Tesis LDA

UNIVERSIDAD DE CANTABRIA
Departamento de Ingenierı́a de Comunicaciones
TESIS DOCTORAL
Contribución metodológica al estudio y

simulación de Amplificadores Distribuidos
Monolı́ticos orientados a Sistemas de
Comunicaciones Ópticas hasta 40 Gbps.
Autora: Laura Diego Arroyo

Directora: Amparo Herrera Guardado
Tesis Doctoral para la obtención del tı́tulo de Doctora por la Universidad

de Cantabria en Tecnologı́as de la Información y Comunicaciones en Redes
Móviles
Santander, Abril de 2017

Certificado de la directora de Tesis
Da Amparo Herrera Guardado, Profesora Titular de la Universidad
de Cantabria en el Área de Teorı́a de la Señal y Comunicaciones del
Departamento de Ingenierı́a de Comunicaciones.
Hace constar:
Que la Tesis titulada: “Contribución metodológica al estudio y

simulación de Amplificadores Distribuidos Monolı́ticos orientados
a Sistemas de Comunicaciones Ópticas hasta 40 Gbps” ha sido
realizada por Da Laura Diego Arroyo en el Departamento de Ingenierı́a de
Comunicaciones de la Universidad de Cantabria, bajo mi dirección, y que
reúne las condiciones exigidas a los trabajos de doctorado.
Santander, Abril de 2017.
Fdo. Da Amparo Herrera Guardado

Consejo Universal: Trata de convertir lo complicado en simple y lo simple
en fácil.
“ La vida se trata de hacer menos en vez de más, porque en realidad
“menos” nos da más! ¿ Cómo es esto ? Menos problemas, ¡ más felicidad !
Menos consumismo, ¡ más autenticidad !. Menos mentiras, ¡ más verdad!.
Etcétera . . . ¡ Me encanta la frase: “ menos es más ” ! . . . es
extremadamente elegante ! . . . ”
Hablando Sola.
Daniela Rivera Zacarı́as
A la memoria de Ma Isabel Arroyo Garcı́a

Agradecimientos
En primer lugar, me gustarı́a dar mi más sincero agradecimiento a
la directora de esta Tesis, Da Amparo Herrera Guardado, por darme la
oportunidad de desarrollar este trabajo, por su dirección y gran ayuda en
todo momento.
También me gustarı́a dar las gracias al Grupo de Ingenierı́a de Microondas
y Sistemas de Radiocomunicaciones, y en general, a todos los miembros del
Departamento de Ingenierı́a de Comunicaciones, por ser parte fundamental
en mi formación cientı́fica y personal a lo largo de estos años.
A todo el personal de la empresa VectraWave, por su gran acogida y
ayuda en mis estancias allı́ y, porque de una u otra manera son parte de este
trabajo. En este apartado también merecen especial mención Yan y Benoı̂t
Haentjens, por hacerme sentir en todo momento parte de un gran equipo y
darme la oportunidad de conocer a Philippe Dueme, cuyos consejos sobre el
diseño de amplificadores distribuidos se han tenido muy en cuenta durante
el desarrollo de la presente Tesis.
A mis chicas, por esas quedadas para ponernos al dı́a, porque a pesar de
los años y de nuestras apretadas agendas, siempre encontramos un huequecito
para reunirnos.
Gracias también a mi familia, tanto directa como a mi ”familia polı́tica”,
y en especial a mi madre y mi abuela, porque ellas han sido para mı́ un claro
ejemplo de valentı́a y esfuerzo, y sin las cuales nunca habrı́a llegado a escribir
estas lı́neas.
Finalmente, me gustarı́a acabar dando las gracias a la persona con la que
llevo compartiendo gran parte de mi vida, Iñigo, por su paciencia, su apoyo
incondicional y sus ánimos en los malos momentos, sin los cuales no habrı́a
podido acabar ésta Tesis.
Contribución metodológica al estudio y simulación de
Amplificadores Distribuidos Monolı́ticos orientados a
Sistemas de Comunicaciones Ópticas hasta 40 Gbps.
Ph.D. Thesis Title: Methodological contribution for the study and
simulation of Monolithic Distributed Amplifiers oriented to Optical
Communications up to 40 Gbps.
Autora: Laura Diego Arroyo
Directora de la Tesis: Amparo Herrera Guardado
Resumen:
En los últimos años, los sistemas de comunicaciones han sufrido una

clara tendencia hacı́a sistemas más flexibles, con un ancho de banda mayor
y con velocidades de transimisión superiores. En el caso concreto de los
sistemas ópticos, ésta tendencia ha supuesto un gran reto no sólo para la
parte óptica del sistema, sino también para los circuitos que componen la
parte eléctrica, siendo el driver uno de los componentes que más gravemente
se ha visto afectado por dicho cambio. Un driver puede ser entendido
como un amplificador con un ancho de banda de varias décadas, que
debe presentar una pequeña variación del retardo de grupo con el fin de
minimizar la distorsión de la señal a transmitir. Para realizar el diseño de este
componente se han propuesto diferentes alternativas, entre las que destacan
los amplificadores distribuidos, estructuras capaces de proveer una ganancia
uniforme en un ancho de banda muy grande, ası́ como una buena figura de
ruido y una buena adaptación tanto a la entrada como a la salida.
Los objetivos de esta tesis se centran en dos aspectos: el estudio teórico
de las estructuras de ganancia más utilizadas en el diseño de amplificadores
distribuidos y su impacto en los parámetros principales del amplificador; y su
aplicación en el diseño de amplificadores distribuidos orientados a sistemas
de comunicaciones ópticas de hasta 40 Gbps.
Los principales resultados de la presente tesis permiten comprender en
mayor medida el comportamiento de los amplificadores distribuidos, bien a
través de la formulación desarrollada, bien a través de la aplicación práctica
en los dos diseños realizados.
Methodological contribution for the study and
simulation of Monolithic Distributed Amplifiers
oriented to Optical Communications up to 40 Gbps.
Author: Laura Diego Arroyo
PhD Advisor: Amparo Herrera Guardado
Abstract:
In recent years, communication systems have moved towards more flexible
systems, with greater bandwidth and transmission rates. For optical systems,
this trend has posed a great challenge for the optical part as well as for the
electrical one. The driver, an amplifier with multidecade bandwidth, which
has to present small variations of the group delay in order to minimise
the signal distortion, has been one of the most impacted components as
a consequence of this tendency. The design of this component is realised
according to different alternatives, such as distributed amplifiers, uniform
gain structures for very high bandwidths which are able to obtain appropriate
noise figures and in-out adaptations.
This thesis is focused on two different aspects: firstly, the theoretical study
of the most used gain cells designs for distributed amplifiers and their impact
on the main amplifier parameters; secondly, its application for the design of
real distributed amplifiers in optical transmitters up to 40 Gbps.
The results of this work allow us to increase our understanding of the
behaviour of distributed amplifiers either through the developed formulation
or through the practical application on the two real drivers designed.
Índice general
1. Introducción general 1
2. Introducción a las Comunicaciones Ópticas 5

2.1. Breve historia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.1.1. Antes del siglo XIX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.1.2. Siglo XIX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.1.3. Siglos XX-XXI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.2. Sistema óptico genérico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.2.1. Principio de funcionamiento . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.2.2. Ventajas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.2.3. Penalizaciones de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.2.4. Estándares de los sistemas ópticos . . . . . . . . . . . . 17
2.3. El transmisor óptico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.3.1. Emisor óptico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.3.1.1. Conversión electro-óptica . . . . . . . . . . . 19
2.3.1.2. Materiales para los fotoemisores . . . . . . . . 20
2.3.1.3. Fotoemisores: Diodos Emisores de Luz . . . . 21
2.3.1.3.1. Estructuras LED . . . . . . . . . . 22
2.3.1.3.2. Especificaciones de los LEDs . . . 24
2.3.1.4. Fotoemisores: Diodos Láser . . . . . . . . . . 26
2.3.1.4.1. Estructuras Láser . . . . . . . . . 27
2.3.1.4.2. Especificaciones de los LDs . . . . 29
2.3.2. Modulador óptico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.3.2.1. Modulación directa . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.3.2.2. Modulación externa . . . . . . . . . . . . . . 34
2.3.3. Driver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
2.3.3.1. Especificaciones del modulador driver . . . . . 37
2.4. El medio de transmisión: la fibra óptica . . . . . . . . . . . . . 41
2.4.1. Clasificación de las fibras ópticas . . . . . . . . . . . . 42
2.4.2. Propagación de la luz en la fibra óptica . . . . . . . . . 44
2.4.2.1. Atenuación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
i
ii ÍNDICE GENERAL
2.4.2.2. Dispersión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
2.4.2.3. Efectos no lineales . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.4.3. Cableado de fibras ópticas . . . . . . . . . . . . . . . . 48
2.4.3.1. Estructuras básicas del cable de fibra óptica . 50
2.5. El receptor óptico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
2.5.1. Detector óptico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
2.5.1.1. Conversión óptico-eléctrica . . . . . . . . . . . 53
2.5.1.2. Materiales para los fotodetectores . . . . . . . 53
2.5.1.3. Fotodetector: Fotodiodo PIN . . . . . . . . . 54
2.5.1.4. Fotodetector: Fotodiodo de avalancha . . . . . 55
2.5.1.5. Especificaciones de los fotodetectores . . . . . 57
2.5.2. Amplificador de transimpedancia . . . . . . . . . . . . 60
2.5.2.1. Principio de funcionamiento . . . . . . . . . . 60
2.5.2.2. Especificaciones del TIA . . . . . . . . . . . . 61
2.5.3. Amplificadores principales . . . . . . . . . . . . . . . . 63
2.5.3.1. Especificaciones de los MA . . . . . . . . . . 64
2.6. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
3. Los amplificadores distribuidos 75

3.1. Reseña histórica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
3.2. Funcionamiento básico de un amplificador distribuido. . . . . . 79
3.3. Análisis teórico de diversas configuraciones de amplificadores
distribuidos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80
3.3.1. Topologı́a en Fuente Común. . . . . . . . . . . . . . . . 81
3.3.1.1. Estudio de las lı́neas de puerta y drenador. . . 81
3.3.1.1.1. Frecuencia de corte. . . . . . . . . 85
3.3.1.1.2. Constantes de propagación. . . . . 86
3.3.1.2. Ganancia del amplificador distribuido. . . . . 91
3.3.1.2.1. Ganancia directa. . . . . . . . . . 91
3.3.1.2.2. Número óptimo de etapas
amplificadoras. . . . . . . . . . . . 93
3.3.1.2.3. Ganancia indirecta. . . . . . . . . 94
3.3.1.3. Retardo de grupo. . . . . . . . . . . . . . . . 96
3.3.1.3.1. Definición general. . . . . . . . . . 96
3.3.1.3.2. Retardo de grupo transistor
fuente común. . . . . . . . . . . . 97
3.3.2. Topologı́a en Cascodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
ÍNDICE GENERAL iii
3.3.2.3. Retardo de grupo. . . . . . . . . . . . . . . . 113

3.3.3. Topologı́a en Cascodo con capacidad adicional. . . . . . 119
3.3.3.3. Retardo de grupo. . . . . . . . . . . . . . . . 128
3.3.4. Topologı́a en Cascodo con capacidad adicional en la
lı́nea de puerta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
3.3.4.2. Retardo de grupo. . . . . . . . . . . . . . . . 138
3.4. Ruido en los amplificadores distribuidos. . . . . . . . . . . . . 141
3.5. Estabilidad de los amplificadores distribuidos. . . . . . . . . . 144
3.5.1. Estabilidad en pequeña señal. . . . . . . . . . . . . . . 145
3.5.2. Estabilidad en gran señal. . . . . . . . . . . . . . . . . 145
3.5.2.1. Herramienta STAN R . . . . . . . . . . . . . . 146
3.6. Conclusiones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
4. Diseño de un Amplificador Distribuido: Single Driver 157

4.1. Especificaciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
4.2. Proceso de diseño. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
4.2.1. Elección del transistor y del punto de trabajo. . . . . . 159
4.2.2. Parámetros en pequeña señal. . . . . . . . . . . . . . . 161
4.2.3. Valores iniciales para la optimización. . . . . . . . . . . 162
4.2.3.1. Descripción general del proceso de obtención
de los parámetros para la optimización. . . . 163
4.2.3.2. Aplicación al amplificador distribuido bajo
estudio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 164
4.3. Simulaciones a nivel esquemático. . . . . . . . . . . . . . . . . 171
4.3.1. Pequeña señal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
4.3.2. Balance armónico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
4.4. Generación del layout. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 178
4.4.1. Tamaño máximo del diseño. . . . . . . . . . . . . . . . 179
4.4.2. Componentes del diseño. . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
4.5. Simulaciones electromagnéticas. . . . . . . . . . . . . . . . . . 181
4.5.1. Pequeña señal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
4.5.1.1. Variación con la temperatura. . . . . . . . . . 185
4.5.3. Análisis temporal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189
iv ÍNDICE GENERAL
4.5.4. Diagrama de ojo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191

4.5.4.1. Señal NRZ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
4.5.4.2. Señal 4PAM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
4.5.5. Estabilidad. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
4.5.5.1. En pequeña señal. . . . . . . . . . . . . . . . 197
4.5.5.2. En gran señal. . . . . . . . . . . . . . . . . . 197
4.6. Resultados experimentales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
4.6.1. Consideraciones del montaje. . . . . . . . . . . . . . . 200
4.6.2. Medidas en pequeña señal. . . . . . . . . . . . . . . . . 202
4.6.3. Medidas en potencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
4.6.4. Retro-simulaciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 208
4.7. Conclusiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 212
5. Diseño de un Amplificador Distribuido: Quad Driver 217

5.1. Especificaciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 217
5.1.1. Consideraciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
5.1.1.1. Tamaño. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
5.1.1.2. Estrategia de alimentación. . . . . . . . . . . 219
5.1.1.3. Sensibilidad. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 219
5.2. Generación del layout de un único canal. . . . . . . . . . . . . 219
5.3. Simulaciones electromagnéticas 1 canal. . . . . . . . . . . . . . 221
5.3.1. Pequeña señal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 222
5.3.1.1. Variación con la temperatura. . . . . . . . . . 226
5.3.1.2. Sensibilidad del driver. . . . . . . . . . . . . . 227
5.3.3. Diagrama de ojo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
5.3.3.1. Señal NRZ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230
5.3.3.2. Señal 4PAM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
5.4. Generación del layout del driver de cuatro canales. . . . . . . 235
5.5. Simulaciones electromagnéticas 4 canales. . . . . . . . . . . . . 236
5.5.1. Pequeña señal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 236
5.5.2. Diagrama de ojo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 239
5.5.2.1. Señal NRZ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 239
5.5.2.2. Señal 4PAM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 241
5.6. Consideraciones para el montaje. . . . . . . . . . . . . . . . . 242
5.7. Conclusiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 244
6. Conclusiones y lı́neas futuras 249

6.1. Introducción. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 249
6.2. Resumen y Conclusiones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 249
ÍNDICE GENERAL v
6.2.1. Estudio teórico de las diferentes topologias de celda de

ganancia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 251
6.2.2. Diseño y evaluación del Single Driver. . . . . . . . . . 252
6.2.3. Diseño del Quad Driver. . . . . . . . . . . . . . . . . . 252
6.3. Nuevas aportaciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 253
6.4. Lı́neas Futuras de Investigación. . . . . . . . . . . . . . . . . . 254
6.5. Publicaciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 255
6.6. Proyectos relacionados con la investigación desarrollada. . . . 255
A. Redes de dos puertos 257

A.1. Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 257
A.2. Parámetros de impedancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 258
A.3. Parámetros de admitancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260
A.4. Parámetros hı́bridos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 261
A.5. Parámetros de transmisión . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 262
A.6. Conversión entre parámetros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 264
A.7. Interconexión de redes de dos puertos . . . . . . . . . . . . . . 264
A.8. Impedancia de entrada y salida . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
A.8.1. Impedancia de entrada . . . . . . . . . . . . . . . . . . 266
A.8.2. Impedancia de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 267
A.9. Adaptación de impedancias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 268
A.9.1. Máxima transferencia de energı́a . . . . . . . . . . . . . 268
A.9.2. Impedancia caracterı́stica . . . . . . . . . . . . . . . . 268
A.10.Caso particular: Red en T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 269
B. Diagrama de ojo 275

B.1. Introducción . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275
B.2. Definición . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 276
B.2.1. Análisis de los parámetros del diagrama de ojo . . . . . 276
B.3. Simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 279
B.4. Medidas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 282
C. Tecnologı́a PL-1512 285

C.1. Tecnologı́a de Arseniuro de Galio. . . . . . . . . . . . . . . . . 285
C.2. Proceso PL15-12. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 286
C.2.1. Consideraciones generales del Layout. . . . . . . . . . . 286
C.3. Los componentes de la tecnologı́a. . . . . . . . . . . . . . . . . 288
C.3.1. Transistores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 288
C.3.2. Diodos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 290
C.3.3. Resistencias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 291
C.3.3.1. TFR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 291
vi ÍNDICE GENERAL
C.3.3.2. MESA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 292

C.3.4. Capacidades. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293
C.3.5. Bobinas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293
C.3.5.1. Circulares. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 293
C.3.5.2. Cuadradas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294
C.3.6. Lı́neas microstrip. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 296
C.3.7. Back-vias. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 296
D. Rutinas de Matlab R 299

D.1. Impedancia Imagen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
D.1.1. Fuente común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 299
D.1.2. Cascodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 303
D.1.3. Cascodo + C1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 308
D.1.4. Cascodo + C1 + C2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 314
D.2. Coeficiente de atenuación y constante de fase. . . . . . . . . . 320
D.2.1. Fuente común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320
D.2.2. Cascodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 323
D.2.3. Cascodo + C1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 329
D.2.4. Cascodo + C1 + C2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 336
D.3. Retardo de grupo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 342
D.3.1. Fuente común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 342
D.3.2. Cascodo y Cascodo C1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 345
D.3.3. Cascodo + C1 + C2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 352
E. Lista de Acrónimos 359

Índice de figuras
2.1. Grabado de un telégrafo óptico de Chappe. . . . . . . . . . . . 6

2.2. Código alfabético y numérico de Chappe. . . . . . . . . . . . . 7
2.3. La red francesa de telégrafos de Chappe. . . . . . . . . . . . . 8
2.4. Esquema de la fuente de luz de Jean-Daniel Collandon. . . . . 8
2.5. Demostración de la reflexión interna total realizada por
Tyndall [4]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.6. Emisor del fotófono. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.7. Receptor del fotófono. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
2.8. Fibra óptica con recubrimiento [4]. . . . . . . . . . . . . . . . 11
2.9. Evolución de las pérdidas de las fibras ópticas y las ventanas
de absorción [4]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
2.10. Evolución de la capacidad de transmisión de la fibra óptica [4]. 13
2.11. Componentes fundamentales de un sistema de comunicaciones
ópticas [8]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
2.12. Tipos de emisión. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.13. Bandas de energı́a directa e indirecta. . . . . . . . . . . . . . . 21
2.14. Estructuras LED: (a) Homounión, (b) Heterounión simple y
(c) Heterounión doble. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
2.15. LED de emisión superficial. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.16. LED de emisión lateral. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.17. Espectro de emisión de un diodo LED. . . . . . . . . . . . . . 25
2.18. Patrón de radiación de un diodo LED. . . . . . . . . . . . . . 25
2.19. Curva caracterı́stica de un LED. . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
2.20. Estructura radiante y espectro: (a) láser Fabry-Perot y (b)
láser de retroalimentación distribuida. . . . . . . . . . . . . . . 27
2.21. Estructura radiante de un láser de emisión superficial con
cavidad vertical. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.22. Espectro de emisión de un láser. . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
2.23. Patrón de radiación de diodos láseres. . . . . . . . . . . . . . . 29
2.24. Curva caracterı́stica de un láser. . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
vii
viii ÍNDICE DE FIGURAS
2.25. Comparativa entre los tiempo de respuesta de un LED (izq) y

un LD (drch) [16]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.26. Esquemas de modulación: NRZ, RZ, 4PAM. . . . . . . . . . . 32
2.27. Relación entre la BER y la SNR en presencia de ruido blanco
Gaussiano para diferentes formatos de modulación. . . . . . . 34
2.28. Diagrama de un transmisor óptico con modulación interna [16]. 35
2.29. Diagrama de un transmisor óptico con modulación externa [16]. 35
2.30. (a) Modulador Mach-Zehnder y (b) su potencia de salida. . . . 36
2.31. (a) Estructura de un modulador EA y (b) su montaje [22]. . . 36
2.32. Señales básicas de un modulator driver. . . . . . . . . . . . . . 37
2.33. Tensiones de modulación y polarización en (a) EAM y en (b)
EOM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.34. Distorsión del ancho del pulso definido mediante el diagrama
de ojo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
2.35. Corte transversal de una fibra óptica. . . . . . . . . . . . . . . 41
2.36. Variación del ı́ndice de refracción en función del parámetro α. 44
2.37. Tipos de fibras ópticas más utilizadas en comunicaciones ópticas. 45
2.38. Variación del coeficiente de atenuación en una fibra óptica. . . 46
2.39. Dispersión por polarización del modo. . . . . . . . . . . . . . . 47
2.40. Máxima distorsión cromática permitida en función de la
anchura espectral para diferentes señales NRZ. . . . . . . . . . 48
2.41. Elementos de un cable de fibra óptica. . . . . . . . . . . . . . 49
2.42. (a) Cable con estructura holgada y (b) cable con estructura
densa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
2.43. Diagrama básico de un receptor óptico. . . . . . . . . . . . . . 52
2.44. Efecto fotoeléctrico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
2.45. (a) Fotodiodo PIN y su distribución de campo eléctrico bajo
polarización inversa.(b) Diagrama del diseño de un fotodiodo
PIN [32]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.46. (a) Fotodiodo de avalancha y su distribución de campo
eléctrico bajo polarización inversa.(b) Diagrama del diseño de
un fotodiodo APD [32]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
2.47. Ganancia del APD y factor de exceso de ruido en función del
parámetro kA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
2.48. Amplificador de transimpedancia. . . . . . . . . . . . . . . . . 60
2.49. Señales de entrada y salida en un MA diferencial. . . . . . . . 64
2.50. Función de tranferencia de (a) un LA y (b) un VGA. . . . . . 64
3.1. Amplificador distribudio descrito por Ginzton et al. . . . . . . 77

3.2. Amplificador distribuido descrito por Ayasli et al. . . . . . . . 78
3.3. Esquema genérico de un amplificador distribuido. . . . . . . . 79
ÍNDICE DE FIGURAS ix
3.4. Amplificador distribuido de N etapas. . . . . . . . . . . . . . . 79

3.5. Modelo en pequeña señal de un transistor de efecto de campo. 81
3.6. Celdas elementales de la lı́nea de puerta (a) y de la lı́nea de
drenador (b) para una topologı́a en fuente común. . . . . . . . 82
3.7. Representación de una red de dos puertos con estructura en T. 82
3.8. Parte real e imaginaria de la impedancia imagen de la lı́nea
de puerta, topologı́a en fuente común. . . . . . . . . . . . . . . 84
de drenador, topologı́a en fuente común. . . . . . . . . . . . . 85
3.10. Atenuación y constante de propagación de las celdas
elementales de las lı́neas de puerta y drenador de la topologı́a
en fuente común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
3.11. Esquema de la lı́nea de puerta de un amplificador distribuido
en fuente común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
3.12. Esquema de la lı́nea de drenador de un amplificador
distribuido en fuente común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
3.13. Ganancia de un amplificador distribuido en fuente común en
función de la frecuencia
y el número
2 de etapas. . . . . . . . . . 94
sin(nβ)
3.14. Gráfica de la función en función de β para n=3,
sinβ
n=5 y n=7. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96
3.15. Función de transferencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97
3.16. Modelo en pequeña señal de un transistor en fuente común. . . 98
3.17. Esquema utilizado para el cálculo del retardo de grupo de un
transistor en fuente común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
3.18. Retardo de grupo en función de la frecuencia de un transistor
en fuente común. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
3.19. Configuración del esquemático de ADS R , para la
comprobación de la formulación. . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.20. Retardo de grupo en función de la frecuencia obtenido por
ADS R : transistor ideal y transistor de la librerı́a PL15-12
(cı́rculos). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.21. Retardo de grupo de un transistor en fuente común en función
de la frecuencia y del punto de polarización. . . . . . . . . . . 102
de la frecuencia y del tamaño. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
de la frecuencia y del número de dedos. . . . . . . . . . . . . . 103
3.24. Retardo de grupo en función de la frecuencia de dos
transistores con el tamaño equivalente: 2x50 µm y 4x25 µm. . 104
3.25. Etapa de ganancia en configuración cascodo. . . . . . . . . . . 105
x ÍNDICE DE FIGURAS
3.26. Modelo en pequeña señal de la etapa de ganancia en

configuración cascodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105
drenador (b) para una topologı́a en cascodo. . . . . . . . . . . 106
de drenador, topologı́a en cascodo. . . . . . . . . . . . . . . . 108
elementales de las lı́neas de drenador. . . . . . . . . . . . . . . 112
3.30. Ganancia de un amplificador distribuido con celda
amplificadora en cascodo en función de la frecuencia y
el número de etapas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
3.31. Modelo en pequeña señal de un cascodo. . . . . . . . . . . . . 114
3.32. Esquema utilizado para el cálculo del retardo de grupo de una
estructura en cascodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
3.33. Retardo de grupo para dos transistores en montaje cascodo
en función de la frecuencia y el tamaño de la puerta de los
transistores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
3.34. Retardo de grupo para dos transistores en montaje cascodo en
función de la frecuencia obtenido mediante ADS R . . . . . . . . 118
3.35. Comparativa del retardo de grupo para dos transistores en
montaje cascodo y un transistor en fuente común. . . . . . . . 118
3.36. Retardo de grupo en función de la frecuencia para dos
transistores con el tamaño equivalente: 2x50 µm y 4x25 µm. . 119
3.37. Etapa de ganancia en configuración cascodo con capacidad
adicional. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
3.38. Modelo en pequeña señal de una etapa de ganancia en
configuración cascodo con capacidad adicional. . . . . . . . . . 120
drenador (b) para una topologı́a en cascodo con capacidad
adicional. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
de drenador, topologı́a en cascodo con capacidad en la puerta
del transistor en puerta común. . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
elementales de las lı́neas de drenador. . . . . . . . . . . . . . . 127
3.42. Ganancia de un amplificador distribuido en cascodo con
capacidad adicional en función de la frecuencia y el número
de etapas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
3.43. Modelo en pequeña señal de un cascodo con capacidad C1. . . 129
ÍNDICE DE FIGURAS xi

estructura en cascodo con capacidad C1. . . . . . . . . . . . . 129
3.45. Configuración del esquemático de ADS R . . . . . . . . . . . . . 130
3.46. Retardo de grupo: cascodo (cı́rculos) y cascodo + C1 (lı́nea
continua). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
3.47. Etapa de ganancia en configuración cascodo con capacidad
adicional. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
3.48. Modelo en pequeña señal de una etapa de ganancia en
configuración cascodo con capacidad adicional en la lı́nea de
puerta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
drenador (b) para una topologı́a en cascodo con capacidades
adicionales C1 y C2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
3.50. Parte real e imaginaria de la impedancia imagen de la lı́nea de
puerta, topologı́a en cascodo con dos capacidades adicionales. 134
elementales de las lı́neas de puerta. . . . . . . . . . . . . . . . 137
3.52. Modelo en pequeña señal de un cascodo con capacidades C1
y C2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
3.53. Simplificación del modelo en pequeña señal de un cascodo con
capacidades C1 y C2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
estructura en cascodo con capacidades C1 y C2. . . . . . . . . 139
3.55. Retardo de grupo en función de la frecuencia (2x25 µm). . . . 140
3.58. Fuente de corriente conectada en un nodo determinado del
dispositivo para el análisis de estabilidad [37]. . . . . . . . . . 146
3.59. Identificación de los polos y ceros [37]. . . . . . . . . . . . . . 147
3.60. Impedancia imagen para la lı́nea de puerta de las distintas
configuraciones, con aproximaciones en la formulación. . . . . 148
3.61. Impedancia imagen para la lı́nea de drenador de las distintas
configuraciones, con aproximaciones en la formulación. . . . . 149
3.62. Impedancia imagen para la lı́nea de drenador de las distintas
configuraciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
4.1. Vistas del encapsulado QFN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159

4.2. Caracterı́stica I-V para distintos tamaños de transistor. . . . . 160
4.3. a) Filtro paso bajo (Constant K). b) Filtro paso todo
(Constant R). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
xii ÍNDICE DE FIGURAS
4.4. Celda de ganancia utilizando el modelo simplificado en

pequeña señal de un transistor en fuente común. . . . . . . . . 165
4.5. Celda de ganancia utilizando el modelo no lineal de un
transistor de la librerı́a PL15-12. . . . . . . . . . . . . . . . . . 165
4.6. Celda de ganancia en cascodo con capacidad C1, utilizando el
modelo no lineal de un transistor de la librerı́a PL15-12. . . . 166
4.7. Ganancia directa de un amplificador distribuido en fuente
común en función del número de etapas (modelo en pequeña
señal del transistor). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
4.8. Comparativa de la ganancia de un amplificador distribuido de
6 etapas con transistor en fuente común: modelo en pequeña
señal y modelo no lineal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167
4.9. Ganancia de un amplificador distribuido de 6 etapas con celda
de ganancia: transistor en fuente común (sc) y en cascodo (cc). 168
4.10. Aislamiento de un amplificador distribuido de 6 etapas con
celda de ganancia: transistor en fuente común (sc) y en cascodo
(cc). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
4.11. Retardo de grupo de un amplificador distribuido de 6 etapas
con celda de ganancia: transistor en fuente común (sc) y en
cascodo (cc). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 169
4.12. Amplificador distribuido. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171
4.13. Parámetros S del amplificador distribuido a nivel esquemático. 173
4.14. Ganancia en pequeña señal del amplificador distribuido. . . . . 173
4.15. Figura de ruido a la salida del amplificador distribuido. . . . . 174
4.16. Retardo de grupo entre la salida y la entrada del amplificador
distribuido. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
4.17. Parámetros de estabilidad en pequeña señal. . . . . . . . . . . 175
4.18. Ganancia en potencia para una potencia de entrada de -15 dBm.176
4.19. Ganancia en potencia en función de la frecuencia para tres
potencias de entrada distintas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 176
4.20. Ganancia en potencia en función de la potencia de entrada
para tres frecuencia distintas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
4.21. Potencia de salida en función de la frecuencia y de la potencia
de entrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177
4.22. Simulación a nivel esquemático y electromagnético del
crossover utilizado en las celdas de ganancia. . . . . . . . . . . 180
4.23. Parámetro de transmisión en nivel esquemático (rojo) y
electromagnético (azul) del crossover utilizado en las celdas
de ganancia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
4.24. Layout del prdriver (2300 µm x 1300 µm). . . . . . . . . . . . 181
ÍNDICE DE FIGURAS xiii
4.25. Substrato sin BCB definido por la librerı́a PL15-12. . . . . . . 181

4.26. Mallado del diseño. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 182
4.27. Parámetros S del amplificador distribuido. . . . . . . . . . . . 183
4.28. Ganancia en pequeña señal del amplificador distribuido. . . . . 184
4.29. Figura de ruido a la salida del amplificador distribuido. . . . . 184
4.30. Retardo de grupo entre la salida y la entrada del amplificador
distribuido. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 185
4.31. Variación de la ganancia en pequeña señal en función de la
temperatura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 185
4.32. Variación de la adaptación de entrada y salida en función de
la temperatura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 186
4.33. Variación de la figura de ruido con la temperatura. . . . . . . 186
4.34. Variación del retardo de grupo con la temperatura. . . . . . . 187
4.35. Ganancia en potencia para una potencia de entrada de -15 dBm.187
4.37. Ganancia en potencia en función de la potencia de entrada
para tres frecuencia distintas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 188
4.38. Potencia de salida en función de la frecuencia y de la potencia
de entrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189
4.39. Corriente de drenador en función de la frecuencia y de la
potencia de entrada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 189
4.40. Señales temporales a la entrada y a la salida del amplificador. 190
4.41. Obtención de la ganancia en tensión del amplificador. . . . . . 190
4.42. Obtención del desfase entre la entrada y la salida del
amplificador. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191
4.43. Diagrama de ojo a la salida del DA, para una señal NRZ de
0.3 Vpp y 10 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
0.3 Vpp y 32 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
0.3 Vpp y 40 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 193
0.6 Vpp y 10 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 194
4.47. Diagrama de ojo para a la salida del DA, una señal NRZ de
0.6 Vpp y 32 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
0.6 Vpp y 40 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
4.49. Diagrama de ojo a la salida del DA, para una señal 4PAM de
0.3 Vpp : 10 Gbps y 40 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 196
xiv ÍNDICE DE FIGURAS
0.6 Vpp : 10 Gbps y 40 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 197
4.51. Parámetros de estabilidad en pequeña señal del driver. . . . . 197
4.52. Definición de simulación de estabilidad en AC mediante el
método de la sonda. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 198
4.53. Mapa de polos y ceros en el drenador del transistor superior
de la quinta etapa tras la simulación de AC. . . . . . . . . . . 199
4.54. Definición de simulación de estabilidad en HB mediante el
método de la sonda. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 199
4.55. Mapa de polos y ceros en el drenador del transistor superior
de la quinta etapa tras la simulación en HB. . . . . . . . . . . 200
4.56. Parámetros de dispersión medidos. . . . . . . . . . . . . . . . 201
4.57. Parámetros de dispersión medidos. . . . . . . . . . . . . . . . 202
4.58. Comparación de la ganancia medida y simulada. . . . . . . . . 203
4.59. Comparación de la adaptación a la entrada medida y simulada. 203
4.60. Comparación de la adaptación a la salida medida y simulada. 204
4.61. Comparación del aislamiento medido y simulado. . . . . . . . 204
4.62. Retardo de grupo medido. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 205
4.63. Ganancia en potencia en función de la potencia de entrada y
la frecuencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
4.64. Potencia de salida en función de la potencia de entrada y la
frecuencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 206
4.65. Potencia de saturación y P1dB en función de la frecuencia. . . 207
4.66. Corriente de drenador en función de la potencia de entrada. . 207
4.67. Modelo de la capacidad de la lı́nea de drenador (510 pF). . . . 208
4.68. Modelo de la capacidad de la alimentación de puerta (51 pF). 209
4.69. Comparación de la ganancia medida y simulada. . . . . . . . . 209
4.70. Comparación de la adaptación de la entrada medida y simulada.210
4.71. Comparación de la adaptación a la salida medida y simulada. 210
4.72. Adaptación a la salida tras las modificaciones. . . . . . . . . . 211
4.73. Ganancia tras la modificaciones. . . . . . . . . . . . . . . . . . 211
5.1. Divisor de tensión. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221

5.2. Layout de un canal del driver (2630 µm x 705 µm). . . . . . . 222
5.3. Parámetros de dispersión de un canal. . . . . . . . . . . . . . . 223
5.4. Ganancia en pequeña señal de un canal. . . . . . . . . . . . . 224
5.5. Figura de ruido de un canal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 224
5.6. Retardo de grupo de un canal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 225
5.7. Estabilidad en pequeña señal de un canal. . . . . . . . . . . . 225
5.8. Variación de la ganancia en pequeña señal con la temperatura. 226
5.9. Variación de la adaptación con la temperatura. . . . . . . . . . 226
ÍNDICE DE FIGURAS xv
5.10. Variación de la figura de ruido con la temperatura. . . . . . . 227

5.11. Variación del retardo de grupo con la temperatura. . . . . . . 227
5.12. Comparativa de la ganancia en pequeña señal con elementos
ideales y reales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 228
5.13. Comparativa de la adaptación con elementos ideales y reales. . 228
5.14. Comparativa entre la ganancia en pequeña señal y la ganancia
obtenida para tres potencias de entrada: -15 dBm, 0 dBm y 5
dBm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 229
5.15. Ganancia en potencia en función de la potencia de entrada. . . 229
0.4 Vpp y 28 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 231
0.4 Vpp y 40 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 231
0.6 Vpp y 28 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 232
5.20. Diagrama de ojo para a la salida del DA, una señal NRZ de
0.6 Vpp y 40 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
0.4 Vpp : 28 Gbps y 40 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 233
0.6 Vpp : 28 Gbps y 40 Gbps, con Vg1 = −0,2 V. . . . . . . . . . 234
0.6 Vpp : 28 Gbps y 40 Gbps, con Vg1 = −0,25 V. . . . . . . . . 234
5.24. Layout del diseño final (2840 µm x 3055 µm). . . . . . . . . . 235
5.25. Ganancia en pequeña señal de cada uno de los canales. . . . . 236
5.26. Diferencia de ganancia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 237
5.27. Adaptaciones de entrada y salida de los cuatro canales. . . . . 237
5.28. Retardo de grupo de cada uno de los canales. . . . . . . . . . 238
5.29. Interferencia entre canales adyacentes. . . . . . . . . . . . . . 238
5.30. Diagrama de ojo a la salida de los cuatro canales para una
señal de entrada del tipo NRZ con amplitud 0.4 Vpp y una
tasa binaria de 28 Gbps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 239
5.31. Resumen de los parámetros de los diagramas ojo de la Figura
5.30. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 240
señal de entrada del tipo NRZ con amplitud 0.4 Vpp y una
5.33. Resumen de los parámetros de los diagramas de la Figura 5.32. 241
xvi ÍNDICE DE FIGURAS

señal de entrada del tipo 4PAM con amplitud 0.4 Vpp y una
señal de entrada del tipo 4PAM con amplitud 0.6 Vpp y una
señal de entrada del tipo 4PAM con amplitud 0.6 Vpp , una
tasa binaria de 40 Gbps con Vg1 = −0,25 V. . . . . . . . . . . 243
5.37. Conexionado recomendado en cada canal. . . . . . . . . . . . . 244
A.1. Definición estándar de una red de dos puertos. . . . . . . . . . 257

A.2. Conexión entre redes de dos puertos. . . . . . . . . . . . . . . 265
A.3. Cuadripolo conectado a un generador y a una carga externos. 266
A.4. Red en T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 269
B.1. Construcción del diagrama de ojo mediante la superposición

de las formas de onda correspondientes a todas las posibles
secuencias de bits. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 276
B.2. Parámetros del diagrama de ojo. . . . . . . . . . . . . . . . . . 277
B.3. Máscara del diagrama ojo definida por la ITU-T para una
señal óptica transmitida del tipo NRZ. . . . . . . . . . . . . . 279
B.4. Fuente pseudoaleatoria de bits. . . . . . . . . . . . . . . . . . 280
B.5. Configuración de la simulación temporal. . . . . . . . . . . . . 281
B.6. (a) Diagrama de ojo simulado con ADS R para una señal
pseudoaleatoria de 40 Gbps y (b) parámetros de dicho diagrama.281
B.7. Apariencia del FrontPanel [4]. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 282
B.8. Configuración para la medida del diagrama del ojo con un
osciloscopio. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 282
C.1. Corte transversal de la tecnologı́a PL15-12. . . . . . . . . . . . 287

C.2. Transistor FET: a) nivel esquemático y b) layout. . . . . . . . 288
C.3. Modelo en pequeña señal de un transistor FET de la librerı́a
PL15-12. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 289
C.4. Topologı́a de un diodo de la tecnologı́a PL15-12. . . . . . . . . 290
C.5. Resistencia TFR: a) nivel esquemático y b) layout. . . . . . . 291
C.6. Resistencia MESA: a) nivel esquemático y b) layout. . . . . . 292
C.7. Capacidad MIM: a) nivel esquemático y b) layout. . . . . . . . 293
C.8. Capacidad MIM: a) nivel esquemático y b) layout. . . . . . . . 294
C.9. Modelo equivalente de una inductancia circular. . . . . . . . . 294
C.10.Capacidad MIM: a) nivel esquemático y b) layout. . . . . . . . 295
ÍNDICE DE FIGURAS xvii
C.11.Modelo equivalente de una inductancia cuadrada. . . . . . . . 295

C.12.Back-via: a) nivel esquemático y b) layout. . . . . . . . . . . . 296
xviii ÍNDICE DE FIGURAS
Índice de tablas
2.1. Parámetros generadores de penalizaciones de potencia [8]. . . . 17

2.2. Señales y velocidades binarias SONET y SDH . . . . . . . . . 19
2.3. Tabla comparativa de los principales fotoemisores. . . . . . . . 32
2.4. Niveles de jitter recomendados en función de la velocidad de
transmisión. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
2.5. Principales caracterı́sticas de los materiales empleados en las
cubiertas de los cables de fibra óptica [31]. . . . . . . . . . . . 50
2.6. Comparativa entre las estructuras de cables de fibras ópticas. . 51
2.7. Caracterı́sticas de los principales fotodiodos p-i-n. . . . . . . . 55
2.8. Caracterı́sticas de los principales fotodiodos de avalancha. . . . 57
3.1. Correspondencia entre las impedancias de una estructura en

T y las celdas elementales de las lı́neas de puerta y drenador
de un amplificador distribuido en fuente común. . . . . . . . . 82
3.2. Componentes del modelo en pequeña señal de un transistores
2x25 µm con Vds = 2 V y Vgs = −0,1 V. . . . . . . . . . . . . 84
3.3. Parámetros en pequeña señal del los transistores: 2x50 µm y
4x25 µm. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
de un amplificador distribuido con topologı́a en cascodo. . . . 106
de un amplificador distribuido con topologı́a en cascodo y
capacidad C1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
de un amplificador distribuido con topologı́a en cascodo y
capacidades C1 y C2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 132
4.1. Especificaciones generales del amplificador distribuido. . . . . 158
xix
xx ÍNDICE DE TABLAS
4.2. Especificaciones del predriver. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158

