,
consiste en calcular las resistencias de polarización para fijar el punto
operación. La segunda, implica un análisis de ca, es decir, utilizar un circuito
equivalente a ca del transistor, para determinar los parámetros que definen la
ganancia en voltaje o corriente, la respuesta en frecuencia e impedancias de
entrada y salida, siendo este el objetivo de la presente unidad.
Circuito equivalente híbrido del transistor. Un puerto se define como un
par de terminales donde un voltaje o corriente se puede aplicar o medir.
Entonces una red de dos puertos es una red con dos pares de terminales. Tal
red se muestra en la siguiente figura 4.1.
I1 I2
+ +
1 V1 Red V2 2
- -
Red de dos puertos

Figura 4.1. Red de dos puertos.
El conjunto de terminales de la izquierda de la figura 4.1, representará

las terminales de entrada y el de la derecha las terminales de salida o puerto
de salida. Para el transistor que es un dispositivo de tres terminales, también
tiene dos puertos (pares de terminales).
El dispositivo dentro de la caja puede ser caracterizado por cuatro
variables V1, I1, V2, I2 , las cuales son medibles por instrumentos externos; de
estas cuatro variables dos serán las variables independientes y dos las
variables dependientes.
113
CAPITULO 5 BFA - UNIDAD 4. ACOPLAMIENTO - AMPLIFICADORES
Para elegir las variables hay seis maneras de combinarlas; para

V2 e I1 = var iables..independientes
nuestro caso (el transistor), son:
V1 e I2 = var iables..dependient es.
Los parámetros que relacionan las cuatro variables se denominan
parámetros “h” de la palabra “híbrido” (mezcla de variables v e i).
V1 = h1 1I1 + h1 2V2 − − − (a)

I2 = h2 1I1 + h2 2V2 − − − (b)
Los parámetros “h” aparte de ser fácil medirlos, son frecuentemente

especificados en las hojas de datos del fabricante, para la configuración emisor
común.
Una comprensión clara de lo que representan los diversos parámetros
“h” y de como podemos esperar tratarlos posteriormente se desarrollará,
aislando cada uno de (a) y (b) y examinando la relación resultante.
Si arbitrariamente escogemos V2 = 0V (cortocircuitando las
terminales de salida), y resolvemos h1 1 en la ecuación (a), obtenemos:
V1 
h1 1 =  
I1  V
2 =0V
La relación indica que el parámetro h1 1 es un parámetro de

impedancia. Puesto que es la relación del voltaje de entrada a la corriente de
entrada con las terminales de salida cortocircuitadas, se le denomina el
PARAMETRO DE IMPEDANCIA DE ENTRADA EN CORTOCIRCUITO. El subíndice
11 de h , define el hecho de que el parámetro se determina por una relación
de cantidades medidas en las terminales de entrada.
Si I1 se hace igual a cero en la ecuación (a), es decir, abriendo las
terminales de entrada, se obtendrá el siguiente resultado para h1 2 .
V1 
h1 2 =  (sin unidades)
V2  I
1 =0 Amp
El parámetro h1 2 , por consiguiente, es la razón del voltaje de entrada al

voltaje de salida con la corriente de entrada igual a cero. No tiene unidades
puesto que es una razón de niveles de voltaje. Se le denomina el PARAMETRO
DE LA RAZON DE TRANSFERENCIA DE VOLTAJE INVERSO EN CIRCUITO
ABIERTO. El subíndice 12 de h , revela que el parámetro es una cantidad de
transferencia determinada por una razón de medidas de entrada a salida. El
primer número del subíndice, define la cantidad medida que aparece en el
numerador; el segundo número, define la fuente de la cantidad que aparece en
el denominador. El término inverso se incluye para indicar que la razón de
voltaje es una cantidad de entrada sobre una cantidad de salida en vez de lo
contrario, lo cual es usualmente la razón de interés.
Si en la ecuación (b), V2 se iguala a cero, cortocircuitando de nuevo las
terminales de salida, se obtendrá el siguiente resultado para h 21 :
I2 
h2 1 =  (sin unidades)
I1  V
2 =0V
114
Note que ahora tenemos la razón de una cantidad de salida a una cantidad de
entrada. El término directo se utilizará en vez del término inverso indicado
para h1 2 . El parámetro h2 1 es la razón de la corriente de salida a la corriente
de entrada con las terminales de salida cortocircuitadas. El es, para la mayoría
de las aplicaciones, el parámetro de mayor interés. Este parámetro h2 1 no
tiene unidades, puesto que es la razón de niveles de corriente. Formalmente se
le denomina el PARAMETRO RAZON DE TRANSFERENCIA DE CORRIENTE
DIRECTA DE CORTOCIRCUITO El subíndice 21 de nuevo indica que es un
parámetro de transferencia con la cantidad de salida en el numerador y la
cantidad de entrada en el denominador.
El último parámetro h2 2 , puede encontrarse de nuevo abriendo las
terminales de entrada y haciendo I1 = 0A y despejando h 22 en la ecuación (b).
I2 
h2 2 =  (siemens)
V2  I
1 =0 Amp.
Puesto que es la razón de la corriente de salida al voltaje de salida, es

un parámetro de conductancia de salida y se mide en siemens (s),
(anteriormente en mhos). Se le denomina el PARAMETRO DE CONDUCTANCIA
DE SALIDA EN CIRCUITO ABIERTO. El subíndice 22 revela que se determina
por una relación de cantidades de salida.
Puesto que cada término de la ecuación (a), tiene la unidad volt,
apliquemos la ley de voltajes de Kirchhoff para encontrar el circuito que
“ajusta” la ecuación. Realizando esta operación se obtendrá el circuito de la
figura 4.2a. Puesto que el parámetro h1 1 tiene la unidad ohms, se representa
por una impedancia la cual para el transistor se vuelve una resistencia. La
cantidad h1 2 no tiene dimensiones. Note que es una “retroalimentación” del
voltaje de salida al circuito de entrada.
Cada término de la ecuación (b) tiene unidades de corriente.
Apliquemos ahora la ley de Kirchhoff para obtener el circuito siguiente figura
4.2b. Puesto que h2 2 tiene unidades de conductancia, se representa por un
símbolo de resistencia. Mantenga presente, sin embargo, que la resistencia en
ohms de este parámetro es igual al inverso de la conductancia (1/ h2 2 ).
I1 I2
+ +
h11 +
V1 V2
-
h11V2 h21I1 h22
- -
a).- Circuito Equivalente b).- Circuito Equivalente
Híbrido de Entrada Híbrido de Salida
Figura 4.2.- Circuito equivalente híbrido del transistor.
El circuito equivalente “ca” para el dispositivo lineal básico de tres

terminales se indica en la figura 4.3; con un nuevo conjunto de subíndices para
115
los parámetros “h”. La notación de la figura 4.3, es de naturaleza más práctica

puesto que relaciona los parámetros “h” con las razones resultantes obtenidas
anteriormente.
h1 1 - resistencia de entrada - hi ;
h1 2 - razón de transferencia de voltaje inverso - hr ;
h2 1 - razón de corriente de transferencia directa - hf ;
h2 2 - conductancia de salida - ho .
I1 I2
+ +
hi +
V1 V2
- hfI1 ho
hrV2
- -
Figura 4.3.- Circuito equivalente
Circuito híbrido
Equivalente Hibrido del transistor.
Completo
El circuito de la figura 4.3, es aplicable a cualquier dispositivo lineal de

