490

491
492

a Q pnp Q npn
Q Q Q Q

a realimentación positiva.
Q Q
Q
Q Q
Q Q Q
Q

b
Q Q
Q Q
Q
c
a abierto cerrado.

Q
Q
latch .

a latch VCC
latch b
latch
d
latch b tensión de cebado
VCC
Q Q Q

latch c latch
d
a Q

cebado disrupción
latch
 493

latch a
VCC

bloqueo por disminución de corriente

latch

a
diodo Schockley
diodo de cuatro capas, diodo pnpn
SUS ( , conmutador unilateral de sili-
cio)

b transistor pnp
transistor npn.
latch c
d

corriente de
mantenimiento holding
current

latch. e

off on
494

VB

IH
on IH

VK

I
 495

e.

a generador de señales en diente de sierra

b

retorno

b
RC

RC
496

RC

SCR silicon controlled rectifier, rectificador controlado de silicio

Q
a latch
latch b

d latch impulso de disparo

trigger Q
a Q

latch c
latch
d
 497

a puerta, ánodo,
cátodo.

b latch c
d
latch

tensión de disparo de puerta gate trig-

ger voltage

corriente de disparo de puerta gate trigger current

VGT
IGT

off, peak repetitive off state forward voltage VDRM

peak repetitive off reverse voltage VRRM

VG
VGT VCC
498
499
500

in

VGT IGT
VGT IGT RG
V RG

on
V

IH VCC

off
0,7 V
VCC

a b
 501

c
VAK
IH

VCC
502

b
 503

b
RTH

V
c

RC

a
SW IAK VAK
504

VA SW IAK VA RL
VAK VA RL
SW
VA

VCC
VCC R
VCC
VCC
R
latch

limitador de corriente
 505

prototipo,
puesta en conducción suave

R
R R

ajuste de disparo punto de disparo

comparador
506

VCC VZ VGT

VCC
 507

a
R C
R
R
R
b c
c

d e
ángulo de
disparo, a

ángulo de conducción,
RC a

b
R

XC
fc
RC
508

Z arctan

V
IC
XC
ZT
R

VC IC XC
 509

a R

XC fc

XC
ZT RC

XC
Z R
ZT °.
C
V ac
IC ZT °

C
VC IC XC
VC ac

IH

a
R

RC a

RC

velo-
cidad crítica de crecimiento de la tensión critical rate of voltage rise

amorti-
guador RC, a
RC
510

velocidad crítica de crecimiento de la corriente.

diac triac tiristores bidireccionales.

conmutador bidireccional de silicio SBS,
silicon bidirectional switch .

a
latches b

v a v
latch c
v latch d

a latches b
v
a latch
v
 511

latch c

a RC
b c
512
513
514

d e
 515

V
516

IGBT , transistor bipolar de puerta

aislada).

n n
p
punch-through
nonpunch through n
p n n
VCE

a b n c

VGE
 517

VGE
VGE
IC
VCE VCE

RDS
RD
RDS

VDSS
VCES

a foto-SCR, SCR activado por luz.

a,

b
518
519
520

conmutador controlado por puerta

a conmutador controlado por silicio silicon controlled

switch .
b latch
c

d
puerta cátodo puerta ánodo.
 521

UJT , transistor uniunión)

a
tensión de mantenimiento standoff voltage
p n b
c

VBB

VBB RC

PUT( , transistor uniunión programable)

pnpn
a
b
n pn

IV
522

c R R
VG
R
VG
 523

nivel de componente.

nivel de sistema,
bloques funcionales,