4.3. Máxima ganancia de potencia en función del tamaño del
transistor y del punto de polarización. . . . . . . . . . . . . . 161
4.4. Parámetros por unidad de longitud del modelo en pequeña
señal del transistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
4.5. Parámetros por unidad de longitud del modelo en pequeña
señal del transistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
4.6. Valores de los componentes que conforman el diseño del
amplificador distribuido. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 172
4.7. Comparativa entre las especificaciones y las medidas. . . . . . 213
4.8. Comparativa de resultados con otros trabajos. . . . . . . . . . 213
5.1. Especificaciones generales de cada canal del driver. . . . . . . 218

5.2. Especificaciones de cada canal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 218
5.3. Valores de los componentes que conforman cada uno de los
canales del driver. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
5.4. Comparativa entre las especificaciones y las simulaciones de
cada canal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 245
5.5. Comparativa de resultados con otros Quad- driver. . . . . . . 246
A.1. Parámetros de una red dos puertos. . . . . . . . . . . . . . . . 258

A.2. Tabla de conversión de parámetros de una red de dos puertos. 264
C.1. Parámetros principales de la tecnologı́a PL15-12. . . . . . . . . 286

C.2. Componentes del modelo en pequeña señal del transistor FET
(anchura de puerta de 20 y 25 µm). . . . . . . . . . . . . . . . 290
C.3. Componentes del modelo en pequeña señal del transistor FET
(anchura de puerta de 50 y 100 µm). . . . . . . . . . . . . . . 291
Capı́tulo 1
Introducción general
En las últimas décadas los sistemas de comunicaciones han experimentado

una clara tendencia hacia aplicaciones cada vez más flexibles, con mayores
anchos de banda y con velocidades de transmisión más elevadas. Esta
tendencia ha supuesto que se reavive entre la comunidad cientı́fica el interés
por las comunicaciones ópticas.
En teorı́a, la fibra óptica proporciona anchos de banda de varios
centenares de gigahercios. Sin embargo, en la práctica las velocidades de
transmisión son mucho menores, debido en parte a las técnicas de modulación
utilizadas. Por lo general, para velocidades de transmisión por encima de los
10 Gbps, los transmisores comerciales hacen uso de la modulación externa,
implementada mediante el uso de un diodo láser y un modulador óptico o
driver. Este último elemento, se puede ver como un amplificador con un
ancho de banda de varias décadas y una variación del retardo de grupo muy
pequeña. Por tanto, el incremento en la velocidad no sólo supone un reto
para la parte óptica del sistema, sino también para la parte eléctrica. Es en
este ámbito en el que se desarrolla el trabajo que aquı́ se describe.
La presente Tesis forma parte del trabajo desarrollado en el departamento
de investigación y desarrollo de la empresa VectraWave, situada en Lannion
en el departamento de Côte D’Armor (Francia), en colaboración con el
Grupo de Ingenierı́a de Microondas y Sistemas de Radiocomunicaciones
de la Universidad de Cantabria. Los objetivos de esta Tesis se centran
principalmente en dos aspectos:
1. Estudio teórico de las estructuras de ganancia más utilizadas en el
diseño de amplificadores distribuidos y el impacto de la elección de cada
una de las estructuras en los parámetros principales del amplificador.
2. El desarrollo de amplificadores distribuidos monolı́ticos orientados a
aplicaciones ópticas capaces de soportar tasas binarias de hasta 40
1
2 Capı́tulo 1
Gbps.
Diseño de un driver de un sólo canal integrado en un encapsulado

QFN de 5x5 mm2 .
Diseño de un driver de 4 canales integrado en un encapsulado
QFN de 5x5 mm2 .
El trabajo realizado se ha estructurado en varios bloques, cuyos resultados

se exponen a lo largo de los seis capı́tulos presentados en este documento.
En el Capı́tulo 2 se presenta una revisión general de los sistemas de
comunicaciones ópticas. En este capı́tulo se recoge la evolución histórica de
las comunicaciones ópticas, los principales componentes y sus caracterı́sticas
fundamentales; de manera que el lector tenga una visión global de las
comunicaciones ópticas y pueda comprender en mayor medida los conceptos
tratados en el resto de capı́tulos.
El Capı́tulo 3 se centra en los amplificadores distribuidos. En primer
lugar, se hace una revisión de la evolución de este tipo de amplificadores
desde que fueran descritos en 1936 por Percival. A continuación, se describe
el funcionamiento básico de este tipo de dispositivo. Finalmente, el capı́tulo
se centra en el estudio de las celdas elementales de las lı́neas de puerta y
drenador de las estructuras de ganancia más utilizadas: transistor en fuente
común, cascodo y sus variantes. Este estudio permitirá comparar dichas
estructuras en cuanto a: evolución de la impedancia imagen, frecuencia
de corte, coeficiente de atenuación, constante de fase, ganancia y retardo
de grupo. Siendo este último parámetro muy importante en el caso de
amplificadores orientados a comunicaciones ópticas.
En el Capı́tulo 4 se expone el diseño completo de una amplificador
distribuido orientado a las comunicaciones ópticas. En primer lugar, se
describe el proceso de obtención de los parámetros iniciales del diseño, los
cuales proporcionan un buen punto de partida para la posterior optimización
del diseño. El amplificador presentado en este capı́tulo está optimizado para
obtener una variación del retardo de grupo lo más pequeña posible en un
ancho de banda por encima de los 30 GHz, de forma que pueda ser utilizado
en sistemas de comunicaciones ópticas con tasas binarias de hasta 40 Gbps.
Para finalizar el capı́tulo, se comparan los resultados de simulación con los
obtenidos experimentalmente y se realizan una serie de retro-simulaciones
para ajustar en mejor las medidas.
Continuando con el estudio de los amplificadores distribuidos orientados
a las comunicaciones ópticas, en el Capı́tulo 5 se describe el diseño realizado
de un driver de cuatro canales. El principal objetivo de este nuevo diseño
es conseguir integrar en el mismo die cuatro amplificadores distribuidos,
Introducción general 3
manteniendo muchos de los requerimientos del anterior diseño. Además, se

buscará minimizar la sensibilidad de la lı́nea de drenador.
Finalmente, en el Capı́tulo 6 se recopilan las principales conclusiones de
esta Tesis y las lı́neas futuras de investigación que se abren a partir de la
misma.
4 Capı́tulo 1
Capı́tulo 2
Introducción a las
Comunicaciones Ópticas
El rápido crecimiento en la demanda de redes de telecomunicaciones con

una mayor capacidad de datos, ha supuesto que se reavive el interés por
los sistemas y dispositivos electrónicos y ópticos con anchos de banda y
velocidades de transmisión elevados.
La idea de usar la luz como medio de transmisión de señales tiene más de
un siglo de historia. Sin embargo, no es hasta mediados de los años 50, del
pasado siglo, que los investigadores fueron capaces de demostrar la utilidad
de la fibra óptica como medio de propagación de la luz.
Este capı́tulo proporcionará al lector una visión global de las
comunicaciones ópticas, lo que le permitirá entender los conceptos que
posteriormente serán utilizados en los siguientes capı́tulos.
En primer lugar, se ha realizado un breve resumen de la evolución
histórica de las comunicaciones ópticas, los principales componentes que
conforman un sistema de comunicaciones óptico genérico y sus principales
caracterı́sticas en cuanto a velocidades de transmisión y esquemas de
modulación. Para finalizar, se realizará un análisis de los tres componentes
fundamentales de los sistemas de comunicaciones ópticos: la fibra óptica, el
receptor y el transmisor.
2.1. Breve historia

2.1.1. Antes del siglo XIX
Pensar que los sistemas de comunicaciones ópticas son una reciente
invención de mediados del siglo XX puede llevarnos a un error, sobre todo si
5
6 Capı́tulo 2
se consideran estos sistemas en el sentido más amplio.

A lo largo de la historia, se pueden encontrar multitud de comunicaciones
de acontecimientos importantes llevados a cabo a través de sistemas de
comunicaciones, que se han servido de las señales de fuego y humo como
transmisores, el aire como medio de transmisión y el ojo humano como
receptor.
La primera reseña histórica de la utilización de comunicaciones ópticas se
sitúa en la Antigüedad, más concretamente en la Antigua Grecia, alrededor
del siglo VI a.C., cuando los griegos comunicaron la caı́da de Troya mediante
señales de fuego desde Asia Menor a Argos. Es importante destacar que por
aquel entonces los propios griegos ya habı́an demostrado el guiado de la luz
a través de cristales minerales.
Un sistema de comunicaciones ópticas más sofisticado es el desarrollado
por los nativos norteamericanos utilizando como transmisor las señales
de humo. Dependiendo del espaciado de dichas señales eran capaces de
transmitir diferentes mensajes no conocidos a priori por el receptor.
Una versión a mayor escala de este tipo de técnicas de comunicación, el
telégrafo óptico, fue desarrollado en Francia a finales del siglo XVIII (1791)
por Claude Chappe [1]. Este sistema de comunicaciones es considerado como
el primer sistema de comunicaciones ópticas en sentido estricto. Gracias a
este telégrafo (Figura 2.1) era posible transmitir mensajes a largas distancias
de una manera muy rápida.
Figura 2.1: Grabado de un telégrafo óptico de Chappe.
Este sistema de comunicación consistı́a en una cadena de torres situadas

a distancias que oscilaban entre los 12 y los 25 kilómetros. Cada una de estas
torres contaba con un semáforo de madera y dos telescopios apuntando a
la torre anterior y posterior de la lı́nea. El semáforo consistı́a en un mástil
unido por su extremo superior al centro de un elemento llamado regulador,
Introducción a las Comunicaciones Ópticas 7
en cuyos extremos habı́a dos pequeñas piezas de menor longitud llamadas

indicadores. El conjunto podı́a adoptar 196 posiciones útiles, cada una de
las cuales significaban, según el código utilizado, letras, números, palabras
o partes incluso de frases. En la Figura 2.2 se pueden ver algunas de estas
posiciones que hacen referencia al abecedario latino y a los números del 1 al
10.
Figura 2.2: Código alfabético y numérico de Chappe.
Este sistema era manipulado, por parte de un telegrafista, con tan sólo
dos manijas que permitı́an conseguir una velocidad de transmisión de entre
1 y 3 sı́mbolos por minuto.
La primera lı́nea de telégrafos ópticos de este tipo se construyo
entre las ciudades de Parı́s y Lille durante la Revolución Francesa.
Dicha lı́nea constaba 15 torres y cubrı́a 230 kilómetros. Este sistema se
extendió rápidamente, y en menos de 50 años se construyó en Francia una
infraestructura de más de 530 torres y de más de 5000 kilómetros de longitud,
Figura 2.3.
Este telégrafo óptico supuso una gran revolución, y en pocas décadas
este sistema se trasladó a otros paı́ses europeos y a Estados Unidos. Sin
embargo, el verdadero desarrollo de las comunicaciones ópticas a través de
fibra óptica deberı́an esperar hasta el descubrimiento de la reflexión interna
total (en inglés, Total Internal Reflection, TIR) y de adicionales innovaciones
electrónicas y ópticas.
2.1.2. Siglo XIX

El fı́sico suizo Jean-Daniel Colladon fue el primero en experimentar con
la reflexión total de luz dentro del agua. En 1841, Colladon demostró por
casualidad la propiedad de la reflexión interna total de la luz cuando
pretendı́a mostrar un experimento de fluidos, pero en la sala de conferencias
la audiencia no podı́a ver el flujo de agua. Colladon solventó el problema
captando y conduciendo hasta la mesa la luz solar. Enfocó la luz a través
del tanque de agua y la hizo incidir en el borde del chorro de agua, en un
8 Capı́tulo 2
Figura 2.3: La red francesa de telégrafos de Chappe.
determinado ángulo. La reflexión interna de la luz capturó la luz dentro del

lı́quido, forzándolo a seguir un camino curvilı́neo. En la Figura 2.4 se ilustra lo
que Colladon llamó “Fuente de Luz”, y muestra cómo la luz queda atrapada
en el fluido y describe una trayectoria parabólica [2]. Este incidente llevarı́a,
siglos después, al descubrimiento de la fibra óptica moderna.
Figura 2.4: Esquema de la fuente de luz de Jean-Daniel Collandon.
En 1870, John Tyndall demostró ante la Royal Society el guiado de la luz

dentro de un chorro de agua. Para llevar a cabo esta demostración, Tyndall
iluminó un tonel de agua en el cual se habı́a realizado un agujero en un
lateral y por el que salı́a un chorro de agua curvo iluminado. Con este sencillo
experimento, Figura 2.5, se demostró el principio de reflexión total interna
[3].
Figura 2.5: Demostración de la reflexión interna total realizada por Tyndall

[4].
En 1880, Alexander Graham Bell en colaboración con Charles Summer

Tainter desarrollaron un sistema que permitı́a la transmisión de la voz a
través de la emisión de luz, el fotófono [5]. El dispositivo hacia uso de
celdas sensibles a la luz elaboradas con un cristal de selenio, cuya principal
caracterı́stica es la variación de su resistencia eléctrica de manera inversa a
la iluminación incidente. El emisor del sistema, Figura 2.6, consistı́a en un
espejo que dirigı́a la luz del sol para ser modulada por un espejo vibratorio
y enfocada por una lente que la dirigı́a al receptor.
Figura 2.6: Emisor del fotófono.
La señal del sol modulada utilizaba el aire como medio de transmisión

y tras recorrer unos 200 metros incidı́a en el receptor. El recptor, Figura
2.7, consistı́a en un receptor parabólico con las celdas de selenio en el foco
10 Capı́tulo 2
y un teléfono incorporado, por donde se podı́a escuchar la señal acústica

modulada.
Figura 2.7: Receptor del fotófono.
A pesar de que el propio Bell creyera que este invento era superior
al teléfono, porque no era necesario conectar fı́sicamente el transmisor y
el receptor, no se continuaron las investigaciones en este ámbito. Hoy en
dı́a los enlaces ópticos en espacio libre, similares al concepto del fotófono,
tienen diversas aplicaciones tales como: enlaces horizontales de comunicación,
enlaces verticales, conexión óptica de alta velocidad entre tarjetas de circuito
impreso, etc.
2.1.3. Siglos XX-XXI

La tecnologı́a de fibra óptica experimentó un gran progreso en la segunda
mitad del siglo XX. Los primeros éxitos tuvieron lugar durante los años 50
con el desarrollo del fibroscopio. Este dispositivo de transmisión de imágenes,
el primero en utilizar de forma práctica fibra de vidrio, fue desarrollado por
Brian O’Brien y Narider Kapany (quien acuño por primera vez el término
de fibra óptica en 1956 [4]).
Estas primeras fibras de vidrio se caracterizaban por sus elevadas
pérdidas, las cuales eran fruto de las pérdidas que sufrı́a la señal de luz
al atravesar la fibra óptica, limitando con ello las distancias de transmisión.
Este hecho motivó a los cientı́ficos a desarrollar fibras ópticas que incluı́an
un recubrimiento de vidrio, sustituyendo a los aceites y ceras con los que se
venı́a recubriendo a las fibras ópticas hasta ese momento. Este nuevo tipo
de fibra óptica, estaba compuesto por dos partes diferenciadas. La parte más
interna de la fibra, el núcleo, era usado para transmitir la luz, mientras que
el recubrimiento, se encargaba de prevenir que la luz se escapase del núcleo
mediante su reflexión en la frontera entre ambas partes. Este hecho puede
ser explicado a través de la Ley de Snell, la cual enuncia que el ángulo con el
cual la luz es reflejada depende de los ı́ndices de refracción de los dos medios;
en este caso, el núcleo y el recubrimiento. El menor ı́ndice de refracción del
recubrimiento (con respecto al núcleo) produce que la luz sea doblada hacia
el núcleo como se muestra en la Figura 2.8.
Figura 2.8: Fibra óptica con recubrimiento [4].
El desarrollo de la tecnologı́a láser fue el siguiente paso para que se

estableciese la industria de la fibra óptica. Solamente los diodos láser (LD) y
sus parientes de menor potencia, los diodos emisores de luz (LED), tenı́an el
potencial de generar grandes cantidades de luz en un haz lo suficientemente
pequeño como para ser utilizado por las fibras ópticas. En 1957, Gordon
Gould popularizó la idea de usar los láser como fuente de luz. A partir de
este momento, los láser se fueron desarrollando en diferentes generaciones
como los láser de rubı́, los de helio-neón (He-Ne) y los más utilizados en la
actualidad, los láser semiconductores (1962) [4].
A pesar de poseer la capacidad de utilizar frecuencias de modulación
muy elevadas, lo que implica una gran capacidad de transportar grandes
cantidades de información, los láser no son apropiados para ser utilizados
en transmisiones en espacio abierto, ya que las emisiones se ven gravemente
afectadas por las condiciones ambientales como la lluvia, la nieve, el granizo o
la niebla. En 1966, Charles Kao and Charles Hockman, publicaron un artı́culo
dónde se proponı́a que las fibras ópticas podı́an ser utilizadas como medio
de transmisión, siempre y cuando su atenuación permaneciese por debajo
de los 20 dB/Km [6]. En el momento en el que se hizo esta publicación, las
fibras ópticas tenı́an unas pérdidas de 1000 dB/Km. De manera intuitiva, los
investigadores postularon que las altas pérdidas que presentaban las fibras
ópticas eran resultado de las impurezas del vidrio más que del vidrio en sı́.
El artı́culo de Kao y Hockman estimuló a los investigadores a trabajar en
el problema de la purificación del vidrio. En 1970, los investigadores Robert
12 Capı́tulo 2
Maurer, Donald Keck y Peter Schultz, fabricaron la primera fibra óptica,

aplicando impurezas de titanio en sı́lice, con unas pérdidas inferiores a 20
dB/Km (17 dB/Km). Debido a las bajas pérdidas, esta fibra tenı́a el potencial
de transmitir 65000 veces más información que un cable de cobre [7].
El desarrollo de las sucesivas generaciones de fibras ópticas
está estrechamente relacionado con la longitud de onda [4]. En la Figura 2.9
se pueden observar tres curvas en rojo que hacen referencia a las sucesivas
generaciones: la curva superior, lı́nea roja discontinua, corresponde a las
fibras de principios de los 80; la curva del medio, linea roja punteada,
corresponde a las fibras de finales de los 80; y la curva inferior, lı́nea roja
continua, corresponde a las fibras ópticas modernas.
Figura 2.9: Evolución de las pérdidas de las fibras ópticas y las ventanas de
absorción [4].
Los sistemas ópticos de primera generación fueron desarrollados para

operar con longitudes de onda de entorno a 850 nm y utilizaban láseres de
semiconductor GaAs con fibras ópticas multimodo. Esta longitud de onda
corresponde con lo que se conoce hoy en dı́a como la primera ventana.
Esta región fue inicialmente muy atractiva ya que para aquel entonces la
tecnologı́a de emisores de luz ya habı́a sido perfeccionada para esa longitud
de onda. Además, esta longitud de onda permitı́a el uso de detectores de
bajo coste. Estos sistemas estuvieron disponibles comercialmente hasta 1979,
trabajando a velocidades de 34 a 45 Mbps y siendo capaces de transmitir
hasta una distancia de 10 Km. Sin embargo, a medida que la tecnologı́a iba
evolucionando, esta primera ventana perdió atractivo debido a su relativo
alto lı́mite teórico de pérdidas, 3 dB/Km [4].
En ese momento, la mayorı́a de las compañı́as decidieron dar un salto a la
segunda ventana, 1330 nm, con una atenuación de al rededor de 0.5 dB/Km,
mucho menor que en la primera. Esta segunda generación de sistemas basados

en láseres InGaAs estaban ya disponibles a principios de los años 80. En 1988
ya se contaba con sistemas comerciales de este tipo, capaces de transmitir a
velocidades de hasta 1.7 Gbps a distancias de 50 Km [4].
En 1977, se desarrollo la tercera ventana con una longitud de onda de
1550 nm y una atenuación teórica mı́nima de 0.2 dB/Km [4]. Sin embargo,
los sistemas comerciales de tercera generación a 2.5 Gbps no estuvieron
disponibles hasta 1992 debido a la gran dispersión de la fibra a esa longitud
de onda. Años más tarde se introdujeron en el mercado los sistemas a 10
Gbps y posteriormente a 40 Gbps.
Posteriormente, surgieron los sistemas de cuarta generación los cuales
hacı́an uso de la amplificación óptica y la tecnologı́a WDM (multiplexación
por longitud de onda). La introducción de este sistema supuso duplicar la
capacidad del sistema (Figura 2.10). Al mismo tiempo, el uso de los EDFAs
(Erbium Doped Fiber Amplifier) permitió la transmisión de información a
velocidades de 5 Gbps y a distancias mayores a los 11600 Km, permitiendo
los sistemas comerciales transatlánticos.
Figura 2.10: Evolución de la capacidad de transmisión de la fibra óptica [4].
En la actualidad existen sistemas con longitudes de onda de 880 nm,

1310 nm y 1550nm, incluso se utilizan otras longitudes de onda como por
ejemplo 660 nm (longitud de onda en el espectro visible) y 1625 nm. Cada
una de estas longitudes de ondas tiene sus ventajas y sus inconvenientes. Los
sistemas con longitudes de enlace cortas pueden hacer uso de las longitudes de
onda pequeña. Mientras que los enlaces con longitudes más grandes deben
utilizar las longitudes de ondas más elevadas, lo que conlleva también un
incremento del coste.
14 Capı́tulo 2
2.2. Sistema óptico genérico

Cualquier sistema de comunicaciones está compuesto por una serie de
elementos fundamentales sin los cuales no será considerado como tal. Estos
componentes esenciales son; la fuente de mensajes, el transmisor; el medio o
canal por el que se transmitirá la información; y por último, el receptor del
mensaje.
Una vez generada la información a transmitir, por parte de la fuente de
mensajes, ésta será inyectada en el transmisor, que a su vez se encargará de
adaptarla de forma que sea adecuada al canal por el cual se va a transmitir.
El canal deberá soportar la comunicación y trasportará la información desde
el transmisor al receptor. Por último, el receptor será el encargado de recibir
la señal y transformarla al formato adecuado, de forma que el destinatario
pueda entender la información que ha sido transmitida.
Los sistemas de comunicaciones ópticas no son más que un caso particular
de los sistemas de comunicaciones genéricos, por tanto deberán contar con los
mismos elementos fundamentales. En la Figura 2.11 se pueden identificar los
componentes esenciales de un sistema de comunicaciones ópticas [8]. En este
caso, el transmisor deberá ser una fuente de luz que se corresponderá con un
oscilador a frecuencias ópticas (situado en la parte inferior de la Figura 2.11);
el medio de transmisión podrá ser bien el aire o bien una guı́a de onda óptica;
y el receptor deberá ser un detector de luz, situado en la parte superior de
la Figura 2.11.
Figura 2.11: Componentes fundamentales de un sistema de comunicaciones

ópticas [8].
2.2.1. Principio de funcionamiento
El funcionamiento esencial de un sistema de comunicaciones ópticas puede

ser explicado a través de la Figura 2.11, donde se representa un diagrama de
bloques de un sistemas de comunicaciones ópticas genérico [8].
La señal de luz procedente de la fibra óptica es recibida gracias

al fotodetector (PD), el cual genera una pequeña corriente de salida
proporcional a la señal óptica que ha recibido. Esta corriente es amplificada y
convertida a tensión a través de un amplificador de transimpedancia (TIA).
A continuación, la señal de voltaje se amplifica mediante un amplificador
limitador (LA) o un amplificador de control de ganancia automática
(amplificador AGC). Estos dos tipos de amplificadores, LA y AGC, reciben
de forma colectiva el nombre de amplificadores principales (MA). La señal
resultante de la amplificación se introduce en el sistema recuperador de
datos y reloj (CDR), el cual se encarga de extraer la señal de reloj y
regular la señal de datos. En los receptores utilizados en sistemas con
velocidades de transmisión muy elevadas, es habitual que estos cuenten con
un demultiplexor (DMUX) para convertir la rápida serie de datos en n señales
en paralelo con una velocidad mucho menor que es posteriormente procesada
convenientemente por el bloque de lógica digital. Algunos diseños de CDR
ya cuentan con esta función, por lo que no serı́a necesario un DMUX [9]. El
bloque de lógica digital es el encargado entre otras cosas de descodificar los
bits, llevar a cabo el chequeo de errores y realizar la sincronización.
En la parte del transmisor se realiza el mismo proceso pero en el orden

inverso. Las n señales en paralelo procedentes del bloque de lógica digital se
funden en una única señal de datos gracias al multiplexor (MUX). Para
controlar la selección de las n lı́neas de datos que son introducidas en
el multiplexor es necesario la unidad de multiplicador de reloj (CMU).
Finalmente, el driver se encarga de modular la señal, de corriente (laser
driver ) o de voltaje (modulator driver ), y finalmente, de entregar la señal
al correspondiente componente optoelectrónico encargado de la transmisión
final de la señal.
En muchas ocasiones existe un módulo que contiene el PD, el TIA, el

MA, el láser driver y el LD. Dicho módulo se conoce con el nombre de
transceptor. Si además de los anteriores elementos mencionados, el módulo
contiene también el CDR, el DMUX, el CMU y el MUX, recibe el nombre
de transpondedor.
16 Capı́tulo 2
2.2.2. Ventajas
Los sistemas de comunicaciones por fibra óptica, además de presentar
la ventaja de soportar grandes cantidades de información, cuentan con las
siguientes ventajas [10]:
Bajas pérdidas, presentando unas atenuaciones por debajo de los 0.16

dB/Km.
Gran ancho de banda.
La fibras ópticas se caracterizan por su pequeño peso y tamaño, lo que

las hace más fáciles de manejar que los cables convencionales.
El material con el que están realizadas las fibras ópticas, el dióxido

de silicio o sı́lice, se encuentra de forma natural y abundante en la
naturaleza.
Debido a la naturaleza dieléctrica de la fibra óptica es inmune a las

interferencias.
Son sistemas con una alta seguridad, ya que no se puede acceder a la

información sin hacer uso de métodos no destructivos.
Puede ser utilizado en entornos peligrosos debido a su aislamiento

eléctrico.
La vida útil de las fibras ópticas es mayor que la vida del cobre y el
cable coaxial.
2.2.3. Penalizaciones de potencia

Cualquier sistema de comunicaciones ópticas puede ser caracterizado
por lo que se conoce como la relación señal a ruido (S/N) que, a su vez,
está relacionado con la tasa binaria de error (BER) que producirá el sistema.
Si los diferentes componentes que conforman el sistema óptico fueran
perfectos y lineales, el sistema podrı́a ser diseñado con relativa facilidad para
cumplir una determinada tasa de binaria de error. Sin embargo, en un sistema
real los componentes no son perfectos, ni su respuesta es lineal a la potencia
de señal que viaja por la fibra óptica. En consecuencia, se producirá un
deterioro de la relación señal a ruido de tal forma que esta relación, a la
llegada al detector, será menos que la necesaria para garantizar una cierta
tasa binaria de error [11].
Una forma de enfocar el problema es calcular en cuanto habrı́a que

incrementar la potencia de señal recibida por el detector de forma que
la relación S/N se mantenga en la magnitud necesaria para obtener una
determinada BER. Este incremento de potencia se denomina penalización
de potencia (en inglés Power Penalty, PP). Generalmente las penalizaciones
de potencia vienen expresadas en dBs [11].
Es importante tener en cuenta este concepto a la hora de llevar
a cabo el diseño de los diferentes componentes que forman el sistema
de comunicaciones óptico, ya que muchas de las especificaciones de los
componentes derivan de las PP. En la Tabla 2.1 se recoge un resumen de
los principales parámetros que producen penalizaciones en cada una de las
partes que conforman el sistema de comunicaciones ópticas.
Tabla 2.1: Parámetros generadores de penalizaciones de potencia [8].
Componente del Sistema Óptico Parámetro

Transmior: Índice de extinción
Intensidad relativa de ruido
Variaciones de la potencia de salida
Fibra Óptica: Dispersión
Efectos no lineales
Receptor: Detector: Corriente oscura
TIA: Distorsiones (ISI)
Offset
MA: Distorsiones (ISI)
Offset
Figura de ruido
Frecuencia baja de corte
CDR: Valor umbral de decisión
Ambigüedad en el umbral de decisión
Valor del tiempo de muestreo
Inestabilidad del tiempo de muestreo
2.2.4. Estándares de los sistemas ópticos

A la hora de llevar a cabo una transmisión, ésta se puede realizar de
forma ası́ncrona o sı́ncrona. El primer caso tiene lugar cuando el proceso de
sincronización entre emisor y receptor se realiza en cada palabra de código
18 Capı́tulo 2
transmitido. Mientras que la transmisión sı́ncrona es una técnica que consiste

en enviar un conjunto de caracteres que configura un bloque de información
comenzando con un conjunto de bits de sincronismo y terminando con otro
conjunto de bits de final de bloque. La segunda opción de transmisión
presenta varias ventaja, frente a la transmisión ası́ncrona, que le hace idónea
para el uso en sistemas de comunicaciones ópticas: posee un alto rendimiento
en la transmisión, es apto para transmisiones de altas velocidades y cuenta
con un flujo de datos más regular [12].
Para la transmisión de datos de forma sı́ncrona a través de una red de fibra
óptica se han definido una serie de estándares por parte del Instituto Nacional
Americano de Estandarización (ANSI) y por el Sector de Normalización de
la Unión Internacional de Telecomunicaciones (ITU-T).
SONET (Synchronous Optical NETwork), es el estándar utilizado en
Estados Unidos, Canadá, Corea, Taiwan y Hong Kong definida por la
ANSI. Por su parte, SDH (Synchronous Digital Hierarchy) es utilizado en
el resto del mundo y viene definido por la ITU-T. Si bien estos estándares
han sido definidos de forma independiente, son similares y en último lugar
compatibles. En la Tabla 2.2 se muestra la equivalencia entre SONET y SDH
en cuestión de velocidades o tasas de bits. Además, en dicha tabla se indican
las denominaciones de las señales eléctricas en ambas tecnologı́as y de las
portadoras ópticas [13].
2.3. El transmisor óptico

Uno de los componentes más importante en un sistema de comunicaciones
ópticas es el módulo transmisor. El principal objetivo de este componente es
adecuar la señal que se va a transmitir al medio por el cual se va a propagar
la señal.
En el caso de un sistema de comunicaciones ópticas cuyo canal es una
fibra óptica, el transmisor deberá ser capaz de adecuar la señal eléctrica a una
señal óptica que pueda ser transmitida por la fibra. Para ello, generalmente se
utilizan fuentes ópticas de semiconductor, entre las que destacan: los diodos
emisores de luz (LED) y los diodos láser (LD). Estos dos dispositivos se
caracterizan por la longitud de onda a la que emiten, la potencia a la que
realizan dicha emisión, la forma de onda de salida y el ancho espectral.
El módulo del transmisor óptico además del emisor, puede incluir otros
componentes, tales como los circuitos electrónicos de ataque y polarización
(driver), un fotodiodo de control de potencia, un sistema de control de
temperatura, y la óptica necesaria para realizar el acoplo a la fibra.
Las caracterı́sticas más importantes del transmisor desde el punto de vista
Tabla 2.2: Señales y velocidades binarias SONET y SDH .

Señal Portadora Equivalencia Velocidad
eléctrica óptica SDH binaria
(Mbit/s)
STS-1 OC-1 STM-0 51,84
STS-3 OC-3 STM-1 155,52
STS-9 OC-9 - 466,56
STS-12 OC-12 STM-4 622,08
STS-18 OC-18 - 933,12
STS-24 OC-24 - 1244,16
STS-36 OC-36 - 1866,24
STS-48 OC-48 STM-16 2488,32
STS-96 OC-96 - 4976,64
STS-192 OC-192 STM-64 9953,28
STS-256 OC-256 - 13271,04
STS-384 OC-384 - 19906,56
STS-768 OC-768 STM-256 39813,12
STS-1536 OC-1536 - 79626,24
STS-3072 OC-3072 - 159252,48
de su aplicación son: la potencia óptica que es capaz de acoplar a fibra, su

velocidad de conmutación y su anchura espectral.
A continuación, se describe el principio de funcionamiento básico por el
cual los dispositivos, tales como los LEDs y LDs, son utilizados como emisores
de radiación infrarroja. Ası́ como los diferentes modelos y caracterı́sticas
de los principales emisores utilizados en comunicaciones ópticas. Además,
se describen las principales estructuras de los módulos transmisores y sus
especificaciones.
2.3.1. Emisor óptico

2.3.1.1. Conversión electro-óptica
En algunos materiales, como los semiconductores, es posible distinguir
dos bandas de energı́a bien diferenciadas: la banda de valencia y la banda de
conducción, esta última con mayor energı́a que la anterior. Estas dos bandas
están separadas por un espacio donde no existen niveles de energı́a, la banda
prohibida, por tanto, es una banda donde no pueden existir electrones (sólo
podrán existir en la banda de valencia o en la de conducción).
20 Capı́tulo 2
Cuando un electrón se encuentra en la banda con mayor energı́a, banda

de conducción, y pierde energı́a (cae hacia la banda de valencia), la energı́a
perdida es transformada en un fotón. Este proceso se puede dar de manera
espontánea o estimulada [14], Figura 2.12.
Figura 2.12: Tipos de emisión.
Emisión espontánea: cuando los electrones de la banda de conducción

caen a la banda de valencia sin inducción externa como se muestra en
la Figura 2.12(a).
Emisión estimulada: un fotón generado al chocar con un electrón

excitando (un electrón en la banda de conducción), producirá que este
caiga a la banda de menor energı́a, generando otro fotón con las mismas
caracterı́sticas (energı́a, frecuencia, dirección y fase) que el que genero
el cambio, Figura 2.12(b).
2.3.1.2. Materiales para los fotoemisores

Dentro de los materiales semiconductores es posible distinguir dos
categorı́as en función de la separación entre la banda de valencia y la banda
de conducción.
Los semiconductores de gap directo poseen el mı́nimo de la banda de

conducción en el mismo eje que el máximo de la banda de valencia,
Figura 2.13(a). Esta estructura favorece las transiciones directas entre
una banda y la otra, posibilitando su uso como materiales en emisores
ópticos [15]. Son de esta clase los semiconductores del grupo III-V y
II-VI, entre los que cabe destacar la aleación AlGaAs sobre sustrato de
GaAs, utilizada para dispositivos que emiten entre 780 y 850 nm, y la
aleación InGaAsP, sobre sustrato de InP, empleada para emisores de

2a y 3a ventana.
Los semiconductores de gap indirecto poseen el mı́nimo de la banda de

conducción en un eje distinto al del máximo de la banda de valencia,
Figura 2.13(b). Por ello no se pueden realizar transiciones directas de
una banda a otra sin la intervención de otra partı́cula denominada
fonón. La necesidad de intervención de otra partı́cula hace menos
probables las transiciones radiactivas en este tipo de materiales. Como
consecuencia de ello, la eficiencia cuántica de este tipo de materiales
es menor y, por ello, no suelen ser utilizados en la fabricación de
fotoemisores [15]. Dentro de este tipo de semiconductores se encuentran
los semiconductores del grupo IV: Silicio, Germanio, etc.
Figura 2.13: Bandas de energı́a directa e indirecta.
2.3.1.3. Fotoemisores: Diodos Emisores de Luz
Un diodo emisor de luz, un LED, se basa en una unión p-n fabricada

sobre un semiconductor de gap directo y diseñado para facilitar al máximo
la extracción al exterior de la emisión espontánea. Esta emisión espontánea
del LED es incoherente, es decir, los fotones emitidos no tienen correlación
entre sı́. En este tipo de emisiones la frecuencia, la polarización, la dirección,
y la fase de cada uno de los fotones emitidos es independiente de los demás.
Desde el punto de vista eléctrico, un LED es un diodo que se polariza en
directa y que necesita para su funcionamiento una fuente de corriente.
22 Capı́tulo 2
2.3.1.3.1 Estructuras LED

Los diodos utilizados para ser emisores de luz pueden presentar las
estructuras que se muestran en la Figura 2.14 [16].
Figura 2.14: Estructuras LED: (a) Homounión, (b) Heterounión simple y (c)
Heterounión doble.
Homounión: el material empleado tanto para la región tipo p como

para la n es el mismo. Al emplear un solo semiconductor, el volumen
de fotones emitidos deberá estar cerca de la superficie para que no
sean reabsorbidos. En este tipo de estructuras se produce una elevada
cantidad de recombinaciones no radiantes.
Heterounión simple: son aquellos en los que la región activa se encuentra

situada entre dos capas de materiales de diferente composición quı́mica
y que presentan diferentes bandas prohibidas. Es decir, la composición
de la zona n y la p varı́a.
Heterounión doble: la banda activa se encuentra limitada por dos capas

de materiales diferentes. En este caso, la composición es diferente en
la zona p, en la unión p-n y en la zona n. Este tipo de estructura es la
más utilizada en la actualidad para la fabricación de LEDs.
A continuación se describen algunos de los LED más utilizados que

además cuentan con una estructura de doble heterounión.
Los LED de emisión superficial (SLED) son diodos que realizan la

emisión por una de sus caras. Dentro de este tipo de LED, los más
conocidos son los de tipo Burrus (Figura 2.15), llamadas ası́ por su
desarrollador C. A. Burrus [17].
En este tipo de LED la zona activa se limita a una zona circular en el
centro de la cara de 20-50 µm. Por encima de esta capa se encuentra
la cara de emisión, la cual se adelgaza, mediante ataque quı́mico o por
construcción, con el fin de mejorar la eficiencia. En el hueco realizado
se fija una fibra óptica perpendicularmente a la zona activa con un
Figura 2.15: LED de emisión superficial.
adhesivo epoxy. Además de garantizar el acoplamiento óptico, esta

resina permite emparejar los ı́ndices de refracción, disminuyendo la
reflexión de Fresnel de las caras.
Los LED de emisión lateral (ELED), Figura 2.16, fueron desarrollados

por la RCA (Radio Corporation of America) para dar solución a la
demanda de fuentes que pudiesen alcanzar mayor distancia, con una
mayor longitud de onda y a una tasa binaria más elevada [17].
En este caso la extracción de luz, y por tanto, el acoplo a la fibra
se realiza por un lateral de la estructura. Este diseño da lugar a un
fenómeno de guiado óptico en la dirección de inyección de corriente,
que aumenta la emisión en las caras laterales.
Este tipo de LED es capaz de acoplar un mayor porcentaje de potencia
que los SLED en fibras con una baja apertura numérica. Además, los
ELED cuentan con un espectro de emisión más estrecho. Sin embargo,
estos dispositivos son más sensibles a los cambios de temperatura que
los anteriores.
Los diodos superluminiscentes (SLD) son diodos capaces de funcionar

a un alto régimen de inyección de corriente. Cuando se ataca un SLD
con baja intensidad, su funcionamiento es semejante al de un ELED
y, a medida que se incrementa el nivel de corriente, comienza a actuar
el fenómeno de la superluminiscencia, y la potencia óptica aumenta de
forma no lineal a la vez que se reduce la anchura espectral.
En este tipo de LED, los fotonos producidos por emisión espontánea
24 Capı́tulo 2
Figura 2.16: LED de emisión lateral.
experimentan ganancia por emisión estimulada debido a la alta

concentración de pares electrón-hueco.
La emisión producida por este tipo de LED es parcialmente coherente,
estando por tanto a medio camino entre los LED convencionales y los
láser.
Las principales ventajas que presenta este tipo de LED son: su mayor
potencia acoplada, mayor ancho de banda y menor anchura espectral
que los SLED. Sin embargo, su respuesta no lineal, su sensibilidad a
la temperatura, su menor fiabilidad y su alto coste, son sus mayores
desventajas.
2.3.1.3.2 Especificaciones de los LEDs

Eficiencia.
La eficiencia cuántica externa, µe , es la relación entre el número de
fotones extraı́dos y el número de electrones inyectados. Salvo en algunas
estructuras recientes, con valores de hasta el 22 %, el valor tı́pico de este
parámetro es bajo ( 1 - 3 %), debido a las dificultades en la extracción
de los fotones espontáneamente emitidos.
Espectro.
En la Figura 2.17 se puede observar el espectro tı́pico de emisión de
un LED [18]. Generalmente, el espectro cuenta con un único lóbulo
asimétrico, tanto más ancho cuanto mayor es la longitud de onda de
emisión. Este tipo de dispositivos cuentan con un valor de ancho a

altura mitad (∆λ) de 50 nm.
Figura 2.17: Espectro de emisión de un diodo LED.
Diagrama de radiación.
Los patrones de radiación de un LED son muy anchos y siguen una ley
lambertiana debido a la naturaleza incoherente de la radiación. Este
hecho da lugar a un ancho teórico a altura mitad de 120◦ , dificultando
el acoplo de la señal lumı́nica a la fibra [18]. En la práctica el ancho es
algo menor, y en el caso de los ELED, mucho más estrecho; hasta 30◦
en la dirección perpendicular al plano de la unión.
Figura 2.18: Patrón de radiación de un diodo LED.
Curva P-I.
La curva caracterı́stica de un diodo emisor de luz representa la relación
entre la potencia óptica emitida y la corriente inyectada, Figura 2.19.
Como puede observarse en dicha figura, la relación entre la potencian
y la intensidad es prácticamente lineal hasta llegar a una zona de
saturación. En dicha zona se obtendrá la misma potencia de salida
independientemente de la corriente de entrada.
26 Capı́tulo 2
Figura 2.19: Curva caracterı́stica de un LED.
Dependencia con la temperatura.