tres terminales. Para el transistor, por consiguiente, aún cuando tiene tres
configuraciones básicas, todas son configuraciones de tres terminales, así que
el circuito equivalente resultante tendrá el mismo formato que se muestra en
la figura 4.3. Los parámetros “h”, sin embargo, cambiarán con cada
configuración. Para distinguir cuál parámetro ha sido utilizado, se ha añadido
un segundo subíndice a la notación de parámetros “h”. Para la configuración
base común se agregó la letra minúscula b, mientras que para las
configuraciones emisor-común y colector-común se agregaron las letras e y c
respectivamente. El circuito equivalente híbrido para la configuración emisor
común con la notación estándar se presenta en la figura 4.4. Los circuitos son
aplicables a los transistores PNP y NPN.
El circuito equivalente híbrido de la figura 4.4 es un circuito
extremadamente importante en el área de la electrónica. El hecho de que tanto
los circuitos de Thevenin y Norton aparezcan en el circuito, fue una de las
razones para denominar el circuito resultante un equivalente híbrido.
Ib Ic
C
Ic B+ +C
hie +
Ib + Vbe Vce
- hreVce hfe Ib hoe
B Vce
+ - -
Vbe - -
Ie Ie
E
E
Figura 4.4.- Circuito equivalente híbrido completo configuración emisor
común.
116
Determinación gráfica de los parámetros “h”. Los parámetros “h” para

el circuito equivalente del transistor a pequeña señal en la región activa de
operación para la configuración emisor-común (E.C.), puede determinarse
utilizando las siguientes ecuaciones.
v BE  v BE 
hie   ; hre  
i B  v = cte. v CE  i = cte.
CE B
i C  i C 
hfe   ;
 hoe 
i B  v = cte .
v CE  i = cte.
CE B
en cada uno de los casos, el símbolo  , se refiere a un cambio

pequeño en la cantidad alrededor de un punto de operación. En otras palabras,
los parámetros “h” se determinan en la región de operación para la señal
aplicada de tal manera que el circuito equivalente será el más exacto
disponible. Los valores constantes de VCE e I B , en cada caso se refieren a una
condición que debe cumplirse cuando los diversos parámetros son
determinados de las características del transistor, si los parámetros “h” para la
configuración E.C. se conocen, los parámetros “h” para las configuraciones
B.C. y C.C pueden encontrarse utilizando tablas.
Los parámetros hie y hre se determinan de las características de base
o de entrada, mientras que los parámetros hfe y hoe se obtienen de las
características de salida o características de colector.
El primer paso para la determinación de cualquiera de los cuatro
parámetros híbridos, es encontrar el punto de operación como se indica en la
siguiente figura 4.5.
i 
En la ecuación hfe = C  con la condición VCE = cons tan te
i B  V =cte.
CE
requiere que los cambios en la corriente de base y la corriente de colector se

tomen a lo largo de una línea vertical dibujada a través del punto de operación
(Q) que representa un voltaje colector-emisor fijo. La ecuación requiere
entonces que un cambio pequeño en la corriente de colector sea dividido por el
cambio correspondiente en la corriente de base. Para la mayor exactitud estos
cambios deben hacerse tan pequeños como sea posible.
Ic (mA)
Línea de Carga
iC 
hfe = 
iB v
CE = cte
IB
Ic
IB
IB=0A
VCE (V)
Figura 4.5.- Determinación del parámetro hfe .
117
En la figura 4.5, el cambio en i B se eligió para que se extendiera a lo

largo de la línea perpendicular en VCE . El cambio correspondiente en iC se
encuentra dibujando líneas horizontales desde las intersecciones de las
corrientes de base con VCE = constante. Todo lo que queda es sustituir los
valores resultantes en la ecuación.
En la figura 4.6, se dibuja una línea recta tangente a la curva IB a
través del punto de operación para establecer una línea IB = constante como lo
iC 
requiere la ecuación para hoe =  . Un cambio en vCE se eligió
vCE  I
B = cte.
entonces y el cambio correspondiente en iC se determina dibujando líneas

horizontales al eje vertical en las intersecciones de IB = constante.
Reemplazando en la ecuación obtenemos el valor de hoe .
Ic (mA)
Línea de Carga
iC 
hoe = 
vCE  i = cte.
B
Ic IB
IB=0A
VCE (V)
VCE
Figura 4.6.- Determinación de h oe .
Para determinar el valor de los parámetros hie y hre para el mismo

punto de operación es a través de las características de base o de entrada del
transistor, como se indica en la figura 4.7. Para hie , se dibuja una línea
tangente a la curva a través del punto Q, para establecer una línea
v BE 
VCE = constante como se requiere en la ecuación hie =  . Un
i B  V = cte
CE
pequeño cambio lineal en v BE se escoge resultando un cambio correspondiente

en i B . Reemplazando en la ecuación, obtenemos su valor.
118
IB (A)
VCE = 0V
VCE = +V
VCE = +V
VCE (constante)
v BE 
hie = 
Punto Q i B  V =cte
CE
iB
0 VBE (V)
0.6 0.7 0.8
VBE
Figura 4.7.- Determinación del parámetro hie .
El último parámetro es hre , y se determina su valor dibujando primero

una línea horizontal a través del punto de operación en IB = constante.
Entonces se escoge el cambio correspondiente en v CE y en vBE como se
muestra en la figura 4.8, se realiza la división y se obtiene su valor.
IB (A)
VCE = 0V
VCE = 10V
VCE
Punto Q
vBE 
hre = 
IB (constante)
vCE  i = cte
B
0 VBE (V)
VBE
Figura 4.8.- Determinación del parámetro hre .
El circuito equivalente híbrido resultante con sus correspondientes

valores calculados para el punto de operación, es el mostrado en la figura 4.9.
119
Ib Ic
B+ +C
hie
+
Vbe Vce
- hreVce hfe Ib hoe
E - - E
Figura 4.9.- Circuito equivalente completo de un transistor.
De éste circuito, se hacen las siguientes consideraciones:

hre , es de una magnitud muy pequeña por lo cual se puede despreciar su
efecto en el circuito equivalente.
1
, es muy grande en valor, por lo que puede considerarse como un
hoe
resistor de valor prácticamente infinito.
Por lo anterior, se tiene la figura 4.10.

