Estudiante: Katherine Segura Sanchez

Guía 6: Amplificador de pequeña señal con BJT

Introducción

Los transistores BJT, son muy comúnmente utilizados como amplificadores de señal baja,
además de ser utilizados del tipo switch si son utilizados o manejados con la corriente de
saturación variando la resistencia en la base es un claro ejemplo de ello.

La configuración de emisor común con polarización fija haciendo más estable el circuito
donde se aplica una señal de entrada Vi a la base del transistor y la salida se encuentra en
el colector. Con la ayuda de la hoja de datos del transistor podemos diseñar un transistor
de pequeña señal.
La polarización adecuada de un amplificador de emisor común puede determinarse de
manera similar a la que se presenta en la configuración de base común, el primer paso
consiste en indicar la dirección de Ia según lo establece la flecha en el símbolo del
transistor, después se introducen las otras corrientes.

Objetivo General
Analizar el funcionamiento de un transistor BJT empleado como un amplificador de
pequeña señal.

Objetivos específicos
• Investigar acerca de las respuestas esperadas en un amplificador de pequeña
señal.
• Ensamblar un circuito de polarización de BJT por divisor de voltaje.
• Conectar la entrada y salida con capacitores de acople.
• Tomar la mediciones apropiadas para comprobar el funcionamiento esperado en
un amplificador de pequeña señal.
• Experimentar con los cambios necesarios para lograr una mayor amplificación.
• Tabule los cambios de respuesta ante las variaciones de frecuencia.

Marco Teórico

El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado sólido. Fue inventado en
1949 en los Laboratorios Bell por W. Schockley, J. Bardeen y W. Brattain. Este es un
dispositivo electrónico que tiene la característica de permitir el paso de la corriente en un
único sentido de una forma controlada.

• El emisor ha de ser una región muy dopada. Cuanto más dopaje tenga el emisor, mayor
cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.
• La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que proviene de emisor
pase a colector.
• El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características de esta
región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor.
Hay dos tipos de transistores bipolares: el NPN y el PNP.

. Estos nombres proceden de la descripción de su estructura física. En el transistor NPN el

emisor es un semiconductor tipo N, la base es tipo P y el colector es tipo N. La estructura
física del transistor PNP es dual a la anterior cambiando las regiones P por regiones N, y las
N por P.

Proceso Experimental

1. Dado el circuito de la figura ensámblelo en la tabla experimental de circuitos.

2. Dados los valores de la hoja de datos del transistor calcule la salida esperada para
el circuito mostrado.
3. Empleando el Osciloscopio tome las medidas apropiadas para poder validar las
estimaciones calculadas en el punto 2.
4. Que parte del circuito debería cambiar si desea afectar la amplificación del nuestro
circuito.
5. Experimente con cambios en el circuito de acuerdo al punto 4 y documente los
resultados.
6. Escogiendo los elementos con la mayor amplificación lograda experimente con
cambios en la amplitud de la señal de entrada y documente los resultados.
 7. Escogiendo los elementos con la mayor amplificación lograda experimente con
cambios en la frecuencia de la señal de entrada y documente los resultados.

Resistencias utilizadas en el circuito

• RL- 100 kohm

• RC - 0.988 kohm

• RE – 217.6 OHM

Datos obtenidos con el multímetro

• Entrada 0.506 V – Salida 3.017 V
• Entrada 0.0709 V – Salida 2.990 V
• Entrada 1.008 V- Salida 2.824 V

Frecuencias variadas
 Parte Casa
8. Corrobore los resultados empleando el simulador de circuitos de su preferencia y
documente los resultados de:
• Cambios en la resistencia para afectar la amplificación
• Variaciones de amplitud
• Variaciones de frecuencia

Simulación
Tabla de datos

Voltaje de entrada Frecuencia de

AC entrada RC RE RL Salida
270 470
800 mV 1 khz ohm ohm 100 kohm 8.91 V
270 470
1V 1 khz ohm ohm 100 kohm 8.93 V
270 470
2V 1 khz ohm ohm 100 kohm 6.86 V
270 470
800 mV 5 khz ohm ohm 100 kohm 8.93 V
270 470
1V 5 khz ohm ohm 100 kohm 8.92 V
270 470
2V 5 khz ohm ohm 100 kohm 6.83 V
400 800
800 mV 1 khz ohm ohm 200 kohm 10.7 V
400 800
1V 1 khz ohm ohm 200 kohm 10.7 V
400 800
2V 1 khz ohm ohm 200 kohm 8.14 V
400 800
800 mV 5 khz ohm ohm 200 kohm 10.7 V
400 800
1V 5 khz ohm ohm 200 kohm 10.7 V
400 800
2V 5 khz ohm ohm 200 kohm 8.12 V
200 300
800 mV 1 khz ohm ohm 50 kohm 6.95 V
200 300
1V 1 khz ohm ohm 50 kohm 6.94 V
200 300
2V 1 khz ohm ohm 50 kohm 5.36 V
200 300
800 mV 5 khz ohm ohm 50 kohm 6.95 V
200 300
1V 5 khz ohm ohm 50 kohm 6.95 V
 200 300
2V 5 khz ohm ohm 50 kohm 5.35 V

Análisis de Resultados
Analizando los datos se observa que el transistor se satura a un voltaje mayor a 1 V.
Se puede observar que el transistor inicia a funciona a partir de un voltaje de 800 mV.

Conclusiones

Se puede decir que al trabajar el transistor BJT en región activa aproximadamente como
un dispositivo lineal permite separar el análisis en AC y DC con lo cual la manipulación del
circuito y de las ecuaciones se llegan resultados más favorables para el diseño

Concluimos también que en la configuración emisor común se obtienen elevadas

ganancias de tensión y corriente, haciéndolo el circuito ideal para amplificación de
pequeñas señales, esto sucede variado las resistencias.

El rango frecuencial en el que los amplificadores muestran su máxima ganancia se

encuentra delimitado por un mínimo que se encuentra regido por los condensadores
de entrada y de salida del circuito. El margen superior está supeditado a los
condensadores parásitos del transistor y de la capacitancia de Miller.

Bibliografía

Texto de Referencia Boylestad, R. & Nashelsky, L. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y

Dispositivo Electrónicos (10a ed). México: Pearson Educación.