El aumento de la temperatura tiene lugar debido a la inyección de altas
corrientes que provoca un empeoramiento en las prestaciones de los
dispositivos. En el caso de los LEDs este aumento se ve reflejado: en la
curva P-I, donde se producirá una disminución de la potencian en 1µW
por grado centı́grado incrementado; en su espectro óptico, sufriendo
una disminución en el pico máximo de potencia; y en el aumento de
la longitud de onda, provocando a su vez un aumento en la anchura
espectral [18].
Tiempos de respuesta.
Se entiende como tiempo de respuesta aquel que transcurre entre
comienzo del pulso eléctrico y el comienzo del pulso óptico. En el caso
de los LED, este tiempo suele ser de 1 µs y se debe a la capacidad
parásita del diodo y puede ser eliminado manteniendo una corriente de
polarización directa.
2.3.1.4. Fotoemisores: Diodos Láser

El diodo láser (LDs), al igual que el diodo LED, se trata de una unión p-n
polarizada en directa y colocada sobre una cavidad óptica, o región activa,
que favorece la existencia de una concentración alta de fotones. Este hecho
maximiza la probabilidad de que colisionen los fotones y los electrones, de
manera que se produzca retroalimentación y con ello que se produzca un
aumento de la probabilidad de que se generen fotones por emisión estimulada.
En un dispositivo láser, hasta cierta intensidad, la conocida como la
intensidad umbral (Ith ), el comportamiento del dispositivo es comparable a
un LED y, por tanto, se produce una emisión espontánea e incoherente. Una
vez superada esta intensidad, la emisión pasa de espontánea a estimulada,

siendo una emisión coherente.
2.3.1.4.1 Estructuras Láser

En función de cómo se produzca la retroalimentación se pueden distinguir
diferentes tipos de LDs. Los láseres más comunes son los láser con cavidad
Fabry-Perot, el láser con retroalimentación distribuida y el láser de emisión
superficial con cavidad vertical [8].
El láser Fabry-Perot (FP) consiste en una heteroestructura, en la que

la zona de ganancia óptica está confinada entre dos espejos, Figura
2.20(a).
La distancia entre los espejos reflectantes se denomina longitud de la
cavidad y determinada las longitudes de onda a las cuales el láser puede
operar [8].
La cavidad de Fabry-Perot presenta múltiples modos longitudinales, lo
que se refleja en los múltiples picos de su espectro de emisión, Figura
2.20(a). La anchura a altura mitad tı́pica para este tipo de láseres esde
3 nm y generalmente operan en la segunda ventana de transmisión.
El láser con retroalimentación distribuida (DFB) consiste en una capa

corrugada, que actúa como reflector, situada a lo largo de la región
activa del dispositivo, Figura 2.20(b).
Figura 2.20: Estructura radiante y espectro: (a) láser Fabry-Perot y (b) láser
de retroalimentación distribuida.
La red de difracción actúa como un elemento selectivo de longitudes

de onda y provee la retroalimentación, reflejando la luz de nuevo a la
cavidad óptica para formar el resonador. Dicha red esta construida de
28 Capı́tulo 2
forma que se refleje únicamente una banda de longitudes de onda, y

por lo tanto producir, como se puede observar en la Figura 2.20(b), un
modo único a la salida del láser [8].
En ausencia de modulación este láser cuenta con un espectro muy
estrecho, con una ancho altura mitad de tan solo 1 pm. Debido a esta
anchura tan pequeña le hace un dispositivo ideal para ser utilizado en
sistemas WDM y DWDM.
El láser de emisión superficial con cavidad vertical (VCSEL), Figura

2.21, es el único de los tres láseres aquı́ descritos capaz de emitir
perpendicularmente a su estructura de capas.
Figura 2.21: Estructura radiante de un láser de emisión superficial con

cavidad vertical.
Este láser esta compuesto por una zona activa situada entre reflectores
de Bragg distribuidos (DBRs) y una cavidad con una longitud muy
inferior a la de los láseres de emisión lateral (FPs y DFBs), entre 1
y 2 µm en vez de ente 500 a 1000 µm. El pequeño tamaño de esta
cavidad hace que los VCSEL presenten un funcionamiento monomodo
longitudinal. Sin embargo, su anchura a altura mitad, ∆λ ≈ 1 nm, es
mayor que la de un láser DFB pero menor que la de un láser FP [8].
La principal ventaja de estos láseres es su bajo coste de producción
debido a que ocupan un área mucho menor que los otros tipos de
láseres. Sin embargo, presenta una importante desventaja, su problema
de disipación térmica, que da lugar a un alto calentamiento y limita la
máxima potencia de emisión y, por tanto también la máxima distancia
del canal [8].
Hasta ahora sólo existen VCSEL comerciales operando en la primera
ventana, debido a la dificultad que entraña su fabricación para
longitudes de ondas mayores [8].
2.3.1.4.2 Especificaciones de los LDs

Eficiencia.
En el caso de los LDs la eficiencia cuántica en mucho mejor que en el
caso de los LEDs, contando con un valor teórico máximo del 76 %.
Espectro.
El haz de luz generado por los LDs es coherente, es decir, los
parámetros de los fotones generados son casi idénticos. Esta coherencia
está relacionada con el espectro del dispositivo y, más concretamente,
con la anchura del mismo. En la Figura 2.22 se puede observar el
espectro de un diodo láser, el cual cuenta con unos valores tı́picos de
anchura eficaz, σλ , de entre 1 a 3 nm, lo que equivale a unas anchuras
a altura mitad, ∆λ, de entre 2.4 a 7.1 nm.
Figura 2.22: Espectro de emisión de un láser.
Diagrama de radiación.
El láser convencional cuenta con un diagrama de radiación fuertemente
asimétrico, generando un haz con forma elı́ptica cuyas componenetes
se pueden ver en la Figura 2.23.
Figura 2.23: Patrón de radiación de diodos láseres.

30 Capı́tulo 2
Las anchuras del haz emitido tienen una gran dependencia con la
estructura interna del láser. En la dirección perpendicular las anchuras
varı́an entre los 30 y los 50 grados. Mientras que en la dirección paralela
esta anchura puede tomar valores entre 5 y 15 grados. Este tipo de
diagrama de radiación mejora el acoplo en fibra con respecto a un
LED, pero sigue siendo igual de complejo.
Curva P-I.
La curva caracterı́stica de un LD es la curva que P-I que se puede
observar en la Figura 2.24, que está caracterizada por la existencia de
una corriente umbral a partir de la cual comienza la emisión láser. A
corrientes superiores a la corriente umbral la potencia óptica emitida
aumenta linealmente con la corriente hasta su potencia máxima de
operación.
Figura 2.24: Curva caracterı́stica de un láser.
Es importante destacar que en el caso de los diodos láser no existe

región de saturación, de manera que si se sobrepasa un cierto valor de
intensidad, el dispositivo sufre daños irreparables. Este hecho hace que
sea muy habitual incluir electrónica de prevención, de manera que se
evite la rotura del dispositivo láser.
Dependencia con la temperatura.

En el caso de los LDs el aumento de la temperatura se ve reflejado en los
siguientes aspectos: la corriente umbral aumenta de forma exponencial
(del orden de 1.5 % por grado centı́grado), llegando a provocar que
la corriente de polarización inyectada sea insuficiente, es decir, para
un mismo valor de intensidad de polarización la potencia de salida
obtenida disminuye, al igual que pasaba con los LEDs; y el espectro
óptico sufre un desplazamiento hacia la derecha, es decir, la longitud
de onda de emisión aumenta debido a que la anchura del gap se ve

reducida.
Tiempos de respuesta.
Los tiempos de respuesta de un láser pueden ser considerablemente
altos cuando se opera por debajo de la región láser, es decir, por debajo
de la intensidad umbral. Sin embargo, cuando se mantiene el láser
polarizado por encima de dicha corriente, el tiempo respuesta es más
rápido que en el caso de un dispositivo LED, Figura 2.25.
Figura 2.25: Comparativa entre los tiempo de respuesta de un LED (izq) y

un LD (drch) [16].
En la anterior figura se puede observar una comparativa de los tiempos

de respuesta entre un LED y un LD, este último polarizado con una
intensidad mayor que la intensidad umbral.
A modo de resumen en la Tabla 2.3 se recogen las principales fuentes

emisoras de luz aquı́ descritas y sus principales caracterı́sticas, de forma que
sea posible hacer una comparativa entre los diferentes dispositivos.
2.3.2. Modulador óptico

En los sistemas de comunicaciones ópticas, como en el resto de sistemas
de comunicaciones, es fundamental modular la señal a transmitir con la
información que se desea difundir. Los formatos de modulación utilizados
32 Capı́tulo 2
Tabla 2.3: Tabla comparativa de los principales fotoemisores.

Caracterı́sticas LED FP DFB VCSEL
Potencia (dBm) −30 a −10 0 a +10 0 a +13 −10 a 0
Eficiencia Baja Media-Alta
Acomplamiento Baja Alto
Espectro Ancho Estrecho Muy estrecho
Ancho de banda < 250 MHz > 10 GHz
Sensibilidad Temperatura Medio Alta
Circuiteria Simple Compleja
Coste Muy bajo Medio Alto Bajo
Ventana 1a y 2a 2a y 3a 1a
Fibra utilizada Multimodo Monomodo Multimodo
Aplicación tı́pica WDM
-Tasa binaria Baja Media Alta Alta
-Distancia Corta Media Grande Corta
en los sistemas ópticos se valen de la amplitud, la frecuencia o la fase de la

portadora para llevar a cabo la codificación de la información [8].
El formato de modulación más utilizado en estos sistemas es el conocido
como NRZ, no-return-to-zero, representado en la parte superior de la Figura
2.26 . En este formato la señal está activa (on) cuando se quiere transmitir
un bit con valor 1 y se encuentra desactivado (off) cuando lo que se quiere
transmitir es un bit con valor 0 [8].
Figura 2.26: Esquemas de modulación: NRZ, RZ, 4PAM.
En sistemas de transmisión de larga distancia y alta velocidad, se prefiere

utilizar el formato RZ, return-to-zero, representado en la parte intermedia de
la Figura 2.26. En este formato los pulsos, los cuales representan un bit de
valor 1, ocupan sólo una fracción del periodo de bit. Comparado con la señal
NRZ, la señal RZ precisa de una menor relación señal a ruido pero ocupa un
ancho de banda mayor debido a sus cortos pulsos. La estrechez de los pulsos
presenta una importante ventaja, y es que permite una mayor distorsión y
dispersión de los pulsos sin que esto perturbe al bit adyacente. Además, el
formato RZ es más inmune a los efectos producidos por las no linealidades
de la fibra óptica y la dispersión de la polarización. Sin embargo, par poder
manejar estos pulsos de menor tamaño, se requiere unos componentes más
costosos [8].
En contraste con las modulaciones NRZ y RZ, las cuales producen dos
niveles de señal, existen otros formatos de modulaciones que producen una
señal continua o de múltiples niveles. En la parte inferior de la Figura 2.26
se puede observar una señal fruto de una modulación de amplitud de pulso
(PAM) multinivel, en concreto una PAM con cuatro niveles. Para llevar a
cabo este tipo de modulación, más conocida con el nombre de modulación
4-PAM, es necesario codificar dos grupos sucesivos de bits [8].
Para obtener la misma probabilidad de error (BER), Figura 2.27, la
señal 4-PAM requiere de una relación señal a ruido 9.5 dB veces mayor
que una señal NRZ [19]. Además, los sistemas que utilizan este esquema
de modulación, 4-PAM, requieren de unos transceptores con una buena
linealidad para ası́ minimizar la distorsión [8]. Sin embargo, este tipo
de modulación ocupa un ancho de banda menor que la NRZ, debido
fundamentalmente a que su velocidad de sı́mbolo es la mitad [19]-[21].
Para llevar a cabo estos, y otros, formatos de modulación es necesario
modular la luz generada por la fuente de luz utilizando: el método
de modulación directa, donde la señal modulada sale directamente del
fotoemisor; o el método de modulación externa, donde la señal emitida por
la fuente de luz es modulada por un elemento externo a la fuente de luz.
2.3.2.1. Modulación directa

La modulación directa, Figura 2.28, es la forma más fácil de llevar
a cabo la modulación de la luz. La información que se desea transmitir
modula la corriente que es inyectada al emisor de luz, y a través de ella
se consigue generar la modulación de amplitud, frecuencia o fase a la salida
del fotoemisor.
La principal ventaja de este método de modulación es su simplicidad,
compactibilidad y rentabilidad. Sin embargo, con este método se produce
una expansión del espectro óptico emitido y se obtiene una señal de peor
calidad, debido fundamentalmente a los ruidos procedentes del fotoemisor.
34 Capı́tulo 2
Figura 2.27: Relación entre la BER y la SNR en presencia de ruido blanco

Gaussiano para diferentes formatos de modulación.
Esto hace que no sea aconsejable utilizar la modulación directa en sistemas

que requieran de tasas binarias por encima de los 10 Gb/s [8].
2.3.2.2. Modulación externa

Por su parte, la modulación externa, Figura 2.29, consiste en un
fotoemisor, emitiendo una potencia óptica continua, seguido por un
dispositivo externo que realiza la modulación deseada.
El uso de la modulación externa provee de una señal de mejor calidad
que la modulación directa. Además, su uso suele ser necesaria en aquellos
escenarios donde la modulación directa se queda corta, debido a que ninguno
de los problemas derivados de dicha modulación se encuentran presentes en
la modulación externa [8].
Dentro de los moduladores externos se pueden distinguir tres tipos
fundamentalmente: los moduladores electroópticos, los moduladores de
electroabsorción y los moduladores acusticoótpicos.
Los moduladores electroópticos (EOM) son llevados a cabo mediante

compuestos ferroeléctricos como el niobato de litio (LiNbO3 ). Este tipo
de materiales, en presencia de un campo eléctrico, ven modificado su
ı́ndice de refracción. Dentro de este tipo, se encuentran los conocidos
moduladores Mach-Zehnder (MZM), Figura 2.30.
Figura 2.28: Diagrama de un transmisor óptico con modulación interna [16].
Figura 2.29: Diagrama de un transmisor óptico con modulación externa [16].
Este tipo de modulador es el más utilizado en sistemas de

comunicaciones ópticas de grandes distancias que operan a 2.5 Gb/s
y a 10 Gb/s [22]. Sin embargo, presenta dos grandes inconvenientes:
su voluminoso tamaño y sus altos voltajes de operación de entre 5 y 6
Vpp , si bien estos valores pueden reducirse con un correcto diseño [23].
Los moduladores de electroabsorción (EAM), Figura 2.31, se basan en

la modificación de la estructura de capas de los semiconductores en
presencia de un campo eléctrico.
Los moduladores EA, en contraste con los EO, son módulos que
fácilmente pueden ser integrados junto con los emisores de luz, ya
que pueden ser fabricados con el mismo material semiconductor que
el fotoemisor y, además trabajan con bajos valores de voltaje, entre 2
y 3 V [23]. Las anteriores caracterı́sticas les hace muy atractivos para
36 Capı́tulo 2
Figura 2.30: (a) Modulador Mach-Zehnder y (b) su potencia de salida.
aplicaciones dónde existe una demanda de moduladores compactos y

eficientes. En la actualidad existe una gran tendencia a utilizar este
tipo de moduladores en sistemas óptimos operando a 40 Gb/s [22].
Figura 2.31: (a) Estructura de un modulador EA y (b) su montaje [22].
Los moduladores acusticoópticos (AOM) son los que tienen un uso

menos extendido en los sistemas de comunicaciones ópticas. Este tipo
de moduladores se basan en el efecto acústico-óptico para difractar y
desplazar la frecuencia de la luz mediante ondas de sonido.
Independientemente del tipo de método de modulación usado, existe una

serie de requerimientos que debe tenerse en cuenta en un modulador óptico:
las pérdidas de inserción, el ancho de banda de modulación, el ı́ndice de
extinción (diferencia entre la intensidad cuando hay emisión de luz y cuando
no hay emisión luz) y el chirp [8].
2.3.3. Driver
Independiente del tipo de modulación utilizada, directa o externa, es
necesario que el módulo transmisor cuente con un elemento muy importante,
el driver (ver Figura 2.28 y Figura 2.29). Dependiendo del tipo de modulación
utilizada, se distinguen dos tipos diferentes de driver: los laser drivers o led
drivers (dependiendo del tipo de fotoemisor), en el caso de la modulación
directa; y los modulator driver, para el caso de la modulación externa.
El diseño de estos dispositivos es relativamente simple para el caso de los
transmisores que usan fuentes LED. Sin embargo, este diseño se vuelve más
complicado a medida que se incrementa la velocidad de transmisión y se
utilizan láseres como fuentes ópticas [8].
Las funciones principales de los led o láser drivers son: la provisión de la
potencia eléctrica necesaria a la fuente óptica y la modulación de la señal
lumı́nica de acuerdo con la señal que se desea transmitir [8].
Mientras que en el caso de los modulator dirvers, Figura 2.32, la función
principal es la de proveer de la potencia eléctrica necesaria al modulador, la
cual es función del tipo de modulador utilizado, EAM o EOM [8].
Figura 2.32: Señales básicas de un modulator driver.
Teniendo en cuenta que en la actualidad existe una clara tendencia

a sistemas con tasas binarias cada vez más elevadas, por encima de los
40 Gbps, se precisa de moduladores externos y, por tanto, los modulator
drivers se presentan como los dispositivos más atractivos. Por este motivo,
a continuación se describen únicamente las especificaciones de este tipo de
driver.
2.3.3.1. Especificaciones del modulador driver

Rango de las tensiones de modulación y polarización.
Como se puede observar en la Figura 2.32, el modulador driver es
el encargado de proporcionar una tensión, vM (t), al modulador. En
la Figura 2.33 se muestra una representión gráfica de la tensión
proporcionada al modulador en dos casos bien diferenciados, en el caso
de un EAM y en el caso de un EOM. En dicha figura se puede apreciar
que dentro de esta tensión se pueden distinguir dos componentes: la
tensión de modulación y la tensión de polarización.
38 Capı́tulo 2
Figura 2.33: Tensiones de modulación y polarización en (a) EAM y en (b)

EOM.
La tensión de modulación, VS , se puede definir como la diferencia entre

las tensiones de los estados on y off. A continuación, se muestran
los valores tı́picos de drivers comerciales dependiendo del tipo de
modulador utilizado [8].
EAM driver: VS = 0,2 . . . 3V, (2.1)

EOM driver: VS = 0,5 . . . 5V. (2.2)
Por su parte, la definición de la tensión de polarización dependerá de

si el modulador que sigue al drives es un EAM o un EOM. En el
caso de un modulador de electroabsorción, la tensión de polarización,
VB , es la tensión proporcionada por el driver durante el estado on.
Mientras que en el caso de un modulador electroóptico, esta tensión es
el voltaje medio (componente de DC) proporcionado por el driver. De
igual forma que en el caso de la tensión de polarización, seguidamente
se muestran los valores tı́picos de drivers comerciales en función del
tipo de modulador utilizado [8].
EAM driver: VB = 0 . . . 1V, (2.3)

EOM driver: VB = 0 . . . 10V. (2.4)
Es importante tener en cuenta que el modulador utilizado no sólo fija el

valor de las tensiones de modulación y polarización, sino que también
determina que tipo de tecnologı́a es la que se debe utilizar. Por ejemplo,
mientras que una variación de 3 V generalmente puede ser obtenida con

una tecnologı́a de SiGe, una variación de 5 V es necesario el uso de una
tecnologı́a GaAs, debido a su mayor tensión de ruptura.
Potencia disipada.
Es deseable contar con una baja potencia disipada, debido a que
esto reduce la generación de calor en el dispositivo. El excesivo
calentamiento del dispositivo hace que sea necesario el uso de
encapsulados más caros, puede degradar al fotoemisor o requerirá de
un refrigerador termoeléctrico mayor para extraer el calor.
En general, la potencia disipada por el driver es algo mayor
en comparación con otros elementos del sistema óptico, como el
amplificador de transimpedancia o el amplificador principal. El valor
tı́pico de este parámetro en drivers comerciales se encuentra en el
siguiente rango [8], [24].
P = 0,2 . . . 1,4W (2.5)
Tiempos de subida y bajada.

El tiempo de subida, tr , y el tiempo de bajada, tf , pueden ser medidos
de forma sencilla mediante el diagrama de ojo, ver Apéndice B.
Estos parámetros deben ser más pequeños que un periodo de bit (1
periodo de bit= 1 unit interval, UI), de manera que no se produzca
interferencia intersimbólica (intersymbol interference, ISI) ni tampoco
el cierre vertical de diagrama de ojo. En dispositivos comerciales
estos parámetros están significativamente por debajo de los 0.7 UI.
A continuación, a modo de ejemplo se muestran los valores de tiempos
de subida y bajada obtenidos de tres drivers comerciales [8], [24].
2.5 Gb/s: tr , tf < 100ps (< 0,25 UI), (2.6)

10 Gb/s: tr , tf < 40ps (< 0,4 UI), (2.7)
40 Gb/s: tr , tf < 9ps (< 0,36 UI). (2.8)
Distorsión del ancho del pulso.

La desviación de los pulsos de su anchura ideal es conocida como
distorsión del ancho del pulso (pulse-width distorsion, PWD) y puede
ser medido en el dominio eléctrico y en el óptico.
La cantidad de PWD, tP W D , se define como la diferencia entre el pulso
más ancho y el más estrecho dividido entre dos. Este parámetro puede
40 Capı́tulo 2
ser obtenido mediante el diagrama de ojo de la forma que se muestra en

la Figura 2.34. Es deseable contar con un bajo valor de este parámetro
ya que la apertura horizontal del diagrama de ojo tiene una clara
dependencia con este parámetro.
Figura 2.34: Distorsión del ancho del pulso definido mediante el diagrama de
ojo.
El valor tı́pico del PWD en driver comerciales trabajando a 2.5 y 10

Gbps se recoge a continuación [8].
2,5 Gb/s: tP W D < 20ps, (2.9)
10 Gb/s: tP W D < 5ps. (2.10)
Muchos modulator drivers contienen un circuito que se conoce como
control del ancho de pulso (Pulse-width control, PWC), cuya función
es compensar el PWD.
Jitter.
Al igual que los tiempos de subida y bajada, este parámetro puede ser
medido mediante el diagrama de ojo, ver Apéndice B.
En el driver, el jitter esta causado por el ruido y la interferencia
intersimbólica. Es deseable que este parámetro tenga un valor bajo
de manera que se mejore la apertura horizontal del diagrama de ojo.
Los lı́mites de este parámetro para las diferentes velocidades de
transmisión vienen descritos por el estándar GR-253 [25], Tabla 2.4.
A continuación se muestran los valores de jitter tı́picos de drivers
comerciales trabajando a 2.5, 10 y 40 Gb/s [8], [24].
2,5 Gb/s: trms

T J < 4ps, (2.11)
10 Gb/s: trms
T J < 1ps, (2.12)
rms
40 Gb/s: tT J < 0,5ps. (2.13)
Tabla 2.4: Niveles de jitter recomendados en función de la velocidad de

transmisión.
Bit Rate Jitter Limits
UI p-p UI rms
2.5 Gbps 0.1 0.01
10 Gbps 0.3 0.03
40 Gbps 1.2 0.12
2.4. El medio de transmisión: la fibra óptica

Otro de los elementos claves en los sistemas de comunicaciones ópticas
es el medio a través del cual se propaga la señal lumı́nica. El medio más
utilizado es una guı́a de onda dieléctrica que opera a frecuencias ópticas, la
fibra óptica.
La fibra óptica esta compuesta fundamentalmente por dos regiones
concéntricas, Figura 2.35.
Figura 2.35: Corte transversal de una fibra óptica.
La región más interna es un filamento transparente denominado núcleo

(core), cuyo diámetro suele estar comprendido entre las 8 y las 600
micras dependiendo del tipo de fibra óptica, y caracterizado por su ı́ndice
de refracción, n1 . El núcleo esta fabricado de un material dieléctrico,
normalmente de vidrio de sı́lice (SiO2 ) dopado con materiales como B2 O3 ,
GeO2 o P2 O5 para ajustar su ı́ndice de refracción. También es posible
encontrar en el mercado fibras ópticas con el núcleo de plástico o de cuarzo
fundido.
Recubriendo al núcleo, se encuentra el revestimiento (cladding), cuya
función principal es confinar la señal lumı́nica en el núcleo de la fibra óptica.
Esta capa esta generalmente fabricada con los mismos materiales que el
núcleo; la única diferencia es el dopaje llevado a cabo, proceso necesario
para que su ı́ndice de refracción, n2 , sea menor que el del núcleo (n2 < n1 ) y
se produzca ası́ la reflexión total interna.
42 Capı́tulo 2
Finalmente, el revestimiento se encuentra rodeado por una tercera capa

denominada recubrimiento (protección primaria), cuya función es la de
proveer de protección al conjunto anterior, y generalmente fabricada en un
material plástico.
La fibra óptica como medio de transmisión cuenta con una serie de
caracterı́sticas fundamentales que pueden ser resumidas en los siguientes
puntos [26].
Debido a las pequeñas dimensiones de la fibra óptica y los materiales

en los que esta fabricada es muy liviana y flexible.
La señal óptica que se propaga por la fibra óptica no se ve afectada por

interferencias electromagnéticas.
No es posible acceder a la información transmitida sin hacer uso de

métodos destructivos.
Las estaciones transmisoras y receptoras pueden ser operadas a

diferentes potenciales eléctricos, debido fundamentalmente a la
caracterı́stica aislante de la fibra óptica.
La caracterı́sticas de transmisión de las fibras ópticas presentan una

variación muy pequeña con respecto a la temperatura.
2.4.1. Clasificación de las fibras ópticas

En los sistemas de comunicaciones ópticas es posible encontrar diferentes
tipos de fibras ópticas, las cuales pueden clasificarse atendiendo a diferentes
criterios [4].
Dependiendo del número de modos que se transmitan por la fibra óptica

se distinguen dos tipos.
• Fibras monomodo. Son fibras a través de las cuales sólo se

transmite un modo. Por lo tanto, el haz de luz que se propaga
sólo tiene una trayectoria, paralela al eje de la fibra. La principal
ventaja de este tipo de fibras, es que la dispersión prácticamente
desaparece, lo que permite transmitir a mayores distancias y con
unas tasas de bits mucho mayores. Sin embargo, presenta una gran
desventaja, y es que su pequeño tamaño hace que la instalación de
este tipo de fibras sea mucho más compleja. Dentro de este tipo
de fibras destacan tres tipos:
◦ Fibra estándar, más conocida por sus siglas en inglés

SMF (Standar Single Mode Fiber). Esta fibra presenta una
atenuación de 0.2 dB/Km y una dispersión cromática de 16
ps/Km·nm en la tercera ventana (1550 nm). Mientras que en
segunda ventana presenta dispersión nula pero la atenuación
es casi el doble.
◦ La fibra DSF (Dispersion Shifted Fiber) está fabricada de tal
forma que tienen una dispersión cromática nula en tercera
ventana. Presenta una atenuación algo mayor con respeto a
la SMF (0.25 dB/Km) y cuenta con un gran inconveniente al
no poder ser utilizada en sistemas WDM debido a los efectos
lineales.
◦ La fibra NZDSF (Non Zero Dispersion Shifted Fiber) viene a
contrarrestar los efectos no lineales de las fibras DSF.
• Fibras multimodo. En este tipo de fibras el haz de luz se propaga
por múltiples modos, los cuales siguen distintos caminos. Es una
fibra utilizada fundamentalmente para enlaces de corta distancia,
menores a 1 Km. Es una fibra más económica, más fácil de diseñar
y cuya instalación es mas sencilla.
Dependiendo del ı́ndice de refracción se distinguen otros dos tipos de

fibras.
• Fibras de salto de ı́ndice. Este tipo de fibras se caracterizan por

tener un salto abrupto de ı́ndice de reflexión entre el núcleo y el
revestimiento. El perfil de este tipo de fibras queda definido por
la siguiente expresión [26].

n1 r < a (núcleo)
n(r) = (2.14)
n2 r ≥ a (revestimiento)
• Fibras de ı́ndice gradual. Este tipo de fibras no tienen un ı́ndice de
refracción constante en el núcleo, sino que el ı́ndice va decreciendo
desde el eje de la fibra hasta los extremos. Esta variación en
el ı́ndice de refracción puede modelarse a través de la siguiente
expresión [26].
n1 (1 − 2∆(r/a)α )1/2 r < a (núcleo)

n(r) = (2.15)
n2 = n1 (1 − 2∆)1/2 r ≥ a (revestimiento)
donde ∆ representa la diferencia relativa entre los ı́ndices de
refracción y α es el parámetro que caracteriza el perfil del ı́ndice
44 Capı́tulo 2
del núcleo. En la Figura 2.36 se muestra la variación del ı́ndice

de refracción para distintos valores de α. Se puede comprobar que
para α = ∞ se tiene el ı́ndice abrupto, para α = 1 el triangular y
para α = 2 el parabólico
Figura 2.36: Variación del ı́ndice de refracción en función del parámetro α.
Dependiendo del material de la fibra se tiene:
• Fibras de vidrio. Las fibras ópticas más utilizadas.

• Fibras de plástico. Son fibras que se utilizan para enlaces muy
cortos, siendo su principal aplicación las redes de área local.
Teniendo en cuenta las dos primeras clasificaciones generales (tipo de

propagación e ı́ndice de refracción), se distinguen tres tipos básicos de fibras
ópticas, las cuales quedan representadas en la Figura 2.37 [14].
2.4.2. Propagación de la luz en la fibra óptica

2.4.2.1. Atenuación
Uno de los parámetros que tiene una mayor influencia en la máxima
longitud entre el emisor y el receptor es la atenuación, debido a que el receptor
necesita de una potencia mı́nima para recuperar la señal de forma correcta.
La atenuación es una pérdida paulatina de la potencia de la señal a medida
que se propaga por la fibra óptica. Una forma muy habitual de representar
este parámetro es haciendo uso del coeficiente de atenuación, comúnmente
expresado en dB/Km mediante la siguiente expresión [26]:

10 Pin
α = log (2.16)
L Pout
Figura 2.37: Tipos de fibras ópticas más utilizadas en comunicaciones ópticas.
donde L representa la longitud de la fibra, Pin y Pout la potencia a la

entrada de la fibra óptica y la potencia a la salida de la fibra, respectivamente.
En la Figura 2.38 se puede observar como la atenuación varı́a en función de
la longitud de onda de la emisión de luz. Además, en dicha figura se puede
ver que la atenuación puede deberse a la absorción que presenta la fibra, al
espaciamiento y a las imperfecciones de la fibra [27].
Las pérdidas por absorción pueden dividirse en dos categorı́as: las
pérdidas intrı́nsecas, propias de las fibras y que corresponden a la absorción
de los átomos básicos que conforman el material de las fibras ópticas y que
por tanto no pueden ser eliminadas, dentro de este tipo destacan la absorción
ultravioleta (UV) y la absolución infrarroja (IR); y las pérdidas extrı́nsecas
por su parte, son las debidas a la presencia en el material de la fibra óptica
de impurezas como Fe, Cu, Co, Ni, Mn, Cr y, sobre todo, a la presencia de
iones OH− .
Las pérdidas por esparcimiento de Rayleigh son debidas a las variaciones
en la densidad de moléculas del material en el que está fabrica la fibra óptica,
lo que provoca variaciones en el ı́ndice de refracción.
Por último, las pérdidas por microcurvaturas o imperfecciones en la fibra
óptica provocan modificaciones en las direcciones de los rayos que se propagan
por el núcleo, pudiendo hacer que no se cumpla la condición de reflexión total
interna y haciéndolos refractarse fuera del núcleo.
46 Capı́tulo 2
Figura 2.38: Variación del coeficiente de atenuación en una fibra óptica.
2.4.2.2. Dispersión
Además de la atenuación, la señal al viajar por la fibra óptica se ve
degradada por efectos de la dispersión. Este fenómeno lo que provoca es la
deformación del pulso a medida que viaja a través de la fibra óptica, debido
fundamentalmente a que cada una de las componentes de la señal viaja a una
velocidad distinta llegando al receptor en distintos instantes de tiempo [26].
El ensanchamiento de los pulsos puede ser representado por el parámetro
D (ps/nm·Km), el cual aumenta con la longitud recorrida y con el ancho
espectral de la fuente óptica. Este ensanchamiento de los pulsos ocasiona
que a cierta distancia exista un solapamiento entre los bits trasmitidos y
puede provocar errores de detección por parte del receptor. Este fenómeno
es conocido con el nombre de interferencia entre sı́mbolos (ISI), y limita la
tasa de transmisión.
La dispersión puede ser dividida en tres categorı́as:
La dispersión intermodal o modal, se debe a que cada uno de los modos

que se propaga por la fibra óptica tiene una velocidad de grupo distinta.
Este efecto puede reducirse utilizando fibras monomodo (en las cuales
este tipo de dispersión es prácticamente nulo) o fibras con multimodo
de ı́ndice gradual (las cuales reducen este dispersión en comparación
con las fibras multimodo de salto de ı́ndice).
La dispersión por polarización del modo (PMD), Figura 2.39, se debe a

que la fibra óptica no es perfectamente circular, por lo que la velocidad
de propagación de cada polarización va a ser distinta.
Figura 2.39: Dispersión por polarización del modo.
La dispersión intramodal o cromática, es aquella que se da dentro de

un modo de propagación. Las dos causas fundamentales que producen
este tipo de dispersión son:
• Dispersión del material: es la principal causa de dispersión, y

consiste en que el ı́ndice de refracción del material usado para
fabricar las fibras ópticas depende de la frecuencia, y por tanto
de la longitud de onda. Por ello, las componentes de distinta
frecuencia, viajan a velocidades diferentes por el material.
• Dispersión por guiado de onda: la potencia de un modo se propaga
parcialmente por el núcleo y parcialmente por el revestimiento. El
ı́ndice efectivo de un modo se sitúa entre el ı́ndice de refracción
del núcleo y del revestimiento, acercándose más a uno u otro
dependiendo de cuál sea el porcentaje de la potencia que se
propaga por ellos. Como la distribución de la potencia de un modo
entre el núcleo y el revestimiento depende de la longitud de onda,
si la longitud de onda cambia, la distribución de potencia también
cambia, provocando un cambio en el ı́ndice efectivo o constante
de propagación del modo.
En la Figura 2.40 se puede ver la máxima dispersión cromática

permitida definida por la ITU [28]. Dicho valor dependerá del tipo
de modulación, en este caso NRZ, y de la velocidad binaria utilizada
en el sistema.
2.4.2.3. Efectos no lineales

Generalmente se asume que los los sistemas de comunicaciones ópticas se
comportan linealmente. Esta aproximación es correcta cuando los niveles de
potencia a los que se opera son moderados (unos poco mW) y las velocidades
de tranmisión no superan los 2.5 Gbps. Sin embargo, a velocidades o
48 Capı́tulo 2
Figura 2.40: Máxima distorsión cromática permitida en función de la anchura

espectral para diferentes señales NRZ.
potencias superiores ya empiezan a ser importantes los efectos de las no

linealidades.
Las no linealidades pueden ser clasificas en dos categorı́as [29]
Las que se producen por efectos de scattering en la fibra, debido a la

interacción de las ondas de luz con los fonones: scattering estimulado
de Raman (SRS) y el scattering estimulado de Brillouin (SBS).
Las que se producen debido a la dependencia del ı́ndice de refracción

con la intensidad del campo aplicado, que a su vez es proporcional al
cuadrado de la amplitud: modulación de autofase (SPM), modulación
de fase cruzada (CPM) y la mezcla de cuarta onda (FWM).
2.4.3. Cableado de fibras ópticas

El recubrimiento primario, capa más externa de la fibra óptica, no es
suficiente para garantizar el continuo mantenimiento de las propiedades
ópticas de la fibra durante su vida útil. Es por esto que generalmente la
fibra óptica cuenta con más elementos de protección, dando lugar a lo que se
conoce como cables de fibra óptica.
Los cables de fibra óptica son una superposición de distintos materiales,
cuyas funciones principales son las de proteger a las fibras ópticas de la
degradación medioambiental, de daños mecánicos, facilitar su manipulación

y aislarla de tensiones mecánicas en la instalación [4].
El diseño de los cables de fibras ópticas depende del entorno en el que
se va instalar (cables submarinos, de oficinas, de test, etc.) y de cuatro
caracterı́sticas de la fibra óptica: la sensibilidad a la curvatura, la resistencia
mecánica, la fatiga elástica y el envejecimiento [30].
En la Figura 2.41 se pueden distinguir los diferentes elementos que se
pueden encontrar en un cable de fibra óptica.
Figura 2.41: Elementos de un cable de fibra óptica.
En primer lugar, recubriendo a la fibra óptica, se sitúa el recubrimiento

secundario fabricado con materiales con un alto módulo elástico, como las
poliamidas, el poliester, el poliuretano, entre otros. La función principal de
este elemento es elevar la resistencia a la tracción y a los esfuerzos mecánicos
[31].
A continuación, sobre el revestimiento secundario se sitúa un elemento
de tracción fabricado con hilos de acero, monofilamentos de plástico, fibras
textiles o de vidrio. La elección entre los distintos materiales dependerá del
módulo de Young deseado, la resistencia mecánica, el peso, la estabilidad
a largo plazo, la facilidad de manipulación, la reacción a la corrosión, el
corte y empalme del mismo, la propagación de la llama, las caracterı́sticas
dependientes de la temperatura y el costo. Al conjunto formado por la fibra
óptica, el revestimiento secundario y el elemento de tracción se conoce con
el nombre de núcleo óptico [31].
Recubriendo al elemento de tracción puede ir una capa denomina cubierta
interna, cuya función principal es la de asegurar la integridad del núcleo
óptico en el caso de la destrucción de la cubierta externa. Generalmente,
este elemento está construido con diferentes materiales plásticos cuyas
caracterı́sticas quedan resumidas en la Tabla 2.5 [31].
La coraza o armadura, situada entre las dos cubiertas (en el caso de
existir las dos) o bajo la cubierta exterior, tiene como misión proporcionar
protección suplementaria al cable frente a agresiones externas como pueden
50 Capı́tulo 2
ser el aplastamiento, los roedores, el fuego, etc. Este elemento puede ser
metálico o dieléctrico. En el caso de corazas metálicas se tiene una protección
eficaz frente a roedores, pero se pierde una de las principales ventajas de los
enlaces de fibra óptica, la caracterı́stica de enlace dieléctrico [31].
Por último, se sitúa una cubierta exterior que hace de protección al
conjunto. El material de esta cubierta es seleccionada en función del medio
en el que irá instalada la fibra óptica y de los elementos a los que quiera
hacer frente [31]. Igual que en el caso de la cubierta interna, generalmente se
empleará en su fabricación materiales plásticos (ver Tabla 2.5).
Tabla 2.5: Principales caracterı́sticas de los materiales empleados en las

cubiertas de los cables de fibra óptica [31].
Descripción PE LSZH PUR PA NBR ETFE
Material Polietileno Poliolefina Poliuretano Poliamida Caucho Teflón
Nitrı́lico
Rango -60/ -25/ -40/ -40/ -40/ -200/
T (o C) +80 +80 +75 +115 +75 +150
Resistencia Buena Aceptable Aceptable Buena Excelente Buena
intemperie
Resistencia Regular Deficiente Excelente Excelente Buena Excelente
aceites
Resistencia Buena Regular Mala Deficiente Buena Excelente
ácidos
Resistencia Mala Regular Excelente Buena Regular Excelente
hidrocarburos
Resistencia Excelente Regular Aceptable Aceptable Buena Excelente
agua
Resistencia Buena Aceptable Excelente Buena Buena Excelente
mecánica
Resistencia Humos Baja emisión Humos Humos Humos Humos
al fuego nocivos de humos nocivos nocivos nocivos nocivos
2.4.3.1. Estructuras básicas del cable de fibra óptica

Los cables de fibra óptica pueden contar con diferentes estructuras, entre
las que cabe mencionar las dos principales representadas en la Figura 2.42:
la estructura holgada y la estructura densa [30].
En un cable con estructura holgada, Figura 2.42(a), las fibras ópticas
(agrupadas en grupos de 6, 8, 10 o 12 fibras) se alojan holgadamente dentro
de una protección secundaria con un diámetro de entre 1 y 3 mm, y un
espesor de 0.25 mm. El revestimiento por dentro puede estar hueco o bien
relleno de un gel que evite la entrada de agua. A su vez, como se puede
observar en la Figura 2.42(a), la protección secundaria puede ir junto con
Figura 2.42: (a) Cable con estructura holgada y (b) cable con estructura
densa.
otras y un elemento de refuerzo central dentro de una coraza. Protegiendo a

todo el conjunto está una funda protectora.
En el caso de un cable con estructura densa, Figura 2.42(b), cada fibra
óptica se encuentra dentro de su protección secundaria con un diámetro de
900 µm y un espesor de entre 0.5 y 1mm. Al igual que en la otra estructura,
la protección secundaria puede ir junto con otras y un elemento de refuerzo
central dentro de una coraza.
El uso de una u otra estructura tiene un gran impacto en las
caracterı́sticas finales del cable de fibra óptica [30]. En la Tabla 2.6 quedan
recogidas las principales caracterı́sticas dependiendo del tipo de estructura
utilizada.
Tabla 2.6: Comparativa entre las estructuras de cables de fibras ópticas.