Ib Ic
B+ +C
hie
Vbe Vce
hfe Ib
E- - E
Figura 4.10.- Circuito equivalente híbrido de un transistor.
Como se mencionó antes, los parámetros híbridos para las

configuraciones B.C. y C.C. pueden encontrarse utilizando las mismas
ecuaciones básicas con las variables y características adecuadas.
Para tener una idea de los valores típicos para cada uno de los
parámetros en cada una de sus configuraciones, se proporcionan en la tabla
4.1.
Parám etro......E.C.......C.C......B.C.
.....hi .......... ...1K.....1K....20
.....hr ......... 2.5x10 − 4...  1...3x10 − 4
.....hf ......... .50........ 50.....0.98
.....ho ........ 25A / V ....25A / V ...0.5A / V
1
.... ........ 40K......40K......2M
hoe
Tabla 4.1.- Valores típicos de los parámetros para las configuraciones

transistorizadas E.C., C.C.,.B.C..
Note que la resistencia de entrada del B.C. es baja, mientras que la

resistencia de salida es alta. Considere también que la ganancia de corriente
120
en cortocircuito esta muy cerca a 1. Para las configuraciones E.C. y C.C. notar
que la resistencia de entrada es mucho más alta que la de la B.C. Considere
también para la configuración E.C. y B.C. que hr es muy pequeño en magnitud.
El circuito de la figura 4.11, es válido para dispositivos npn y pnp, en la
región de polarización directa y se le llama modelo híbrido  , el cual también
considera las capacidades parásitas del transistor (c  , c  ).
rx c
B C
+
V r c gmV
-
E E
Figura 4.11.- Circuito equivalente híbrido  .
El valor de gm , esta dado por:

dIC d V I V
gm = = IS exp BE = S exp BE
dVBE dVBE VT VT VT
IC IC
gm = = = 40IC
VT 0.025
y el de r por:
v ent v
r = = ent  0
ib ic
entonces :
0
r =
gm
rx = hie − r
 0 , es la ganancia en corriente a señal pequeña. Generalmente los

valores de  0 son muy cercanos a los de  F .
Determinación de las capacidades parásitas:
1
C  = Cob = capacitancia de salida en base común = (VCE )
−
3
gm
C = − C
wT
wT = frecuencia en la cual  =1 (0dB).
121
Ejemplo:
e).- Calcular los parámetros del modelo híbrido  para el transistor
BC547.
( Empleando hojas de datos, APENDICE A) , para el punto de operación

IC = 3mA, VCE = 3V .
Para este punto de operación I CQ = 3mA; VCEQ = 3V se tiene los

siguientes parámetros dinámicos.
gm = 40IC = 40 x 3mA = 120m mhos
de las hojas de datos:  = 220
 220
r = = = 1834
gm 120 x 10 − 3
de las hojas de datos: hie  2K

hie = rx + r
rx = 2K − 1834 = 166
de las hojas de datos: C C = C  = 2.5pF para VCB = 10V , entonces:

1
−
C  (VCB = 10V ) = a 10 3
1
−
C  (VCB = 3V ) = a 3 3
1
1
C  (10V ) −  10  3
C  (3V ) = 3 3
= C  (10V )   = 2.5pF x 1.49 = 3.73pF
 3 
1
−
10 3
Del manual fT = 200MHz I e= 3mA

VCE = 5V
gm 120 x 10−3
C = − C 4V = − 3.73pF = 95.54pF − 3.73pF = 91.8pF
T 200  106  6.28
122
ACOPLAMIENTO
Existen tres tipos de acoplamiento:

- Acoplamiento RC (acoplamiento tipo capacitivo).
- Acoplamiento RL (acoplamiento tipo inductivo).
- Acoplamiento R (acoplamiento directo).
En el acoplamiento capacitivo se emplean capacitores que aislan a C.D.
al circuito de polarización tanto de la fuente de señal como de la carga del
circuito; en el inductivo se emplean transformadores; en el acoplamiento
directo el circuito de polarización está implementado para que el generador y
la carga, formen parte del circuito de polarización.
Para este tema se necesita de los siguientes puntos desarrollados
anteriormente, por lo tanto puntualizamos que:
1.- Partimos de un circuito polarizado, figura 4.12.
Vcc
Ic
R1 Rc
VB VCE
R2
RE
Figura 4.12.- Red de polarización del transistor npn por divisor de

voltaje.
- El análisis del circuito equivale a determinar su punto de operación.

- El diseño del circuito de polarización es determinar sus valores R1, R2,
RC, RE.
2.- En base al punto de operación seleccionado anteriormente, se
calculan parámetros dinámicos del transistor emplearemos el modelo
híbrido  , figura 4.13.

1
−
hie = rx + r ; r = ; g m = 40 I C ; C  = f (VBC ) 3 ; C = f ( I E ).
gm
rx c
B C
+
V r c gmV
-
E E
Figura 4.13.- Circuito equivalente híbrido  .

3.- Al circuito de polarización anterior le ACOPLAMOS capacitivamente
el generador y la carga, figura 4.14.
123
+ Vcc
C2
C1
VCE
Rg RB
Rcar
RE
Vg EB
Figura 4.14.- Amplificador emisor común.
Al circuito de polarización se le aplica el Teorema de Thevenin en la

base:
RB = RTh , E B = VB = VTh = ETh
R2
RB = R1 // R2 ; VCC E B = VB =
R1 + R2
4.- Ahora se hace el análisis del amplificador para ello emplearemos el
circuito equivalente híbrido  con la red de polarización, generador y carga
acoplados capacitivamente, figura 4.15. (Nota: como es un análisis a ca, se
consideran a las fuentes de cd, cortocircuitadas).
C1 rx c C2
B C
+
V r c gmV
Rg -
RB Rc Rcar
Vg
RE
E E
Figura 4.15.- Circuito equivalente del amplificador emisor común.
De este circuito equivalente podemos ver principalmente los

capacitores de acoplamiento C1 y C2 y las capacidades parásitas C y C.
Recordemos que el valor de C y C son del orden de los pfd (de los cálculos
anteriores) y sabiendo que C1 y C2 del orden de los fd podríamos obtener los
siguientes resultados:
- Si consideramos una frecuencia de 500Hz y si (C y C) = 50 pfd, (C1
y C2) = 50fd.
1 1
X = = = 6.4
C1 2fC1 6.28 x 500 Hz x 50 x 10 −6
1 1
X = = = 6.4M
C 2fC 6.28 x 500 Hz x 50 x 10 −12
124
Supongamos ahora una frec uenciade 10KHz :

1
X = = 0.318
C
1 4
6.28 x10 x50 x10 − 6
1
X = = 318 .5K
C
 6.28 x10 4 x50 x10 −12
Supongamos ahora una frecuenciade 10MHz :

1
X = = 0.32m
C1
6.28 x10 x10 6 x50 x10 − 6
1
X = = 318 .5
C
6.28 x10 x10 6 x50 x10 −12
Por lo anterior se puede concluir que:
-A frecuencia cero, la reactancia de C1, C2, C y C, es infinita, de aquí

que la corriente en r debida a Vg es cero y Vsal = 0V.
- Si se comienza a aumentar la frecuencia, existen unas a las cuales las

reactancias de C1 y C2 son aproximadamente cero o mejor dicho de bajo valor
en comparación con las reactancias de C y C que resultan verdaderamente de
alto valor considerándose infinitas. A esta banda de frecuencias se le llama
BANDA DE BAJA FRECUENCIA.
- Al rango de frecuencias donde no intervienen ninguno de los

capacitores anteriores, se le llama BANDA MEDIA y corresponde al rango de
frecuencias donde opera el amplificador por lo que también se le llama BANDA
UTIL. Notar que en esta banda el circuito equivalente se puede representar
por uno puramente resistivo ya que C1 y C2 se comportan como corto circuitos
y C C, como circuitos abiertos.
- A frecuencias muy elevadas, las reactancias C y C disminuyen

considerablemente, ocasionando que V disminuya hasta que eventualmente
llegue a ser igual a cero a esta banda de frecuencia, donde es importante la
influencia de C y C se le llama BANDA DE ALTA FRECUENCIA. Aquí C1 y C2 se
comportan a esta banda de frecuencia como corto circuitos.
Esto gráficamente se representa en la figura 4.16.
125
K(db)
C1 y C2 C y C
-3 db -3 db
Ancho de Banda
f(Hz)
Frecuencia de Frecuencia de
corte inferior corte superior
-Ancho de banda (limitado por -3db)
-Banda de frecuencias Medias
-Banda útil
Figura 4.16.- Respuesta en frecuencia del amplificador.
Por lo anterior, el análisis de este amplificador y de cualquiera, se

divide en general en tres partes: análisis en la banda de frecuencias medias,
en la banda de bajas frecuencias y en la banda de altas frecuencias.
ANALISIS EN LA BANDA DE FRECUENCIAS MEDIAS.

