TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

PRÁCTICA 2

PRÁCTICA 2
AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BIPOLAR: RESPUESTA EN
FRECUENCIA

Introducción
El objetivo de esta práctica es comprender las características básicas de la respuesta en frecuencia
en un amplificador de señal alterna basado en un transistor bipolar (BJT). Para ello se monta un
amplificador en emisor común en el que se prueba sucesivamente el efecto de los condensadores a
medida que se añaden al circuito: en primer lugar se utilizan únicamente los condensadores de acoplo en
entrada y salida, a continuación se añade un condensador conectado entre los terminales de entrada y de
salida del transistor (base y colector) y finalmente se añade un condensador de desacoplo de una parte de
la resistencia de emisor. Se estudia el efecto de cada uno de estos condensadores sobre los diagramas de
Bode del amplificador, principalmente sobre el de módulo. En particular, el efecto sobre la ganancia a
frecuencias medias y sobre las frecuencias de corte superior e inferior y el ancho de banda.
Antes de probar el circuito completo (amplificador de señal) se prueba únicamente el circuito de
polarización, que fija el punto de trabajo del transistor en la zona activa, como paso previo necesario en
cualquier circuito de este tipo (amplificadores con transistor).
Los componentes que se utilizan se indican en la tabla siguiente:

Referencia Tipo de Componente Valor Modelo para simulación Biblioteca para simulación
nominal
Q1 Transistor bipolar NPN PN2222A (*) 2N2222 EVALAA o ADVANLS-BJN.OLB
RB1 Resistor fijo 18 kΩ R ANALOG
RB2 Resistor fijo 4,7 kΩ R ANALOG
RC Resistor fijo 1,8 kΩ R ANALOG
RE1 Resistor fijo 100 Ω R ANALOG
RE2 Resistor fijo 470 Ω R ANALOG
RL Resistor fijo 4,7 kΩ R ANALOG
Condensador C
C1 4,7 μF ANALOG
electrolítico
C2 Condensador 33 nF C ANALOG
C3 Condensador 1 nF C ANALOG
Condensador C
CE 220 μF ANALOG
electrolítico
VCC Fuente de tensión 10 Vdc VDC SOURCE

(*) Recomendado para este componente: localizar hojas de características del fabricante On Semiconductors
(www.onsemi.com), “febrero 2010, revisión 5”. IMPORTANTE: no se debe confundir este transistor con otro de denominación
muy parecida, P2N2222A, que presenta una ordenación diferente de sus terminales.

Con el fin de facilitar el estudio de la asignatura y la preparación del examen práctico, se recomienda
al alumno redactar una memoria de la práctica realizada en el laboratorio que incluya el análisis de los
circuitos estudiados, los datos obtenidos de los montajes reales, los resultados de la simulación y las
conclusiones.
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PRÁCTICA 2

Tareas previas que debe realizar el alumno para preparar la práctica

Para preparar adecuadamente la práctica de laboratorio, además de leer detenidamente este enunciado,
el alumno debe realizar las siguientes tareas previas:
1. Localizar en Internet y estudiar la hoja de características del transistor.
2. Realizar los cálculos teóricos que se indican en las tareas iniciales de cada montaje: estudio del
circuito de polarización en el Apartado 1 y cálculos relativos a la respuesta en frecuencia en los
siguientes.

3. Realizar las siguientes simulaciones:

Realizar mediante el programa OrCAD PSpice la simulación del circuito de polarización del
apartado 1 y del amplificador de señal de los apartados siguientes. Utilizar para el transistor el
modelo 2N2222 de la biblioteca EVALAA o de la BJN.OLB, disponible en la carpeta ADVANLS,
según se indica en la tabla del comienzo de la práctica. Obtener las medidas indicadas a continuación.
Tarea 5.1. Obtener las siguientes tensiones y corrientes de polarización del circuito de la Figura 1.
Utilizar para ello un análisis de punto de polarización (Bias point) activando la casilla
“Include detailed bias point informatioin for nonlinear controlled sources and
semiconductors (.OP)”.

VEQ = VBQ = VCQ = VCEQ = ICQ =

Tarea 5.2. Obtener por simulación los diagramas de Bode de módulo y de fase del amplificador del
apartado 2 (Figura 2). Para ello utilizar un barrido de frecuencias (análisis AC Sweep)
desde 1 Hz hasta 1 GHz. Se sugiere utilizar 100 puntos por década. Utilizar las funciones
dB y P para módulo y fase respectivamente. Identificar los puntos destacados de las
gráficas. Entre ellos los que permitan obtener: valor de la ganancia para frecuencias
medias, frecuencias de corte inferior (fL) y superior (fH); ancho de banda. Posición
aproximada del segundo polo de baja frecuencia (asociado a C1). Marcar todos estos
puntos en la gráfica mediante “Mark Label” (menú Plot  Label  Mark). Comprobar
en qué margen de frecuencias se obtiene como salida el desfase correspondiente a una
inversión sin desfase adicional (desfase ≈ 180º).

Tarea 5.3. Idem para el apartado 3 (Figura 3)

Tarea 5.4. Idem para el apartado 4 (Figura 4).