Caracterı́sticas Estructura Estructura
holgada densa
No de fibras en la protección secundaria Varias Una
Protección humedad Con gel Sin protección
Flexibilidad No flexibles Flexibles
Conexión Laborioso Fácil
Radio de curvatura Grande Pequeño
Diámetro Grande Pequeño
Resistencia Menor Mayor
Comportamiento temperatura Peor Mejor
Densidad de fibras Alta Baja
52 Capı́tulo 2
2.5. El receptor óptico
Una vez la señal ha atravesado el canal, en este caso la fibra óptica, el

último módulo que se encontrará es el módulo receptor.
La principal función de este último módulo es convertir la señal óptica
procedente de la fibra óptica en una señal eléctrica de la cual se pueda
recuperar la información transmitida.
Uno de los elementos más importantes del receptor es el dispositivo
encargado de realizar dicha conversión óptico-eléctrica, el fotodetector. En el
caso de sistemas de comunicaciones ópticas dónde la fibra óptica es el canal,
será importante que la zona fotosensible del fotodetector sea comparable con
el núcleo de la fibra.
Generalmente, el módulo receptor contará además con los elementos
necesarios para revertir las operaciones llevadas a cabo en el transmisor.
Estos elementos abarcan desde amplificadores (TIA y MA) hasta elementos
de demodulación y filtrado [8], Figura 2.43.
Figura 2.43: Diagrama básico de un receptor óptico.
En general, el módulo receptor deberá contar con una alta sensibilidad,

una rápida respuesta, unos niveles de ruido bajos, un bajo coste y una alta
fiabilidad [8].
A continuación, se describe el principio de funcionamiento básico por el
cual los fotodetectores convierten la señal lumı́nica recibida en una señal
eléctrica. Además, se describirán los principales fotodectectores utilizados en
los sistemas de comunicaciones ópticas, se realizará una serie de apuntes sobre
los amplificadores de transimpedancia, de los amplificadores denominados
principales y se enumerarán las principales especificaciones de cada uno de
estos elementos.
2.5.1. Detector óptico

2.5.1.1. Conversión óptico-eléctrica
Detrás del proceso de fotodetección se encuentra el proceso fundamental
de absorción óptica.
Si se considera la estructura básica de un fotodiodo como el mostrado en
la Figura 2.44, y que la energı́a de los fotones incidentes (E = hf ) excede
a la energı́a de la banda prohibida del material, se generará por cada fotón
absorbido un par electrón-hueco. Bajo la influencia de un campo eléctrico,
fruto de la aplicación de una diferencia de potencial en el material, los
electrones y huecos generados pueden ser barridos a través del semiconductor,
dando como resultado una corriente eléctrica denominada fotocorriente, Ip ,
la cual es directamente proporcional a la potencia óptica recibida, Pin [14]:
Ip = RPin (2.17)
donde R representa la responsividad del fotodetector, en unidades de
A/W.
El proceso completo a través del cual se consigue la conversión de la señal
lumı́nica en una señal eléctrica se conoce con el nombre de efecto fotoeléctrico,
proceso representado en la Figura 2.44 [14].
Figura 2.44: Efecto fotoeléctrico.
2.5.1.2. Materiales para los fotodetectores

El detector más sencillo que puede ser realizado es el que corresponde a
la unión p-n de un semiconductor cuya banda de gap sea lo suficientemente
pequeña, de forma que permita la creación de un par electrón-hueco con la
incidencia de un fotón con la suficiente energı́a [14].
Para las longitudes de onda correspondientes a la primera ventana de
transmisión, el material más adecuado es el silicio, con un salto energético
54 Capı́tulo 2
de 1.1eV. Para detectar transmisiones realizadas en la segunda ventana

es necesario contar con materiales con un mayor salto energético, como el
germanio (0.7eV). Mientras que para la tercera ventana los semiconductores
óptimos son aquellos compuestos de los periodos III y V, como el In, Ga, As
y P [8].
Si bien, la estructura p-n es interesante para ilustrar conceptos básicos,
este tipo de estructura no se utiliza tal cual de manera práctica. A
continuación, se describen las principales modificaciones realizadas a dicha
unión que son utilizadas en los receptores ópticos.
2.5.1.3. Fotodetector: Fotodiodo PIN
Los fotodiodos PIN, son estructuras p-n a las que se les ha introducido un
estrato semiconductor puro (o ligeramente impurificado) entre las regiones p
y n. El nombre de esta nueva zona, i, se debe a que dicho semiconductor
introducido es un material casi intrı́nseco. Al introducir este material se
consigue aumentar la región de deplexión y aumentar la responsividad del
dispositivo, ya que el número de fotones absorbidos se incrementa. A su vez,
el aumento de la responsividad hace que se aumente también la eficiencia del
fotodiodo. Sin embargo, la respuesta temporal aumenta, ya que los portadores
tardan más tiempo en atravesar la región de deplexión [32].
En la Figura 2.45(a) se muestra la estructura del fotodiodo PIN, ası́ como
su distribución de campo eléctrico dentro de él (en condiciones de polarización
inversa). Como se puede ver en la representación del campo eléctrico, la
mayor parte de su caı́da se produce en la capa intermedia, ya que este
estrato al ser casi intrı́nseco presenta mayor resistencia. El ancho de la la
capa intrı́nseca, W, puede ser controlada y su valor óptimo dependerá de los
requerimientos de velocidad y sensibilidad del detector [32].
Figura 2.45: (a) Fotodiodo PIN y su distribución de campo eléctrico bajo

polarización inversa.(b) Diagrama del diseño de un fotodiodo PIN [32].
El funcionamiento de los fotodiodos p-i-n puede ser mejorada si se utilizan

diseños de heteroestructuras dobles (ver apartado 2.3.1.3.1). En la Figura
2.45(b) se puede observar un fotodiodo PIN con una heteroestructuras doble
muy utilizada en comunicaciones ópticas, en concreto, un fotodiodo que
utiliza InGaAs para la capa intermedia e InP para las capas p y n. En la Tabla
2.7 se recogen las principales caracterı́sticas de los tres tipos de fotodiodos
p-i-n más utilizados [32].
Tabla 2.7: Caracterı́sticas de los principales fotodiodos p-i-n.

Parámetro Sı́mbolo unidad Materiales del fotodiodo PIN
Si Ge InGaAs
Longitud de onda λ µm 0.4-1.1 0.8-1.8 1-1.7
Responsividad R A/W 0.4-0.6 0.5-0.7 0.6-0.9
Eficiencia cuántica η % 75-90 50-55 50-70
Corriente de oscuridad Id nA 1-10 50-500 1-20
Tiempo de subida Tr ns 0.5-1 0.1-0.5 0.02-0.5
Ancho de banda ∆f GHz 0.1-0.6 0.5-3 1-10
Diferencia de potencial Vb V 50-100 6-10 5-6
2.5.1.4. Fotodetector: Fotodiodo de avalancha

Todos los fotodiodos requieren de una corriente mı́nima para su
correcto funcionamiento, lo que implica que se necesita recibir una potencia
óptica mı́nima. Por este hecho, se prefieren fotodetectores con una alta
responsividad.
La responsividad de un fotodido p-i-n está limitada por la ecuación 2.18,
la cual toma su valor máximo cuando su eficiencia cuántica toma el valor de
uno, η = 1.
ηq ηλ
R= = (2.18)
hf 1,24
Sin embargo, con el uso de fotodiodos de avalancha (avalanche
photodiodes, APD) se pueden obtener valores de responsividad mucho
mayores que en el caso PIN, ya que estos dispositivos están diseñados para
proveer una ganancia interna de corriente. El fenómeno fı́sico detrás de dicha
ganancia de corriente es conocido con el nombre de ionización por impacto
[32]. Bajo ciertas condiciones, un electrón primario, fruto de la absorción de
un fotón, da origen a muchos electrones y huecos secundarios, contribuyendo
todos a la corriente del fotodiodo. La tasa de generación está gobernada por
56 Capı́tulo 2
los parámetros de ionización, αe y αh , que dependen a su vez del material y

cuya relación viene definida por el parámetro kA de dicho material.
αh
kA = (2.19)
αe
La estructura de los fotodiodos APD difiere de la de los PIN en el sentido
de que poseen una capa adicional en donde los pares de electrones-huecos
se generan a través del fenómeno de ionización por impacto. En la Figura
2.46(a) se puede observar la estructura de este tipo de fotodetector ası́ como
la variación de la amplitud del campo eléctrico en las diferentes regiones del
dispositivo [32].
Figura 2.46: (a) Fotodiodo de avalancha y su distribución de campo eléctrico

bajo polarización inversa.(b) Diagrama del diseño de un fotodiodo APD [32].
La capa i del fotodectector sigue siendo la responsable de la absorción

de la mayorı́a de los fotones y donde se producen los pares electrón-huecos
primarios. Los electrones de la región i atraviesan la región de ganancia, o
capa de multiplicación, y se generan los pares electrón-hueco secundarios
responsables de la ganancia de corriente [32].
La ganancia de corriente del APD, M, es muy sensible a la relación de
los coeficientes de ionización, pudiéndose calcular con la siguiente expresión
[32]:
1 − kA
M= −(1−k
(2.20)
e A )αe d − kA
Es importante destacar que el proceso de avalancha es intrı́nsecamente
ruidoso y, por tanto, da como resultado una ganancia que fluctúa entorno a
un valor promedio. Por este hecho, a la hora de calcular la responsividad de
un APD con la ecuación 2.21, el valor M hará referencia a dicha ganancia
promedio [32].
ηq
RAP D = M R = M (2.21)
hf
En la Tabla 2.8 se recogen las principales caracterı́sticas de los tres tipos
de fotodiodos de avalancha más utilizados [32].
Tabla 2.8: Caracterı́sticas de los principales fotodiodos de avalancha.

Parámetro Sı́mbolo unidad Materiales del fotodiodo de avalancha
Si Ge InGaAs
Longitud de onda λ µm 0.4-1.1 0.8-1.8 1-1.7
Responsividad R A/W 80-130 3-30 5-20
Ganancia del APD M - 100-500 50-200 10-40
Factor K kA - 0.02-0.05 0.7-1 0.5-0.7
Eficiencia cuántica η % 75-90 50-55 50-70
Corriente de oscuridad Id nA 0.1-1 50-500 1-5
Tiempo de subida Tr ns 0.1-2 0.5-0.8 0.1-0.5
Ancho de banda ∆f GHz 0.2-1 0.4-0.7 1-10
Diferencia de potencial Vb V 200-250 20-40 20-30
2.5.1.5. Especificaciones de los fotodetectores

Responsividad.
La responsividad, R, es un parámetro de los fotodetectores que
representa la capacidad del fotodiodo de generar pares electrón-hueco
por la incidencia de una señal óptica. Este parámetro permite relacionar
la intensidad eléctrica generada y la potencia óptica incidente [8].
En el caso de un fotodiodo PIN en tecnologı́a InGaAs, este parámetro
tı́picamente toma un valor entre 0.6 y 0.9 A/W. Mientras que en el caso
de un fotodiodo APD, en la misma tecnologı́a, el valor estará entre 5
y 20 A/W [32].
Ancho de banda. El ancho de banda está determinado por la

velocidad con que el fotodetector responde a las variaciones de la
potencia óptica incidente.
El ancho de banda de un fotodetector genérico se define de manera
análoga a el de un circuito RC y viene dado por la ecuación 2.22 [8].
1
∆f = (2.22)
2π(τtr + τRC )
58 Capı́tulo 2
donde τtr y τRC son el tiempo de transito o tiempo de propagación y

la constante del tiempo del circuito equivalente RC, respectivamente.
En el caso concreto de un fotodiodo p-i-n, el ancho de banda se puede
calcular como [8]
1
∆fP IN = (2.23)
2π(W/υn + RP D ∗ CP D )
donde W es la anchura de la región de deplexión, υn la velocidad de
la portadora, CP D la capacidad de la unión del fotodiodo y RP D la
resistencia de dispersión.
Mientras que en el caso de un fotodiodo APD el ancho de banda
aproximado esta dado por [8]
1
∆fAP D = (2.24)
2π(τe M0 )
donde M0 es la ganancia de baja frecuencia y τe el tiempo de transito
efectivo, el cual depende a su vez de los coeficientes de ionización.
Corriente de oscuridad.
Otro parámetro importante de los fotodetectores es la corriente de
oscuridad, Id , generada en el dispositivo en ausencia de señal óptica, y
que es debida a pares electón-hueco por generación térmica.
Para que un fotodetector pueda ser considerado bueno, este parámetro
debe ser menor a 10 nA, en cuyo caso será despreciable [32].
Corriente de saturación.
Mientras que la corriente de oscuridad y el ruido shot definen el extremo
inferior del rango dinámico del fotodiodo PIN, la corriente de saturación
por su parte define el extremo superior de dicho rango [8].
Para niveles muy elevados de potencia óptica, se produce una
disminución de la responsividad del dispositivo a la vez que se reduce
el ancho de banda
Ruido Shot.
El fotodiodo PIN no sólo produce un señal de corriente IP IN , sino
también una corriente de ruido conocido con el nombre de ruido de
shot o ruido de disparo. Este ruido es debido a que la fotocorriente esta
compuesta por multitud de pequeños pulsos distribuidos de manera
aleatoria en el tiempo. Si estos pulsos pueden ser aproximados por

una delta de Dirac, el ruido de disparo se puede considerar blanco y
cuyo valor cuadrático medio puede ser obtenido mediante la siguiente
ecuación [8].
ī2n,P IN = 2qIP IN BWn (2.25)
donde q es la carga del electrón, IP IN es la señal de corriente generada

y BWn es el ancho de banda donde se mide la corriente de ruido.
Ruido de avalancha.
Desafortunadamente, el fotodiodo APD no sólo proporciona más señal
que un fotodiodo PIN, sino que también genera más ruido.
El ruido de avalancha es el ruido que se produce en un fotodiodo
APD cuando se inicia el efecto de avalancha. El valor cuadrático medio
de esta intensidad de ruido puede ser obtenido mediante la siguiente
ecuación [8].
ī2n,AP D = 2qIP IN BWn F M 2 (2.26)
donde M es la ganancia de avalancha y F es el factor de exceso de ruido.

En la Figura 2.47 se puede observar como el parámetro F aumenta a
medida que aumenta la ganancia de fotodiodo APD y como además es
función del parámetro kA , ver ecuación 2.19.
Figura 2.47: Ganancia del APD y factor de exceso de ruido en función del
parámetro kA .
60 Capı́tulo 2
2.5.2. Amplificador de transimpedancia

En la actualidad existe una multitud de aplicaciones donde son utilizados
los fotodiodos para transformar la luz en una corriente que posteriormente es
utilizada por otros circuitos electrónicos. Éstos van desde células solares hasta
redes ópticas de datos, desde instrumentos de precisión y cromatologı́a hasta
sistema de diagnóstico médico. En aquellas aplicaciones donde se tenga la
necesidad de trabajar con grandes velocidades y con un gran rango dinámico,
se suelen utilizar circuitos como el de la Figura 2.48, un amplificador de
transimpedancia (transimpedance amplifier, TIA) [33].
Figura 2.48: Amplificador de transimpedancia.
2.5.2.1. Principio de funcionamiento
La corriente generada por el fotodetector, Ip , es amplificada por el

amplificador de transimpedancia y es convertida en una tensión de salida
mediante la resistencia de ganancia de transimpedancia, también conocida
como resistencia de realimentación o RF [33].
Idealmente toda la fotocorriente atraviesa la resistencia de realimentación,
Ip = IF B , pero en la práctica el amplificador roba parte de esta corriente
en forma de corriente de polarización de entrada, IBIAS . Este efecto es
mayor cuanto mayor es la resistencia de retroalimentación. Es por esto, que
es importante seleccionar o diseñar TIA que precisen de una intensidad
de polarización baja, de forma que se pueda lograr el rango dinámico y
la precisión que se requieran. Además, teniendo en cuenta que el rango
dinámico es la relación entre la señal máxima de entrada y el ruido, también
será importante trabajar con un amplificador con un ruido lo suficientemente
bajo [33].
2.5.2.2. Especificaciones del TIA

A continuación, se detallan las principales especificaciones del TIA: la
transimpedancia, la corriente de saturación, la máxima corriente para la
operación lineal, la intensidad de ruido, el ancho de banda y la variación
del retardo de grupo.
Transimpedancia.
La transimpedancia, ZT , es definida como la variación de la tensión de
salida, ∆vo , entre la variación de la corriente de entrada, ∆ip [8]:
∆vo
ZT = (2.27)
∆ip
De manera que cuanto mayor es la transimpedancia mayor es la señal
de salida. Este parámetro vienen expresado tanto en unidades de Ω
como en dBΩ. En el último caso, el valor en dBΩ pude ser calculado
como 20log(ZT (Ω)). Es importante destacar que en general ZT es un
número complejo. Sin embargo, habitualmente para bajas frecuencias
este parámetro es real y suele conocerse entonces con el nombre de
transresistencia, RT .
En general, es deseable contar con una transimpedancia lo más alta
posible ya que ası́ se relajan los requerimientos de ganancia y ruido
del amplificador principal. Este parámetro tiene unos valores lı́mites
que vienen dados por la tecnologı́a utilizada y la velocidades de
transmisión utilizadas. A continuación se muestran valores tı́picos de
transimpedancias [8], [34], [35].
2,5 Gb/s TIA: RT = 2KΩ . . . 4KΩ, (2.28)

10 Gb/s TIA: RT = 500Ω . . . 2KΩ, (2.29)
40 Gb/s TIA: RT = 350Ω . . . 40KΩ. (2.30)
Corriente de saturación.
Para un determinado valor de intensidad de entrada, la tasa de error
binario (bit error rate, BER) se encuentra por debajo del valor deseado.
A este valor crı́tico de intensidad, medida pico a pico, se le conoce con el
nombre de corriente de saturación a la entrada, ippovl . Si la corriente pico
a pico introducida a la entrada del TIA supera este valor de corriente,
se dice que el amplificador de transimpedancia está saturado. Además,
este valor define el valor superior del rango dinámico del TIA [8].
62 Capı́tulo 2
Máxima corriente de entrada para la operación lineal.

Otra especificación para la señal de corriente de la entrada es la máxima
corriente de entrada para que el TIA trabaje en la región lineal, ipp lin .
Esta corriente siempre es menor que la corriente de saturación.
Existen multitud de definiciones en uso de este parámetro. Por
ejemplo, se puede definir la ipp
lin como el valor de corriente al cual la
transimpedancia decae 1 dB con respecto a su valor en pequeña señal
[8].
Intensidad de ruido referida a la entrada.

La intensidad de ruido referida a la entrada es uno de los parámetros
más crı́ticos en un amplificador de transimpedancia. Esto se debe a que
generalmente el ruido procedente de este dispositivo domina al resto de
fuentes de ruido y, además, determina la sensibilidad del receptor [8].
A continuación se muestran algunos valores tı́picos de este parámetro
en amplificadores de transimpedancia comerciales [8], [34], [35].
2,5 Gb/s TIA: irms

n,T IA = 380nA, (2.31)
10 Gb/s TIA: irms
n,T IA = 1400nA, (2.32)
40 Gb/s TIA: irms
n,T IA = 5500nA. (2.33)
De los valores anteriores se puede ver la relación entre la corriente

de ruido y la velocidad binaria. A mediada que se incrementa la tasa
binaria el ruido también se incrementa en un factor 4.
Ancho de banda y variación del retardo de grupo.

El ancho de banda de un amplificador de transimpedacia, también
conocido como el ancho de banda 3-dB, BW3dB , se define como la
máxima frecuencia a la cual el módulo de la transimpedancia decae 3
dB con respecto al valor medio.
El ancho de banda sólo indica hasta que frecuencia máxima el
comportamiento del módulo de la transimpedancia es plano. Sin
embargo, no indica nada sobre su fase.
Una manera muy habitual de medir la linealidad de la fase es a través
de la variación del retardo de grupo con respecto a la frecuencia. El
retardo de grupo, τ , esta relacionado con la fase mediante la ecuación
2.34.
dφ
τ (ω) = − (2.34)
dω
donde φ es la fase y ω = 2πf la frecuencia angular.
Estos dos parámetros, el ancho de banda y la variación del retardo de
grupo son dos parámetros muy importantes a la hora de determinar la
cantidad de ISI y jitter introducidos por el TIA. Además, el ancho de
banda también afecta a la cantidad de ruido introducido.
El ancho de banda deseado para un amplificador de transimpedancia
depende de la estrategia de asignación escogida para el receptor. Si el
ancho de banda del receptor viene fijada por el TIA, el ancho de banda
del TIA debe ser escogido de manera que sea un valor entre 0.6B y 0.7B,
siendo B la velocidad binaria. Si por el contrario, el ancho de banda
del receptor es controlado de otra manera (por ejemplo mediante un
filtro), se escoge un ancho de banda del TIA mayor, entre 0.9B y 1.2B
[8], [34], [35].
2,5 Gb/s TIA: BW3dB = 1, 5GHz . . . 3GHz, (2.35)

10 Gb/s TIA: BW3dB = 6GHz . . . 12GHz, (2.36)
40 Gb/s TIA: BW3dB = 24GHz . . . 48GHz. (2.37)
Por su parte, la variación del retardo de grupo, ∆τ , generalmente es

menor que el ±10 % del periodo de bit (±0.1 UI) en el ancho de banda
especificado. De esta manera se limita la generación del jitter. Esto
corresponde con los siguientes valores [8], [34], [35]
2,5 Gb/s TIA: | ∆τ |< 40ps, (2.38)

10 Gb/s TIA: | ∆τ |< 10ps, (2.39)
40 Gb/s TIA: | ∆τ |< 2,5ps. (2.40)
2.5.3. Amplificadores principales

Generalmente, a la salida del amplificador de transimpedancia se tiene
una señal muy pequeña, vi , por lo que en muchas ocasiones es necesario
amplificar dicha señal mediante un amplificador principal (MA), también
conocido con el nombre de post-amplifier por ir detrás del TIA, Figura 2.49.
Con esta segunda amplificación se obtiene un nivel de señal suficiente, vo ,
64 Capı́tulo 2
Figura 2.49: Señales de entrada y salida en un MA diferencial.
para que el sistema recuperador de datos y reloj pueda operar correctamente

[8].
Dependiendo de la aplicación, puede no ser aceptable que el MA
introduzca distorsiones no lineales. Este hecho hace que se deba escoger
entre dos tipos de amplificadores principales: los amplificadores de ganancia
variable (VGA) y los amplificadores limitadores (LA), Figura 2.50. El uso de
los VGA será obligatorio si se precisa de una distorsión baja. Mientras que
si no se precisa que dicha distorsión sea baja se podrán utilizar los LA [8].
Figura 2.50: Función de tranferencia de (a) un LA y (b) un VGA.
2.5.3.1. Especificaciones de los MA

A continuación, se detallan las principales especificaciones del MA: la
ganancia, el ancho de banda, la variación del retardo de grupo, la figura de
ruido, el rango dinámico de entrada, el offset de la tensión de entrada, la
frecuencia inferior de corte y la conversión AM-PM.
Mientras que las especificaciones del TIA determinan el comportamiento
del receptor en aspectos tan importantes como la sensibilidad, las
especificaciones del MA tienen un menor impacto. Sin embargo, un
inadecuado valor de dichos parámetros puede degradar el funcionamiento
del receptor [8].
Ganancia.
La ganancia en tensión, A, se define como la variación de la tensión de
salida, ∆vo , entre la variación de la tensión de entrada, ∆vi :
∆vo
A= (2.41)
∆vi
Por consiguiente, cuanto mayor es la ganancia, mayor es la señal de

salida para una determinada señal de entrada. Este parámetro puede
ser especificado en una escala lineal o en una escala logarı́tmica. En
este último caso, se puede obtener el valor en dBs como 20logA [8].
Generalmente, la ganancia está especificada para una pequeña señal
de entrada. En el caso de un LA, la señal debe ser lo suficientemente
pequeña para que trabaje en régimen lineal. En el caso de los VGA
la señal debe ser lo suficientemente pequeña para que no se active el
mecanismo de ajuste de la ganancia, obteniendo ası́ la máxima ganancia
(A = Amax ). Además de la máxima ganancia, es interesante conocer en
el caso del VGA la mı́nima ganancia y el rango del control automático
de ganancia. El rango se define como la relación entre el máximo y el
mı́nimo valor de ganancia.
Es posible calcular la mı́nima ganancia permisible para un MA
mediante la siguiente ecuación [8].
VDT A
A≥ (2.42)
(P P − 1)2QRT irms
n,T IA
donde VDT A es la sensibilidad del DEC y Q un factor relacionado

con
1 Q
la tasa binaria de error mediante la relación BER = erf c √ .
2 2
Es decir, en la ecuación 2.42 se observa que la mı́nima ganancia
requerida del MA depende tanto del dispositivo posterior (DEC) como
del dispositivo anterior (TIA) al propio MA.
Los valores tı́picos de este parámetro para MA operando a 2.5, 10 y 40
Gbps se sitúan entre 30 y 40 dB de ganancia [8].
Ancho de banda y variación del retardo de grupo.

El ancho de banda de un MA, también conocido como el ancho de
banda 3-dB, BW3dB , se define como la máxima frecuencia a la cual el
módulo de la ganancia decae 3 dB con respecto al valor medio.
66 Capı́tulo 2
El ancho de banda sólo indica hasta que frecuencia máxima el

comportamiento del módulo de la ganancia es plano. Sin embargo, no
indica nada sobre su fase.
Al igual que pasaba en un amplificador de transimpedancia, una
manera muy habitual de medir la linealidad de la fase es a través de la
variación del retardo de grupo con respecto a la frecuencia.
El ancho de banda del MA generalmente se suele escoger de forma que
sea algo mayor que el ancho de banda que se desea tener en el receptor.
Es por esto, que el ancho de banda del receptor viene dado más por el
amplificador de transimpedacia que por el amplificador principal. Por
regla general el ancho de banda del MA es escogido de manera que sea
un valor entre 1B y 1.2B, siendo B la velocidad binaria [8].
2,5 Gb/s MA: BW3dB = 2,5GHz . . . 3GHz, (2.43)

10 Gb/s MA: BW3dB = 10GHz . . . 12GHz, (2.44)
40 Gb/s MA: BW3dB = 40GHz . . . 48GHz. (2.45)
Por su parte, la variación del retardo de grupo, ∆τ , generalmente es

menor que el ±10 % del periodo de bit (±0.1 UI) en el ancho de banda
especificado. De esta manera se limita la generación del jitter. Esto
corresponde con los siguientes valores [8]
2,5 Gb/s MA: | ∆τ |< 40ps, (2.46)

10 Gb/s MA: | ∆τ |< 10ps, (2.47)
40 Gb/s MA: | ∆τ |< 2,5ps. (2.48)
Figura de ruido.
El ruido generado por el amplificador principal se suma al resto de
ruidos producidos por los otros componentes del receptor, lo cual
degrada la sensibilidad del receptor. En general, se quiere que la
sensibilidad del receptor venga determinada por el TIA por lo que es
deseable que el ruido introducido por el MA sea menor que el generado
por el TIA [8].
Es posible estimar la máxima figura de ruido, F, que debe poseer el
amplificador principal mediante la Ecuación 2.49, que devuelve el valor
en escala lineal [8]. También, es posible obtener la figura de ruido en
escala logarı́tmica a través de la relación 10logF .
2
4RT2 ī2n,T IA
F ≤ 1 + (P P − 1) 2
(2.49)
v̄n,S
donde vn,S
¯ es la tensión de ruido de la resistencia de fuente, cuyo valor es
tı́picamente 50 Ω. Con la observación de la anterior ecuación, es posible
concluir que un alto valor de transimpedancia ayuda a relajar los
requerimientos de figura de ruido del LA. Además, un amplificador de
transimpedancia con un bajo ruido requiere un amplificador principal
de bajo ruido para mantener una reducida penalización de potencia.
A continuación se recogen los valores tı́picos de figuras de ruido del MA
para diferentes tasas binarias [8].
2,5 Gb/s MA: FdB ≤ 17,1dB, (2.50)

10 Gb/s MA: FdB ≤ 13dB, (2.51)
40 Gb/s MA: FdB ≤ 4dB. (2.52)
Rango dinámico de entrada.

El rango dinámico de un amplificador principal describe el mı́nimo y
el máximo valor de la señal de entrada para el cual el MA desempeña
una función útil.
El mı́nimo valor de la señal de entrada viene determinada por la
sensibilidad del MA. Mientras que la definición de la máxima señal de
entrada depende del tipo de amplificador, LA o VGA. El valor tı́pico
del rango dinámico del MA es 2mV . . . 2V [8].
Tensión de offset de entrada.

La tensión de offset de entrada, VOS , es la tensión de entrada para la
cual la tensión de salida del MA se hace cero.
Una tensión de offset distinta de cero en un amplificador limitador
produce: más errores de bits y distorsión del ancho del pulso. En el
caso de un VGA este hecho es menos severo debido a que puede ser
compensado a la salida del amplificador.
Mediante la Ecuación 2.53 es posible calcular la máxima tensión de
offset permisible en un MA para que no se supere un determinado
valor de penalización de potencia [8].
VOS ≤ (P P − 1)QRT irms

n,T IA (2.53)
68 Capı́tulo 2
A continuación se recogen los valores tı́picos de tensiones de offset en

función de la tasa binaria [8].
2,5 Gb/s MA: VOS ≤ 0,093mV, (2.54)

10 Gb/s MA: VOS ≤ 0,114mV, (2.55)
40 Gb/s MA: VOS ≤ 0,09mV. (2.56)
Frecuencia inferior de corte.

La frecuencia inferior de corte, fLF , se define como la menor frecuencia
a la cual el modulo de la ganancia decae 3 dB con respecto al valor
medio.
Mediante la Ecuación 2.57 es posible estimar la máxima frecuencia
inferior de corte permisible en un MA para que se cumpla con una
máxima penalización de potencia [8].
B
fLF ≤ (P P − 1) (2.57)
2πr
donde r es el máximo número de 1s ó 0s consecutivos en un secuencia
de bits. En los sistemas SONET y SDH este valor generalmente toma
el valor de 72.
A continuación se recogen los valores tı́picos de frecuencia inferior de
corte en función de la tasa binaria [8].
2,5 Gb/s MA: fLF ≤ 64KHz, (2.58)

10 Gb/s MA: fLF ≤ 257KHz, (2.59)
40 Gb/s MA: fLF ≤ 1026KHz. (2.60)
En conclusión, en los sistemas SONET y SDH la frecuencia inferior

de corte debe ser, aproximadamente, 40000 veces menor que la tasa
binaria.
Conversión AM-PM.
Si el amplificador principal presenta un retardo de propagación
dependiente de la amplitud, esas variaciones de amplitud son
transformadas en un retardo o una variación de la fase. En otras
palabras, el amplificador genera una indeseada modulación de fase
(phase modulation, PM). Esta modulación de fase no es más que un
determinado jitter. Debido a que el jitter puede causar errores de bit e

interferencias, es necesario limitar la conversión AM-PM producida en
el MA.
La conversión AM-PM en un MA generalmente viene especificada en
términos de la máxima variación del retardo, ∆τAM , observado cuando
se varia la señal de entrada dentro del rango dinámico del MA.
Generalmente, la variación del retardo, ∆τAM , debe ser menor que el
10 % del periodo de bit para evitar la generación de jitter [8].
2.6. Conclusiones
La historia de las comunicaciones ópticas ha estado muy ligada a la propia
evolución de uno de sus componentes, las fibras ópticas.
Si bien es posible utilizar otro tipo de canal, en los sistemas de
comunicaciones ópticas, la fibra óptica es la más utilizada para realizar dicha
función. Fundamentalmente esto se debe a las caracterı́sticas con las que
cuenta este elemento: sus bajas pérdidas, al rededor 0.2 dB/Km; su gran
ancho de banda, más de 10 THz; y su inmunidad frente a campos magnéticos.
Dependiendo de la aplicación a la que este orientada la fibra óptica, la
estructura de cableado y los materiales utilizados serán muy distintos.
El transmisor óptico es el encargado de adecuar la señal que se desea
transmitir al canal. Dentro del mismo, cabe destacar uno de sus elementos
fundamentales, el fotoemisor. La elección entre el uso de un LED o un
láser como fotoemisor, dependerá del ancho de banda que se desea tener,
de la ventana en la que se desea transmitir y del coste, entre otros.
Antes de que el fotoemisor realice la emisión de luz, es necesario que ésta
esté modulada. Existen diferentes formatos de modulación: la modulación
NRZ, la modulación RZ y la 4-PAM. Esta última requiere de 9.5dB más de
SNR para obtener la misma BER que una modulación NRZ. Sin embargo,
ocupa un ancho de banda mucho menor. Para llevar a cabo estas y otras
modulaciones, se pueden usar dos métodos distintos: la modulación directa o
la modulación externa. El uso de uno u otro método vendrá dado sobre
todo por la aplicación del sistema. Por ejemplo, para sistemas con una
velocidad binaria por encima de los 10 Gbps sólo será recomendable el uso
de la modulación externa. Independientemente del método de modulación
utilizado, existe un elemento de gran importancia dentro del modulador, el
driver. En el caso de la modulación directa, este elemento es el encargado de
proveer la potencia eléctrica necesaria y la modulación de la señal a la fuente
óptica. Mientras que en el caso de la modulación externa, su función es la de
70 Capı́tulo 2
proveer de la potencia eléctrica necesaria al modulador.

Por su parte, el módulo receptor es el encargado de convertir la
señal óptica procedente del canal en una señal eléctrica, que permita
la recuperación de la señal transmitida. Dentro de este módulo se
pueden distinguir tres componentes fundamentalmente: el fotodetector, el
amplificador de transimpedancia y el amplificador principal. El detector
y el TIA son las dos principales fuentes de ruido en el receptor. Es por
tanto importante minimizar el ruido generado por dichos elementos, de esta
forma se minimizará la degradación de la señal recibida y, por tanto, se
reducirá los errores en los bits recibidos. Dentro de los detectores caben
destacar los fotodiodos p-i-n y los fotodiodos APD. Ambos detectores generan
una señal eléctrica proporcional a la señal óptica recibida. Las caracterı́sticas
principales de los detectores: longitud de onda, responsividad, ancho de
banda, entre otras, vienen marcadas por el material de fabricación de los
fotodetector.
Finalmente, cabe destacar que la comunicación sı́ncrona de la información
es el método más idóneo para ser utilizado en los sistemas de comunicaciones
ópticas, ya que posee un alto rendimiento, cuenta con un flujo regular de datos
y es apto para ser utilizado con altas tasas binarias. La estandarización de
los sistemas sı́ncronos de comunicaciones ópticas no ha sido realizada por un
único organismo de estandarización. Sin embargo, tanto SONET (definido
por la ANSI) como SDH (definido por la ITU-T), son estándares que pese a
su independencia son compatibles.
Bibliografı́a
[1] Romeo López, J.M., El telégrafo óptico 1790-1850: Estudio crı́tico

comparativo de los diferentes sistemas de transmisión utilizados. I
Congreso de la Sociedad Española de Historia de las Ciencias, 1980.
[2] Fischer, S., Jean-Daniel Colladon savant et industriel genevois. Musée

d’histoire des sciences, 2010.
[3] Industrial Fiber Optics, Tyndall’s Historical Experiment.

Instruction Manual. Industrial Fiber Optics, 2008.
[4] Goff, D.R., Fiber Optic Reference Guide: A Practical Guide to the
Technology. Focal Press, 3rd Edition, 2002.
[5] Hutt, D.L., Snell, K.J. and Bélanger, P.A., Alexander Graham
Bell’s Photopone. Optics & Photonics news, 1993.
[6] Kao, K.C. and Hockham, G.A., Dielectric-fibre surface waveguides

for optical frequencies. Proc. IEE, vol. 113, pp. 1151–1158, 1966.
(Republished in Proc. IEE, vol. 133, Pt. J, pp. 191–198, 1986.)
[7] Keck, D.B., Optical fiber spans 30 years. Lightwave, special reports,
2000.
[8] Säckinger, E., Broadband Circuits for Optical Fiber Communication.

John Willey & Sons Inc., 2005.
[9] Hu, T.H. and Gray, P.R., A monolithic 480Mb/s parallel

AGC/decision/clock-recovery circuit in 1.2-µm CMOS. IEEE J.
SOlid-State Circuits, 1993.
[10] Mánica Rincón, M.A., Estudio de la fibra óptica y sus aplicaciones.

Monografı́a, Universidad Veracruzana, 2013.
71
72 Capı́tulo 2
[11] Blanco Vázquez, C., Diseño de sistemas ópticos de comunicaciones

de alta velocidad y capacidad. Parte 2a : Técnicas de diseño. PHAROS,
vol.12.n.2, 2005.
[12] Guerrero, E., Conceptos Básicos de Teleprocesos.UNEFA, 2010.
[13] Forouzan, B.A., Data Communications and Networking.

McGraw-Hill Companies, 4th Edition, 2007.
[14] Kaiser, G., Optical Fiber Communications. McGraw-Hill, 2nd Edition,

1991.
[15] España Boquera, M.C., Comunicaciones Ópticas. Conceptos

esenciales y resolución de ejercicios. Dı́az Santos, S.A., 2005.
[16] Lorenzo Gómez, P., Evaluación de sistemas de comunicaciones

ópticas y de radio sobre fibra a través de la caracterización de sus
diferentes subsistemas y dispositivos. Monografı́a, Universidad Autónoma
de Madrid, 2015.
[17] Tomasi, W., Sistemas de Comunicaciones Electrónicas. Pearson

Education, Prentice Hall, 4th Edition, 2003.
[18] Instrument Systems GmbH, Handbook of LED MEtrology, 2008.
[19] Soenen, W., Vyncke, A., Verbrugghe, J., Gillis, J. and

Bauwelinck, P., Evaluation of a discrete 4-PAM optical link for future
automotive networks. Annual Symposium of the IPS Benelux Chapter
Mons, Proceedings. p.69-72, 2012.
[20] Healy, A. and Morgan, C., A Comparison of 25 Gbps NRZ & PAM-4
Modulation Used in Legacy & Premium Channels. TE conectivity, 2012.
[21] Barazande-Pour, M., Koziuk, G. and Khoury, J., NRZ, PAM4

and Duobinary Modulation. Schemes for 10G Serial Ethernet. IEEE
802.3ap Backplane Ethernet Task Force Interim Meeting, 2004.
[22] Nagai, K. and Wada, H., 40 Gb/s EA modulator. OKI Technical

Review, Issue 190, vol.69.n.2, 2002.
[23] Long, A. and Powll, R., Design of an Opto-Electronic Modulator

Driver Amplifier for 40-Gb/s Data Rate Systems. Journal of Lightwave
Technology, vol.20.n.12, 2002.
[24] Centellax, OA4SSMM5 Datasheet. 40Gb/s 3.3V EA Modulator

Driver Amplifier. Cetellax, Inc., 2010.
[25] Telcordia Technologies, SONET transport systems: common

criteria, GR-253-Core, Issue 3. Telcordia Technologies, 2000. (Update
2005.)
[26] Senior, J.M., Optical Fiber Communications. Principles and Practice.

Pearson Education, Prentice Hall, 3rd edition, 2009.
[27] Martin Pereda, J.A., Sistemas y Redes óptica de comunicaciones.

Pearson Education, Prentice Hall, 2005.
[28] ITU-T Recommendation G.Supplement 39,Optical system design

and engineering considerations, 2016.
[29] Ramaswami, R., Sivarajan, K.N. and Sasaki, G.H., Optical

Networks. A practical Perspective. Morgan Kaufmann, 3rd edition, 2010.
[30] International Telecommunication Union,Optical fibres, cables

and systems. ITU-T Manual, 2009.
[31] Matesanz, M.A., Selección de un cable de fibra óptica. Cables y

Componenetes para Comunicaciones, S.L.
[32] Agrawal, G.P., Fiber-Optic Communication Systems. John Willey &

Sons Inc., 3rd Edition, 2002.
[33] Black, B. and Brisebois, G., Amplificadores de transimpedancia.

Arrow Electronics, 2015.
[34] Kim,, J. and Buckwalter, J.F., Bandwidth Enhancement With Low

Group-Delay Variation for a 40-Gb/s Transimpedance Amplifier. IEEE
Transactions on Circuits and Systems, vol.57, n.8, 2010.
[35] Chou, S.T., Huang, S.H. and Chen, W.Z, A 40 Gbps Optical
Receiver Analog Front-End in 65 nm CMOS. IEEE International
Symposium on Circuits and Systems (ISCAS), 2012.
74 Capı́tulo 2
Capı́tulo 3
Los amplificadores distribuidos
La evolución de los sistemas de comunicaciones ópticos hacia sistemas

con tasas binarias más elevadas, ha supuesto un gran reto, no sólo para la
parte óptica del sistema, sino también para la parte eléctrica.
En el caso del transmisor óptico, el dispositivo que más se ha visto
afectado por el aumento de la tasa binaria es el driver, debido a que para
poder soportar tasas binarias muy elevadas se requiere que este dispositivo
cuente con varias décadas de ancho de banda y una pequeña variación del
retardo de grupo, de forma que se minimice la distorsión de la señal.
Mientras que en el receptor, uno de los componentes que más se ve
afectado es el amplificador principal, el cual debe contar también con varias
décadas de ancho de banda, una pequeña variación del retardo y una baja
figura de ruido.
Para llevar a cabo el diseño del driver y el MA, será fundamental el uso de
técnicas de banda ancha. A continuación se enumeran las principales técnicas
de banda ancha que pueden ser utilizadas en ambos diseños [1].
Técnicas de realimentación:
• Realimentación enserie.
• Realimentación en paralelo.
Técnicas de reducción de carga:
• Búfer interetapa.
• Capacitancia negativa.
Técnicas inductivas.
• Carga inductiva.
75
76 Capı́tulo 3
• Red interetapa inductiva.