Ya conocido el efecto de los capacitores de acoplamiento (en esta
banda de frecuencia, se comportan como cortocircuitos), y las capacitancias
parásitas (en esta banda de frecuencia, se comporta como un circuito abierto),
procedemos ahora a dibujar su circuito equivalente para la banda de
frecuencias medias, figura 4.17.
B rx C
+
iB V r gmV iC
Rg -
RB Rc Rcar
Vg
iE RE
E E
Figura 4.17.- Circuito equivalente en la banda de frecuencias medias.
Para simplificar el circuito, reflejando la RE hacia la base:
iE RE = (iB + iC ) RE ; iC = iB ; iE RE = (iB + iB )RE ; iE RE = ( + 1)iBRE
Respecto a la fuente de corriente, se tiene:
gmV; V = ibr ; gmV = gmiBr ;  = gmr ; gmV = iB
Por lo que, figura 4.18.
126
B rx C
isal
iB r iC
Rg
RB iB Rc Rcar
Vg RE(+1)
E E
Thevenin
Figura 4.18.- Circuito equivalente en la banda media con RE reflejada hacia la

base.
Si se simplifican las mallas de entrada, por la aplicación del teorema de

Thevenin, se obtiene la figura 4.19.
B rx C
isal
iB r iC
RB // Rg
vsal
iB Rc Rcar
V’g= RB
RB + Rg Vg RE(+1)
E E
Figura 4.19.- Circuito equivalente simplificado para su análisis
Comentarios sobre este último circuito equivalente:

- Primeramente para este análisis llamado a señal pequeña o
simplemente a señal la fuente de polarización de c.d. (VCC), se pasiva, es decir,
para el análisis estamos aplicando el teorema de superposición.
- Se anulan (cortocircuitan), los capacitores de acoplamiento y también
las capacidades parásitas (se abren).
- Se refleja la Re del emisor a la base.
- Se demuestra que gm V =  i B
Ahora se procede a analizar el circuito de la figura 4.19, aplicando la

regla de la cadena:
127
  V´ 
V V  i sal  i B  g 
FT = sal =  sal  −   ;
Vg i  i  ´  Vg 
 sal  B  V
 g  
   

 Vsal   i sal  R  iB  1
C
 =R
car ,
 =− ;  = 
i   i  R + R  V´    
 sal   B  C car  R R + h + RE ( + 1) 
 g    B g  ie 
 V´ 
 g  R
B
 = ; Por lo que :
 Vg  RB + Rg
 
v
sal = A = −
R
B


R R
C car
(  ) 
V
 
v R + R  
g B g  R R  + h + RE ( + 1)

  B g  ie 
del circuito de la figura 4.18, se obtiene que:
Zent = RB rx + r + RR ( + 1)

Z sal = R
C
Comentarios.
De la fórmula de ganancia obtenida anteriormente se debe notar e
interpretar que el signo (-) indica un defasamiento de 180o de la salida
respecto a la entrada. Todos los parámetros que intervienen en la ecuación
determinan el punto de operación, unos como R1, R2, RE y RC son fijos y otros,
hie y , dependen del punto de operación.
Si ahora queremos tener control sobre la ganancia esto es poder variar
la ganancia del amplificador, se logra dividiendo el valor de RE en dos;
RE = RE1 + RE2 , y puenteando una de ellas con un capacitor Ce, para que así a ca
(corriente alterna), la RE = RE1, puesto que los capacitares de acoplamiento
C1 , C2 y ahora C E se comportan en esta banda de frecuencia como un
cortocircuitos y como la ganancia en voltaje esta dada aproximadamente como
R
AV  C y como RE se ha disminuido ( RE = RE1 ), aumenta ésta. La ganancia
RE
máxima se obtiene puenteando toda la Re con un capacitor Ce. Por lo anterior,
se puede resumir a través de la figura 4.20.
128
+ Vcc
R1 Rc
C2
C1
Rg
RE1 Rcar
R2
Vg
CE
RE2
Figura 4.20.- Amplificador emisor común con control de ganancia RE1 .
La figura 4.21, muestra el circuito equivalente del amplificador con control

de ganancia.
C1 rx c C2
B C
+
IB V r c iB Ic
-
Rg
RB Rc Rcar
RE1
Vg IE
CE
RE2
E E
Figura 4.21.- Circuito equivalente del amplificador emisor común con

control de ganancia.
A frecuencias medias, se obtiene la figura 4.22.

B rx C
r
Rg
RB iB Rc Rcar
Vg RE1(+1)
E E
Figura 4-22.- Circuito equivalente del amplificador emisor común con

RE1 reflejada hacia la base.
Por lo que la función de transferencia o ganancia llamada así de aquí en

adelante, es.
129
R
B


R R
C car
(  ) 
A = −
V
 
R + R  
B g  R R  + h + RE1 ( + 1) 
  B g  ie 
Para determinar el valor de RE1 , que nos proporcione la ganancia
deseada, al despejarla se obtiene:
R =
R
B
 R R
 C car
(
−


)

  RB R  + hie
g 
E1 R + R  A ( + 1)   +1
B g  V 
y para no modificar el punto de operación, el valor de
RE2 es : RE2 = RE − RE1
ANALISIS EN LA BANDA DE BAJA FRECUENCIA.

En esta banda de frecuencias solamente intervienen los capacitares de
acoplamiento C1 , C2 , C E .
Primeramente analizaremos el efecto debido a C1, para esto, figura
4.23. C1 B rx
r
Rg
RB iB
Vg RE1(+1)
Figura 4.23.- Circuito equivalente en la banda de baja frecuencia para

tomar el efecto debido a C1 .
De la figura 4.23, observar que en la base del transistor se forma un

“divisor de voltaje” en función de la frecuencia o también llamado filtro, por lo
que al igual a como se hizo en la unidad 1 se calcula la F de T, para ello se
simplifica el circuito obteniendo, figura 4.24.
C1 V
Rg
RT = RB // [rx+r+RE1(+1)]
Vg
Figura 4.24.- Simplificación del circuito debido al efecto de C1 .
130
RT RT SC V
1 g
V = v , V =
1 g 1 + SC 1 (RT + R )
RT + Rg + g
SC
1
 
 
V RT C1  S 
=
Vg (RT + R )C1  1 
g S + 
 (RT + Rg )C1 

y se concluye diciendo:
C1 produce un cero en el origen y un polo fuera del origen cuya  p1 es:
1
 p1 =
  (
C1 R + R // h + R ( + 1)
g B ie E1
)
1
o sea :  p1 =
Rs1C
1
De manera similar se obtiene el efecto de C2, figura 4.25.
C2
C
Vsal
isal
iB = ient Rc Rcar
Figura 4.25.- Circuito equivalente en la banda de baja frecuencia para

tomar el efecto debido a C 2 .
RC i ent RC SC 2 i ent
i s al = =
1 1 + SC 2 (RC + Rcar )
RC + + Rcar
SC 2
RC C 2 S
x
C 2 (Rcar + RC ) 1
S+
(RC + Rcar )C 2
C2 produce un cero en el origen y un polo fuera del origen, cuya  p 2
es:
1
 p2 =
(
C2 R + R
C car
)
1
 p2 =
Rs2 C 2
131
Por último ahora tenemos el efecto de CE, figura 4.26.