1. Polarización del transistor

En esta parte de la práctica se monta el transistor y su circuito de polarización en la placa de
prototipos. El circuito de polarización consiste en la fuente de alimentación VCC y cuatro resistencias
(polarización de emisor o autopolarización). En lugar de una sola resistencia de emisor el circuito
presenta dos en serie, dado que una de ellas (la RE2) se desacoplará en el último montaje para que sólo la
RE1 siga haciendo efecto a frecuencias medias. El alumno debe tomar nota de las medidas que obtenga
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(tanto valores como gráficas obtenidas en el osciloscopio). El esquema del circuito utilizado en este
apartado se muestra en la Figura 1, junto con una fotografía del montaje.

Figura 1. Esquema y fotografía del circuito de polarización.

Tarea 1.1. Mediante el análisis teórico del circuito, obtener el punto de trabajo del transistor y las
tensiones en sus terminales:
VEQ = VBQ = VCQ = VCEQ = ICQ =

Tarea 1.2. Realizar el montaje del circuito. Medir en el montaje las tensiones que se indican a
continuación con cuatro cifras significativas.
VCC = VBQ = VCQ =

VEQ = VCEQ =

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Medir el valor de la resistencia de colector RC (desconectada del circuito) y el valor de la tensión

VRC en bornes de RC . Anotar el valor de ICQ calculado a partir de esos valores.
RC = VRC = ICQ =

Comprobar que estos resultados experimentales se aproximan a los teóricos.

2. Respuesta en frecuencia en el amplificador de alterna

En este apartado se monta el amplificador de alterna añadiendo al montaje anterior el generador de
funciones, una resistencia de carga RL y los condensadores de acoplo C1 y C2. Se prueba sobre este
circuito su respuesta en frecuencia. El montaje se muestra en la Figura 2.

Figura 2: Amplificador completo, incluyendo fuente de alterna, carga y condensadores de acoplo. Esquema y
fotografía del montaje.

Tarea 2.1. Mediante el análisis teórico del circuito, obtener el valor de la ganancia de tensión para
frecuencias medias Amed, las frecuencias de los polos asociados a C1 y a C2 y la frecuencia de
corte inferior fL.
|Amed| = fpC1 = fpC2 = fL =

Tarea 2.2. Montar el circuito (mostrado en la Figura 2) completando el montaje del apartado 1. Estudiar
experimentalmente la respuesta en frecuencia del circuito mediante el uso de una señal
sinusoidal de entrada Vin de 1 V pico a pico y frecuencia variable. Rellenar para ello la
siguiente tabla, a partir de las medidas tomadas con el osciloscopio.

500
Frecuencia (Hz) 10 20 50 100 200 500 1k 2k 5k 50k 1M 2M 5M 10M
k
Vin,pp
Vo,pp
|AV|
Av,dB

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Obtener también experimentalmente las frecuencias de corte inferior fL y superior fH y el valor

del ancho de banda BW.
Anotar estos valores:
|Amed| = |A(fL) | = |A(fH) | =

Anotar estas medidas experimentales:

fL = fH = BW =

3. Efecto de un condensador de realimentación base-colector

En este apartado se añade un condensador de realimentación (C3 en esta práctica) entre
base y colector del transistor, lo que provoca una reducción de la frecuencia de corte superior
fH. Desde un punto de vista teórico, la respuesta en frecuencia del circuito se puede estudiar
aplicando el efecto Miller al condensador de realimentación C3. El estado del montaje una vez
añadido C3 se muestra en la Figura 3.

Figura 3: Amplificador con condensador C3 que reduce el ancho de banda. Esquema y fotografía del montaje.

Tarea 3.1. Montar el circuito (mostrado en la Figura 3) completando el montaje del Apartado 2.
Obtener experimentalmente la ganancia de tensión a frecuencias medias (usar f = 10
kHz) y las nuevas frecuencias de corte inferior fL y superior fH. Utilizar para ello,
como entrada, una tensión sinusoidal Vin de 1 V pico a pico. Anotar los resultados y
comparar con los obtenidos en el circuito sin C3 (Apartado 2).

|Amed| = |A(fL) | = |A(fH) | =

fL = fH = BW =
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PRÁCTICA 1

4. Efecto de un condensador de desacoplo de la resistencia de

emisor
En este apartado se añade un condensador “de emisor” CE que desacopla una de las dos
resistencias de emisor, la RE2. Frente a la opción de desacoplar toda la resistencia presente en
el circuito entre emisor y masa se ha optado en esta ocasión por mantener una pequeña parte
de ella, la RE1. De esta forma se mantiene una ganancia de tensión más estable frente al
cambio del ejemplar de transistor (fundamentalmente por variaciones del valor de la ganancia
de corriente β).
El estado del montaje una vez añadido CE se muestra en la Figura 4.

Figura 4: Amplificador con condensador de desacoplo (parcial) en emisor CE. Esquema y fotografía del
montaje.

Tarea 4.1. Montar el circuito (mostrado en la Figura 4) añadiendo CE al montaje del Apartado
3. Obtener experimentalmente la ganancia de tensión a frecuencias medias (usar f =
10 kHz) y las frecuencias de corte inferior fL y superior fH. Dado que el efecto
principal que observaremos debido a CE es un aumento importante de la ganancia de
tensión, debemos utilizar una tensión de entrada de amplitud bastante menor que en
el apartado anterior para que el amplificador no se sature. Utilizar Vin de 100 mVpp.
Anotar los resultados y comparar con los obtenidos en el circuito sin CE (apartado
3).

|Amed| = |A(fL) | = |A(fH) | =

fL = fH = BW =