• Amplificador distribuido (distributed amplifier, DA).
Dentro de las anteriores técnicas cabe destacar los amplificadores

distribuidos, ya que son dispositivos capaces de proveer una ganancia
uniforme en un ancho de banda muy grande, de más de una década, ası́ como
una buena figura de ruido y una buena adaptación tanto a la entrada como
a la salida.
Este capı́tulo proporcionará al lector una visión global de la evolución de
los amplificadores distribuidos y los principios básicos de su funcionamiento.
Además, se detallará el estudio teórico de cuatro topologı́as de amplificadores
distribuidos llevadas a cabo.
3.1. Reseña histórica.

El concepto de amplificación distribuida fue propuesto por primera vez
por W. S. Percival en 1936 para mejorar el producto ganancia-ancho de
banda de los amplificadores de vı́deo de la época [2]. La idea de Parcival
consistı́a en acoplar dos lı́neas de transmisión artificiales, mediante válvulas
termoiónicas, permitiendo ası́ absorber las capacidades de entrada y salida
de dichas válvulas.
Aunque fue Parcival el inventor del concepto de amplificación distribuida,
el término como tal es debido a Ginzton et al [3]. En el artı́culo de estos
autores, publicado en 1948, no sólo se acuña por primera vez dicho término,
sino que, además, contiene las bases del análisis de estos amplificadores (en
cuanto a ruido, pérdidas, potencia, respuesta en frecuencia, etc.) e incluye
consideraciones de diseño que siguen vigentes en la actualidad.
En 1950, Horton et al. llevaron a cabo una publicación donde recogı́an una
serie de consideraciones prácticas sobre los amplificadores distribuidos. En
este trabajo se describen aspectos que no se habı́an considerado en trabajos
anteriores, además de sugerir métodos para compensar las limitaciones con
las que contaban este tipo de amplificadores, lo que les permitió obtener
anchos de banda del orden de 300 MHz [4].
Años más tarde, en 1954, Bassett determina la manera de mejorar el
rizado de la ganancia y la frecuencia de corte mediante la introducción de
elementos resistivos dentro de la estructura [5].
Se puede afirmar que con los anteriores trabajos, para principios de
los años 50 del siglo pasado, ya existı́a una metodologı́a de diseño de
amplificadores distribuidos consolidada que permitı́a obtener anchos de
banda del orden de varios cientos de MHz .
Los amplificadores distribuidos 77
Figura 3.1: Amplificador distribudio descrito por Ginzton et al.
La investigación en amplificadores distribuidos usando válvulas

termiónicas continuo durante los años siguientes, alcanzando su nivel de
madurez óptimo a finales de los años 60, cuando se comenzó su transferencia
a la tecnologı́a de dispositivos semiconductores [6].
El desarrollo de los transistores MESFET de GaAs en los años 60
renovó en los investigadores el interés por los amplificadores distribuidos,
debido a que estos intuyeron la posibilidad de combinar un aumento en el
ancho de banda con las ventajas propias de las tecnologı́as semiconductoras.
En 1967, Moser publicó el primer amplificador distribuido que hacı́a
uso de la tecnologı́a semiconductora, en concreto utilizando transistores
MESFET de GaAs [7]. Dos años después, Jutzi abrió el camino hacia
amplificadores distribuidos con anchos de banda del orden de decenas de
GHz, a través de su trabajo realizado en tecnologı́a hı́brida con un ancho de
banda de 2 GHz [8].
Debido a los parásitos de los componentes, enseguida se vio que con el
empleo de tecnologı́a hı́brida llegaba un momento en el que el aumento de
ancho de banda resultaba difı́cil. Por esto, el siguiente punto vital en el
desarrollo de los amplificadores distribuidos tuvo lugar con la utilización de
tecnologı́a monolı́tica para la implementación de este tipo amplificadores [6].
El primer amplificador distribuido en tecnologı́a GaAs monolı́tica fue
fabricado y testeado de manera satisfactoria en 1981 por Ayasli et al. Con
la intención de aumentar el ancho de banda, Ayasli et al. utilizaron un
nuevo enfoque en el diseño de su amplificador. En su enfoque ellos utilizaron
transistores FET como elementos activos y en lugar de utilizar bobinas,
tanto la lı́nea de puerta como la de drenador fueron implementadas con
lı́neas de transmisión [9]. En la Figura 3.2 se puede observar un esquema
del amplificador propuesto por estos autores. A este tipo de amplificador
78 Capı́tulo 3
distribuido, en el que las lı́neas de puerta y drenador son implementadas con

lı́neas de transmisión, se les conoce con el nombre de amplificador de onda
viajera (Travelling-Wave amplifier, TWA).
Figura 3.2: Amplificador distribuido descrito por Ayasli et al.
Al año siguiente, 1982, Strid y Gleason demostraron el correcto

funcionamiento de su amplificador distribuido, capaz de proporcionar una
ganancia de entorno a 9 dB en un ancho de banda de 12 GHz [10].
Tras estos primeros trabajos en tecnologı́a monolı́tica, los cuales
supusieron un punto de inflexión en el desarrollo de los amplificadores
distribuidos, cabe destacar las aportaciones metodológicas introducidas por
dos grupos de autores. La primera aportación se llevó a cabo por Niclas
et al., en 1983, y se centró en formalizar un método de diseño práctico de
amplificadores distribuidos, tanto con elementos discretos como distribuidos
[11]. Un año más tarde, Beyer et al. introdujeron la segunda aportación: la
expresión de la ganancia y el ancho de banda de un amplificador distribuido
en función de las constantes de propagación de entrada, de salida y de la
frecuencia de corte [12]. Siguiendo estas dos metodologı́a se consiguió, ya en
1984, alcanzar anchos de banda de 20 GHz.
A partir de este momento, las investigaciones en el área de los
amplificadores distribuidos se han centrado en introducir mejoras de
manera que se mejoren las prestaciones de este tipo de amplificadores,
fundamentalmente en su ancho de banda y en la potencia de salida. Estas
mejoras se basan en el empleo de nuevas tecnologı́as de los dispositivos
(HEMTs, HBTs, CMOS ...), el uso de diferentes tipos de lı́neas de transmisión
y el uso de diferentes configuración en la celda unidad del amplificador
distribuido [13]-[20]. Entre estas nuevas configuraciones cabe destacar la
topologı́a en cascodo, lo que proporciona a las celdas unidad de una mayor
ganancia, una resistencia de salida más elevada, mejor aislamiento y cierto
control en la ganancia del amplificador [21].
3.2. Funcionamiento básico de un

amplificador distribuido.
Un amplificador distribuido se basa en una serie de N elementos idénticos
de ganancia colocados a lo largo de una estructura de lı́neas de transmisión,
comportándose por tanto como una lı́nea de transmisión activa, Figura 3.3.
Figura 3.3: Esquema genérico de un amplificador distribuido.
La configuración básica de un amplificador distribuido de microondas se

puede ver en la Figura 3.4. El amplificador está compuesto por una secuencia
de N transistores FETs idénticos cuyas puertas se encuentran conectadas a
una lı́nea con impedancia caracterı́stica Zg y una longitud de lg , mientras
que cada uno de sus drenadores se encuentran conectados a una lı́nea de
transmisión con impedancia caracterı́stica Zd y una longitud de ld .
Figura 3.4: Amplificador distribuido de N etapas.
El funcionamiento de un amplificador distribuido es muy similar al de

un acoplador con múltiples agujeros en guı́a de onda. La señal de entrada se
introduce en la lı́nea de drenador, a través de la cual la señal se va propagando
y llegando a cada una de las puertas de los transistores para su posterior
80 Capı́tulo 3
amplificación. Cada uno de los transistores introduce en la lı́nea de drenador

una muestra de la señal amplificada. A la hora de llevar a cabo el diseño es
importante que las constantes de propagación y las longitudes eléctricas de
ambas lı́neas coincidan, de modo que las señales que viajan hacia el puerto
de salida se sumen de manera constructiva. Por otra parte, las impedancias
terminales de ambas lı́neas deben ser capaces de absorber la señales en sentido
inverso.
Para analizar con mayor profundidad el comportamiento de una
amplificador distribuido se pueden utilizar diferentes estrategias: realizar
un estudio en función de las cargas de las lı́neas de puerta y drenador
[22], utilizando el concepto de parámetros imagen [12] o a través de
una herramienta de diseño de circuitos. Los dos primeros métodos al
tratarse de métodos analı́ticos permiten ilustrar los principios subyacentes
del funcionamiento de este tipo de amplificadores, mientras que el uso de
una herramienta CAD permite obtener una mejor precisión y llevar a cabo
optimizaciones [23].
3.3. Análisis teórico de diversas

configuraciones de amplificadores
distribuidos
Con el fin de mejorar las prestaciones de los amplificadores distribuidos,
diferentes configuraciones han sido propuestas en los últimos años. Entre
todas las propuestas caben destacar las siguientes:
Amplificador distribuido con celdas de ganancia en fuente común.

Amplificador distribuido con celdas de ganancia en montaje cascodo.
Amplificador distribuido con celdas de ganancia en montaje cascodo
con una capacidad adicional en la puerta del transistor en puerta
común.
Amplificador distribuido con celdas de ganancia en montaje cascodo
con una capacidad adicional en la puerta del transistor en fuente
común.
A continuación se describe el análisis teórico, utilizando el concepto

de parámetros imagen, de las topologı́as anteriormente enumeradas. Con
dicho análisis se busca obtener una mejor comprensión de los principios de
funcionamiento de dichas estructuras.
3.3.1. Topologı́a en Fuente Común.

Los amplificadores distribuidos que cuentan con un transistor en fuente
común como elemento de ganancia, Figura 3.4, son los más ampliamente
utilizados en la literatura por su sencillez y sus considerables buenas
prestaciones.
3.3.1.1. Estudio de las lı́neas de puerta y drenador.

Para llevar a cabo el estudio de las lı́neas de puerta y drenador se ha
utilizado el método de los parámetros imagen, el cual permite estudiar ambas
lı́neas como una consecución en casacada de idénticas redes de dos puertos.
Es por esto, que es de gran ayuda la utilización de los parámetros ABCD
(ver Apéndice A).
Para comenzar con el estudio de este tipo de topologı́a es importante
determinar qué modelo en pequeña señal del transistor va a ser el utilizado.
En la Figura 3.5 se puede ver el modelo equivalente utilizado para llevar a
cabo el estudio.
Figura 3.5: Modelo en pequeña señal de un transistor de efecto de campo.
Teniendo en cuenta el anterior modelo de transistor, las lı́neas de

trasmisión del amplificador distribuido serán llevadas a cabo mediante las
celdas elementales representadas en la Figura 3.6:
La celda elemental de la lı́nea de puerta está compuesta por una

inductancia Lg y la capacidad de entrada del transistor de efecto de
campo (Cgs ) en serie con la resistencia del canal (Ri ).
Mientras que la celda elemental de la lı́nea de drenador está compuesta
por la inductancia Ld y la capacidad de salida del transistor de efecto de
campo (Cds ) en paralelo con la resistencia Rds y una fuente de corriente
controlada por una tensión.
82 Capı́tulo 3
Figura 3.6: Celdas elementales de la lı́nea de puerta (a) y de la lı́nea de

drenador (b) para una topologı́a en fuente común.
Las celdas elementales representadas en la Figura 3.6 pueden ser

identificadas como dos redes de dos puertos con estructura en T (ver Figura
3.7).
Figura 3.7: Representación de una red de dos puertos con estructura en T.
Por lo tanto, es posible identificar las impedancias Z1 y Z2 de ambas

lı́neas de transmisión, obteniendo las equivalencias recogidas en la Tabla 3.1.
Tabla 3.1: Correspondencia entre las impedancias de una estructura en T y

las celdas elementales de las lı́neas de puerta y drenador de un amplificador
distribuido en fuente común.
Puerta Drenador
Z1 jωLg jωLd
1 Rds
Z2 Ri +
jωCgs 1 + jωCds Rds
La obtención de las anteriores impedancias en las lı́neas de puerta

y drenador, permiten obtener los parámetros ABCD de ambas celdas
elementales sustituyendo en las siguientes ecuaciones dichas impedancias:
Z1
A=1+ (3.1)
2Z2
Z12
B = Z1 + (3.2)
4Z2
1
C= (3.3)
Z2
Z1
D =1+ (3.4)
2Z2
Una vez obtenidos los parámetros ABCD, de ambas lı́neas de transmisión,
es posible calcular las impedancias imagen de la lı́nea de puerta Zig y de la
lı́nea de drenador Zid .
De forma general la impedancia imagen de una red en T puede ser
obtenida a través de la siguiente expresión:
r r
B p Z1
Zi = = Z1 Z2 1 + (3.5)
C 4Z2
Por tanto, sustituyendo por las impedancias Z1 y Z2 recogidas en la Tabla
3.1, se tiene que las impedancias imagen de las lı́neas de puerta y drenador
pueden ser calculadas mediante las siguientes expresiones:
s s
ω 2 Lg Cgs

1 1
Zig = (jωLg ) Ri + 1− (3.6)
jωCgs 4 1 + jωRi Cgs
s s
Lg ω 2 Lg Cgs 1
Zig ≈ 1− (3.7)
Cgs 4 1 + jωRi Cgs
s s
jωLd ω 2 Ld Cds

Rds
Zid = (jωLd ) 1+ − (3.8)
1 + jωRds Cds 4Rds 4
r s
Ld jωLd ω 2 Ld Cds
Zid ≈ 1+ − (3.9)
Cds 4Rds 4
Para tener la mejor adaptación y la mı́nima reflexión en cada una de las
lı́neas artificiales de puerta y drenador, sucesiones de filtros de constante K,
se deberá tener en la terminación de ambas lı́neas su respectiva impedancia
imagen [24].
Es importante destacar que las impedancias imagen no son constantes, es
decir, presentan una dependencia con la frecuencia. Por ello, con una simple
carga resistiva en los terminales de dichas lı́neas no se podrá llevar a cabo la
adaptación para un amplio rango de frecuencias [25].
84 Capı́tulo 3
A partir de las fórmulas 3.6, 3.7, 3.8 y 3.9, es posible representar la parte
real e imaginaria de ambas impedancias imagen. Para ello, se va a utilizar un
transistor de 2 dedos y de una anchura de 25 µm de la tecnologı́a PL15-12
de Win Semiconductors R , polarizado con Vds = 2 V y Vgs = −0,1 V. Bajo
estas condiciones dicho transistor cuenta con los componentes en pequeña
señal recogidos en la siguiente tabla (ver Apéndice C):
Tabla 3.2: Componentes del modelo en pequeña señal de un transistores 2x25

µm con Vds = 2 V y Vgs = −0,1 V.
Ri (Ohm) Cgs (fF) Rds (Ohm) Cds (fF) Lg (nH) Ld (nH) gm(mS)
4 56 440 4.3 0.14 0.01075 38.5
En la Figura 3.8 se puede ver la evolución de la impedancia caracterı́stica

de la celda elemental de la lı́nea de puerta en función de la frecuencia.
Figura 3.8: Parte real e imaginaria de la impedancia imagen de la lı́nea de

puerta, topologı́a en fuente común.
En este caso, se comprueba que la impedancia imagen obtenida mediante

la expresión aproximada se ajusta bastante bien a la obtenida en el caso
de la formulación completa. Es importante destacar que la parte real de
esta impedancia decrece a media que se incrementa la frecuencia. Mientas
que la parte imaginaria, a partir de una frecuencia en torno a los 70 GHz,
crece rápidamente. A través de esta figura se puede apreciar la dificultad de

adaptar la lı́nea de puerta en un rango de frecuencias elevado.
En la Figura 3.9 se puede ver la evolución de la impedancia caracterı́stica
de la lı́nea de drenador en función de la frecuencia. En este caso, se comprueba
que el ajuste entre la formulación exacta y aproximada es muy buena.
Además, la impedancia imagen se mantiene casi invariante a lo largo del
mismo rango de frecuencias analizado en el caso de la lı́nea de puerta, es
decir, al presentar menor dependencia con la frecuencia esta lı́nea será más
sencilla de adaptar para un amplio rango de frecuencias.

drenador, topologı́a en fuente común.
3.3.1.1.1 Frecuencia de corte.
Si en las ecuaciones 3.6 y 3.8 se considera que el valor de Ri es muy

pequeño y que el valor de Rds es muy grande, dichas fórmulas derivan en las
ecuaciones clásicas de la impedancia imagen de secciones de constante K de
un filtro paso bajo en T:
s r
Lg ω 2 Lg Cgs
Zig = 1− (3.10)
Cgs 4
86 Capı́tulo 3
r r
Ld ω 2 Ld Cds
Zid = 1− (3.11)
Cds 4
De forma general se puede definir la frecuencia de corte ωc como:
2
ωc = √ (3.12)
LC
La anterior expresión permite reescribir las ecuaciones 3.10 y 3.11 como:
s s
Lg ω2
Zig = 1− 2 (3.13)
Cgs ωcg
r s
Ld ω2
Zid = 1− 2
(3.14)
Cds ωcd
donde ωcg y ωcd son la frecuencia de corte de la lı́nea de puerta y de
drenador, respectivamente.
2
ωcg = p (3.15)
Lg Cgs
2
ωcd = √ (3.16)
Ld Cds
Teniendo en cuenta que Cgs es mucho mayor que Cds la frecuencia de corte
de la lı́nea de puerta es más pequeña que la lı́nea de drenador y, por tanto,
será la lı́nea que marcará la frecuencia de corte del amplificador distribuido.
3.3.1.1.2 Constantes de propagación.

Los coeficientes de atenuación y las constantes de fase de las lı́neas
de puerta y drenador son los elementos crı́ticos en la concepción de los
amplificadores distribuidos. Por un lado, las pérdidas producidas en las
lı́neas determinaran el número máximo de etapas del amplificador. Por otro
lado, para optimizar la ganancia y la potencia de salida, es importante la
diferencia de fase entre dos celdas de ganancia consecutivas, de manera que
las corrientes suministradas por cada etapa amplificadora estén en fase y, por
tanto, se sumen.
Las expresiones del coeficiente atenuación α y de la constante de fase de un
amplificador distribuido β, pueden ser derivadas de la función de propagación
(γ) de un filtro de constante K, a través de la siguiente relación [26]:
Z1
cosh(γ) = cosh(α + jβ) = 1 + (3.17)
2Z2
Al igual que en el cálculo de la impedancia imagen, la Ecuación 3.17
depende de las impedancias Z1 y Z2 y, por tanto, de la celda elemental: lı́nea
de drenador o de puerta. A continuación, se particulariza esta expresión
para las lı́neas de drenador y puerta de un amplificador distribuido en fuente
común.
1. Lı́nea de drenador.
Para particularizar la Ecuación 3.17 a la celda elemental de la lı́nea de
drenador, basta con sustituir en dicha expresión las impedancias Z1 y
Z2 de esta lı́nea, Tabla 3.1.
Z1 jωLd ω 2 Cds Rds Ld ωLd

cosh(α+jβ) = 1+ = 1+ = 1− +j
2Z2 Rds 2Rds 2Rds
2
1 + jωCds Rds
(3.18)
Teniendo en cuenta el desarrollo del coseno hiperbólico:
cosh(α + jβ) = cosh(α)cos(β) + jsinh(α)sin(β) (3.19)
Por inspección, se pueden obtener las siguientes relaciones:
ω 2 Cds Rds Ld
cosh(α)cos(β) = 1 − (3.20)
2Rds
ωLd
sinh(α)sin(β) = (3.21)
2Rds
Si se considera que las pérdidas en la lı́nea son pequeñas, α → 0, se
tiene que:
α2
cosh(α) ≈ 1 + ≈1 (3.22)
2
sinh(α) ≈ α (3.23)
Del mismo modo, si se considera que el desfase entre etapas es pequeño,

β → 0, lo que es lógico en el caso de un amplificador distribuido
88 Capı́tulo 3
β2
cos(β) ≈ 1 − (3.24)
2
Sustituyendo las expresiones 3.22 y 3.24 en la Ecuación 3.20 se obtiene
la constante de fase de la lı́nea de drenador como:
β2 ω 2 Cds Ld

1 1− =1−
2 2
β 2 = ω 2 Cds Ld
p
βd−sc = ω Cds Ld (3.25)
Mientras que al sustituir las expresiones 3.23, 3.24 y la expresión de

la constante de fase (Ecuación 3.25) en la Ecuación 3.21 se obtiene el
coeficiente de atenuación de la lı́nea de drenador.
ωLd
αsin(β) =
2Rds
p
2
ωLd
α 1 − cos (β) =
s 2Rds
2
ω 2 Cds Ld

ωLd
α 1− 1− =
2 2Rds
p
Ld /Cds
αd−sc = √ (3.26)
Rds 4 − ω 2 Cds Ld
2. Lı́nea de puerta.
Del mismo modo que para la lı́nea de drenador, para particularizar la
Ecuación 3.17 basta con sustituir en ella las impedancias Z1 y Z2 de la
lı́nea de puerta, Tabla 3.1.
ω 2 Lg Cgs ω 3 Lg Cgs
2
Ri
cosh(α + jβ) = 1 − + j (3.27)
2(1 + ω 2 Ri2 Cgs
2 ) 2(1 + ω 2 Ri2 Cgs
2 )
Teniendo de nuevo en cuenta el desarrollo del coseno hiperbólico

(Ecuación 3.19), por inspección se pueden obtener las siguientes
relaciones:
ω 2 Lg Cgs
cosh(α)cos(β) = 1 − (3.28)
2(1 + ω 2 Ri2 Cgs
2 )
ω 3 Lg Cgs
2
Ri
sinh(α)sin(β) = 2 2 2
(3.29)
2(1 + ω Ri Cgs )
Haciendo las mismas suposiciones que en el caso de la lı́nea de drenador,

es posible sustituir las expresiones 3.22 y 3.24 en la Ecuación 3.28 y
obtener la constante de fase de la lı́nea de puerta como:
β2 ω 2 Lg Cgs

1 1− =1−
2 2(1 + ω 2 Ri2 Cgs
2 )
s
Lg Cgs
β2 = ω
1 + ω 2 Ri2 Cgs
2
Si se tiene en cuenta que Ri generalmente es de pequeño valor, la

anterior expresión se puede simplificar como:
p
βg−sc = ω Lg Cgs (3.30)
Por otro lado, al sustituir las expresiones 3.23, 3.24 y la expresión de

la constante de fase (Ecuación 3.30) en la Ecuación 3.29 se obtiene el
coeficiente de atenuación de la lı́nea de puerta.
ω 3 Lg Cgs
2
Ri
αsin(β) = 2 2 2
2(1 + ω Ri Cgs )
p ω 3 Lg Cgs
2
Ri
α 1 − cos2 (β) = 2
2(1 + ω 2 Ri Cgs 2 )
s
2
ω 2 Cgs Lg ω 3 Lg Cgs
2
Ri

α 1− 1− 2
= 2
2(1 + ω 2 Ri Cgs2 ) 2(1 + ω 2 Ri Cgs 2 )
p
ω 2 Ri Cgs Lg /Cgs
αg−sc = p (3.31)
4 + (2ωRi Cgs )2 − ω 2 Lg Cgs
Tanto los coeficiencias de atenuación como las constantes de fase de ambas

lı́neas, pueden ser representados en función de la frecuencia gracias a las
ecuaciones 3.25, 3.26, 3.30 y 3.31. En la Figura 3.10 se puede ver dicha
90 Capı́tulo 3
representación considerando un transistor de 2x25 µm polarizado con Vds = 2

V y Vgs = −0,1 V.
En la parte izquierda de la Figura 3.10 están representados los coeficientes
de atenuación αd y αg de las celdas elementales de la lı́nea de drenador y de
puerta para el caso de una amplificador distribuido en fuente común. En dicha
figura se puede ver claramente que el coeficiente de atenuación de la lı́nea
de puerta presenta una mayor dependencia con la frecuencia que la lı́nea de
drenador. Es importante destacar, que para frecuencias bajas, la atenuación
de las celdas elementales de la lı́nea de drenador es superior al obtenido por
las celdas elementales de la lı́nea de puerta. Sin embargo, para frecuencias
elevadas es la atenuación de la lı́nea de puerta la que es predominante.
En la parte derecha de la Figura 3.10 están representadas las constantes
de fase βd y βg de las celdas elementales de puerta y drenador en función de
la frecuencia. Como puede observarse en dicha figura las constantes de fase
son diferentes y la relación βg /βd es igual a la relación de las capacidades
Cgs /Cds . Sin embargo, es necesario que los tiempos de propagación de ambas
lı́neas (Tpg y Tpd ) sean equivalentes para optimizar la ganancia a la salida,
por lo que será importante las longitudes de las lı́neas (lg y ld ) [27].
Tpg = Tpd
βg lg = βd ld (3.32)
Figura 3.10: Atenuación y constante de propagación de las celdas elementales

de las lı́neas de puerta y drenador de la topologı́a en fuente común.
3.3.1.2. Ganancia del amplificador distribuido.

Para comprender en mayor medida el funcionamiento de un amplificador
distribuido es necesario definir sus ganancias: directa e indirecta. Estos dos
parámetros son necesarios para la buena comprensión de la respuesta en
frecuencia y del ruido de este tipo de amplificadores.
El estudio de la obtención de las ganancias en el caso de un amplificador
distribuido en fuente común se apoyará en los esquemas de la Figura 3.11 y
de la Figura 3.12.
Figura 3.11: Esquema de la lı́nea de puerta de un amplificador distribuido

en fuente común.
Figura 3.12: Esquema de la lı́nea de drenador de un amplificador distribuido

en fuente común.
3.3.1.2.1 Ganancia directa.

La corriente I0 en la impedancia de salida, puede ser calculada como la
suma de las corrientes de las n celdas amplificadoras:
2n − 1 2n − 3 γd
 
1 −jγd −jγd −j
I0 = I1 e 2 + I2 e 2 + . . . + In e 2  (3.33)
2
92 Capı́tulo 3
La corrientes I1 , . . . , In son generadas a través de la transconductancia

gm controladas por la tensión Vc en los bornes de la capacidad Cgs . Estas
corrientes y tensiones pueden ser expresadas como:
I1 = gmVc1 , I2 = gmVc2 , . . . , In = gmVcn (3.34)
γg γg 2n − 1
−j −j3 −jγg
VC1 = Vi e 2 , VC2 = Ve e 2 , . . . , VCn = Ve e 2 (3.35)
donde Vi es la tensión de entrada del amplificador distribuido.

De forma general, la tensión Vck en los bornes de la capacidad Cgs del
transistor k-ésimo, puede ser expresada como [12]:

−(2k − 1)γg ω
Vi exp − jtan−1
2 ωg
Vck = s 2 2 ! (3.36)
ω ω
1+ 1−
ωg ωc
1
donde ωg = y teniendo en cuenta que βg = βd = β.
Ri Cgs
Sustituyendo en la Ecuación 3.33 las expresiones 3.34 y 3.36, se obtiene la
siguiente expresión que permite calcular la corriente de salida del amplificador
distribuido.
αd + αg −j nβ+tan−1  ω 
  

n(αd − αg ) −n
ωg
gmVi sinh e 2 e
2
I0 = s 2 2 ! (3.37)
ω ω αd − αg
2 1+ 1− sinh
ωg ωc 2
Si se define la ganancia directa, Gf , en función de la potencia a la entrada

y la potencia a la salida del amplificador distribuido, esta se puede escribir
como:
2
Po I0 Re(Zid )
G = Gf = = (3.38)
Pi Vi Re(Zig )
Teniendo en cuenta que las partes reales de las impedancias imagen de
las lı́neas artificiales pueden ser aproximadas por las ecuaciones 3.13 y 3.14,
y que las frecuencias de corte de las dos lı́neas son casi idénticas e iguales
a ωc , se puede obtener una expresión de la ganancia como la mostrada a

continuación [12].

−n(αd +αg ) 2 n(αd − αg )
s r e sinh
gm2 Lg Ld 2
Gsc = ! !
4 Cgs Cds
ω
2
ω
2
αd − αg

1− 1+ sinh 2
ωc ωg 2
(3.39)
Con la expresión anterior de la ganancia se puede ver claramente la
influencia que los coeficientes de atenuación tienen en la ganancia del
amplificador distribuido. Si se supone que las lı́neas del amplificador no tienen
pérdidas, αd = αg = 0, la Ecuación 3.39 se puede escribir como:
n2 gm2 Zig Zid

G= (3.40)
4
La Ecuación 3.40 representa lo que se conoce con el nombre de la
ganancia en DC, la cual es proporcional al cuadrado de la transconductancia
del transistor y el número de celdas. Además, esta expresión depende de
las impedancias imagen de las lı́neas artificiales. Tras un análisis de esta
expresión podrı́a parecer que es posible aumentar la ganancia con el mero
hecho de aumentar el número de etapas amplificadoras, lo que no es cierto, ya
que no se debe olvidar que para obtener esta expresión se ha debido suponer
unas pérdidas en las lı́neas iguales a cero.
En la Figura 3.13 se puede ver la evolución de la ganancia de un
amplificador distribuido con celdas de ganancia elaboradas mediante un
transistor en fuente común de 2x25 µm, polarizado con Vds = 2 V y
Vgs = −0,1 V. En esta gráfica se aprecia que al aumentar el número de
etapas amplificadoras se incrementa la ganancia pero se reduce el ancho de
banda. Además, se puede ver el efecto de utilizar la expresión completa de
la ganancia (Ecuación 3.39) o la ecuación simplificada (Ecuación 3.40). Que
si bien, para una única etapa amplificadora la diferencia es despreciables, a
medida que se aumentan las etapas esta diferencia se hace significativa.
3.3.1.2.2 Número óptimo de etapas amplificadoras.

La función de la ganancia daba por la Ecuación 3.39 presenta un máximo
para un determinado número de etapas amplificadoras, ηopt . Por tanto, el
número óptimo de etapas puede ser obtenido mediante la derivada parcial de
la ganancia con respecto a n e igualando a 0. Al hacer esto se obtiene:
94 Capı́tulo 3
Figura 3.13: Ganancia de un amplificador distribuido en fuente común en

función de la frecuencia y el número de etapas.
ln(αd ) − ln(αg )
ηopt = (3.41)
αd − αg
Dado que los coeficientes de atenuación son dependientes de la frecuencia,
el número óptimo de celdas amplificadoras también lo será.
3.3.1.2.3 Ganancia indirecta.
La definición de la ganancia indirecta es muy útil para el estudio del

factor de ruido del amplificador distribuido y para determinar la influencia
de las reflexiones de la lı́nea de drenador.
La corriente I0 en la terminación de drenador, puede ser calculada como
la suma de las corrientes procedentes de las n celdas amplificadoras:
γd 3 2n − 1
 
1 −j −jγd −jγd
I0R = I1 e 2 + I2 e 2 + . . . + In e 2  (3.42)
2
Teniendo en cuenta las intensidades I1 , . . . , In pueden ser calculadas como

en el caso de I0 a través de la Ecuación 3.34 y que estas a su vez pueden ser
expresadas en función de la tensión Vck (Ecuación 3.36), la intensidad I0R
puede ser escrita como:
La corrientes I1 , . . . , In son generadas a través de la transconductancia

gm controladas por la tensión Vc en los bornes de la capacidad Cgs . Estas
corrientes y tensiones pueden ser expresadas como:
αg −j nβ+tan−1  ω 
  

n(γd + γg ) −n
ωg
gmVi sinh e 2 e
2
I0R = s 2 2 ! (3.43)
ω ω γd + γg
2 1+ 1− sinh
ωg ωc 2
Si se define la ganancia inversa, Gr , en función de la potencia a la entrada

y la potencia disponible en la terminación del drenador, esta se puede escribir
como:
2
Pod I0R Re(Zid )
Gr = = (3.44)
Pi Vi Re(Zig )
Teniendo en cuenta de nuevo que las partes reales de las impedancias
imagen de las lı́neas artificiales pueden ser aproximadas por las ecuaciones
3.13 y 3.14, y que las frecuencias de corte de las dos lı́neas son casi idénticas
e iguales a ωc , se puede obtener una expresión de la ganancia inversa como
la descrita a continuación.

n(γ d + γg )
s r e−nαg sinh2
gm2 Lg Ld 2
Gr = ! !
4 Cgs Cds
ω
2
ω
2
γd + γg

1− 1+ sinh2
ωc ωg 2
(3.45)
Si se considera que las pérdidas de las lı́neas son despreciables y que las
constantes de fase de las dos lı́neas son las mismas e iguales a β, la Ecuación
3.45 puede ser escrita como:
s r
gm2 Lg Ld e−nαg sinh2 (nβ)
Gr = 2 ! 2 ! (3.46)
4 Cgs Cds ω ω
1− 1+ sinh2 (β)
ωc ωg
Como las funciones seno hiperbólico y seno son muy semejantes para
ángulos pequeños, en la Ecuación 3.46 el seno hiperbólico puede ser
reemplazado por la función seno. Por tanto, la evolución de la ganancia
96 Capı́tulo 3
2
sin(nβ)
inversa vendrá dada por la función , Figura 3.14. En la
sinβ
representación de dicha función se puede ver como el número de máximos de
dicha función depende directamente del número de etapas (tantos máximos
como etapas) y que por lo general toma un valor pequeño salvo para aquellos
valores de nβ cercanos a 0 ó a π. Es importante destacar este aspecto ya que
como se verá más adelante tiene una relación directa con el cálculo del factor
de ruido.
2
sin(nβ)
Figura 3.14: Gráfica de la función en función de β para n=3,
sinβ
n=5 y n=7.
3.3.1.3. Retardo de grupo.

En los sistemas de telecomunicaciones con altas tasas binarias, como es
el caso de las comunicaciones ópticas, la minimización de la variación del
retardo de grupo (GDV) es uno de los principales desafı́os en el diseño de los
transceptores ópticos.
Una gran variación del retardo de grupo provocarı́a una distorsión en la
forma del pulso, dando como resultado una interferencia intersimbólica (ISI),
lo cual es una fuente de errores en los sistemas de comunicaciones.
3.3.1.3.1 Definición general.

El retardo grupo, τg , se define como la variación negativa de la fase de
H(ω) con respecto a ω.
∂φ ∂
τg = − =− {arg(H(ω))} (3.47)
∂ω ∂ω
Por tanto, para calcular el retardo de grupo de un dispositivo cualquiera,
es necesario calcular en primer lugar su función de transferencia H(ω), Figura
3.15, la cual puede ser obtenida a través de la siguiente expresión:
Vo (ω)
H(ω) = (3.48)
Vi (ω)
En general, H(ω) es un número complejo de la forma: H(ω) = a + jb; por
lo que la fase de la función de transferencia puede ser obtenida como:

b
φ = arg(H(ω)) = arctg (3.49)
a
Una vez definido el retardo de forma general, se procede a detallar el
proceso de obtención del retardo de grupo para un amplificador distribuido
con celdas de ganancia compuestas por transistores en fuente común.
Figura 3.15: Función de transferencia.
3.3.1.3.2 Retardo de grupo transistor fuente común.

Para estudiar el efecto que las distintas topologı́as de amplificadores
distribuidos tienen en el retardo de grupo, se ha supuesto que el único
elemento que varı́a es es elemento activo. Por tanto, en este primer caso,
se va a proceder a detallar el retardo de grupo introducido por un transistor
en fuente común, Figura 3.16.
1 Rds + Zl
Teniendo en cuenta que Z = con A = , se puede
A + jωC2 Rds Zl
reescribir el circuito de la forma mostrada en la Figura 3.17.
Aplicando la Ley de las corriente de Kirchhoff (LCK), también conocida
como ley de nodos, es posible calcular las ecuaciones que permitirán obtener
la función de transferencia del transistor en fuente común.
98 Capı́tulo 3
Figura 3.16: Modelo en pequeña señal de un transistor en fuente común.
Figura 3.17: Esquema utilizado para el cálculo del retardo de grupo de un

transistor en fuente común.
Nodo G:
Vi−Vg Vg V g − Vo
= +
Ri 1 1
jωCgs jωCgd

Vi 1
= Vg jωCgs + jωCgd + − Vo jωCgd (3.50)
Ri Ri
Nodo D:
Vg − Vo Vo
= gmV g +
1 Z
jωCgd

1
Vg (−gm + jωCgd ) = Vo + jωCgd
Z
A + jωB
Vg = Vo (3.51)
−gm + jωCgd
con B = Cgd + Cds .
En la Ecuación 3.50 se despeja la tensión de entrada, Vi , quedando la

siguiente expresión:
Vi = Vg (1 + jωC) − Vo jωD (3.52)

donde C = Cgs Ri + Cgd Ri y D = Cgd Ri .
En esta última ecuación se sustituye Vg por la expresión dada por la
Ecuación 3.51.
A + jωB
Vi = Vo (1 + jωC) − Vo jωD
−gm + jωCgd
Operando se obtiene:
Vi H + jωF
=
Vo −gm + jωCgd
donde E = AC + B, F = E + gmD, G = A − w2 BC y H = G + w2 Cgd D.

Vo
Para calcular la función de transferencia interesa obtener la relación ,
Vi
por tanto, se debe calcular la inversa de la anterior expresión.
V0 −gm + jωCgd
=
Vi H + jωF
De esta expresión interesa conocer la parte real e imaginaria, para lo

cual es necesario multiplicar y dividir dicha expresión por el conjugado del
denominador, obteniéndose la siguiente relación.

V0 −gm + jωCgd H − jωF
=
Vi H + jωF H − jωF
Finalmente, teniendo que I = w(Cgd H + gmF ) y K = −gmH + w2 Cgd F ,

la función de transferencia en este caso puede ser expresada como:
Vo (ω) K + jI
Hsc (ω) = = 2 (3.53)
Vi (ω) H + (wF )2
Una vez obtenida la función de transferencia es posible calcular su fase
mediante la relación:
100 Capı́tulo 3

I
φsc = arctg (3.54)
K
El cálculo de la fase de la función de transferencia permite obtener el
retardo de grupo del transistor en fuente común a través de la Ecuación
3.55.
∂I ∂K
∂φ K− I
τg−sc = − = − ∂ω 2 ∂ω (3.55)
∂ω I + K2
El retardo de grupo pueden ser representado en función de la frecuencia
gracias a la anterior ecuación. En la Figura 3.18 se puede ver dicha
representación considerando un transistor de 2x25 µm polarizado con Vds = 2
V y Vgs = −0,1 V.
Figura 3.18: Retardo de grupo en función de la frecuencia de un transistor

en fuente común.
Para comprobar la formulación obtenida, se puede configurar un

esquemático de ADS R , dónde se obtenga el retardo de grupo de un transistor
ideal con los mismos parámetros (gm, Cgs , Cgd , Cds , ...) que los utilizados
en Matlab R , parte izquierda de la Figura 3.19. También se puede incluir
en el mismo esquemático un transistor real obtenido de la librerı́a PL15-12,
escogiendo el tamaño y la polarización de forma que coincida con lo utilizado
hasta ahora, parte derecha de la Figura 3.19. Para obtener el retardo de
grupo entre la entrada y salida de ambos transistores en necesario realizar
una simulación de parámetros S y habilitar en la pestaña de parámetros el
retardo de grupo.
Figura 3.19: Configuración del esquemático de ADS R , para la comprobación

de la formulación.
En la Figura 3.20 se puede ver el retardo de grupo obtenido mediante

ADS R para el transistor ideal (lı́nea continua en azul) y el transistor de
librerı́a (lı́nea verde con cı́rculos).
Figura 3.20: Retardo de grupo en función de la frecuencia obtenido por

ADS R : transistor ideal y transistor de la librerı́a PL15-12 (cı́rculos).
Comparando la Figura 3.20 con la Figura 3.18 se puede ver que el retardo
de grupo obtenido mediante la formulación coincide perfectamente con el
obtenido en el caso del transistor ideal. Sin embargo, la gráfica del retardo
de grupo del transistor de librerı́a se encuentra desplazada verticalmente pero
no ve modificada su forma, es decir, la variación del retardo de grupo es la
misma, lo que realmente es interesante. Si se quisiese ajustar completamente
la fórmula bastarı́a con efectuar una traslación vertical a la función del
0
retardo de grupo: τg−sc = τg−sc + Cte.
Una vez validada la formulación, es posible comprobar el efecto que tiene
la modificación de la polarización en el retardo de grupo, Figura 3.21.
102 Capı́tulo 3
Figura 3.21: Retardo de grupo de un transistor en fuente común en función

de la frecuencia y del punto de polarización.
También es posible estudiar el efecto que tiene la modificación del tamaño

del transistor en el retardo de grupo, Figura 3.22.

de la frecuencia y del tamaño.
De esta manera, se comprueba que el aumento del ancho de la puerta del

transistor hace que la variación del retardo de grupo se incremente. En el
caso representado en la figura, se pasa de tener una variación del retardo de
grupo de 3.95 ps (2x25 µm) a 13.06 ps (2x75 µm), siempre suponiendo que
los transistores se encuentran polarizados bajo las mismas condiciones.
De igual forma, también es posible determinar el efecto en el retardo de

grupo del aumento del número de dedos, Figura 3.23 y Figura 3.24.

de la frecuencia y del número de dedos.
Como se puede observar en la anterior figura, al incrementar el número

de dedos, lı́nea discontinua, la pendiente del retardo de grupo es mayor, es
decir, la variación del retardo de grupo se verá incrementada. En el caso
concreto representado en la figura, se pasa de tener una variación del retardo
de grupo de 3.95 ps (2x25 µm) a 9.8 ps (4x25 µm), siempre suponiendo que
los transistores se encuentran polarizados bajo las mismas condiciones.
Además, en la Figura 3.24 se puede comprobar que dos transistores con
el mismo tamaño equivalente, pero diferente número de dedos y anchura de
puerta, no presentan el mismo retardo de grupo. En concreto, el transistor
con un número mayor de dedos, 4x25 µm, presenta un retardo de grupo que
coincide para frecuencias elevadas con el obtenido para un menor número
de dedos, 2x50 µm, sin embargo, a bajas frecuencias su retardo de grupo es
mayor. Este hecho provoca que el transistor con un número de dedos mayor
presente una variación del retardo de grupo mayor, 9.8 ps frente a 7.56 ps.
El aumento de dicha variación se debe a la modificación de los parámetros
en pequeña señal del modelo del transistor, sobre todo al incremento en un
9.7 % de la capacidad Cgs y a la disminución en un 5.4 % de la resistencia
Rds . Estos parámetros quedan recogidos en la Tabla 3.3 y han sido calculados
con las expresiones recogidas en el Apéndice C.
104 Capı́tulo 3
Tabla 3.3: Parámetros en pequeña señal del los transistores: 2x50 µm y 4x25
µm.
Tamaño Cgs (fF) Cgd (fF) Cds (fF) Rds (fF) gm (mS)
2x50 µm 93 14.67 10 232.5 72.7
4x25 µm 103 20.8 13.4 220 77
Figura 3.24: Retardo de grupo en función de la frecuencia de dos transistores

con el tamaño equivalente: 2x50 µm y 4x25 µm.
3.3.2. Topologı́a en Cascodo.