hie
RE1(+1)
Rg
RB
Vg CE
+1
RE2(+1)
Figura 4.26.- Circuito equivalente en la banda de baja frecuencia para tomar el

efecto debido a C E .
Se procede ahora a simplificar el circuito para su análisis
hie
RE1(+1)
RTh
VTh CE
+1
RE2(+1)
R
RTh = R R ; VTh = B V ;
B g R +R g
B g
hie Hie + RE1(+1)
(R2)
RE1(+1)
VTh VTh
ig RTh ig RTh CE
RTh RTh +1
CE (R3) RE2(+1)
+1
RE2(+1)
llamando
132
R2 = h + RE1 ( + 1); R3 = R ( + 1)
ie E2
R3
C SC 3 R3
C3 = E ; Z 3 = R3 X C = =
( + 1) 3 R3 +
1 1 + R3 SC 3
SC 3
R2
ig RTh Z3
RTh i3 RTh
i3 = ig =
RTh + R2 + Z3 ig RTh + R2 + Z3
Sustituyendo y simplificando:
1
S+
C
R R R ( + 1) E
i3 B g E2 ( + 1)
= *
ig
B g ie

R R + h + R ( + 1)
E1
 S+
1
    C E
RE 2 ( + 1)  RB Rg  + hie + RE1 ( + 1) 
     + 1
Por lo que:
1
S+
i3 RE 2C
=K E
ig 1
S+
 R R  + h 
  B g ie 
  
R (R
 E 2 E1 + C E
  + 1 
 
Entonces el efecto de CE produce un cero fuera del origen y un polo
fuera del origen.
Ya teniendo el efecto de cada capacitor de acoplamiento, se procede a
sumar sus efectos, obteniendo:
133
  1
S2  S +

V  R C 
sal = A  E2 E 
V  
 S +  p1  S +  p2  S +  p3 
V
ent
   
1 1

p1
=
  
C R + R h + RE1 ( + 1)
1 g B ie

 
p1
=
R1S C
1
1 1

p2
=
C
2
(RC + Rcar )  
p2
=
R2S C
2
1 1
 =   =
p3  p3
 R R +h
 R3S C
E
  B g ie  
C R R
 E1 + 
E E2  +1
  
   
De aquí se puede obtener una regla. El polo del capacitor (C1, C2,Ce),
es el inverso de la constante de tiempo o sea el producto del capacitor por la
suma de resistencias que se ve hacia un lado más el otro.
Si se gráfica se tiene:
1 1 1
b = + + = 2fcb
R1SC1 R2SC2 R3SCE
K(dB)
S
b=2fcb = 1 + 1 + 1
R1sC1 R2sC2 R3sC3
S2
f(Hz)
P1 RE2CE P2 P3
S
2 (fcb)
134
ANALISIS EN LA BANDA DE ALTA FRECUENCIA POR EL METODO

DE LAS CONSTANTES DE TIEMPO A CIRCUITO ABIERTO.
Recordar que en esta banda de frecuencias, las capacidades parásitas
son las responsables de esta respuesta y que los capacitores de acoplamiento
se siguen comportando como cortocircuitos.
Para este análisis, el método dice:
- Se relaciona ωca (frecuencia angular de corte en altas) y las
constantes de tiempo a circuito abierto.
- Se anulan todos los generadores independientes (internos y
externos).
- Los efectos de cualesquiera generadores dependientes deben de
quedar incluidos en las ecuaciones.
- El cálculo de cada una de las constantes de tiempo se realiza con
todos los capacitores restantes en circuito abierto.
Aplicando este método al circuito de la figura 4.27
Figura 4.27.- Circuito equivalente del amplificador emisor común en

alta frecuencia.
Se calcula R10, es la resistencia vista por o desde C, con los demás
capacitores a circuito abierto y fuentes independientes pasivadas,
obteniéndose el siguiente circuito, figura 4.28.
Figura 4.28.- Circuito equivalente para obtener R10 para C.
Como Vg = 0V  gmV = 0
Entonces:
R10 = r (rx + RE1 (+1) + (RBRG))
Para calcular R20 notar que C se sustituye por una fuente de corriente
y se calculan los efectos de ésta sobre el circuito, una vez hecho esto, se
V
obtiene la relación t o sea la resistencia que se “ve” desde sus terminales
It
quedando así determinada su resistencia, figura 4.29.
135
Figura 4.29.- Circuito equivalente para obtener R20 para C.
  
 RB Rg  + rx  I t
I =
 R R  + r + r + R ( + 1)
 B g x  E1
 
  
 RB Rg  + rx  r I t
V = I x r =
 R R  + r + r + R ( + 1)
 B g x  E1
 
  
g R R + rx r (R // R )I
m  B g 
t

 B g 
 
 
V =  R R  + rx  r + RE1 ( + 1) I + R R
 t
I +
C car t
( )
 R R  + r + r + R ( + 1)
 C car t
 B g x  E1
 
  
g  R R  + rx  r R R ( )
V
I

 B g 
 

R20 = t =  R R  + rx  r + RE1 ( + 1) + R R
 C car
+
m
 (B g 
)  C car
 R R  + r + r + R ( + 1)
t  B g x  E1
 
Por lo tanto:
1
 =
f R10 C + R20 C 
ca
De esta expresión se deduce que capacidad es la responsable de la

respuesta en alta frecuencia.
136
Otra forma de calcular la fca es empleando el TEOREMA DE MILLER, se

emplea cuando existe retroalimentación. Para demostrar su utilización, se
emplea el arreglo retroalimentado mostrado en la figura 4.30.
VE YR VS
+ -
IR IR IS
Rg
+ -
Vg IT VE IE AV Isal VS
- +
Figura 4.30.- Arreglo empleado para demostrar el Teorema de Miller.
IE I SAL
YENT = YSAL = −
VE VS
IT = IE + IR IS = ISAL + IR
I I
YENTT = T YSALT = − S
VE VS
IE + IR I + IR 
YENTT = YSALT −  SAL 

VE  V S 
IR = (VE − VS )YR
IE  V − VS  I SAL  VE − VS 
YENTT = +  E YR YSALT = −  YR
VE  VE  VS  VS 
I I  1 
YENTT = E + (1 − Av )YR YSALT = SAL + 1 − YR
VE VS  AV 
 1 
YENTT = YENT + (1 − Av )YR YSALT = YSAL + 1 − YR
 AV 
Interpretándose este resultado en la figura 4.31.
Figura 4.31.- Arreglo equivalente después de aplicar el teorema de

