lOMoARcPSD|18892830

Informe Laboratorio 5 Electronica I

Electrónica I (Universidad Privada del Valle)

Studocu is not sponsored or endorsed by any college or university

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)
 lOMoARcPSD|18892830

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

FACULTAD DE INFORMÁTICA Y ELECTRÓNICA Evaluación
INGENIERÍA AERONÁUTICA
CAMPUS TIQUIPAYA

ELECTRÓNICA I
Informe de Práctica de Laboratorio N° 5

POLARIZACIÓN DEL
TRANSISTOR BJT
GRUPO “B”
Estudiante: Nicolas Ignacio Toro Moscoso
Carrera: IAE
Docente: Ing. Elias Chavez

Cochabamba 16 de octubre del 2022

Gestión II-2022

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

LABORATORIO 5
POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT
ASIGNATURA: Electrónica I
TEMA Transistor de unión bipolar
SUBTITULO Polarización de emisor común.

Elemento de Transitor 2N2222, 2N3643

estudio Resistencia 3K, 18K

Instrumentos de Breadboard
medición Multímetro digital
virtuales. Fuente de poder

1. Marco teórico
La polarización de un transistor: consiste en fijar el punto de trabajo Q en ausencia de señal de entrada, el
cual puede estar en la zona activa, saturación o corte.

La polarización de un transistor tiene que cumplir las siguientes dos condiciones:

 El voltaje de entrada debe exceder el voltaje de corte para que el transistor este encendido
 El transitor BJT debe estar en la región activa para que pueda funcionar como un amplificador.

Con el sistema de polarización elegido, también se pretende que dicho punto de funcionamiento Q sea estable
con la temperatura, es decir, que no varíen los parámetros fundamentales de la polarización. Pues debido al
aumento de temperatura aumenta la intensidad inversa de fuga de la unión de base, y con ella, la IC y la
IE; lo que produce, a su vez, más aumento de temperatura. Y así se crea un círculo vicioso que puede llevar al
transistor fuera del punto de funcionamiento establecido, produciendo una señal amplificada deforme a la
salida.

Desde luego, el desplazamiento del punto de trabajo Q ha de controlarse si queremos que funcione el
transistor a pesar de variaciones de temperatura. Para asegurar una mínima variación del punto de trabajo lo
que se hace es introducir una realimentación negativa desde la salida a la entrada, es decir, se utiliza parte de
la señal de salida, normalmente en el colector, para re-introducirla en la entrada, normalmente la base, de
modo que "frene" la tendencia a amplificar, la ganancia, del transistor.

Con esto podemos evitar que el transistor sufra una avalancha con la subida de temperatura, pero
lamentablemente, por el propio concepto de realimentación negativa (recordamos que la intensidad de
colector está desfasada 180º respecto de la intensidad de base), se reducirá el nivel de amplificación con el

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

que el transistor va a operar, es decir: el circuito limitará la ganancia del transistor a un valor que permita
mejorar la estabilidad del propio circuito. Cuanta más realimentación negativa, menos amplificará el circuito,
pero mayor será la estabilidad; también lograr mejorar el Ancho de Banda.

2. Resultados de Laboratorio
Parte 1.
Fotografía de la medición del del transistor 2N2222

Fotografía del circuito armado con el transistor 2N2222

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

Fotografía mostrando la medición de las corrientes de polarización.

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

Fotografía mostrando la medición los voltajes de polarización.

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

Tabla 1.
Voltaje de thevenin =

Resistencia de thevenin

Valor medido Valor esperado %Error

219 35-300 En rango
11,3mA
0,04mA
10,09mA
7,43 V
1,36 V
2V 1.99 V
8,76 V 8,93

Insertar fotografía de los cálculos realizados para calcular el valor esperado y el error de la
tabla 1
Realizadas en tablas
Fotografía de la medición del del transistor 2N3643

Fotografía del circuito armado con el transistor 2N3643

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

Fotografía mostrando la medición de las corrientes de polarización.

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

Fotografía mostrando la medición los voltajes de polarización.

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

Tabla 2.

Valor medido Valor esperado %Error

150 100-300 En rango
10,81 mA
0,06 mA
9,70 mA
7,80 V
1,29 V
1,96 V 2
9,07 V 9,36 V

Insertar fotografía de los cálculos realizados para calcular el valor esperado y el error de la
tabla 2

3. Cuestionario
1. En un cierto transistor NPN polarizado con divisor de voltaje, VB es de 2.95 V. El voltaje de DC en el emisor es
aproximadamente.
(a) 2.25 V (b) 2.95 V (c) 3.65 V (d) 0.7 V
2. La polarización con divisor de voltaje
(a) no puede ser independiente de
(b) puede ser esencialmente independiente de

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

(c) No es ampliamente utilizada

(d) requiere menos componentes que todos los demás métodos
3. La polarización del emisor es
(a) esencialmente independiente de β (b) muy dependiente de β
(c) proporciona un punto de polarización estable (d) respuestas a) y c)

4. Conclusiones y recomendaciones
Como conclusión podremos ver que las medidas no siempre van de mano de lo teórico ya que, al medir
corriente no cumple la ley de corrientes de Kirchhoff debido al instrumento de medida.

El valor de beta nunca será el mismo en todos los transistores ya que este varía de acuerdo a la temperatura
que existe en el transistor, pero debemos tener cuidado que este dentro del rango del beta de fabricación.

5. Bibliografía
 Recuperado 16 de octubre de
2022,de http://www.itlalaguna.edu.mx/2014/Oferta+Educativa/Ingenierias/Sistemas/Plan+1997-
2004/Ecabas/ecabaspdf/TRANSISTORES.pdf

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

UNIVERSIDAD PRIVADA DEL VALLE

EXAMEN PREVIO
Fecha: / /
Estudiante:
Carrera: Asignatura: Grupo:
Docente: Laboratorio:
Practica N0: Título de la Practica:
Firma Estudiante: Firma Docente:

Usando la plataforma Thinkecad, y PROTEUS, armar el circuito (B) y (C), sobre todo la conexión de los instrumentos:

Circuito armado en Thinkercad

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

Circuito armado en Proteus

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)

 lOMoARcPSD|18892830

Downloaded by Ronny Rodrigo Rivera Caballero (caballeroronnyrodrigo82@gmail.com)