A continuación se describe el estudio llevado a cabo en una de las
estructuras de amplificadores distribuidos más utilizadas en la literatura:
la topologı́a en cascodo, Figura 3.25.
Esta topologı́a se basa en utilizar como celda de ganancia un montaje en
casacodo, es decir, en combinar dos transistores: el transistor M1 en fuente
común y el transistor M2 en puerta común.
El uso de esta estructura permite [28]:
La disminución del efecto Miller. Por tanto, se mejora el aislamiento

entre la entrada y la salida, se incrementa el ancho de banda y se
produce una reducción del rizado de la ganancia.
Una compensación de las pérdidas de la lı́nea de drenador y con ello

una mejora en la ganancia.
Realizar cierto control sobre la ganancia del amplificador distribuido

gracias a la tensión de polarización de la puerta del transistor en puerta
común, Vg2 .
Sin embargo, esta topologı́a cuenta con una desventaja importante,

su mayor tendencia, con respecto a la topologı́a en fuente común, a la
inestabilidad debido a que la resistencia de salida puede hacerse negativa
para frecuencias próximas a la frecuencia de corte [28].
Figura 3.25: Etapa de ganancia en configuración cascodo.

De nuevo, se ha vuelto a utilizar el método de los parámetros imagen
para llevar a cabo el estudio de las lı́neas de puerta y drenador.
En primer lugar se sustituyen los transistores de la celda de ganancia,
Figura 3.25, por sus modelos en pequeña señal, obteniendo el circuito
equivalente mostrado en la Figura 3.26.
Figura 3.26: Modelo en pequeña señal de la etapa de ganancia en

configuración cascodo.
106 Capı́tulo 3
Teniendo en cuenta el circuito equivalente anterior es posible determinar

las celdas elementales de las lı́neas de puerta y drenador, representadas en la
Figura 3.27.

drenador (b) para una topologı́a en cascodo.
Como en el caso del transistor en fuente común, las celdas elementales

representadas en la Figura 3.27 pueden ser identificadas como dos redes
de dos puertos con estructura en T y cuyas impedancias Z1 y Z2 quedan
recogidas en la Tabla 3.4.

distribuido con topologı́a en cascodo.
Puerta Drenador
Z1 jωLg jωLd
1 + jωRi2 Cgs2 Rds1
 
1 Rds2  jωCgs2 1 + jωRds1 Cds1 
Z2 Ri1 + +
 1 + jωRi2 Cgs2

jωCgs1 1 + jωCds2 Rds2 Rds1 
+
jωCgs2 1 + jωRds1 Cds1
Si se compara esta tabla con la obtenida para el caso de un transistor

en fuente común (Tabla 3.1), se comprueba que sólo se han modificado la
impedancia Z2 de la lı́nea de drenador, lo que era de esperar ya que la celda
elemental de la puerta no se ha visto modificada. Este hecho hace que la
impedancia imagen de la lı́nea de puerta no se vea modificada con respecto
al transistor en fuente común:
s s
ω 2 Lg Cgs1

1 1
Zigc = (jωLg ) Ri1 + 1− (3.56)
jωCgs1 4 1 + jωRi1 Cgs1
s s
Lg ω 2 Lg Cgs1 1
Zigc ≈ 1− (3.57)
Cgs1 4 1 + jωRi1 Cgs1
Mientras que en el caso de la lı́nea de drenador existe un aumento en la
impedancia Z2 que se traduce a su vez en una modificación de la expresión
de la impedancia imagen:
r
p Z1d
Zidc = Z1d Z2d 1 + (3.58)
4Z2d
s r
1 1 Z1d
Zidc ≈ Ld + 1+
Cds2 Cds1 + Cgs2 4Z2d
r r
Ld Z1d
Zidc ≈ 1+ (3.59)
Ced 4Z2d
A partir de las fórmulas 3.56, 3.57, 3.58 y 3.59, es posible representar
la parte real e imaginaria de ambas impedancias imagen. Para ello, se va a
tener en cuenta que ambos transistores del cascodo son del mismo tamaño
(2x25 µm) y que están polarizados en el mismo punto (Vds = 2 V y Vgs =
−0,1 V). Por tanto, los componente en pequeña señal serán los mismos a los
utilizados para el caso del transistor en fuente común (ver Tabla 3.2), salvo
la inductancia de drenador que pasarı́a a ser: Ld = 502 Ced = 0,01003 nH.
Debido a que la celda elemental de la lı́nea de puerta no se ha visto
modificada, la representación de la impedancia imagen en función de la
frecuencia tampoco se ve modificada con respecto al transistor en fuente
común.
En la Figura 3.28 se puede ver la evolución de la parte real e imaginaria
de la impedancia de la lı́nea de drenador obtenida mediante la formulación
exacta (Ecuación 3.58) y su aproximación (3.59). Mientras que la parte
real se mantiene casi plana, con un valor de 50 Ω, en el caso de la
aproximación, la formulación completa muestra una evolución de dicha
componente desde un valor muy bajo a una impedancia de 46 Ω. Por otro
lado, la parte imaginaria de la impedancia imagen se mantiene a cero para
el caso de la aproximación, mientras que la formulación completa muestra
la existencia de esta componente con un valor máximo de 16.5 Ω. A la
108 Capı́tulo 3
vista de estos resultados, se podrı́a considerar que la aproximación de la

impedancia de la lı́nea de drenador es adecuada para frecuencias elevadas.
Sin embargo, a frecuencias bajas esta aproximación no es aceptable, ya que
no representa el comportamiento de la la lı́nea, teniendo siempre en cuenta
que la aproximación no proporciona gran información de la parte imaginaria.

drenador, topologı́a en cascodo.
Por último, a la vista de los resultados de la formulación completa, se

puede apreciar que esta lı́nea marcará la frecuencia de corte inferior del
Como se ha visto en el desarrollo del cálculo de la impedancia imagen, en

el caso de un amplificador distribuido con celdas de ganancia con transistores
en cascodo, sólo se ve modificada la lı́nea de drenador con respecto al caso
de celdas de ganancia con transistores en fuente común. Por este hecho, la
frecuencia de corte de la lı́nea de puerta no se ve modificada, wcg−cc = wcg .
Mientras que la frecuencia de corte de la lı́nea de drenador vendrá dada por:
2
ωcd−cc = √ (3.60)
Ld Ceq
1
donde Ceq = Ced =
1 1
+
Cds2 Cgs2 + Cds1
Teniendo en cuenta que la capacidad Ceq es más pequeña que Cds , la
frecuencia de corte de la lı́nea de drenador en el caso de la topologı́a en
cascodo es mayor que en el caso de un transistor en fuente común. Por lo
tanto, en la topologı́a en cascodo la frecuencia de corte vendrá dada de nuevo
por la lı́nea de puerta.

Como se ha visto para el caso de la celda de ganancia con un transistor
en fuente común, el coeficiente de atenuación α y la constante de fase de un
amplificador distribuido β, pueden ser derivados de la función de propagación
(γ) de un filtro de constante K, a través de la Ecuación 3.17. Dicha ecuación
depende de las impedancias Z1 y Z2 y, por tanto, de la celda elemental: lı́nea
de drenador o de puerta. A continuación, se particulariza esta expresión para
las lı́neas de drenador y puerta de un amplificador distribuido con celdas de
ganancia con transistores en cascodo.
Debido a la dificultad de la expresión de Z2 en primer lugar se debe,
antes de sustituir, obtener una expresión más manejable.
1 + jωRi2 Cgs2 Rds1

 
Rds2  jωCgs2 1 + jωRds1 Cds1 
Z2 = +
 1 + jωRi2 Cgs2

1 + jωCds2 Rds2 Rds1 
+
jωCgs2 1 + jωRds1 Cds1
siendo A = ωRds2 Cds2 , B = ωRi2 Cgs2 , C = ωRds1 Cds1 y D = ωCgs2 ; Z2

se puede reescribir como:
Rds2 Rds1 + jBRds1

Z2 = +
1 + jA E + jF
donde E = 1 − BC y F = C + B + DRds1 . Operando en la anterior

expresión
110 Capı́tulo 3
Rds2 (E + jF ) + (Rds1 + jBRds1 )(1 + jA) I + jK

Z2 = =
(1 + jA)(E + jF ) G + jH
con G = E − AF , H = F + AE, I = ERds2 + Rds1 (1 − AB) y K =

F Rds2 + Rds1 (A + B). Finalmente, Z2 se puede escribir como
L + jM
Z2 =
G2 + H 2
donde L = GI + KH y M = KG − IH.
Sustituyendo esta expresión en la Ecuación 3.17 se tiene que:
Z1 jωLd P O
cosh(α+jβ) = 1+ = 1+ = 1+ +j
2Z2 L + jM 2(L2 + M 2 ) 2(L2 + M 2 )
2
G2 + H 2
(3.61)
donde N = ωLd(G2 + H 2 ), O = N L y P = N M .
Teniendo en cuenta el desarrollo del coseno hiperbólico, Ecuación 3.19,
por inspección se puede obtener las siguientes relaciones:
P
cosh(α)cos(β) = 1 + (3.62)
2(L2 + M 2)
O
2(L2 + M 2)
Si se considera que las pérdidas en la lı́nea son pequeñas y que el desfase
entre etapas es pequeño, se puede obtener la constante de fase de la
lı́nea de drenador como:
β2

P
1 1− =1+
2 2(L2 + M 2 )
P
β2 = − 2
L + M2
r
P
βd−cc = − (3.64)
L2 + M2
Por otra parte, el coeficiente de atenuación de la lı́nea de drenador
puede ser obtenido por la siguiente igualdad.
O
αsin(β) =
2(L2
+ M 2)
p O
α 1 − cos2 (β) =
v 2(L + M 2 )
2
u
u
 −P 2
u
L2 + M 2  = O
t1 − 1 −
αu

2 2(L + M 2 )
2

O
αd−cc = p (3.65)
−P 2 − 4P (L2 + M 2 )
La celda elemental de la lı́nea de puerta no se ha visto modificada con
respecto a el transistor en fuente común, por lo tanto su coeficiente de
atenuación y su constante de fase tampoco cambian.
p
βg−cc = βg−sc = ω Lg Cgs1 (3.66)
p
ω 2 Ri1 Cgs1
Lg /Cgs1
αg−cc = αg−sc = p (3.67)
4 + (2ωRi1 Cgs1 )2 − ω 2 Lg Cgs1
Al igual que en el caso del transistor en fuente común, tanto los

coeficiencias de atenuación como las constantes de fase de ambas lı́neas,
pueden ser representados en función de la frecuencia gracias a las ecuaciones
3.64, 3.65, 3.66 y 3.67. Como sólo se ha visto modificada la lı́nea de
drenador con respecto al caso anterior, en la Figura 3.29 se puede ver
una gráfica comparativa entre los parámetros de dicha lı́nea para los dos
casos vistos hasta ahora. Para esta representación se ha considerando que
ambos transistores que conforman el cascodo son iguales, 2x25 µm, y que se
encuentran polarizados con Vds = 2 V y Vgs = −0,1 V.
de atenuación de la lı́nea de drenador para el caso: de un transistor en fuente
común (sc) y para dos transistores en cascodo (cc). Se puede comprobar,
que mientras para el caso del transistor en fuente común este parámetro
se mantenı́a constante en un rango amplio de frecuencias, para el caso de
la topologı́a en cascodo el coeficiente de atenuación aumenta a medida que
se incrementa la frecuencia. A pesar de esto, el coeficiente de atenuación
es menor para el caso de la topologı́a en cascodo, coincidiendo con lo ya
expuesto por otros autores como Browers [29].
112 Capı́tulo 3

de las lı́neas de drenador.

de fase de las topologı́as que se están comparando: fuente común y cascodo.
En este caso la diferencia obtenida es muy pequeña, siendo algo menor la
constante de fase para el caso del cascodo, por tanto la diferencia entre la
constante de fase de la lı́nea de drenador y de puerta será algo menor.

La ganancia directa de un amplificador distribuido con celda de ganancia
en cascodo puede ser obtenida de igual forma que para el caso de un transistor
en fuente común. Obteniéndose una expresión de la ganancia similar al caso
anterior.

−n(αd +αg ) n(αd − αg )
2
s s e sinh
gm1 gm2 Lg Ld 2
Gcc = 2 ! 2 !
4 Cgs1 Ceq ω ω

αd − αg

1− 1+ sinh 2
ωc ωg 2
(3.68)
1
donde Ceq =
1 1
+
Cds2 Cgs2 + Cds1
Al igual que en el caso del transistor en fuente común como celda
de ganancia, para la obtención de esta expresión se ha supuesto que las
constantes de fase y las frecuencias de corte de ambas lı́neas son casi idénticas.
En la Figura 3.30 se puede observar la ganancia de un amplificador
distribuido con una topologı́a en cascodo como celda de ganancia para
diferentes números de etapas. Además, en dicha figura, se puede comparar
esta ganancia con la que se obtendrı́a con el mismo número de etapas pero
en el caso de utilizar un transistor en fuente común como celda de ganancia.
Como puede verse, la diferencia de la ganancia entre ambas topologı́a se
incrementa a medida que se aumenta el número de etapas, siendo en el caso
de una única etapa una diferencia despreciable.
Figura 3.30: Ganancia de un amplificador distribuido con celda amplificadora

en cascodo en función de la frecuencia y el número de etapas.

En este segundo caso, se va a procedes a detallar el retardo de grupo
introducido por dos transistores en montaje cascodo, Figura 3.31.
1 1
Teniendo en cuenta que = D + jωCds1 y = C + jωCds2 con C =
Z1 Z2
114 Capı́tulo 3
1 1
yD= , se puede reescribir el circuito de la forma mostrada en la
Rds2 Rds1
Figura 3.32. Destacar que se han modificado los nombres de los componentes
para facilitar la formulación.
Figura 3.31: Modelo en pequeña señal de un cascodo.
Figura 3.32: Esquema utilizado para el cálculo del retardo de grupo de una
estructura en cascodo.
Aplicando la Ley de las corriente de Kirchhoff (LCK), también conocida

como ley de nodos, es posible calcular las ecuaciones que permitirán obtener
la función de transferencia del cascodo.
Nodo A:
Vi − V1 V1 V1 + V2
= +
Ri 1 1
jωC1 jωC3
Vi
= V1 (E + jωF ) + V2 jωC3 (3.69)
Ri
1
con E = y F = C1 + C3 .
Ri
Nodo B:
V1 + V2 V2 V2 −V2 − Vo
+ + BV2 = AV1 − +
1 1 Z1 Z2
jωC3 jωC4
Vo
+ V2 (G + jωH)
Z2
V1 = − (3.70)
−A + jωC3
donde G = B + C + D y H = Cds1 + C3 + C4 + Cds2 .
Nodo salida:
−V2 − Vo Vo Vo
= + BV2 +
Z2 Zl 1
jωC6
K + jωL
V2 = −Vo (3.71)
I + jωCds2
1
donde I = B + C, K = C + y L = Cds2 + C6 .
Zl
A continuación se combinan la Ecuación 3.69 y la Ecuación 3.70,

obteniéndose:
Vo
+ V2 (G + jωH)
Vi Z2
=− (E + jωF ) + V2 jωC3
Ri −A + jωC3
116 Capı́tulo 3
Operando en la anterior expresión:
Vi (P − ω 2 Q) + jωR (N + ω 2 M ) + jωO
= −Vo − V2 (3.72)
Ri −A + jωC3 −A + jωC3
donde M = C32 − F H, N = EG, O = AC3 + EH + GF , P = EC, Q = F Cds2
y R = ECds2 + F C.
Combinando la Ecuación 3.72 y la Ecuación 3.71 es posible obtener la
siguiente igualdad:
Vi (P − ω 2 Q) + jωR K + jωL (N + ω 2 M ) + jωO

= −Vo + Vo
Ri −A + jωC3 I + jωCds2 −A + jωC3
Si se considera: S = OK + LN , T = M K − OL, U = N K, V = LM ,
X = P I, Y = QI + Cds2 R, Z = RI + Cds2 P y α = −Cds2 Q; operando en la
anterior expresión se puede obtener la inversa de la función de transferencia.
Vi (U − X + w2 T + w2 Y ) + jω(S + w2 V − Z − w2 α)
= Ri
Vo (−A + jωC3 )(I + jωCds2 )
Considerando: β = U − X, ϕ = T + Y , θ = S − Z y η = V − α; la anterior
expresión se puede escribir de forma más compacta como:
Vi (β + ω 2 ϕ) + jω(θ + ω 2 η)
= Ri
Vo (−A + jωC3 )(I + jωCds2 )
Vo
Para calcular la función de transferencia interesa obtener la relación ,
Vi
por tanto, se debe calcular la inversa de la anterior expresión.
V0 1 (−A + jωC3 )(I + jωCds2 )

=
Vi Ri (β + ω 2 ϕ) + jω(θ + ω 2 η)
De esta expresión interesa conocer la parte real e imaginaria, para lo

cual es necesario multiplicar y dividir dicha expresión por el conjugado del
denominador, obteniéndose la siguiente relación.
(β + ω 2 ϕ) − jω(θ + ω 2 η)

V0 1 (−A + jωC3 )(I + jωCds2 )
=
Vi Ri (β + ω 2 ϕ) + jω(θ + ω 2 η) (β + ω 2 ϕ) − jω(θ + ω 2 η)
Finalmente, teniendo que aux1 = (−AI +ω 2 (−C3 Cds2 ))(β+ω 2 ϕ), aux2 =
(−ACds2 + C3 I)(θ + ω 2 η), aux3 = (−ACds2 + C3 I)(β + ω 2 ϕ), aux4 = (θ +
ω 2 η)(−AI +ω 2 (−C3 Cds2 )) y aux5 = aux3−aux4; la función de transferencia
en este caso puede ser expresada como:
Vo (ω) 1 (aux1 + ω 2 aux2) + jωaux5

Hcc (ω) = = (3.73)
Vi (ω) R1 (β + ω 2 ϕ)2 + (ω(θ + ω 2 η))2
Una vez obtenida la función de transferencia es posible calcular su fase
mediante la relación:

ωaux5 b
φcc = arctg 2
= arctg (3.74)
aux1 + ω aux2 a
El cálculo de la fase de la función de transferencia permite obtener el
retardo de grupo de la topologı́a en cascodo a través de la Ecuación 3.75.
∂b ∂a
∂φ a− b
τg−cc =− = − ∂ω 2 ∂ω (3.75)
∂ω a + b2
Una vez obtenida la expresión del retardo de grupo es posible representar
este parámetro en función de la frecuencia para diferentes tamaños de puerta
del transistor, Figura 3.33.
Figura 3.33: Retardo de grupo para dos transistores en montaje cascodo en

función de la frecuencia y el tamaño de la puerta de los transistores.
Al igual que en el transistor en fuente común, a medida que se aumenta

el tamaño de la puerta del transistor la variación del retardo de grupo se
incrementa, pasando de 4.15 ps (2x25 µm) a 10.09 ps (2x75 µm).
En la Figura 3.34 se observa el retardo de grupo obtenido mediante
ADS R , para dos transistores de 2x25 µm en montaje cascodo utilizando
las mismas condiciones de polarización que en el caso teórico.
118 Capı́tulo 3
Figura 3.34: Retardo de grupo para dos transistores en montaje cascodo en

función de la frecuencia obtenido mediante ADS R .
Con la anterior representación se puede comprobar que la formulación

descrita representa correctamente el retardo de grupo de un cascodo.
La variación del retardo de grupo obtenida para un cascodo con
transistores de 2x25 µm varı́a 0.2 ps respecto a la obtenida con un único
transistor en fuente común del mismo tamaño. Sin embargo, a medida que
se aumenta el tamaño, esta diferencia se hace significativa, 3 ps para el caso
de 2x75 µm, siendo la variación del retardo de grupo menor para el caso del
cascodo (Figura 3.35).
Figura 3.35: Comparativa del retardo de grupo para dos transistores en

montaje cascodo y un transistor en fuente común.
En la Figura 3.36 se puede comparar el retardo de grupo obtenido por dos

estructuras en cascodo con transistores de tamaño equivalente, pero distinto

número de dedos y anchura de puerta. Como en el caso del transistor en
puerta común, el aumento del número de dedos supone un incremento en la
variación del retardo de grupo. En el caso representado en la figura, el cascodo
con transistores de 2 dedos presenta una variación del retardo de grupo de
6.4 ps, mientras que con transistores de 4 dedos se obtiene una variación de
7.4 ps. Destacar, que ambas variaciones son menores a las obtenidas en el
caso de un único transistor en fuente común del mismo tamaño.
Figura 3.36: Retardo de grupo en función de la frecuencia para dos

transistores con el tamaño equivalente: 2x50 µm y 4x25 µm.
3.3.3. Topologı́a en Cascodo con capacidad adicional.

A continuación se describe el estudio llevado a cabo en una de las
modificaciones de la estructura en cascodo más utilizada: la topologı́a en
cascodo con una capacidad en la puerta del transistor en puerta común,
Figura 3.37.
Esta topologı́a se basa en utilizar una estructura en cascodo como la
descrita en el apartado anterior a la que se le ha añadido una capacidad
adicional en la puerta del transistor en puerta común.
El uso de esta estructura permite mejorar la estabilidad del amplificador
distribuido, aumentar el ancho de banda y reducir el rizado de la ganancia
[28].
120 Capı́tulo 3
Figura 3.37: Etapa de ganancia en configuración cascodo con capacidad

adicional.

Para llevar a cabo el estudio de las lı́neas de puerta y drenador, como en
los dos casos anteriores, se ha utilizado el método de los parámetros imagen.
Figura 3.38: Modelo en pequeña señal de una etapa de ganancia en

configuración cascodo con capacidad adicional.

Figura 3.39.

drenador (b) para una topologı́a en cascodo con capacidad adicional.
La anteriores celdas elementales pueden ser identificadas como dos redes

de dos puertos con estructura en T y cuyas impedancias Z1 y Z2 quedan
recogidas en la Tabla 3.5.

distribuido con topologı́a en cascodo y capacidad C1.
Puerta Drenador
Z1 jωLg jωLd
C1 + Cgs2 + jωRi2 Cgs2 C1 Rds1
 
1 Rds2  jωCgs2 C1 1 + jωRds1 Cds1 
Z2 Ri1 + +
 C1 + Cgs2 + jωRi2 Cgs2 C1

jωCgs1 1 + jωCds2 Rds2 Rds1 
+
jωCgs2 C1 1 + jωRds1 Cds1
Si se compara esta tabla con las obtenidas anteriormente (Tabla 3.1 y

Tabla 3.4), se comprueba que sólo se ha modificado la impedancia Z2 de
la lı́nea de drenador, lo que era de esperar ya que la celda elemental de la
lı́nea de puerta no se ha visto modificada. Este hecho hace que la impedancia
imagen de dicha lı́nea no se vea modificada con respecto al transistor en
fuente común y a la topologı́a en cascodo:
s s
ω 2 Lg Cgs1

1 1
Zigcc1 = (jωLg ) Ri1 + 1− (3.76)
jωCgs1 4 1 + jωRi1 Cgs1
122 Capı́tulo 3
s s
Lg ω 2 Lg Cgs1 1
Zigcc1 ≈ 1− (3.77)
Cgs1 4 1 + jωRi1 Cgs1
Mientras que en el caso de la lı́nea de drenador existe un aumento en la

impedancia Z2 , con respecto al montaje en cascodo, que se traduce a su vez
en una modificación en la expresión de la impedancia imagen:
r
p Z1d
Zidcc1 = Z1d Z2d 1+ (3.78)
4Z2d
r r
Ld Z1d
Zidcc1 ≈ 1+ (3.79)
Ced 4Z2d
1
donde Ced =
1 1
+
Cds2 1
Cds1 +
1 1
+
Cgs2 C1
A partir de las fórmulas 3.76, 3.77, 3.78 y 3.79 es posible representar la
parte real e imaginaria de ambas impedancias imagen. Para ello, se va a tener
en cuenta que ambos transistores del cascodo son del mismo tamaño (2x25
µm) y que están polarizados en el mismo punto (Vds = 2 V y Vgs = −0,1
V). Por tanto, los componente en pequeña señal serán los mismos e idénticos
a los utilizados para el caso del transistor en fuente común (ver Tabla 3.2),
salvo la inductancia de la lı́nea de drenador que será: Ld = 502 Ced = 0,009
nH. Además, se considera que la capacidad C1 toma un valor de 50 fF, valor
realizable en la tecnologı́a PL15-12.
Al igual que en el caso del cascodo, la celda elemental de la lı́nea de
puerta no se ha visto modificada. Por tanto, la impedancia imagen de la
lı́nea de puerta es la misma que para el caso del cascodo y para el caso de
un transistor en fuente común.
Sin embargo, la celda de la lı́nea de drenador sı́ se ha visto modificada por
la introducción de la capacidad C1 con respecto al cascodo y, por supuesto,
con respecto al transistor en fuente común. En la Figura 3.40 se puede ver la
evolución de la impedancia caracterı́stica de la lı́nea de drenador en función
de la frecuencia, tanto para la expresión exacta (Ecuación 3.78) como para
la aproximación (Ecuación 3.79). La evolución de la impedancia imagen en
este caso, es casi idéntica a la obtenida en el caso del cascodo, y al igual que
se hizo en ese caso, se puede considerar que la aproximación realizada en la
formulación de la impedancia imagen es correcta para frecuencias elevadas,
siempre teniendo en cuenta que no se puede obtener gran información de la

parte imaginaria.

drenador, topologı́a en cascodo con capacidad en la puerta del transistor en
puerta común.

en cascodo y capacidad adicional C1, sólo se ve modificada la lı́nea de
drenador con respecto a los dos casos anteriores. Por este hecho, la frecuencia
de corte de la lı́nea de puerta no se ve modificada, wcg−ccC1 = wcg−cc = wcg .
Mientras que la frecuencia de corte de la lı́nea de drenador vendrá dada por:
2
ωcd−ccC1 = √ (3.80)
Ld Ceq
1
donde Ceq = Ced =
1 1
+
Cds2 1
Cds1 +
1 1
+
Cgs2 C1
124 Capı́tulo 3
Teniendo en cuenta que la capacidad Ceq es más pequeña que Cds , la

frecuencia de corte de la lı́nea de drenador en el caso de la topologı́a en
cascodo con capacidad C1 es mayor que en el caso de un transistor en
fuente común. Por lo tanto, en la topologı́a en cascodo con capacidad C1
la frecuencia de corte vendrá dada de nuevo por la lı́nea de puerta.

Como se ha visto para los dos caso anteriores, el coeficiente de atenuación
α y la constante de fase de un amplificador distribuido β, pueden ser
derivados de la Ecuación 3.17. Dicha ecuación depende de las impedancias
Z1 y Z2 y, por tanto, de la celda elemental: lı́nea de drenador o de puerta.
A continuación, se particulariza esta expresión para las lı́neas de drenador y
puerta de un amplificador distribuido con celdas de ganancia con transistores
en cascodo y una capacidad C1 en la puerta del transistor en puerta común.
Debido a la dificultad de la expresión de Z2 en primer lugar se debe,
antes de sustituir, obtener una expresión más manejable.
Z2 =
C1 + Cgs2 + jωC1 Cgs2 Ri2 Rds1
 
Rds2  jωCgs2 C1 1 + jωRds1 Cds1 
+
 C1 + Cgs2 + jωC1 Cgs2 Ri2

1 + jωCds2 Rds2 Rds1 
+
siendo A = ωRds2 Cds2 , B = ωC1 Cgs2 Ri2 , C = ωRds1 Cds1 , D = ωCgs2 C1

y E = C1 + Cgs2 ; Z2 se puede reescribir como:
Rds2 Rds1 E + jBRds1

Z2 = +
1 + jA (E − CB) + j(B + EC + DRds1 )
si se define F = Rds1 E, G = BRds1 , H = E−CB e I = B+EC+DRds1 ,

la impedancia Z2 quedarı́a
Rds2 F + jG K + jL
Z2 = + =
1 + jA H + jI M + jN
con K = HRds2 + F − GA, L = IRds2 + AF + G, M = H − AI y

N = AH + I. Finalmente, Z2 se puede escribir como
O + jP
Z2 =
M2 + N2
donde O = KM + LN y P = LM − KN .
Sustituyendo esta expresión en la Ecuación 3.17 se tiene que:
Z1 jωLd S R
cosh(α+jβ) = 1+ = 1+ = 1+ +j
2Z2 O + jP 2(O2 + P 2 ) 2(O2 + P 2 )
2
M2 + N2
(3.81)
donde Q = ωLd(M 2 + N 2 ), R = QO y S = QP .
S
cosh(α)cos(β) = 1 + (3.82)
2(O2 + P 2 )
R
2(O2 + P 2)

lı́nea de drenador como:
β2

S
1 1− =1+
2 2(O2 + P 2)
S
β2 = −
O2 + P2
r
S
βd−ccC1 = − (3.84)
O2 + P2
Por otra parte, el coeficiente de atenuación de la lı́nea de drenador

puede ser obtenido por la siguiente igualdad.
126 Capı́tulo 3
R
αsin(β) =
2(O2
+ P 2)
p R
α 1 − cos2 (β) =
v 2(O + P 2 )
2
u
u
 −S 2
u
O2 + P 2  = R
t1 −  1 −
αu

2 2(O + P 2 )
2

R
αd−ccC1 = p (3.85)
−S 2 − 4S(O2 + P 2 )
La celda elemental de la lı́nea de puerta no se ha visto modificada
con respecto a los dos casos anteriores, por lo tanto su coeficiente de
atenuación y su constante de fase tampoco cambian.
p
βg−ccC1 = βg−cc = βg−sc = ω Lg Cgs1 (3.86)
p
ω 2 Ri1 Cgs1 Lg /Cgs1
αg−ccC1 = αg−cc = αg−sc = p (3.87)
4 + (2ωRi1 Cgs1 )2 − ω 2 Lg Cgs1
A continuación, en la Figura 3.41 se recogen los coeficientes de atenuación

y las constantes de fase de la lı́nea de drenador de los tres casos estudiados
hasta el momento.
Para esta representación se ha considerando que C1=50 fF, que los
transistores de las tres topologı́as son iguales, 2x25 µm, y que se encuentran
polarizados todos con Vds = 2 V y Vgs = −0,1 V.
de atenuación de la lı́nea de drenador para el caso: de un transistor en
fuente común (sc), para dos transistores en cascodo (cc) y dos transistores
en cascodo con una capacidad adicional en la puerta del transistor en puerta
común (cc + C1). De nuevo, para el caso de una estructura en cascodo con
capacidad adicional C1, la respuesta del coeficiente de atenuación no es plana,
aumenta a medida que se incrementa la frecuencia. A pesar de esto, el valor
de este coeficiente sigue siendo menor comparado con los otros dos casos.
de fase de las tres topologı́as vistas hasta ahora. En este caso, la diferencia
obtenida es muy pequeña, siendo algo menor la constante de fase para el caso
del cascodo con capacidad adicional C1.

de las lı́neas de drenador.

La ganancia directa de un amplificador distribuido con celda de ganancia
en cascodo con capacidad en la puerta del transistor en puerta común, puede
ser obtenida de igual forma que en los casos anteriores.

n(α d − α g )
s s e−n(αd +αg ) sinh2
gm1 gm2 Lg Ld 2
GccC1 = ! !
4 Cgs1 Ceq
ω
2
ω
2
α d − α g

1− 1+ sinh2
ωc ωg 2
(3.88)
1
donde Ceq =
1 1
+
Cds2 1
Cds1 +
1 1
+
Cgs2 C1
Al igual que en los dos anteriores casos, para la obtención de esta
128 Capı́tulo 3
expresión se ha supuesto que las constantes de fase y las frecuencias de corte

de ambas lı́neas son casi idénticas.
En la Figura 3.42 se puede observar la ganancia de esta topologı́a para
diferentes números de etapas. Además, en dicha figura, se puede comparar
esta ganancia con la que se obtendrı́a con el mismo número de etapas en
las otras dos estructuras detalladas anteriormente. Como puede verse, la
diferencia de la ganancia entre las topologı́as se incrementa a medida que
se aumenta el número de etapas, siendo en el caso de una única etapa una
diferencia despreciable.
Figura 3.42: Ganancia de un amplificador distribuido en cascodo con

capacidad adicional en función de la frecuencia y el número de etapas.

En este tercer caso, se va a proceder a detallar el retardo de grupo
introducido por dos transistores en montaje cascodo con una capacidad C1
en la puerta del transistor en puerta común, Figura 3.43.
1 1
Teniendo en cuenta que = D + jωCds1 y = C + jωCds2 con
Z1 Z2
1 1
C= yD= , se puede reescribir el circuito de la forma mostrada
Rds2 Rds1
en la Figura 3.44.
Como se puede observar en la Figura 3.44 la capacidad adicional
introducida al cascodo, C1, presenta una caı́da de tensión entre sus bornes
igual a 0 V, por lo tanto, para el cálculo del retardo de grupo dicha capacidad
Figura 3.43: Modelo en pequeña señal de un cascodo con capacidad C1.
estructura en cascodo con capacidad C1.
puede ser depreciada, obteniéndose el esquema del cascodo original (Figura

3.32). Por tanto, el retardo de grupo para el caso del cascodo con capacidad
C1 es igual al retardo de grupo del cascodo.
τg−ccC1 = τg−cc (3.89)
Para comprobar esta afirmación se ha configurado una simulación en

ADS R para obtener el retardo de grupo de estas dos estructuras, Figura
3.45.
Como se puede observar en la Figura 3.46, el retardo de grupo obtenido
cumple con la afirmación realizada mediante la Ecuación 3.89, es decir, la
introducción de una capacidad C1 en la puerta del transistor en puerta
común no tiene influencia en el retardo de grupo y, por lo tanto, puede
ser despreciada.
130 Capı́tulo 3
Figura 3.45: Configuración del esquemático de ADS R .
Figura 3.46: Retardo de grupo: cascodo (cı́rculos) y cascodo + C1 (lı́nea

continua).
3.3.4. Topologı́a en Cascodo con capacidad adicional

en la lı́nea de puerta.
La última estructura que aquı́ se describe es una solución muy utilizada
en la literatura, que se basa en introducir una capacidad adicional, C2, en la
puerta del transistor en fuente común mientras que se mantiene la capacidad
C1 ([15], [20] y [30]).
En esta configuración, Figura 3.47, la capacidad C2 se sitúa en serie con
la capacidad Cgs del transistor en fuente común con el objetivo de disminuir
la capacidad equivalente de la lı́nea de puerta. Esta nueva capacidad bloquea
la tensión de polarización de la puerta por lo que es necesario el uso de una
resistencia de gran valor conectada a la puerta de dicho transistor.
El uso de esta configuración, con respecto a las vistas anteriormente,
permite obtener una mejora en las caracterı́sticas del amplificador
distribuido. Esto es debido a que la disminución de la capacidad de entrada
permite aumenta la frecuencia de corte de la lı́nea de puerta. Además, la
Figura 3.47: Etapa de ganancia en configuración cascodo con capacidad

adicional.
reducción de la diferencia entre las capacidades de entrada y salida reduce la

diferencia entre las constantes de fase de las lı́neas.
Sin embargo, esta estructura cuenta con el inconveniente de la reducción
de la ganancia por efecto del divisor capacitivo a la entrada de las celdas y
de la resistencia de polarización de la puerta.
Para llevar a cabo el estudio de las lı́neas de puerta y drenador, como en

los casos anteriores, se ha utilizado el método de los parámetros imagen.
Figura 3.48: Modelo en pequeña señal de una etapa de ganancia en

configuración cascodo con capacidad adicional en la lı́nea de puerta.
132 Capı́tulo 3

Figura 3.49.

drenador (b) para una topologı́a en cascodo con capacidades adicionales C1
y C2.
La anteriores celdas pueden ser identificadas como dos redes de dos

puertos con estructura en T y cuyas impedancias Z1 y Z2 quedan recogidas
en la Tabla 3.6.

distribuido con topologı́a en cascodo y capacidades C1 y C2.
Puerta Drenador
Z1 jωLg jωLd
C1 + Cgs2 + jωRi2 Cgs2 C1 Rds1
 
1 1 Rds2  jωCgs2 C1 1 + jωRds1 Cds1 
Z2 Ri1 + + +
 C1 + Cgs2 + jωRi2 Cgs2 C1

jωCgs1 jωC2 1 + jωCds2 Rds2 Rds1 
+
Si se compara esta tabla con las obtenidas anteriormente (Tabla 3.1, Tabla
3.4 y Tabla 3.5 ), se comprueba que se ha modificado la impedancia Z2 de la
lı́nea de puerta con respecto a los tres casos estudiados con anterioridad.
Mientras que el resto de impedancias se mantienen con respecto al caso
anterior.
La impedancia imagen de la lı́nea de puerta puede ser obtenida mediante
la siguiente igualdad:
s s
1 1 Z1g
Zigcc1c2 = (jωLg ) Ri1 + + 1+ (3.90)
jωCgs1 jωC2 4Z2g
s s
Lg Z1g
Zigcc1c2 ≈ 1+ (3.91)
Ceg 4Z2g
1
donde Ceg =
1 1
+
C2 Cgs1
Mientras que la impedancia de la lı́nea de drenador puede ser calculada
de la misma forma que en el caso anterior:
r
p Z1d
Zidcc1c2 = Z1d Z2d 1+ (3.92)
4Z2d
r r
Ld Z1d
Zidcc1c2 ≈ 1+ (3.93)
Ced 4Z2d
1
donde Ced =
1 1
+
Cds2 1
Cds1 +
1 1
+
Cgs2 C1
A partir de las anteriores fórmulas es posible representar la parte
real e imaginaria de ambas impedancias imagen. Para llevar a cabo la
representación, se va a tener en cuenta que ambos transistores del cascodo
son del mismo tamaño (2x25 µm) y que están polarizados en el mismo punto
(Vds = 2 V y Vgs = −0,1 V). Por tanto, los componente en pequeña señal
serán idénticos a los utilizados para el caso del transistor en fuente común
(ver Tabla 3.2), salvo la inductancia de puerta, Lg = 502 Ceg = 0,1308 nH, y
la inductancia de drenador que será: Ld = 502 Ced = 0,009 nH. Además, se
considera que la capacidad C1 toma un valor de 50 fF y la capacidad C2 un
valor de 800 fF, ambos valores realizables en la tecnologı́a PL15-12.
Como se puede observar en la Figura 3.50, la impedancia imagen de la
lı́nea de puerta en este caso decrece algo más lentamente que en los anteriores
casos, lo que se traducirá en un incremento de la frecuencia de corte de la
lı́nea de puerta. Además, la parte imaginaria de la esta lı́nea a disminuido
para altas frecuencias. Cabe destacar, que la aproximación realizada en la
formulación de este caso es bastante buena a la vista de la gráfica, donde
134 Capı́tulo 3

puerta, topologı́a en cascodo con dos capacidades adicionales.
la fórmula aproximada queda representada por cı́rculos y triángulos para el

caso de la parte real y la parte imaginaria, respectivamente.
Al no haberse producido ninguna modificación, con respecto al caso
anterior, en la celda elemental de la lı́nea de drenador, la representación
de su impedancia imagen será la misma.

en cascodo y capacidades adicionales C1 y C2, sólo se ve modificada la lı́nea
de puerta con respecto al caso anterior: celdas de ganancia con transistores
en cascodo y capacidad adicional C1. Por este hecho, la frecuencia de corte
de la lı́nea de drenador no se ve modificada, wcd−ccC1C2 = wcd−ccC1 . Mientras
que la frecuencia de corte de la lı́nea de puerta vendrá dada por:
2
ωcg−ccC1C2 = √ (3.94)
Ld Ceq
1
donde Ceq = Ceg =
1
C2 +
Cgs1
Teniendo en cuenta que la capacidad Ceq es más pequeña que Cgs , la

frecuencia de corte de la lı́nea de puerta en el caso de la topologı́a en cascodo
con capacidades adicionales C1 y C2 es mayor que en los tres casos anteriores.
Sin embargo, sigue siendo más pequeña que la frecuencia de corte de la lı́nea
de drenador, es decir, será la frecuencia de corte del amplificador.