Miller.
El teorema de Miller, simplifica el análisis del circuito como se puede

apreciar en la figura 4.31. Ahora se procede a aplicarlo a un amplificador en la
configuración emisor común, figura 4.32.
137
Figura 4.32.- Amplificador emisor común y su circuito equivalente en alta

frecuencia.
Si se simplifica aún más este equivalente, se obtiene.
RB
RTh = RB Rg , RB = R1 R2 , VTh = Vg
RB + Rg
De esta última simplificación se ve que C  es la reactancia de

retroalimentación, por lo que procede para el análisis del circuito en la banda
de alta frecuencia y su simplificación aplicar el teorema de Miller,
B rx C
RTh +
V r CT gmV Rc // Rcar
-
VTh
E E
Si RB  Rg y rx  r , esto implica que v g = V

v s al
v s al = − gmV (RC // Rcar ); = AV = − gm (RC // Rcar )
vg
 (
C T = C  + C  ( 1 − AV ) = C  + C 1 + g m RC Rcar )
138
r / SC T
1
r +
SC T
(
Vs al = − g mV RC Rcar ) ; V =
r / SC T
x VTh
RTh + rx +
1
r +
SC T
r
SC T
r SC T + 1 r
SC T r SC T + 1
V = x VTh = x VTh
r r
RTh + rx + RTh + rx +
r SC T + 1 r SC T + 1
r r
V = x VTh = x VTh
(RTh + rx ) + (r SC T + 1) + r RTh + rx + r + (RTh + rx )(r SC T )
r
V = x VTh
 r (RTh + rx ) 
RTh + rx + r 1 + SC T 
 r + RTh + rx 
(
gm r RC Rcar ) 1
Vs al =− x x VTh
RTh + r + rx 1 + SC T r (RTh + rx )  
Vs al RB gm r RC Rcar ( ) 1
=− x x
Vg RB + Rg RB Rg + hie( ) 
1 + SC T r (RTh + rx ) 
Observar que esta ganancia esta dividida en dos partes; una
independiente de la frecuencia y que se identifica como la ganancia en voltaje
en la banda media y el otro término de CT , el cual es el responsable de que en
la banda de alta frecuencia decaiga la ganancia, figura 4.33.
Figura 4.33.- Respuesta en alta frecuencia del amplificador emisor común.
1
f ca = ;

2CT r RE1 ( + 1) + RTh + rx  
139
donde:  ( )
C T = C  + C  1 + g m RC Rcar = C  + C  (1 − AV )
Comentarios sobre las dos configuraciones siguientes, base común y

colector común,
1.- Por lo que respecta a los objetivos del curso (análisis y diseño), se
parte de la polarización y se concluye que es el mismo método aplicado para el
emisor común, por lo que la red de polarización es independiente de la
configuración.
2.- La secuencia seguida en la configuración anterior, en cuanto a su
análisis, es el mismo para estas dos configuraciones; por lo que, en los
apartados siguientes el alumno deberá de interpretar el desarrollo de éstos.
CONFIGURACION BASE COMUN:

En la figura 4.34, se muestra el arreglo.
Figura 4.34.- Configuración base común.
R1, R2, RC,, RR son los resistores de polarización e independientes de la

configuración.
Ahora obtendremos el circuito equivalente, partiendo del circuito
equivalente del emisor común:
Si ahora solamente le cambiamos el sentido a la fuente de corriente

dependiente del transistor, se obtiene:
140
Y si ahora a la fuente de corriente entre base y emisor la sustituimos

por su resistencia interna, se obtiene:
Si se simplifica el circuito:
Si se giran las terminales:
Cambiando el sentido de la fuente de corriente:
141
Reordenando:
Por lo que finalmente, se obtiene el circuito equivalente de la

configuración base común, figura 4.35.
Figura 4.35.- Circuito equivalente para la configuración base común.
En donde:
r g r
V =i r =  i ; g V = m i =  i pero :  =

e e 1+ g r e m 1+ g r e  +1 e  +1
m m
por lo que: g V = i e
m
ie
Entonces: ie = ib + ic ; ie = ib + ib; ie = ( + 1)ib; ib =
( + 1)
Ahora acoplando los resistores de polarización, generador y carga,
figura 4.36.
Figura 4.36.- Circuito equivalente de la configuración base común.
142
Simplificando el circuito, figura 4.37.
Figura 4.37.- Circuito equivalente en la banda media, para la

configuración base común.
Vsal  Vsal  i sal  i e  VTh 

Av = =     
Vg i  i e  V  Vg 
 sal   Th  
Vsal i R i 1 V R
= R ; sal = C ; e = ; Th = E
i sal car ie R +R VTh  R R  + r + rx v R +R
C car  E g g E g
e
   +1
 
v RE   (R // R ) 
 
AV = s al = 
C car

vg RE + Rg (R // R ) + r + x  r
 g E e
 + 1 
No existe defasamiento.
 r 
Zent = RE  re + x   RE hib
  + 1
Zsal = RC
Respuesta en banda de baja frecuencia
  r  1
R1S = R + R  re + x    =
g  E   + 1  p1 R1S C1
 
1
R2S = R + R   =
C car p2 R2S C 2
  1
R3S = R  R R ( + 1) + r + rx    =
B  g B   p3 R3S C
b
143
Respuesta en banda de alta frecuencia
 r 
R10 C = re  R R  + x 
  g E   + 1

1
 =
C R10 C 
R20
C
= R R
C car
( )
1
 C =
R20 C 
R20 = R R
C car
( )
1
 fc a =
  r 
(
C  re  R R  + x  + C  R R
  g E   + 1  C car
)
144
CONFIGURACIÓN COLECTOR COMUN.

En la figura 4.38, se muestra el arreglo.
+ Vcc
B rx c C
R1 Rc
r c gmV
C1 Rg
C2 E
RB Rc
Vg
Rg RE Rcar Vsal
R2 RE Rcar
Vg
Figura 4.38.- Seguidor de voltaje y su circuito equivalente.
Reflejando RE y RCAR a la base,
La ganancia en voltaje es:

V
V  VR 
sal = A =  sal  B 
V   
V  VR  Vg 
g
 B  
V
sal =
R R
E car
(
( + 1) )
VR
B
R R(
E car
)
( + 1) + rx + r +  Rg RB 
 
VR
R
B = B
Vg R +R
B g
V  R




R R
E car
(
( + 1) )


A = sal =  B 
V V
g  RB + Rg



( )
 RE Rcar ( + 1) + rx + r +  Rg RB  
  

A 1
V
(
si R R
E car
)
 

( + 1)   RB Rg  + hie  y

 
R  R
B g
145
Las impedancias de entrada y salida son:
Zent = RB // hie + (RE // Rcar )( + 1)
  
 rx + r +  RB Rg  
Z =R  
sal E  +1
 
 
La respuesta en la banda de baja frecuencia es:
V
sal = A S2
V
ent
V S+p S+p
1 2
( )( )
 
R1S = R + R rx + r + R R
g B E car
( + 1) ( ) 
1
 =
p1 R1S C1
   
   RB Rg  + rx + r  
R2S = R
car
+ R
E
 
   +1 
   
1
 =
p2 R2S C 2
La respuesta en la banda de alta frecuencia es:
R
10 C

= r rx +  R R  + R R
  B g

E car
( + 1)

 ( ) 
R20 C =  r + R R


E car
 ( )
( + 1) rx +  RB Rg 
   
   

1 1
 ca = =
 R10 C  + R20 C 
146
EJEMPLO:
Diseñar un amplificador de una etapa para una ganancia en la banda
media AV = 20; Rcar = 2 K, Rg = 1 K; fcb = 300 Hz; fca = ? ; Vcc= 15 V; Vce =
5V; Ic = 10mA; Ic/Ic = 10%; T = 50 oC - 25 oC = 25 oC; utilizando un
transistor BC547A.
SOLUCION:
Anteriormente se determinaron los parámetros estáticos del transistor

para el mismo punto de operación obteniendo:
250 C 500 C
VBE (V ) 0.67 0.62
hFE 222 291
Obteniendo las variaciones de los parámetros por el peor caso:

VBE = 0.76V − 0.53V = 0.23V
hFE = 355 − 212 = 143
Polarizando por el método de división de efectos:
R1 =13519 , R2 = 8054 , RC = 530 , RE = 460
VB = 5.6V , RB =5047
Vcc=15V
R1= Rc=
15K 560
C2
C1
BC547A
Rg= Rcar=
1K RE1 2K
Vg R2=
8.2K CE
RE2
RE=RE1 + RE2 = 460
Se procede ahora al cálculo de los parámetros dinámicos del circuito

híbrido  .
g = 40I = 40 * 10 x10 −3 = 0.4 −1
m c
 220
r = = = 550 
g 0.4
m
Del manual: h = 1 0mA  800
ie
rx = h − r = 0.8K − 550 = 250
ie 
147
Del manual: C  = C C = 2.5pFd VCB = 1 0V

1/3
 10 
C = = C(10V )  = 3.14 pFd
 5 
g
C = m − C
T
Del manual fT = 300MHz a I = 10mA
c
0.4 −1
C = − 3.14pFd = 209pFd
2 x 300 x 106
Procede ahora a calcular la ganancia máxima del amplificador
R
B


R R
C car
( 

)
A = −
V R +R
B

( ) 
G  RB RG + hie + RE1 ( + 1) 
Sustituyendo valores:
5047 220(530 // 2K)

AV = − x = − 47
6047 800 + (5047 // 1K)
Para determinar el valor de RE1 , que nos proporcione la ganancia
deseada (-20), al despejarla de la fórmula de la ganancia, se obtiene:
R =
R
B  (
 R R
C car
) −  RB Rg  + hie
E1 R +R  K ( + 1)   +1
B g  V 
 
RE1 = 16.8 − 7.4 = 9.4 , el valor de RE2 es : RE2 = RE − RE1

RE2 = 450
Cálculo de los capacitores de acoplamiento; para ello primeramente

calcularemos la resistencia que ve cada capacitor de acoplamiento entre sus
terminales.
   
R1S = R + R h + RE1 ( + 1) = 1K + 5047  800 + 9.4(221) = 2832 
g B ie

R2S = R + R = 530 + 2K = 2530
C car
  
800  + (5047  1K )
 h + R R 
ie  B g  
R3S = RE 2 RE1 +  = 450 10 +  = 16.75
  +1   220 + 1 
 
Ahora se procede a dividir el efecto de la frecuencia angular en tres

partes (tres capacitares de acoplamiento), asignando el mayor de esta división
a la resistencia menor de las tres calculadas anteriormente, esto es,
148
bf = 2f = 6.28(300 )Hz = 1884 rad / seg  2000 rad / seg ,
que también es igual a:
1 1 1
 bf = + + = 2000rad / seg
R1S C1 R2S C2 R3S C E
1 1
C1 = = = 1.76 fd
200 * R1S 200 * 2832 
1 1
C2 = = = 1.9fd
200 * R2S 200 * 2530
1 1
CE = = = 37fd
1600 * R3S 1600 * 16.75
Con los cálculos anteriores, se obtiene:

AV = 20 ; fcb = 300Hz ; Vce = 4V ; Ic = 5mA.
Ahora el cálculo de la frecuencia de corte en altas, por el método de las

constantes de tiempo a circuito abierto, para ello:
  
R10 = r rx + RE1 ( + 1) +  R R  = 550 250 + 10 x 221 + 834 = 480
  B g 
  
(
g m  R R  + rx  r R R )

 B g  
 
R20 =  R R  + rx  r + RE1 ( + 1) + R R 
C c ar
+

 ( )  B g 

 C c ar
 RB Rg  + rx + r + RE1 ( + 1)
 
R20 = 27581
1 5.34x106
fa = = 5.34Mr / s ; f ca = = 851,873Hz
R10C + R20C 6.28
 
Por Miller se tiene:

1
 fca =
RT C T

RT = r RE1 ( + 1) + rx + RB Rg ( )
(
CT = C + C  1 + gmRC Rcar )
RT = 550 250 + 10(221) + 834.6 = 471.3
Así se tiene:
CT = 209pfd + 3.14pfd x 21 = 275pFd
1
fca = = 1.2MHz
6.28x 480x275pfd
Para este amplificador, se tiene que:
149
Zent = RB hie + RE1 ( + 1) = 5047 800 + 2221 = 1885

Zs al = 530 = RC
R
B
 R R
C car

 ( ) 
A = −
V
 
R + R  
B g  R R  + h + RE1 ( + 1) 
  B g  ie 
5047 220(418.97)
AV = − x = − 20.72
6047 800 + 834.6 + 9.4(221)
Ahora se resuelve para la CONFIGURACION BASE COMÚN.
Para este caso la polarización del emisor común es la misma que para
el de base común y el de emisor seguidor (colector común).
C1 C2
Rg= Rc=
1K 560
RE= R1=15K
Rcar=
460 2K
R2=
Vg CB
8.2K
Vcc=15V
el circuito equivalente en la banda media es:
Vsal  v sal  isal  ie  VT 


KV = =   
Vg  isal  ie  VT  Vg 

Vsal isal RC ie 1 VT RE

= Rcar ; = ; = ; =
isal ie RC + Rcar VT hib + Rg RE ( ) v g RE + Rg
150
 RE

(
  RC Rcar )
KV = 
 RE + Rg
 ( )
 R R + h 
 g E ib 
hie
RE = 460 ; Rg = 1000  ; RC = 540 ; Rcar = 2000 ; hib = = 3.6
 +1

 = = 0.995
 +1
460 0.995x 425.19

Av = x = 0.418
1460 315 + 3.6
esta es la “ganancia” en voltaje en la banda media
Ahora si Rg = 0 , se tiene:
 RC Rcar ( )
0.995x 425.19
Kv = = = 117
hib 3.6
Por esta razón, esta configuración se puede acoplar su entrada por

transformador.
Cálculo de los capacitares de acoplamiento:

  r  
R1S = Rg + RE  re + x  = 1003.6

   + 1 
R2S = RC + Rcar = 540 + 2000 = 2540
( )
R3S = RB Rg RE ( + 1) + hie = 4709 
1 1
CB = = = 0.11fd
2f b R3S 2 (300)(4709)
1 1
C1 = = = 5.3fd
2f1R1S 2 (30)(1003.6)
1 1
C2 = = = 20.89fd
2f2 R2S 2 (3)(2540)
Respuesta en la banda de alta frecuencia:

 r 
R1 0 C = re (Rg RE ) + x  = 2.48
  + 1
R2 0 C ( )
= RC Rcar +  x
 r
 
( )
re + Rg RE  = 426.3
 + 1 
1
f ca = = 86MHz
6.28 C  R1 0 + C  R2 0

151
 r 
Rent = RE  re + x  = 460 3.6 = 3.6
  + 1
Rs al = RC = 540
Ahora para la CONFIGURACION COLECTOR COMÚN.