Como en los anteriores casos, el coeficiente de atenuación α y la constante
de fase de un amplificador distribuido β, pueden ser derivados de la Ecuación
3.17. Dicha ecuación depende de las impedancias Z1 y Z2 y, por tanto,
de la celda elemental: lı́nea de drenador o de puerta. A continuación, se
particulariza esta expresión para las lı́neas de drenador y puerta de un
amplificador distribuido con celdas de ganancia con transistores en cascodo
cos dos capacidades adicionales, C1 y C2.
La celda elemental de la lı́nea de drenador no se ha visto modificada con
respecto al anterior caso, estructura en cascodo con capacidad adicional
C1, por lo tanto su coeficiente de atenuación y su constante de fase
tampoco cambian.
r
S
βd−ccC1C2 = βd−ccC1 = − (3.95)
O2 + P2
R
αd−ccC1C2 = αd−ccC1 = p (3.96)
−S 2 − 4S(O2 + P 2 )
puerta, basta con sustituir en dicha expresión las impedancias Z1 y Z2
de esta lı́nea, Tabla 3.6.
En primer lugar, debido a la dificultad de la expresión de Z2 , antes
de sustituir se debe obtener una expresión más manejable de dicha
impedancia.
1 1
Z2 = Ri1 + +
jωC2 jωCgs1
si se define A = ωC2 y B = ωCgs1 ; Z2 se puede reescribir como:

136 Capı́tulo 3
1 1 C + jE
Z2 = Ri1 + + =
jA jB D
con C = −ABRi1 , D = −AB y E = A + B.

Sustituyendo esta expresión de la impedancia en la Ecuación 3.17 se
tiene que:
Z1 jωLg G H
cosh(α+jβ) = 1+ = 1+ = 1+ +j
2Z2 C + jE 2(C + E ) 2(C + E 2 )
2 2 2
2
D
(3.97)
donde F = ωLg D, G = EF y H = F C.
G
cosh(α)cos(β) = 1 + (3.98)
2(C 2 + E 2 )
H
2(C 2 + E 2)
lı́nea de puerta como:
β2

G
1 1− =1+
2 2(C + E 2 )
2
G
β2 = − 2
C + E2
r
G
βg−ccC1C2 = − (3.100)
C2 + E2
Por otra parte, el coeficiente de atenuación de la lı́nea de puerta puede
ser obtenido por la siguiente igualdad.
H
αsin(β) =
2(C 2
+ E 2)
p H
α 1 − cos2 (β) =
2(C + E 2 )
2
v
u
u
 −G 2
u
C2 + E2  = H
t1 − 1 −
αu

2 2(C 2 + E 2 )

H
αg−ccC1C2 = p (3.101)
−G2 − 4G(C 2 + E 2 )
A continuación, en la Figura 3.51 se recogen los coeficientes de atenuación
y las constantes de fase de la lı́nea de puerta de la topologı́a con transistor
en fuente común (sc) y con dos transistores en cascodo con capacidades C1
y C2 (cc + c1+ c2). Para esta representación se ha considerando: C1=50 fF,
C2=800 fF, que los transistores de las dos topologı́as son iguales, 2x25 µm,
y que se encuentran polarizados todos con Vds = 2 V y Vgs = −0,1 V.

de las lı́neas de puerta.

de atenuación de la lı́nea de puerta para los dos casos bajo comparación. En
este caso, el coeficiente de atenuación de ambas topologı́as es muy similar,
siendo algo menor la de la estructura en cascodo con capacidades adicionales
C1 y C2. En la parte derecha de la Figura 3.51 están representadas las
constantes de fase de las dos topologı́as. En este caso, la diferencia obtenida
es muy pequeña, siendo algo menor la constante de fase para el caso del
cascodo con capacidades C1 y C2.
138 Capı́tulo 3

En este último caso, se va a proceder a detallar el retardo de grupo
introducido por dos transistores en montaje cascodo con una capacidad C1
en la puerta del transistor en puerta común y una capacidad C2 en la puerta
del transistor en fuente común, Figura 3.52.
Figura 3.52: Modelo en pequeña señal de un cascodo con capacidades C1 y

C2.
1 1
Teniendo en cuenta que = D + jωCds1 y = C + jωCds2 con
Z1 Z2
1 1
C= yD= , se puede reescribir el circuito de la forma mostrada
Rds2 Rds1
en la Figura 3.53.
Como en el caso anterior, la capacidad adicional C1 está en paralelo con
un cortocircuito, lo que implica que dicha capacidad puede ser despreciada
para el cálculo del retardo de grupo, quedando por tanto el mismo esquema
que en el caso del cascodo original pero con una capacidad C2 a la entrada.
Como ya se ha comentado, la capacidad C2 reduce la capacidad de
entrada. Despreciando la capacidad Cgd1 se podrı́a obtener la nueva capacidad
Cgs1 como:
0 Cgs1 C2
Cgs1 = (3.102)
Cgs1 + C2
Por lo que finalmente el circuito que se debe estudiar es el mostrado en
la Figura 3.54.
Figura 3.53: Simplificación del modelo en pequeña señal de un cascodo con

capacidades C1 y C2.
estructura en cascodo con capacidades C1 y C2.
Como se puede ver en la figura anterior el circuito obtenido es el mismo

que en el caso del cascodo, con la única diferencia de la modificación del
valor de Cgs1 . Por tanto, el retardo de grupo puede ser obtenido mediante el
procedimiento detallado en el Apartado 3.3.2.3.
En la Figura 3.55 puede verse una comparativa entre el retardo de grupo
de la estructura en cascodo: original y con dos capacidades adicionales.
Para llevar a cabo dicha representación se ha tenido en cuenta que ambos
transistores son del mismo tamaño y que están polarizados de igual forma.
Además se han considerado unos valores de capacidades de: C1 de 50 fF y
C2 de 800 fF. Observando dicha figura se puede comprobar que al añadir la
segunda capacidad, C2, la variación del retardo se hace algo menor. Pero en
este caso, no es una mejora muy significativa, ya que se pasa de 4.15 ps a
3.76 ps (apenas 0.39 ps de mejora).
Sin embargo, si se tiene en cuenta un incremento en el tamaño de los
transistores, por ejemplo transistores de 2x75 µm, la diferencia de la variación
140 Capı́tulo 3
Figura 3.55: Retardo de grupo en función de la frecuencia (2x25 µm).
del retardo de grupo en los dos casos anteriores se ve incrementada, pasando

a ser de 1.07 ps (Figura 3.56).
Al igual que en los casos anteriores, se puede comprobar la validez de la

formulación por medio de ADS R . En la Figura 3.57 se muestra el retardo
de grupo obtenido con ADS R , para el caso de una estructura en cascodo
con dos capacidades adicionales. En esta figura se observa que el retardo de
grupo obtenido presenta un máximo un poco por debajo del obtenido con la
formulación. Este hecho puede ser explicado por la simplificación realizada a
la hora de tener en cuenta que la capacidad C2 está en serie con la capacidad

Cgs1 , lo cual no es cierto ya que se tiene la capacidad Cgd1 . A pesar de esto,
la formulación, al igual que ADS R , nos permite llegar a la misma conclusión,
la introducción de esta nueva capacidad, C2, puede hacer más pequeña la
variación del retardo de grupo.
3.4. Ruido en los amplificadores distribuidos.

En dispositivos activos, como por ejemplo los amplificadores, se pueden
distinguir tres fuentes principales de ruido [31]:
Ruido térmico: se produce como consecuencia de la agitación de los

electrones debido a la temperatura. El espectro de este tipo de ruido
es plano y afecta a un amplio rango de frecuencias. Es un tipo de
ruido que depende directamente de la temperatura de operación y de
la resistividad del material.
Ruido de disparo o ruido shot: se produce por la fluctuación aleatoria de
los portadores al atravesar una zona del dispositivo con una diferencia
de potencial. Al igual que el anterior ruido su densidad espectral
de potencia es constante. Sin embargo, este tipo de ruido depende
directamente de la corriente que se le proporciona al dispositivo.
Ruido de bajas frecuencias o ruido flicker : se atribuye generalmente
a la dinámica caótica del sistema. Este tipo de ruido cuenta con una
densidad espectral de ruido que decae proporcionalmente al inverso de
142 Capı́tulo 3
la frecuencia, por lo que generalmente este tipo de ruido es importante

sólo a bajas frecuencias, siendo a frecuencias elevadas despreciable
frente al ruido térmico o el ruido shot.
En general, la figura de ruido, F, es una figura de mérito que permite

representar el comportamiento de ruido en un dispositivo. En concreto, este
parámetro representa la degradación de la relación señal a ruido debido a la
naturaleza ruidosa del dispositivo [32]:
(S/N )IN
F = (3.103)
(S/N )OU T
En el caso particular de un amplificador distribuido el cálculo de este
parámetro ya ha sido llevado a cabo por Aitchison para el caso de un
amplificador distribuido a base de transistores MESFET [33]. Si bien no
corresponde al modelo aquı́ presentado, HEMT, se va a proceder a exponer
el desarrollo ya que es muy similar.
En el modelo desarrollado por Aitchison se han identificado cuatro fuentes
fundamentales de ruido.
1. Ruido procedente de la fuente. La potencia de ruido disponible en la

fuente es igual a KT0 B. La potencia disipada en la carga de salida
es igual a Gf kT0 B, donde Gf es la ganancia directa. Por tanto dicha
potencia puede ser definida como
n2 gm
2
Zπg Zπd
KT0 B (3.104)
4
2. Ruido procedente de la terminación de la lı́nea de puerta. La potencia
de ruido disponible en la terminación de puerta es igual a KT0 B. La
potencia disipada en la carga de salida es igual a Gr kT0 B, donde Gr
es la ganancia indirecta. Por tanto dicha potencia puede ser definida
como
2
2
gm Zπg Zπd sinnβ
KT0 B (3.105)
4 sinβ
3. Ruido procedente de la terminación de la lı́nea de drenador. La potencia

disponible en la terminación de drenador es igual a:
KT0 B (3.106)
4. Ruido procedente de los n transistores FET. La potencia disipada en

la terminación de la lı́nea de drenador debido a los n MESFETs viene
dado por la siguiente expresión.
( 2 n
)
1 ω 2 Cgs
2 X 1
4KT0 B gm Zπg R f (r, β) + ngm P Zπd (3.107)
4 gm r=1
4
donde R y P son los factores numéricos definidos por Van der Ziel [34]
y
2
sin(r − 1)β
2 2(n − r + 1)sin(r − 1)βcos(rβ)
f (r, β) = (n − r + 1) + +
sinβ sinβ
(3.108)
Teniendo en cuenta la definición de figura de ruido y las ecuaciones 3.104,

3.105, 3.106 y 3.107, se puede escribir la figura de ruido de un amplificador
distribuido como
R nr=1 f (r, β)
2
Zπg ω 2 Cgs
2
P
sin(nβ) 4 4P
F =1+ + 2 2 + +
nsinβ n gm Zπg Zπd n2 gm ngm Zπg
(3.109)
Es interesante examinar la Ecuación 3.109 término por término, de forma
que se pueda determinar su influencia en el ruido del amplificador.
El segundo término de la Ecuación 3.109 es pequeño para valores

elevados de n excepto cuando el producto nβ está próximo a 0 o π,
que la función tiene su máximo valor, 1.
El tercer término, el cual es la inversa de la ganancia directa, puede

hacerse todo lo pequeño que se quiera simplemente aumentado n.
El cuarto término, cuyo origen es la lı́nea de puerta, es proporcional a

n.
El último término es inversamente proporcional a n. Por tanto, puede

hacerse pequeño, incluso despreciable, aumentado n.
144 Capı́tulo 3
Si se considera que n es lo suficientemente grande y que β es distinto de 0

o π, entonces, el segundo y el tercer término toman un valor tan pequeño que
comparados con el primer término pueden ser despreciados. Además, para
un valor elevado de n, el sumatorio del cuarto término toma el valor de n3 /3.
Teniendo en cuenta lo anterior, la Ecuación 3.109 puede ser simplificada como
se muestra a continuación.
Zπg nω 2 Cgs
2
R 4P
F =1+ + (3.110)
3gm ngm Zπg
Existe un valor óptimo del producto nZπg , el cual minimiza la Ecuación

3.110, y que por tanto permite calcular la figura de ruido mı́nima, Fmin . Ese
valor es
r
2 3P
(Zπg n)opt = (3.111)
ωCgs R
dando como resultado una figura mı́nima de ruido que puede ser calculada
como
r
2ωCgs 4RP
Fmin =1+ (3.112)
gm 3
3.5. Estabilidad de los amplificadores

distribuidos.
A la hora de llevar a cabo el diseño de un amplificador distribuido y, de
formas más general, el diseño de un amplificador genérico, es importante tener
en cuenta la estabilidad del dispositivo. Este parámetro puede ser considerado
como una figura de mérito contra las oscilaciones. Es importante destacar,
que la condición de estabilidad de una red de dos puertos, y por tanto, de
un amplificador distribuido, es dependiente de la frecuencia, por lo que se
puede dar la situación de contar con un amplificador estable en su banda de
trabajo y que fuera de ésta sea inestable.
Fundamentalmente existen dos métodos para el estudio de la estabilidad:
estudio en pequeña señal y en gran señal. Cada uno de estos métodos presenta
una serie de ventajas e inconvenientes, por lo que es aconsejable el uso
conjunto de ambas estrategias.
3.5.1. Estabilidad en pequeña señal.

El estudio en pequeña señal permite obtener de manera rápida y
aproximada la estabilidad del diseño realizado.
La condición de estabilidad puede ser analizada mediante los factores
de Rollet [35], K y ∆, los cuales pueden ser definidos en términos de los
parámetros de scattering como:
1 − |S11 |2 − |S22 |2 + |∆|2

K= (3.113)
2|S12 ||S21 |
∆ = S11 S22 − S12 S21 (3.114)

Para que el diseño sea incondicionalmente estable se debe cumplir que
K > 1 y |∆| < 1. Si no se cumple las siguientes desigualdades el dispositivo es
condicionalmente estables, es decir, existen una serie de impedancias pasivas
de entrada y salida que provocan inestabilidades en el funcionamiento del
dispositivo.
Existe otro parámetro que permite determinar la estabilidad del sistema,
el factor de Edwards-Sinsky o factor µ [36]. Este factor es equivalente a
los factores de Rollet, pero permite con un único parámetro determinar la
estabilidad del dispositivo mediante el análisis de la siguiente expresión:
1 − |S11 |2
µ= ∗
(3.115)
|S22 − S11 ∆| + |S12 S21 |
En este caso, el dispositivo será incondicionalmente estable cuando µ > 1.
En el caso contrario, µ < 1, el dispositivo podrı́a ser inestable. En el caso de
inestabilidad potencial serı́a necesario representar los cı́rculos de estabilidad
y determinar aquellas impedancias que no causen oscilación.
Independientemente del tipo de factor utilizado, a la hora de realizar el
diseño se deberá garantizar que el dispositivo es incondicionalmente estable
tanto en la banda de trabajo como fuera de ella.
3.5.2. Estabilidad en gran señal.

El estudio de la estabilidad de los amplificadores en la etapa de diseño es
esencial, e incluso más crı́tico, si se está trabajando con tecnologı́a monolı́tica,
ya que una vez fabricado un dispositivo es imposible realizar un ajuste
en su diseño. Por esta razón, es recomendable complementar el análisis de
estabilidad en pequeña señal con un estudio más riguroso, un análisis en gran
señal.
146 Capı́tulo 3
A pesar de que la mayorı́a de simuladores permiten estudiar la estabilidad

de una red de dos puertos en régimen lineal, generalmente carecen de una
herramienta que permita el análisis de estabilidad en gran señal, motivo por
el cual es necesario contar con otras estrategias para su estudio.
En la actualidad, existen diversos métodos de análisis de estabilidad cuyo
objetivo fundamental es servir de ayuda a los diseñadores de circuitos de RF
y microondas para la prevención de inestabilidades en sus diseños.
Dentro de los métodos capaces de estudiar la estabilidad en gran señal
cabe destacar la herramienta comercial STAN R , por su compatibilidad con
otros software y por su amigable interfaz, que permite al usuario realizar el
análisis de estabilidad sin necesidad de ser un experto en la materia.
Dicha herramienta fue desarrollada por la Universidad del Paı́s Vasco en
colaboración con la Agencia Espacial Francesa (CNES). Esta herramienta
basa el estudio de la estabilidad de los dispositivos en la técnica de
identificación de polos y ceros. El uso de esta estrategia hace que dicha
herramienta sea válida en DC, en pequeña señal y en gran señal [37].
3.5.2.1. Herramienta STAN R .

En primer lugar, para utilizar la herramienta STAN R , se debe
seleccionar un nodo del circuito donde se quiera anlaizar la estabilidad
y conectar a dicho nodo una fuente de corriente, Figura 3.58.
Figura 3.58: Fuente de corriente conectada en un nodo determinado del

dispositivo para el análisis de estabilidad [37].
En circuitos simples, con una clara estructura de realimentación

(algunos amplificadores, osciladores, etc.), cualquier nodo puede
servir para el análisis. Sin embargo, para circuitos con una elevada
complejidad como los amplificadores de potencia multietapa, es

recomendable al menos realizar un análisis en cada etapa [37].
Una vez seleccionado el nodo o los nodos, es necesario llevar a cabo

una simulación lineal o no lineal con un simulador comercial, de forma
que se pueda obtener la respuesta en frecuencia del circuito. En la
actualidad, existen plantillas que pueden ser utilizadas en ADS R o en
AWR Microwave Office R , para ası́ facilitar la implementación de este
método de análisis en estos entornos de simulación [37].
Una vez se cuenta con la respuesta en frecuencia, es necesario obtener

la función de transferencia y los polos y ceros asociados. Para este paso
es necesario utilizar la herramienta STAN R , la cual valiéndose de un
archivo de texto obtenido del simulador, es capaz de forma sencilla de
realizar la identificación y el análisis de los resultados. En la Figura
3.59 se puede ver el resultado de la identificación de polos y ceros [37].
Figura 3.59: Identificación de los polos y ceros [37].
Cabe destacar que la herramienta STAN R , permite llevar a cabo un

análisis multiparamétrico, es decir, analizar la evolución de los polos y ceros
con la variación del valor de un determinado parámetro del circuito como
por ejemplo la potencia de entrada, la impedancia de carga, la tensión de
polarización, entre otros [37].
3.6. Conclusiones
En general, un amplificador distribuido se basa en N celdas unitarias
de ganancia situadas a lo largo de dos lı́neas de transmisión. Dichas celdas
148 Capı́tulo 3
pueden presentar diferentes topologı́as: un transistor en fuente común, dos

transistores en cascodo o variaciones del cascodo. La elección de una u otra
topologı́a tendrá su efecto en las prestaciones del amplificador distribuido,
por lo que es importante entender su efecto.
Existen diferentes estrategias que permiten el estudio de los
amplificadores distribuidos, entre las que se encentra el método de los
parámetros imagen. Este método permite describir en mayor medida los
aspectos que subyacen en el funcionamiento de estos dispositivos, gracias
a su naturaleza analı́tica.
El método de los parámetros imagen se basa fundamentalmente en definir
las celdas unitarias de las lı́neas de puerta y drenador, compararlas con las
redes de dos puertos en T y calcular su impedancia imagen. En las Figuras
3.60 y 3.61 se muestran las impedancias imagen de la lı́nea de puerta y
drenador, respectivamente, para los cuatro casos aquı́ descritos utilizando
las fórmulas aproximadas.
Figura 3.60: Impedancia imagen para la lı́nea de puerta de las distintas

configuraciones, con aproximaciones en la formulación.
A través de estas figuras se puede ver la dificultad que entraña adaptar la

lı́nea de puerta para rangos de frecuencias elevados, debido a la dependencia
de la impedancia imagen de la puerta con la frecuencia. Una posibilidad
para mejorar esta dependencia es el uso de una capacidad en la puerta del

transistor en fuente común de una estructura en cascodo, a costa de una
reducción en la ganancia.
Figura 3.61: Impedancia imagen para la lı́nea de drenador de las distintas

configuraciones, con aproximaciones en la formulación.
Sin embargo, estas figuras no muestran las dificultades que presenta la

lı́nea de drenador en las estructuras de cascodo, debido a las aproximaciones
llevadas a cabo en la formulación, aproximaciones que tienen un menor
impacto en la lı́nea de puerta. Para ver estas dificultades es necesario hacer
uso de la formulación completa, Figura 3.62. A través de esta figura, es posible
ver la evolución de la parte real de la impedancia de drenador y comprobar
que, para el caso de los cascodos, dicha lı́nea va a marcar la frecuencia inferior
de funcionamiento y que como máximo va a tomar un valor de 46 Ω. Además,
en cuento a la parte imaginaria de dicha impedancia, se puede apreciar que
para el caso de las topologı́as en cascodo toma un valor significativo.
Las diferentes estructuras de la celda unidad no sólo tienen efecto en
la impedancia imagen de las lı́neas de drenador y puerta, sino que tiene
también su influencia en otros parámetros importantes como: el coeficiente
de atenuación, la constante de fase, la frecuencia de corte y el retardo de
grupo.
150 Capı́tulo 3
Figura 3.62: Impedancia imagen para la lı́nea de drenador de las distintas

configuraciones.
La lı́nea de drenador es la que cuenta con un coeficiente de atenuación

mayor en todas las estructuras aquı́ presentadas, pudiéndose reducir en gran
medida, sobre todo para frecuencias bajas, con la utilización de estructuras
como el cascodo y sus posteriores modificaciones. La disminución de este
parámetro tiene una fuerte influencia en la ganancia del dispositivo. Por este
motivo, la utilización de estructuras donde los transistores en cascodo sean
utilizadas como celdas unitarias de ganancia permiten aumentar la ganancia
con respecto a celdas con un transistor en fuente común.
Sin embargo, estas estructuras siguen sin mejorar en gran medida la
diferencia entre la constante de fase de ambas lı́neas, por lo cual, a la hora de
llevar a cabo el diseño se deberá tener especial cuidado en la elección de las
longitudes de las lı́neas, de manera que se igualen los tiempos de propagación
de las mismas.
A la hora de determinar la aplicación a la que irá destinado un
amplificador distribuido, es importante tener en cuenta la frecuencia de corte.
Esta frecuencia, viene dada por la frecuencia de corte de la lı́nea de puerta,
debido fundamentalmente a que la capacidad Cgs es mucho mayor que la
capacidad Cds . Existen métodos para mejorar la frecuencia de corte de la
lı́nea de puerta, como es la introducción de una capacidad adicional, C2, en

la puerta del transistor en fuente común. Sin embargo, esta solución, como
ya se ha mencionado, tiene como inconveniente la reducción de la ganancia.
Por otro lado, a la hora de llevar a cabo el diseño de un amplificador
distribuido para aplicaciones ópticas, es importante minimizar la variación
del retardo de grupo. Como se ha detallado, uno de los parámetros con mayor
influencia en dicha variación, es el tamaño de la puerta de los transistores que
conforman la celda de ganancia. Un incremento en el tamaño del transistor
se refleja en un aumento de esta variación. Es importante destacar que para
transistores de tamaños equivales, pero distinto número de dedos y anchura
de puerta, el incremento en el número de dedos supone un aumento también
la la variación del retardo de grupo. Además, también se ha comprobado
el impacto de las distintas topologı́as de celdas de ganancia en el retardo de
grupo, viéndose que con la celda en cascodo se obtiene menores diferencias del
retardo de grupo para transistores de gran tamaño. En este punto destacar
que para el cálculo del retardo de grupo se ha utilizado un modelo en
pequeña señal del transistor más completo que para el caso del cálculo de la
impedancia imagen, es decir, se ha considerado la capacidad situada entre la
puerta y el drenador. Esto se debe a que durante el proceso de formulación se
comprobó que era la mejor forma de ajustar los resultados de la formulación
con los resultados proporcionados por ADS R .
Además, a la hora de realizar un diseño de un amplificador es importante
tener en cuenta los factores que introducirán ruido. En el caso concreto del
amplificador distribuido, estos factores pueden ser resumidos en tres: el ruido
debido a la propia fuente, el ruido procedente de las terminaciones de puerta
y drenador y, por último, al propio transistor.
Por último, destacar la importancia de realizar un estudio completo de la
estabilidad, debido fundamentalmente a la imposibilidad de realizar ajustes
en el diseño en el caso de tecnologı́a monolı́tica.
152 Capı́tulo 3
Bibliografı́a
[1] Säckinger, E., Broadband Circuits for Optical Fiber Communication.

[2] Percival, W.S., Improvements in and relating to thermoionic valve

circuits. British Patent Specification No.460562, 1936.
[3] Ginzton, W.R., Jasberg, J.H. and Noe, J.D., Distributed

Amplification. Proceedings of the I.R.E., vol.36, n.8, 1948.
[4] Horton, W.H., Jasberg, J.H. and Noe, J.D., Distributed

amplifiers: practical considerations and experimental results.
Proceedings of the I.R.E., vol.38, n.7, 1950.
[5] Bassett, H.G. and Kelly, L.C., Distributed amplifiers: some new
methods for controlling gain/frequency and transient responses of
amplifiers having moderate bandwidths. Proceedings of the IEE - Part
III: Radio and Communication Engineering, vol.101, n.69, 1954.
[6] Camacho Pañalosa, C., Matin Guerrero, T.M., Mata

Contreras, J., Ng Molina, F.Y. and Pérez Parras, S.,
Amplificación distribuida: una reseña histórica. Actas del XXX
Simposium Nacional de la Unión Cientı́fica Internacional de Radio
(URSI), 2015.
[7] Moser, A., 140MHz Ketenverstärker Mit Feldeffekttranssistoren. Inter.

Elek Rundschau, vol.5, 1967.
[8] Jutzi, W., A MESFET distributed amplifier with 2 GHz bandwidth.

Proceedings of the IEEE., vol.57, n.6, 1969.
[9] Ayasli, Y., Vorhaus, R. and Reynolds, L., Monolithic GaAs

travelling-wave amplifier. Electronics Letters, vol.17, n.12, 1981.
153
154 Capı́tulo 3
[10] Strid, E.W. and Gleason, K.R., A DC-12 GHz monolithic

GaAsFET distributed amplifier. IEEE Transactions on Electron Devices,
vol.29, n.7, 1982.
[11] Niclas, K.B., Wilser, W.T., Kritzer, T.R. and Pereira, R.R.,
On Theory and Performance of Solid-State Microwave Distributed
Amplifiers. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,
vol.31, n.6, 1983.
[12] Beyer, J.B., Prasad, S.N., Becker, R.C., Nordman, J.E.

and Hohenwarter, G.K., MESFET Distributed Amplifier Design
Guidelines. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,
vol.32, n.3, 1984.
[13] Kim, B. and Tserng, H.Q., 0.5W, 2 To 21 GHz Monolithic GaAs

Distributed Amplifier. Electronic Letters, vol.20, n.7, 1984.
[14] Prasad, S.N., Beyer, J.B. and Chang, J.S., Power-Bandwidth

Considerations in the Design of MESFET Distributed Amplifier. IEEE
Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.36, n.7, 1988.
[15] Ayasli, Y., Miller, S.W., Mozzi, R. and Hanes, L.K.,

Capacitively Coupled Traveling-Wave Power Amplifier. IEEE
Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.32, n.12,
1984.
[16] D’Agostino, S. and Paoloni, C., Design of high-performance

power-distributed amplifier using Lange couplers. IEEE Transactions on
Microwave Theory and Techniques, vol.42, n.12, 1994.
[17] Shapiro, E.S., Xu, J., Nagra, A.S., Willams, F., Mishra,
U.K. and York, R.A., A high-efficiency traveling-wave power amplifier
topology using improved power-combining techniques. IEEE Microwave
and Guided Wave Letters, vol.8, n.3, 1998.
[18] Aitchison, C.S., Bukhari, N., Law, C. and Nazoa-Ruiz, N., The
dual-fed distributed amplifier. IEEE MTT-S International Microwave
Symposium Digest, vol.2, n.3, 1988.
[19] Moazzam, M.R. and Aitchison, C.S., A high gain dual-fed single
stage distributed amplifier. IEEE MTT-S International Microwave
Symposium Digest, vol.3, 1994.
[20] Agarwal, B., Schmitz, A.E., Brown, J.J., Matloubian, M.,

Case, M.G., Le, M. and Rodwell, M.J.W., 112-GHz, 157-GHz,
and 180-GHz InP HEMT traveling-wave amplifiers. IEEE Transactions
on Microwave Theory and Techniques, vol.46, n.12, 1998.
[21] Wong, T.T.Y., Fundamentals of Distributed Amplification. Artech
House, 1993.
[22] Ayasli, Y., Mozzi, L., Vorhous, J.L., Reynolds, L.D. and
Pucel, R.A., A Monolithic GaAs 1-13 GHz Traveling-Wave Amplifier.
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.MMT-30,
1982.
[23] Pozar, D.M., Microwave Engineering. John Wiley & Sons, Inc., 4th
edition, 2011.
[24] Walker, J.L.B., Some observations on the design and performance
of distributed amplifiers. IEEE Transactions on Microwave Theory and
Techniques, vol.40, n.1, 1992.
[25] Gamand, P., A complete small size 2 to 30 GHz hybrid distributed
amplifier using a novel design technique. IEEE MTT-S International
Microwave Symposium Digest, 1986.
[26] Zobel, O.J., Transmission characteristics of electric wave-filters. The
Bell System Technical Journal, vol.3, n.4, 1924.
[27] Jeong, J. and Kwon, Y., Monolithic distributed amplifier with active
control schemes for optimum gain and group-delay flatness, bandwidth,
and stability. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,
vol.52, n.4, 2004.
[28] Shuicheng, C. and Zhigong, W., 0-80GHz 0.15 µm GaAs
PHEMT Distributed Amplifier for Optic-Fiber Transmission Systems.
International Conference on Microwave and Millimeter Wave
Technology, 2007.
[29] Browers, K. and Riehl, P., Broadband Microwave Distributed
Amplifier.
[30] Pusl, J., Agarwal, B., Pullela, R., Nguyen, L.D., Le, M.V.,
Rodwell, J.W., Larson, L., Jensen, J.F., Yu, R.Y. and
Case, M.G., Capacitive-division traveling-wave amplifier with 340 GHz
gain/bandwidth product. IEEE 1995 Microwave and Millimeter-Wave.
Monolithic Circuits Symposium. Digest of Papers, 1995.
156 Capı́tulo 3
[31] Ramón Asenjo, E., Diseño de Amplificadores de Microondas.

Monografı́a. Universidad de Chile, 2005.
[32] Standards on Receivers: Definitions of Terms, 1952. Proceedings of the

IRE, vol.40, n.12, 1952.
[33] Aitchison, C.S., The Intrinsic Noise Figure of the MESFET

Distributed Amplifier. IEEE Transactions on Microwave Theory and
Techniques, vol.33, n.6, 1985.
[34] Van Der Ziel, A., Gate noise in field effect transistors at moderately
high frequencies. Proceedings of the IEEE, vol.51, n.3, 1963.
[35] Rollet, J., Stability and Power-Gain Invariants of Linear Twoports.

IRE Transactions on Circuit Theory, vol.9, n.1, 1962.
[36] Edwards, M.L. and Sinsky, J.H., A new criterion for linear
2-port stability using a single geometrically derived parameter. IEEE
Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol.40, n.12, 1992.
[37] AMCAD Engineering, STAN Circuit Stability Analysis Tool.

AMCAD Engineering, 2014.
Capı́tulo 4
Diseño de un Amplificador
Distribuido: Single Driver
Una vez comprendido el comportamiento básico de las diferentes

topologı́as de amplificadores distribuidos, en el presente capı́tulo se
detallará el diseño de un amplificador distribuido en tecnologı́a monolı́tica
orientado a las comunicaciones ópticas. En concreto, la finalidad del
amplificador distribuido diseñado es la de actuar como predriver con una
tasa binarı́a mı́nima de 32 Gbps.
A partir de las especificaciones se plantea un proceso de diseño que
se inicia con la elección del tamaño del transistor y la topologı́a de la
celda unitaria de ganancia del amplificador. A continuación, mediante los
parámetros en pequeña señal del transistor, se obtendrán el número de etapas
necesarias y los valores iniciales de las inductancias de las lı́neas de puerta
y drenador. Una vez obtenidas las longitudes de las lı́neas, a través de sus
inductancias, se procederá a optimizar el diseño. Para finalizar el proceso de
diseño, una vez realizada la optimización, se obtendrá el layout equivalente
y las simulaciones electromagnéticas.
Al final del capı́tulo, se compararán los resultados de simulación con los
obtenidos de manera experimental. Además, se comparará el diseño con otros
de la literatura.
4.1. Especificaciones.
A continuación, se procede a diseñar un amplificador distribuido que
cumpla con las especificaciones que se recogen en la siguiente tabla (Tabla
4.1). Además de estas especificaciones generales, el amplificador distribuido
deberá cumplir con las especificaciones recogidas en la Tabla 4.2, de forma
157
158 Capı́tulo 4
que se garantice su correcto funcionamiento como driver.
Tabla 4.1: Especificaciones generales del amplificador distribuido.

Parámetros Especificaciones
Mı́nimo Tı́pico Máximo
Ancho de Banda 3dB (GHz) 0 40
S(1,1) (dB) -20 -15
S(2,2) (dB) -20 -15
S(2,1) (dB) 11
Rizado (BW 1dB) (dB) ±0.5
Variación retardo de grupo (ps) ± 10
Figura de ruido (dB) 4 5
Psat (dBm) 19
Voltaje de drenador (V) 6
Corriente de drenador (Vd=6V) 120 mA
Rango de temperaturas (o C) -40 25 85
Degradación especificaciones con la temperatura 1.5 dB
Tabla 4.2: Especificaciones del predriver.

Tasa binaria 10 Gbps 32 Gbps
Amplitud de señal de entrada 300 mVpp 600 mVpp
Amplitud del diagrama de ojo de salida 1.5 V 2.5 V
Cruce de amplitud 50 %
Jitter (RMS) 0.5 ps 1 ps
Tiempo de subida (20 %-80 %) 10 ps
Tiempo de bajada (20 %-80 %) 10 ps
Undershoot 5%
Overshoot 5%
A la hora de llevar a cabo el diseño, también es importante tener en cuenta

las dimensiones del encapsulado dónde se desea integrar el amplificador
distribuido. En este caso, se ha optado por un encapsulado de montaje
superficial, en concreto, un QFN (Quad Flat No-Lead) de Quick-Pack cuyos
pines se encuentran situados a lo largo de los cuatro bordes de la parte inferior
del encapsulado [1]. Este encapsulado de 5 mm de lado, cuenta con 32 pines
Diseño de un Amplificador Distribuido: Single Driver 159
y proporciona una superficie de 3.2x3.2 mm2 para situar el amplificador

distribuido.
En la Figura 4.1 se muestran las diferentes vistas del encapsulado QFN
y el detalle de sus dimensiones.
Figura 4.1: Vistas del encapsulado QFN.
4.2. Proceso de diseño.

4.2.1. Elección del transistor y del punto de trabajo.
El proceso de diseño comienza con la elección del tamaño de partida del
transistor que se va a utilizar en cada celda de ganancia del amplificador
distribuido. Para lo cual, como punto de partida, se representa la curva
I-V del transistor para las posibles combinaciones de número de dedos
y anchura de la puerta del transistor. Es importante recordar, que la
160 Capı́tulo 4
tecnologı́a monolı́tica escogida, la tecnologı́a PL15-12 de WIN R , permite

utilizar transistores FET con un número de dedos entre 2 y 8 (siendo siempre
par) y una anchura de puerta de entre 20 y 100 µm (ver Apéndice C). En la
Figura 4.2 están representadas las curvas I-V para los transistores: 2x20 µm,
2x25 µm, 2x30 µm y 2x40 µm.
Figura 4.2: Caracterı́stica I-V para distintos tamaños de transistor.
A la vista de las anteriores gráficas, se puede concluir que a medida que

se aumenta la anchura del transistor el consumo del mismo también se hace
mayor. Este aspecto es importante, ya que el amplificador distribuido debe
tener un consumo máximo de 120 mA, lo que supone que si se utiliza un
número tı́pico de etapas de 6, se tendrı́a que cada etapa podrı́a consumir como
máximo: 120 mA/6=20 mA. Teniendo en cuenta los dos puntos de trabajo
marcados en las curvas I-V (P1 y P2) el transistor de mayor tamaño no podrı́a
ser escogido ya que superarı́a dicho consumo. En principio, atendiendo sólo
al consumo, cualquiera de los otros tres casos representados, para los puntos
de polarización P1 y P2, podrı́an ser escogidos para el diseño.
Si se considerase ahora el retardo de grupo, y a tenor de lo visto en
el desarrollo teórico del Capı́tulo 3, lo ideal serı́a escoger el transistor más
pequeño posible ya que este serı́a el que proporcionarı́a una variación del
retardo de grupo menor. Sin embargo, esta elección puede no ser la más
correcta ya que se pueden incumplir el resto de especificaciones. Es por esto,
que es recomendable obtener algún dato más de los transistores, como por
ejemplo, la ganancia máxima de potencia que pueden proporcionar. Para
esto es útil utilizar el modelo FET SP NF Match Circ proporcionado por
ADS R , que además de proporcionar la curva I-V, permite obtener la máxima
ganancia de potencia para un punto de polarización concreto, entre otras
cosas. En la Tabla 4.3 se recoge este parámetro para los dos puntos de
polarización de los transistores utilizados en las curvas I-V anteriormente
mostradas y una frecuencia de operación de 30 GHz.
Tabla 4.3: Máxima ganancia de potencia en función del tamaño del transistor
y del punto de polarización.
Tamaño del transistor Punto de polarización Máxima ganancia de potencia (dB)
2x20 µm P1 (Vds = 2 V y Vgs = 0 V) 11.037
P2 (Vds = 3 V y Vgs = −0,1 V) 11.144
2x25 µm P1 (Vds = 2 V y Vgs = 0 V) 11.495
P2 (Vds = 3 V y Vgs = −0,1 V) 11.638
2x30 µm P1 (Vds = 2 V y Vgs = 0 V) 11.851
P2 (Vds = 3 V y Vgs = −0,1 V) 12.024
2x40 µm P1 (Vds = 2 V y Vgs = 0 V) 12.372
P2 (Vds = 3 V y Vgs = −0,1 V) 12.595
Teniendo en cuenta que la ganancia en pequeña señal debe ser superior

a 11 dB y, con los valores recogidos en la anterior tabla, se podrı́a
escoger cualquiera de los cuatro transistores, sin embargo, como ya se habı́a
mencionado, el transistor más grande para esos puntos de polarización
superarı́a la corriente máxima en el caso de 6 etapas. Los transistores más
pequeños, 2x20 µm y 2x25 µm, serı́an la mejor opción para la variación
del retardo de grupo y el consumo, sin embargo dejarı́an muy poco margen
para la ganancia en pequeña señal. Teniendo en cuenta todo lo anterior, el
transistor 2x30 µm se presenta como la mejor opción para iniciar el diseño
del amplificador distribuido.
4.2.2. Parámetros en pequeña señal.

Para obtener los parámetros en pequeña señal del transistor, además de
su tamaño (2x30 µm), es necesario el punto de polarización, que teniendo en
cuenta los datos recogido en la Tabla 4.3, se fija en Vds = 3 V y Vgs = −0,1
V.
162 Capı́tulo 4
Como se detalla en el Apéndice C, en la documentación de la tecnologı́a

PL15-12 sólo se proporciona los parámetros en pequeña señal para los
transistores con un ancho de puerta de : 20, 25, 50 y 100 µm. Por esto,
se supondrá que los parámetros por unidad de longitud del transistor 2x30
µm en un punto de polarización concreto son similares a los del transistor
2x25 µm en el mismo punto de polarización, Tabla 4.4.
Tabla 4.4: Parámetros por unidad de longitud del modelo en pequeña señal
del transistor.
Vds (V) Vgs (V) gm0 (mS) Cgs0 (pF) Cds0 (pF) Ri0 (pF) Rds0 (pF) Cgd0 (pF)
3 -0.1 76 115 15 4 240 19
Una vez obtenidos los parámetros por unidad de longitud y utilizando las
fórmulas recogidas en el Apéndice C, se escalan los parámetros fundamentales
del modelo (Cgs0 , Cds0 y gm0) y se obtienen los parámetros del transistor
deseado, Tabla 4.5.
Tabla 4.5: Parámetros por unidad de longitud del modelo en pequeña señal
del transistor.
Vds (V) Vgs (V) gm (mS) Cgs (pF) Cds (pF)
3 -0.1 46 74 9
4.2.3. Valores iniciales para la optimización.