+ Vcc=15V
R1= Rc=
15K 560
C1
C2
Rg=
1K
R2= RE= Rcar=
8.2K 460 2K
Vg
 RB
Vs a,l  RE Rcar ( + 1)  ( )
AV = =  
Vg  RB + Rg   R R ( + 1) + h + R R 
   E car ie g(B  ) ( )
5047 374 x 221
AV = x = 0.818
6047 (374)221 + 800 + 834.6
 (
Rent = RB hie + RE Rcar ( + 1) ) 
Rent = 5047 (800 + 374 x 221) = 4759
Cálculo de los capacitores de acoplamiento


R1S = Rg + RB hie + RE Rcar ( + 1) ( ) 

R1S = 1000 + 5047 800 + 184446  = 5913 

 (
 RB Rg + hie  
 
)
R2S = Rcar + RE 
   +1  
 
 834.6 + 800 
R2S = 2000 + 460 
 221 
R2S = 2007
1 1
C1 = = = 0.089fd
2f1 R1S 6.28(300)(5913)
1 1
C2 = = = 2.6 fd
2f2 R2S 6.28(30)(2007)
152
Respuesta en altas frecuencias:
 ( ) (
R1 0 = r rx + RB Rg + RE Rcar ( + 1) ) 
R1 0 = 550 250 + 834.6 + (374)221
R10 = 546
 ( ) 
R2 0 = r + RE Rcar ( + 1) rx + RB R}g + Rc ( )
R2 0 = 550 + (374)221250 + 834 + 540
R20 = 1610
1
fca =
6.28R1 0C + R2 0C  
1
f ca =

6.28 1.14x10 −7
+ 5.05x10 − 9 
fca = 1.33MHz
CONCLUSION:
EMISOR COMUN
R
B
R R
C car
( ) R
ent
Av = − x ; I = K
R +R
B g
 R R  + hie + R ( + 1) R
sal
 B g E1
 
R
ent B

= R hie + RE1 ( + 1) ;  R
sal
=R
C
- Salida defasada 180o respecto a la entrada.

- Ganancia en voltaje mayor que 1.
- Resistencia de entrada relativamente alta.
- Resistencia de salida relativamente baja.
- Ganancia en corriente  - hfe.
- Respuesta en frecuencia relativamente alta (buena).
BASE COMUN
Av =
R
E x
R R
C car
( ;
) A =K
R
ent
R +R r I R
E g   x sal
 RE Rg  + r +
   +1
 r 
R = RE  r + x ; R =R
ent   + 1 sal C
153
- Salida en fase con respecto a la entrada.

- La ganancia en voltaje es grande? en magnitud y puede ser como
la de un emisor común.
- Resistencia de entrada baja y se puede ajustar a 75 ó 52.
- Resistencia de salida relativamente baja (igual de emisor común).
- No ganancia en corriente  .
- Respuesta en frecuencia muy alta.
COLECTOR COMUN.
R
B
R R
E car
(
( + 1) )
A = x
V R +R
B g R R
E car
( )
( + 1) + hie +  RB Rg 
 
R
ent
I = K
V R
sal
R
ent
=R h + R R
B ie

E c ar
(( + 1) ) 
  
  RB Rg  + hie 
R = RE  
sal  +1
 
 
- Salida en fase con respecto a la entrada.

- Ganancia en voltaje menor que la unidad, cuando mucho igual a la
unidad, de ahí su nombre EMISOR SEGUIDOR.
- Resistencia de entrada muy alta.
- Resistencia de salida baja.
- Ganancia en corriente.
- Respuesta en frecuencia buena (mayor que el emisor común).
154

UNIDAD No 4. FINAL Acoplamiento-Amplificadores FINAL

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UNIDAD No 4. FINAL Acoplamiento-Amplificadores FINAL

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CAPITULO 5 BFA - UNIDAD 4.

Jorge A.Maciel UNIDAD 4

Cuando la oscilación o variación pico a pico de la señal de entrada, a un

Red de dos puertos

El conjunto de terminales de la izquierda de la figura 4.1, representará

Para elegir las variables hay seis maneras de combinarlas; para

V1 = h1 1I1 + h1 2V2 − − − (a)

Los parámetros “h” aparte de ser fácil medirlos, son frecuentemente

La relación indica que el parámetro h1 1 es un parámetro de

El parámetro h1 2 , por consiguiente, es la razón del voltaje de entrada al

Puesto que es la razón de la corriente de salida al voltaje de salida, es

El circuito equivalente “ca” para el dispositivo lineal básico de tres

los parámetros “h”. La notación de la figura 4.3, es de naturaleza más práctica

El circuito de la figura 4.3, es aplicable a cualquier dispositivo lineal de

Determinación gráfica de los parámetros “h”. Los parámetros “h” para

en cada uno de los casos, el símbolo  , se refiere a un cambio

requiere que los cambios en la corriente de base y la corriente de colector se

Figura 4.5.- Determinación del parámetro hfe .

En la figura 4.5, el cambio en i B se eligió para que se extendiera a lo

entonces y el cambio correspondiente en iC se determina dibujando líneas

Figura 4.6.- Determinación de h oe .

Para determinar el valor de los parámetros hie y hre para el mismo

pequeño cambio lineal en v BE se escoge resultando un cambio correspondiente

Figura 4.7.- Determinación del parámetro hie .

El último parámetro es hre , y se determina su valor dibujando primero

Figura 4.8.- Determinación del parámetro hre .

El circuito equivalente híbrido resultante con sus correspondientes

Figura 4.9.- Circuito equivalente completo de un transistor.

De éste circuito, se hacen las siguientes consideraciones:

Por lo anterior, se tiene la figura 4.10.

Figura 4.10.- Circuito equivalente híbrido de un transistor.

Como se mencionó antes, los parámetros híbridos para las

Tabla 4.1.- Valores típicos de los parámetros para las configuraciones

Note que la resistencia de entrada del B.C. es baja, mientras que la

Figura 4.11.- Circuito equivalente híbrido  .

El valor de gm , esta dado por:

 0 , es la ganancia en corriente a señal pequeña. Generalmente los

( Empleando hojas de datos, APENDICE A) , para el punto de operación

Para este punto de operación I CQ = 3mA; VCEQ = 3V se tiene los

gm = 40IC = 40 x 3mA = 120m mhos

de las hojas de datos:  = 220

de las hojas de datos: hie  2K

de las hojas de datos: C C = C  = 2.5pF para VCB = 10V , entonces:

Del manual fT = 200MHz I e= 3mA

Existen tres tipos de acoplamiento:

Figura 4.12.- Red de polarización del transistor npn por divisor de

- El análisis del circuito equivale a determinar su punto de operación.

Figura 4.13.- Circuito equivalente híbrido  .

Figura 4.14.- Amplificador emisor común.

Al circuito de polarización se le aplica el Teorema de Thevenin en la

Figura 4.15.- Circuito equivalente del amplificador emisor común.

De este circuito equivalente podemos ver principalmente los

Supongamos ahora una frec uenciade 10KHz :

Supongamos ahora una frecuenciade 10MHz :

Por lo anterior se puede concluir que:

-A frecuencia cero, la reactancia de C1, C2, C y C, es infinita, de aquí

- Si se comienza a aumentar la frecuencia, existen unas a las cuales las

- Al rango de frecuencias donde no intervienen ninguno de los

- A frecuencias muy elevadas, las reactancias C y C disminuyen

Esto gráficamente se representa en la figura 4.16.

Figura 4.16.- Respuesta en frecuencia del amplificador.

Por lo anterior, el análisis de este amplificador y de cualquiera, se

ANALISIS EN LA BANDA DE FRECUENCIAS MEDIAS.