Una vez obtenidos los parámetros en pequeña señal del transistor se puede
continuar con el siguiente paso del diseño del amplificador distribuido: la
elección de la topologı́a y del número de etapas.
En este punto, y para evitar las optimizaciones a ciegas, que pueden dar
como solución una que no sea la más óptima, se procede a utilizar conceptos
teóricos en el proceso de diseño.
Como ya se menciono en el capı́tulo anterior, las lı́neas de puerta y
drenador pueden ser vistas como filtros paso bajo (Figura 4.3(a)), pero
también se pueden definir dichas lı́neas como un filtro paso todo (Figura
4.3(b)) [2]. Teniendo esto en cuenta, y marcando como objetivos una ganancia
en pequeña señal de, al menos, 11 dB y un ancho de banda mı́nimo de 30
GHz, se puede proceder a detallar el proceso llevado a cabo para la obtención
de los valores iniciales para la optimización.
Figura 4.3: a) Filtro paso bajo (Constant K). b) Filtro paso todo (Constant
R).
4.2.3.1. Descripción general del proceso de obtención de los

parámetros para la optimización.
1. Se determinan los parámetros independientes del diseño.
a) Tamaño del transistor y punto de polarización.

b) Impedancia caracterı́stica de las lı́neas de puerta y drenador y
determinación de su parámetro de progresión: Exg y Exd.
c) Inductancia mutua entre los segmentos de las lı́neas de puerta y
drenador: kd y kg.
2. Se define la celda unitaria de ganancia. Esta celda puede tomar

cualquiera de las estructuras descritas en el anterior capı́tulo.
3. A través de las siguientes ecuaciones se pueden obtener los parámetros

iniciales de cada una de las celdas del diseño.
Lı́nea de puerta:
Cgs
Cbg =
4kg 2
1 − kg 2
mrg =
1 + kg 2
2
Cgs Zgi
Lg =
2(1 − mrg)
M = −mrgLg
Lı́nea de drenador:
Cds
Cbd =
4kd2
1 − kd2
mrd =
1 + kd2
164 Capı́tulo 4
r
Lg Cgs
Ld = Zdi
2(1 − mrd)
M = −mrdLd
Impedancia caracterı́stica de las lı́neas:
Exg
n + 1 − rcel
Zgi = Zg
n
n Exd
Zdi = Zd
rcel
donde n es el número de etapas y rcel=i la posición de la celda
unitaria en el diseño.
4. Estas mismas ecuaciones permiten obtener de forma automáticas una
buena adaptación a la entrada y a la salida.
4.2.3.2. Aplicación al amplificador distribuido bajo estudio.

A continuación, se particulariza el anterior proceso para el diseño del
amplificador distribuido bajo estudio, utilizando como herramienta ADS R .
1. Se determinan los parámetros independientes del diseño.

a) Inicialmente se va a utilizar un transistor de 2x30 µm, polarizado
con Vds = 3 V y Vgs = −0,1 V. Al fijar estos elementos es posible
determinar los parámetros en pequeña señal del transistor como
se ha detallado en el apartado 4.2.2.
b) En este diseño la impedancia caracterı́stica de las lı́neas se
mantiene constante a lo largo de todo el amplificador distribuido,
es decir, Zg y Zd son iguales y toman un valor de 50 Ω. Para lo cual,
Exd y Exg toman un valor de 0, de forma que no se está teniendo
en cuenta la posible variación de la impedancia caracterı́stica.
c) Para simplificar el proceso de obtención de los parámetros se va
a considerar que no existe inductancia mutua en ninguno de los
segmentos de las lı́neas, por lo tanto kg = kd = 1.
2. En primer lugar, se toma como celda unitaria de ganancia un
transistor en fuente común. En realidad, inicialmente dicho transistor
es sustituido por su modelo simplificado en pequeña señal, tal y como
se muestra en la Figura 4.4. Además, se define otra celda unitaria en
la que se utiliza un transistor de la librerı́a PL15-12 que coincide con
los parámetros del modelo en pequeña señal (transistor de 2x30 µm,
polarizado con Vds = 3 V y Vgs = −0,1 V), Figura 4.5.
Figura 4.4: Celda de ganancia utilizando el modelo simplificado en pequeña

señal de un transistor en fuente común.
Figura 4.5: Celda de ganancia utilizando el modelo no lineal de un transistor

de la librerı́a PL15-12.
A parte de estas dos celdas que simulan un transistor en fuente común,

se define una tercera y última: una celda con una estructura en
cascodo con una capacidad adicional C1 usando el modelo no lineal
proporcionado por la librerı́a PL15-12, Figura 4.6.
La definición de estas tres celdas unitarias de ganancia permite
comprobar: como evoluciona la ganancia de un amplificador distribuido
con el aumento del número de etapas; el efecto en los parámetros del
amplificador cuando se utiliza un modelo en pequeña o un modelo
no lineal; y las mejoras introducidas por el uso de una estructura en
cascodo con una capacidad adicional en la puerta del transistor en
puerta común.
166 Capı́tulo 4
Figura 4.6: Celda de ganancia en cascodo con capacidad C1, utilizando el

modelo no lineal de un transistor de la librerı́a PL15-12.
3. A continuación, se define un esquemático de ADS R con el número de

celdas de ganancia que se desean simular y se corre una simulación de
parámetros S. Esta simulación permite obtener los parámetros iniciales
de cada una de las celdas del diseño además de obtener otros parámetros
como la ganancia en pequeña señal, el aislamiento y el retardo de grupo,
entre otros.
En la Figura 4.7 se puede ver la variación de la ganancia de una
amplificador distribuido en función del número de etapas (1, 3 y 6), para
el caso de utilizar la celda de ganancia de un transistor en fuente común
que hace uso del modelo en pequeña señal del transistor escogido. Como
se puede ver en dicha figura, a media que se incrementa el número
de etapas la ganancia del amplificador distribuido aumenta, mientras
que el ancho de banda disminuye. También se comprueba que con un
número de etapas igual o superior a 3, el amplificador distribuido ya
obtiene una ganancia por encima de los 11 dB.
Sin embargo, si se realizan las mismas simulaciones pero utilizado el
modelo no lineal del transistor en la celda unitaria, la ganancia del
amplificador distribuido que se obtiene es mucho menor. Esto era de
esperar debido al modelo tan simplificado utilizado como modelo en
pequeña señal del transistor, lo que hace que los resultados se alejen
más de la realidad.
Figura 4.7: Ganancia directa de un amplificador distribuido en fuente común

en función del número de etapas (modelo en pequeña señal del transistor).
En la Figura 4.8 se puede ver la ganancia de un amplificador distribuido

de 6 etapas en el caso de utilizar: el modelo en pequeña señal y el
modelo no lineal del transistor proporcionado en la librerı́a PL15-12.
En dicha figura se observa que la ganancia obtenida en el caso del
modelo no lineal es mucho menor y que además presenta un mayor
rizado. Además, se comprueba que en este caso es necesario utilizar 6
etapas para alcanzar valor de ganancia en pequeña señal de entorno
a 11 dB, con un ancho de banda de 37 GHz (definiendo el ancho de
banda como la frecuencia a la cual se produce una caı́da de 3 dB en la
ganancia).
Figura 4.8: Comparativa de la ganancia de un amplificador distribuido de 6

etapas con transistor en fuente común: modelo en pequeña señal y modelo
no lineal.
168 Capı́tulo 4
Una vez comparadas las dos configuraciones de la celda del transistor en

fuente común, se procede a comprobar el efecto de usar una estructura
en cascodo con una capacidad adicional en la puerta del transistor en
puerta común.
Como se puede observar en la Figura 4.9, al utilizar una estructura
en cascodo se incrementa la ganancia obtenida y se reduce su rizado.
Además, se puede ver que el ancho de banda es de 44 GHz, mejorando
en 7 GHz el obtenido en el caso de un transistor en fuente común.
Figura 4.9: Ganancia de un amplificador distribuido de 6 etapas con celda

de ganancia: transistor en fuente común (sc) y en cascodo (cc).
Además, en la Figura 4.10 se puede ver como el uso de una estructura

en cascodo mejora el aislamiento entre la entrada y la salida. En este
caso en concreto, este parámetro está por debajo de los -23 dB en toda
la banda, lo que supone una mejora de 10 dB con respecto al caso de
un transistor en fuente común.
Como el diseño está orientado a las comunicaciones ópticas, es
importante comprobar el efecto del cambio de estructura en la variación
del retardo de grupo. En la Figura 4.11 se puede comprobar que el uso
del cascodo reduce significativamente la variación del retardo de grupo
con respecto al que se obtendrı́a con un transistor en fuente común,
obteniéndose una variación del retardo de grupo máxima en la banda
de trabajo de 11.6 ps.
Resumiendo, como ya se comento en el Capı́tulo 3, el uso de una
estructura en cascodo, debido a la reducción del efecto Miller, se mejora
el rizado de la ganancia, el aislamiento y el ancho de banda. Además,
se aumenta la propia ganancia debido a la reducción de las pérdidas de

la lı́nea de drenador. En cuanto a la variación del retardo de grupo, se
han obtenido resultados que concuerdan con el estudio teórico, viéndose
una mejora significativa con el uso de la topologı́a en cascodo. Por
estos motivos, se decide utilizar la estructura en cascodo con capacidad
adicional en la puerta del transistor en puerta común, como celda
unitaria de ganancia en el presente diseño.
Figura 4.10: Aislamiento de un amplificador distribuido de 6 etapas con celda

de ganancia: transistor en fuente común (sc) y en cascodo (cc).
Figura 4.11: Retardo de grupo de un amplificador distribuido de 6 etapas

con celda de ganancia: transistor en fuente común (sc) y en cascodo (cc).
4. En este punto se puede determinar las inductancias de las lı́neas de

170 Capı́tulo 4
puerta y drenador. Estos valores son obtenidos directamente tras la

simulación de parámetros S.
Lg = Ld = 0,185nH (4.1)
Una vez obtenidos estos valores de inductancia (L), es posible obtener

las longitudes (l) de las lı́neas microstrip equivalentes mediante la
siguiente ecuación:
300L(nH)
l(mm) = √ (4.2)
Z0 ef f
donde Z0 y ef f pueden ser calculadas mediante las siguientes

expresiones [3]:
w
Si 61
h
60
Z0 = √ Ln(8h/w + 0,25w/h) (4.3)
ef f
r + 1 r − 1
(1 + 12h/w)−1/2 + 0,04(1 − w/h)2

ef f = + (4.4)
2 2
w
Si >1
h
√
120π/ ef f
Z0 = (4.5)
w/h + 1,393 + 0,667Ln(w/h + 1,444)
r + 1 r − 1
ef f = + (1 + 12h/w)−1/2 (4.6)
2 2
donde w en la anchura de la lı́nea, t su altura (2 µm en la tecnologı́a
PL15-12), h la altura del substrato (100 µm en la tecnologı́a PL15-12)
y r la permitividad relativa del dieléctrico (12.9 en la tecnologı́a
PL15-12).
Si se considera que la anchura de la lı́nea de drenador es de 25 µm,
anchura suficiente para soportar la corriente máxima marcada por las
especificaciones (120 mA), se tiene que su longitud debe ser:
300 ∗ 0,185
ld = √ = 0,26675mm = 266,75µm (4.7)
73,87 7,93
Mientras que la lı́nea de puerta se considera que inicialmente tiene una

anchura de 20 µm, por tanto su longitud deberı́a ser:
300 ∗ 0,185
lg = √ = 0,25067mm = 250,67µm (4.8)
78,95 7,86
Una vez determinado el tamaño de los transistores, su punto de

polarización, el número de etapas, la estructura de las mismas y de haber
obtenido las longitudes de las lı́neas, es un buen momento para iniciar el
proceso de optimización, partiendo de un diseño como el mostrado en la
Figura 4.12.
Figura 4.12: Amplificador distribuido.
4.3. Simulaciones a nivel esquemático.

Tras el proceso de optimización realizado en ADS R , se ha mantenido
la configuración del amplificador distribuido mostrado en la Figura 4.12.
Sin embargo, algunos valores han sido ajustados, Tabla 4.6, para obtener
unos mejores resultados en simulación. Cabe destacar que las modificaciones
realizadas han sido muy pequeñas por lo que se puede validar el proceso de
obtención de los valores iniciales descrito en el apartado anterior. Entre los
elementos que han visto modificado su valor se encuentra la impedancia de
carga de la lı́nea de drenador, la cual pasa a tomar un valor algo menor de
50 Ω, lo cual concuerda con lo visto en el capı́tulo anterior. Además, para
172 Capı́tulo 4
compensar el efecto a baja frecuencia de la lı́nea de drenador, visto en el

Capı́tulo 3 en el caso de los cascodos, se va a utilizar una capacidad externa
de 510 pF conectada a dicha lı́nea.
Tabla 4.6: Valores de los componentes que conforman el diseño del

Parámetro Valor
Número de etapas 6
Número de dedos (NOF) 2
Anchura de la puerta (Ugw) 30 µm
Tensión de drenador (Vd ) 6V
Tensión de puerta (Vg2 ) 2V
Zg 50 Ω
Zd 48 Ω
Capacidad adicional (C1) 0.1425 pF
lg 234 µm
ld 274 µm
wg 20 µm
wd 25 µm
A continuación, se describen los resultados en pequeña señal y en potencia

a nivel esquemático, con todos los componentes procedentes de la librerı́a
PL15-12, del amplificador distribuido diseñado.
4.3.1. Pequeña señal.

En este apartado, se procede a presentar las simulaciones a nivel
esquemático de algunos de los parámetros fundamentales del diseño del
driver: los parámetros de dispersión, la figura de ruido, el retardo de grupo
y la estabilidad en pequeña señal.
En la Figura 4.13 se pueden observar los parámetros de scattering del
amplificador distribuido. Como se puede ver en dicha figura, el diseño
presenta un buen aislamiento entre la entrada y la salida, con un valor
máximo de -26 dB.
Por otro lado, se comprueba la buena adaptación del diseño tanto a la
entrada como a la salida, presentando unos valores por debajo de los -18 dB
y los -16 dB, respectivamente, para toda la banda de interés. Además, es
importante destacar que estos parámetros permanecen por debajo de los 0
dB fuera de la banda de trabajo, lo cual es deseable para que no se produzcan
inestabilidades en el diseño.
Figura 4.13: Parámetros S del amplificador distribuido a nivel esquemático.
Por último, destacar de estos parámetros la ganancia en pequeña señal,

la cual alcanza un valor de entorno a 13.5 dB. Esta ganancia presenta una
caı́da de 3 dB a una frecuencia de 36.7 GHz, es decir, se cumple con las
especificaciones marcadas al inicio del diseño. En la Figura 4.14 se puede ver
con más claridad la ganancia en pequeña señal del amplificador distribuido
y el pequeño rizado obtenido, lo que permite obtener una ganancia de 13.2
dB con un rizado de ±0,5 dB en un ancho de banda de 30 GHz.
Figura 4.14: Ganancia en pequeña señal del amplificador distribuido.
En la Figura 4.15 se puede ver la figura de ruido obtenida a la salida

del amplificador distribuido. A pesar de que el diseño no ha sido optimizado
174 Capı́tulo 4
para proporcionar el menor ruido, los resultados obtenidos son muy buenos;
ya que en la mayor parte del ancho de banda, la figura de ruido obtenida
(NF) se ajusta a la figura de ruido mı́nima (NFmin) que se obtendrı́a en el
caso de que el circuito estuviera adaptado de manera óptima para el ruido.
Como se puede ver, la figura de ruido está por debajo de los 5 dB en todo la
banda de frecuencias, tomando un valor mı́nimo de 2.08 dB a 11.5 GHz.
Figura 4.15: Figura de ruido a la salida del amplificador distribuido.
A continuación, en la Figura 4.16 se representa uno de los parámetros

con mayor impacto en las comunicaciones ópticas, debido a su influencia en
la degradación de la señal: el retardo de grupo.
Figura 4.16: Retardo de grupo entre la salida y la entrada del amplificador

distribuido.
En la anterior gráfica, es importante determinar la máxima variación del

retardo de grupo en la banda de trabajo, siendo en este caso de tan sólo 7.425
ps, lo que supone una variación de ±3.7 ps, valor que está muy por debajo
de los ±10 ps que marcaban las especificaciones.
Bajo las condiciones de polarización recogidas en la Tabla 4.6, cada una de
las etapas tiene un consumo de 19 mA, lo que supone un consumo de continua
de 114 mA, por tanto se cumple con lo marcado en las especificaciones (120
mA).
Por último, se comprueba la estabilidad del driver mediante el uso de
los parámetros de estabilidad en pequeña señal, definidos en ADS R como
Stab fact y Stab means, y que son el equivalente a los parámetros de Rollet
definidos en el Capı́tulo 3. Como se puede ver en la Figura 4.17, el parámetro
Stab fact es mayor que 1 y el parámetro Stab means toma un valor positivo,
por tanto se puede decir que en principio el diseño es incondicionalmente
estable. Esta afirmación se estudiará con mayor profundidad a través del
análisis en gran señal de la estabilidad, una vez realizadas las simulaciones
electromagnéticas.
Figura 4.17: Parámetros de estabilidad en pequeña señal.
4.3.2. Balance armónico.

A continuación, se procede a presentar las simulaciones en gran señal del
amplificador distribuido a nivel esquemático, con elementos procedentes de
la librerı́a PL15-12. Para esto, se utiliza la herramienta de balance armónico
proporcionada por ADS R .
En primer lugar, se obtiene la ganancia en potencia en régimen lineal del
amplificador, para lo cual se introduce en el distribuido una señal con una
potencia muy baja, -15 dBm, garantizando ası́ el funcionamiento lineal. Como
se observa en la Figura 4.18, la forma de la ganancia obtenida (lı́nea continua
con cı́rculos) se ajusta muy bien a la forma de la ganancia en pequeña
176 Capı́tulo 4
señal (lı́nea discontinua). Las pequeñas diferencias entre ambas ganancias

son debidas, fundamentalmente, al número de puntos simulados en el balance
armónico.
Figura 4.18: Ganancia en potencia para una potencia de entrada de -15 dBm.
Sin embargo, a medida que se incrementa la potencia de entrada, la

diferencia entre la ganancia en potencia y la ganancia en pequeña señal se
hace evidente, debido a que a medida que se aumenta la potencia de entrada el
dispositivo deja de trabajar en régimen lineal. Este hecho queda representado
en la Figura 4.19 donde se ha representado la ganancia en potencia para tres
potencias de entrada: -15 dBm, 0 dBm y 5 dBm.
Figura 4.19: Ganancia en potencia en función de la frecuencia para tres

potencias de entrada distintas.
Además de representar la ganancia en potencia en función de la

frecuencia, es posible representar dicho parámetro en función de la potencia
de entrada, para distintos valores de frecuencia. Esta representación permite
calcular de forma sencilla el punto de compresión 1 dB; considerando este
punto como la potencia de entrada a la cual la ganancia ha disminuido en

1 dB. En la Figura 4.20 se puede ver la ganancia en potencia para unas
frecuencias de entrada de: 10 GHz, 30 GHz y 40 GHz, obteniéndose una
caı́da en 1 dB de la ganancia para valores de potencia de entrada de 2 dBm,
1 dBm y 4 dBm, respectivamente.
Figura 4.20: Ganancia en potencia en función de la potencia de entrada para

tres frecuencia distintas.
En la Figura 4.21 se puede ver la potencia obtenida a la salida del
driver en función de potencia de entrada para las tres frecuencias utilizadas
anteriormente: 10 GHz, 30 GHz y 40 GHz. Esta gráfica permite obtener la
potencia de saturación del dispositivo, 19 dBm ±0.6 dBm. Además, teniendo
en cuenta las potencias de entrada a las cuales la ganancia caı́a en 1 dB, es
posible obtener el punto 1 dB a la salida: 14 dBm, 13.5 dBm y 12.5 dBm,
respectivamente.
Figura 4.21: Potencia de salida en función de la frecuencia y de la potencia

de entrada.
178 Capı́tulo 4
4.4. Generación del layout.

Una vez llevadas a cabo todas las simulaciones a nivel esquemático, se
procede a realizar la representación fı́sica del diseño, es decir, a realizar
el layout del amplificador. esta representación permite: ver las diferentes
capas que conforman cada uno de los componentes y realizar las simulaciones
electromagnéticas.
El proceso de generación del layout final, no es un proceso directo de
un único paso, sino que requiere de diferentes reajustes y consideraciones de
diseño. A continuación se describen los principales pasos realizados para la
obtención del layout final del diseño.
1. Una vez validado el diseño a nivel esquemático se genera la

representación fı́sica de las lı́neas de puerta y drenador gracias a la
herramienta Autolayout proporcionada por ADS R . Destacar que en
este punto, las secciones de lı́nea entre las diferentes etapas son rectas,
ya que ası́ habı́an sido definidas a nivel esquemático.
2. Se realizan meandros en las lı́neas interetapas de forma que se cumpla
con el ancho máximo del diseño. Una vez realizado esto en las lı́neas de
puerta y drenador, se procede a obtener su modelo electromagnético y a
sustituirlas en el esquemático, de forma que se pueda realizar un primer
reajuste en el resto de parámetros: impedancias de carga, valor de la
capacidad del cascodo, longitud de la lı́nea que une los dos transistores
del cascodo, etc.
3. Una vez ajustados los demás elementos, se genera la representación
de la celda de ganancia y se obtiene su modelo electromagnético. Este
modelo se utiliza para comprobar que el comportamiento obtenido es
similar al obtenido a nivel esquemático, pudiéndose realizar pequeños
ajustes en el valor de las capacidades y resistencias.
4. Se integra todo, lı́neas y celdas, y se obtiene el modelo electromagnético
del conjunto, de forma que se puedan obtener los primeros resultados.
5. En este punto, se pueden realizar pequeños ajustes en los valores
de las resistencias y capacidades, para posteriormente integrar estos
componentes en el Layout.
6. Se pasa al diseño el comprobador de las reglas de diseño de ADS R
(DRC) y se corrigen las infracciones cometidas. Antes de mandarlo a
fabricar, también se deberá pasar dichas reglas en una aplicación web
de la foundry.
A continuación se describen en detalle las principales consideraciones y

dificultades encontradas durante el proceso de generación del layout.
4.4.1. Tamaño máximo del diseño.

Como se mostró en las especificaciones, se decidió que el driver iba a ir
encapsulado en un empaquetado QFN con una superficie útil de 3.2x3.2 mm2 .
Sin embargo, antes de lanzar el proceso PL15-12 se decidó que el amplificador
compartirı́a oblea con otros diseños realizados en la misma tecnologı́a y se
decidió reducir su área máxima, pasando a ser 2.3x1.3 mm2 .
4.4.2. Componentes del diseño.

A nivel esquemático el transistor de la librerı́a PL15-12 cuenta sólo
con un terminal de fuente definido. Sin embargo, a través de sucesivas
simulaciones electromagnéticas, se ha comprobado que el amplificador
presenta un mejor comportamiento si hace uso de los dos terminales de
surtidor en el caso del transistor en fuente común, es decir, si los dos
surtidores se conectan a tierra. Además, se comprobó que la longitud de
las lı́neas que une el transistor con dichas tierras tienen una influencia
bastante notable en la ganancia del amplificador, siendo lo más idóneo
que estas lı́neas tomen valores pequeños. Este hecho hizo imposible que
dos transistores de celdas consecutivas pudieran compartir un back-via,
lo que marcó la distancia mı́nima entre las sucesivas celdas de ganancia.
La foundry impone que a la hora de fabricar un circuito, todos los

dedos de los transistores se encuentren orientados de forma que queden
paralelos al eje X, lo que supone una imposición de la colocación
de los transistores, y en gran medida, del resto de componentes del
amplificador.
La gran longitud de los diferentes segmentos de las lı́neas de puerta

y drenador, junto con la distancia mı́nima entre celdas, hizo necesario
que los diferentes tramos intermedios de las lı́neas fueran diseñados en
forma de meandro. Mientras que el tramo inicial de la lı́nea de puerta
y el tramo final de la lı́nea de drenador se dejaron rectos de forma que
existiera una distancia lo más pequeña posible al borde del circuito,
minimizando ası́ la longitud del bonding necesario para la conexión con
el exterior.
Para realizar la alimentación de la puerta del transistor en puerta

común, se ha utilizado un elemento denominado crossover, de forma que
180 Capı́tulo 4
la lı́nea de alimentación pueda cruzarse con la lı́nea que une el drenador

con el surtidor en la estructura del cascodo. La librerı́a PL15-12 permite
a nivel esquemático definir las dimensiones de este elemento sin muchos
problemas, pero a la hora de pasar las reglas de diseño se debe cumplir
que la longitud debe ser 6 40 µm y la anchura > 10 µm, es decir, M1W
debe ser 6 28 µm y M2W debe ser > 10 µm, Figura 4.22.
Figura 4.22: Simulación a nivel esquemático y electromagnético del crossover

utilizado en las celdas de ganancia.
Además, es importante destacar que el modelo a nivel esquemático

difiere bastante, a altas frecuencias, con el modelo obtenido tras las
simulaciones electromagnéticas, Figura 4.23.
Figura 4.23: Parámetro de transmisión en nivel esquemático (rojo) y

electromagnético (azul) del crossover utilizado en las celdas de ganancia.
Tras las anteriores consideraciones, el diseño final del layout se muestra

en la Figura 4.24.
Figura 4.24: Layout del prdriver (2300 µm x 1300 µm).
4.5. Simulaciones electromagnéticas.

Tras el proceso de obtención del layout, se realiza una simulación
electromagnética del diseño completo. Para lo cual, en primer lugar se define
el substrato que se debe tener en cuenta en las simulaciones, ya que la librerı́a
proporciona dos tipos diferentes de substratos: el básico y el que cuenta con
una capa adicional de protección (BCB). En el caso del presente diseño se
ha utilizado el substrato sin BCB, Figura 4.25.
Figura 4.25: Substrato sin BCB definido por la librerı́a PL15-12.
En segundo lugar, se define el rango de frecuencias de la simulación.

Es importante destacar, que en general, los problemas de estabilidad de los
amplificadores distribuidos se encuentran cercanos a la frecuencia de corte
del dispositivo. Por este motivo, a la hora de llevar a cabo las simulaciones
electromagnéticas es importante prestar especial cuidado en como se define la
simulación. Teniendo en cuenta que el amplificador distribuido va a tener un
ancho de banda de en torno a 40 GHz, como se ha visto en las simulaciones
182 Capı́tulo 4
anteriores, se define la simulación de forma que abarque dos veces este ancho
de banda, es decir, se realiza la simulación adaptativa desde 0 GHz hasta 80
GHz, con un número de puntos igual a 50, lo cual es suficiente para cubrir
al 100 % el rango de frecuencias definido.
En tercer lugar, se definen los parámetros generales del mallado: se toma
como frecuencia de mallado la frecuencia máxima de simulación (80 GHz),
se selecciona una densidad de mallado de 50 celdas por longitud de onda y se
selecciona la opción de reducción de mallado para incrementar la velocidad
de simulación. Una vez hecho esto, es importante comprobar que el mallado
es lo suficientemente denso para representar fielmente todo el diseño, Figura
4.26.
Figura 4.26: Mallado del diseño.
Por último, destacar que a la hora de llevar a cabo la simulación

electromagnética no se han tenido en cuenta ni los transistores ni las
capacidades, como se puede ver en la anterior figura, para ambos elementos
se tomarán sus modelos de la librerı́a PL15-12 a nivel esquemático.
A continuación, se describen los resultados obtenidos, haciendo uso del
modelo electromagnético del amplificador, en pequeña señal, en gran señal y
mediante el análisis temporal del driver.

En este apartado, se procede a presentar las simulaciones de algunos de
los parámetros fundamentales del diseño del driver, al igual que se realizó a
nivel esquemático.
En la Figura 4.27 se pueden observar los parámetros de scattering del

amplificador distribuido haciendo uso del modelo electromagnético (lı́neas
con cı́rculos) y los obtenidos a nivel esquemático (lı́neas continuas).
Figura 4.27: Parámetros S del amplificador distribuido.
Como se puede ver en la anterior figura, el diseño presenta un buen

aislamiento entre la entrada y la salida, con un valor máximo de -26 dB,
valor que coincide con lo obtenido a nivel esquemático.
Por otro lado, se comprueba que la adaptación del diseño tanto a la
entrada como a la salida presenta unos valores algo peores que los obtenidos
a nivel esquemático. La adaptación a la entrada sigue siendo muy buena, ya
que esta por debajo de los -16.7 dB en toda la banda de trabajo. Mientras que
la adaptación a la salida ha sido la que más se ha visto afectada, presentando
unos valores por debajo de los -11.7 dB en la mayor parte de la banda de
interés. A pesar de las modificaciones, cabe destacar que estos parámetros
permanecen por debajo de los 0 dB fuera de la banda de trabajo, lo cual es
deseable para que no se produzcan inestabilidades en el diseño.
En cuanto a la ganancia en pequeña señal, ésta alcanza un valor entorno a
13 dB, presentando una caı́da de 3 dB a una frecuencia de 42.8 GHz, es decir,
se ha reducido la ganancia en 0.5 dB pero se ha producido un incremento en
el ancho de banda de 6 GHz, con respecto a lo obtenido a nivel esquemático.
Esta variación puede ser debida a los distintos acoplos entre las diferentes
secciones de las lı́neas de puerta y drenador. En la Figura 4.28 se puede ver
con más claridad la ganancia en pequeña señal del amplificador distribuido
y el pequeño rizado obtenido, lo que permite obtener una ganancia de 12.9
dB con un rizado de ±0,5 dB en un ancho de banda de 39 GHz.
184 Capı́tulo 4
Figura 4.28: Ganancia en pequeña señal del amplificador distribuido.
En la Figura 4.29 se puede ver la figura de ruido obtenida a la salida del

amplificador distribuido. Este parámetro se encuentra por debajo de los 5
dB en la mayor parte de la banda de trabajo, tomando un valor mı́nimo de
2.16 dB a una frecuencia de 11.4 GHz.
Figura 4.29: Figura de ruido a la salida del amplificador distribuido.
A continuación, en la Figura 4.30 se representa uno de los parámetros con

mayor impacto en las comunicaciones ópticas: el retardo de grupo. A través
de esta gráfica es posible comprobar que se ha producido un incremento en
la variación del retardo de grupo, siendo en este de caso de 19.83 ps, lo que
supone una variación de ±9.92 ps. A pesar de la diferencia en 6 ps con la
simulación a nivel esquemático, el resultado obtenido sigue siendo bueno,
además de encontrase por debajo de lo especificado.
Figura 4.30: Retardo de grupo entre la salida y la entrada del amplificador

distribuido.
4.5.1.1. Variación con la temperatura.

A continuación, se estudia el efecto que tiene la variación de la
temperatura del circuito, entre -40o C y 85o C, en los parámetros descritos
anteriormente.
En la Figura 4.31 se puede ver que dicha variación de la temperatura
provoca un cambio significativo en la ganancia en pequeña señal del
amplificador.
Figura 4.31: Variación de la ganancia en pequeña señal en función de la

temperatura.
A medida que se incrementa la temperatura la ganancia disminuye,

existiendo una degradación máxima de 1.2 dB, lo que está por debajo de
186 Capı́tulo 4
lo requerido en las especificaciones. Este cambio en la ganancia está muy

ligado con el consumo de los transistores, los cuales pasan de consumir 19,25
mA a 18,7 mA para -40o C y 85o C, respectivamente.
Sin embargo, como se puede apreciar en la Figura 4.32, la misma variación
de la temperatura tiene un escaso efecto en la adaptación de la entrada y
salida.
Figura 4.32: Variación de la adaptación de entrada y salida en función de la

temperatura.
En cuanto a la figura de ruido, Figura 4.33, a medida que se aumenta

la temperatura este parámetro también aumenta, existiendo una máxima
variación de tan sólo 0.23 dB.
Figura 4.33: Variación de la figura de ruido con la temperatura.
Por último, en la Figura 4.34 se puede observar la invariabilidad del

retardo de grupo con el cambio de temperatura.
Figura 4.34: Variación del retardo de grupo con la temperatura.

En primer lugar se obtiene la ganancia en potencia en régimen lineal del
amplificador, para lo cual se introduce en el distribuido una señal con una
potencia muy baja, -15 dBm, garantizando ası́ el funcionamiento lineal. Como
se observa en la Figura 4.35, la forma de la ganancia obtenida (lı́nea continua
con cı́rculos) se ajusta muy bien a la forma de la ganancia en pequeña
señal (lı́nea discontinua). Al igual que pasaba en las simulaciones a nivel
esquemático, las pequeñas diferencias entre ambas ganancias son debidas al
número de puntos simulados en el balance armónico.
Figura 4.35: Ganancia en potencia para una potencia de entrada de -15 dBm.
Sin embargo, a medida que se incrementa la potencia de entrada, la

diferencia entre la ganancia en potencia y la ganancia en pequeña señal se
188 Capı́tulo 4
hace evidente, debido a que a medida que se aumenta la potencia de entrada el

dispositivo deja de trabajar en régimen lineal. Este hecho queda representado
en la Figura 4.36 donde se ha representado la ganancia en potencia para tres
potencias de entrada: -15 dBm, 0 dBm y 5 dBm.

En la Figura 4.37 se puede ver la evolución de la ganancia en potencia

para unas frecuencias de entrada de: 10 GHz, 30 GHz y 40 GHz.
Figura 4.37: Ganancia en potencia en función de la potencia de entrada para

tres frecuencia distintas.
En dicha gráfica se puede apreciar que la ganancia cae 1 dB para potencias

de entrada de 3 dBm, 1 dBm y 1 dBm, respectivamente. Para dichos valores
de potencia de entrada se obtiene una potencia de salida de 14.5 dBm, 13.4
dBm y 11.8 dBm (Figura 4.38).
Figura 4.38: Potencia de salida en función de la frecuencia y de la potencia

de entrada.
Además, en la Figura 4.38 se puede ver la potencia obtenida a la salida

del driver en función de potencia de entrada para la tres mismas frecuencias:
10 GHz, 30 GHz y 40 GHz. Esta gráfica permite obtener la potencia de
saturación del dispositivo, 19.06 dBm ±0.6 dBm.
Por último, en la Figura 4.39 se puede ver la variación del consumo de
drenador en función de la potencia de entrada y la frecuencia de operación.
Figura 4.39: Corriente de drenador en función de la frecuencia y de la potencia

de entrada.
4.5.3. Análisis temporal.

Además de las simulaciones en pequeña señal y en régimen no lineal, los
dispositivos orientados a comunicaciones ópticas suelen ser caracterizados
190 Capı́tulo 4
mediante simulaciones temporales.

Una forma de llevar a cabo estas simulaciones es mediante la generación
externa de una señal variable con el tiempo de muy pequeña amplitud, de
forma que se garantice el funcionamiento en la zona lineal del amplificador,
y que posteriormente es introducida en el dispositivo. Una vez hecho esto, es
posible obtener la señal de tensión a la salida del amplificador. En la Figura
4.40 se pueden ver la señal de entrada y la correspondiente señal de salida.
Figura 4.40: Señales temporales a la entrada y a la salida del amplificador.
De la observación de la anterior figura, se ve la dificultad de caracterizar

la forma de onda resultante. En primer lugar, es necesario darse cuenta que
la señal de salida se encuentra invertida con respecto a la entrada y que se
ha incrementado la señal de entrada en un factor de 4.81, lo cual supone una
ganancia en tensión de: Gv = 20log(4,81) = 13,64 dB, Figura 4.41.
Figura 4.41: Obtención de la ganancia en tensión del amplificador.

Por último, se comprueba mediante la Figura 4.41 que existe un retardo

entre la señal de entrada y la señal de salida, retardo que está relacionado
con el retardo de grupo pero que sólo se puede saber que su valor es igual a
48.8 ps, Figura 4.42.
Figura 4.42: Obtención del desfase entre la entrada y la salida del

amplificador.
4.5.4. Diagrama de ojo.

Una manera de evitar las dificultades del anterior método, pero
obteniendo la información temporal necesaria, es haciendo uso del diagrama
de ojo. El diagrama de ojo permite obtener de forma más directa y visual los
parámetros de la señal de salida y ası́ poder caracterizar el dispositivo con
parámetros temporales.
Para llevar a cabo la simulación del diagrama de ojo se ha usado un
generador psudo-aleatorio de 231 − 1 bits proporcionado por ADS R , (ver
Apéndice B). Este generador permite que el usuario defina la tasa binaria,
la amplitud de la señal de entrada y el tipo de modulación: NRZ y 4PAM,
entre otras.
A continuación, se muestran los diagramas de ojo obtenidos a la salida
del amplificador en el caso de tener una tasa binaria de 10 Gbps, 32 Gbps
y 40 Gbps. Además, se presentan simulaciones que permiten determinar el
efecto de la variación de la tensión de entrada y de la modificación de la
modulación.
192 Capı́tulo 4
4.5.4.1. Señal NRZ.
En primer lugar, se considera una señal de entrada del tipo NRZ, con una
amplitud de 0.3 Vpp o lo que es lo mismo con una potencia de entrada de -6.5
dBm, garantizando ası́ que el amplificador se encuentra en su zona lineal de
trabajo, y se varı́a la tasa binaria.
En la Figura 4.43 se muestra el diagrama de ojo para el caso de una tasa
binaria de 10 Gbps, en la cual se puede apreciar la buena apertura del ojo,
pudiéndose diferenciar de forma clara el nivel del 0 y del 1 lógico.
Figura 4.43: Diagrama de ojo a la salida del DA, para una señal NRZ de 0.3
Vpp y 10 Gbps.
En dicha gráfica también se aprecia que el umbral de decisión se encuentra

en la mitad del diagrama del ojo, en concreto al 50.9 %, que los tiempos de
subida y bajada están en torno a los 10 ps, que existe una relación señal a
ruido de 35.46 dB y que el jitter en este caso es inexistente.
A la vista de estos resultados, se puede afirmar que el presente driver
puede ser utilizado en sistemas OC-192, lo que era de esperar debido a
su ancho de banda y la relación que este parámetro tiene con la velocidad
soportada. Según esta relación, el dispositivo deberı́a ser capaz de soportar
tasas binarias superiores, como por ejemplo 32 ó 40 Gbps, lo que se
demostrará a continuación.
binaria de 32 Gbps, en la cual se puede apreciar de nuevo la buena apertura
del ojo. En esta gráfica también se puede apreciar que el umbral de decisión
se encuentra casi en la mitad del diagrama del ojo, en concreto al 48.9 %,
que los tiempos de subida y bajada están en torno a los 11 ps, que existe una
relación señal a ruido de 12.312 dB y que presenta un jitter RMS de tan sólo
0.34 ps.
Vpp y 32 Gbps.
Para el caso de tener una señal de entrada con una tasa binaria de 40
Gbps, el diagrama de ojo obtenido a la salida se representa en la Figura
4.45. De nuevo en esta gráfica se puede apreciar que el umbral de decisión se
encuentra casi en la mitad del diagrama del ojo, en concreto al 49.19 %, que
los tiempos de subida y bajada están en torno a los 10 ps, que existe una
relación señal a ruido de 11.46 dB y que presenta un jitter RMS de tan sólo
0.46 ps.
Vpp y 40 Gbps.
A la vista de los tres diagramas de ojo anteriores se puede garantizar el

buen funcionamiento de este dispositivo, en su zona lineal, en los sistemas
OC-192 y OC-768 que hagan uso de señales NRZ. Además, estas simulaciones
han permitido comprobar que el incremento de la tasa binaria tiene un claro
efecto en la señal de salida, produciéndose un deterioro significativo de la
194 Capı́tulo 4
relación señal a ruido, ası́ como un incremento en el jitter. En las condiciones

anteriores, Vin=0.3 Vpp , o lo que es lo mismo una señal de -6.5 dBm de
potencia, con las tres tasas binarias se obtiene una señal de salida de 1.4 Vpp ,
lo que supone una potencia de salida 6.9 dBm. Teniendo esto en cuenta, es
posible calcular la ganancia en tensión del driver: Gv = 6,9 − (−6,5) = 13,4
dB, valor que concuerda con todo lo visto hasta ahora.
En segundo lugar, se considera una nueva señal de entrada del tipo NRZ,
pero en este caso con una amplitud de 0.6 Vpp o lo que es lo mismo con una
potencia de entrada de 0 dBm.
binaria de 10 Gbps. En dicha gráfica también se aprecia que el umbral de
decisión se encuentra más o menos en la mitad diagrama del ojo, en concreto
al 52.9 %, que los tiempos de subida y bajada están en torno a los 10 ps, que
existe una relación señal a ruido de 30.66 dB y que el jitter RMS toma un
valor de 0.24 ps.
Vpp y 10 Gbps.

binaria de 32 Gbps. En esta gráfica también se puede apreciar que el umbral
de decisión se encuentra casi en la mitad del diagrama del ojo, en concreto
al 50.55 %, que los tiempos de subida y bajada están en torno a los 11 ps,
que existe una relación señal a ruido de 13.103 dB y que presenta un jitter
RMS de tan sólo 0.31 ps.
Por último, para el caso de tener una señal de entrada con una tasa
binaria de 40 Gbps, el diagrama de ojo obtenido a la salida se representa en
la Figura 4.48. De nuevo en esta gráfica se puede apreciar que el umbral de
decisión se encuentra casi en la mitad del diagrama del ojo, en concreto al
51.05 %, que los tiempos de subida y bajada están en torno a los 10 ps, que
Figura 4.47: Diagrama de ojo para a la salida del DA, una señal NRZ de 0.6
Vpp y 32 Gbps.
existe una relación señal a ruido de 11.95 dB y que presenta un jitter RMS
de tan sólo 0.4 ps.
Vpp y 40 Gbps.
A la vista de los anteriores diagramas de ojo se puede garantizar el buen

funcionamiento de este dispositivo, en su zona lineal pero más cercana a
la zona de comprensión 1 dB, en los sistemas OC-192 y OC-768. En las
condiciones de Vin=0.6 Vpp , o lo que es lo mismo una señal de 0 dBm de
potencia, con las tres tasas binarias se obtiene una señal de salida de 2.6 Vpp ,
lo que supone una potencia de salida 12.6 dBm. Teniendo esto en cuenta,
es posible calcular la ganancia en tensión del driver: Gv = 12,6 − 0 = 12,6
dB. Por tanto, al incrementar la potencia de entrada la ganancia en tensión
obtenida es menor, lo que coincide con lo visto mediante el análisis en gran
señal.
196 Capı́tulo 4
4.5.4.2. Señal 4PAM.

En primer lugar, se considera una señal de entrada con cuatro niveles del
tipo 4PAM y con una amplitud de 0.3 Vpp . En estas condiciones se obtienen
a la salida del driver los diagramas de ojos recogidos en la Figura 4.49, para
el caso de una tasa binaria de 10 Gbps (figura de la izquierda) y 40 Gbps
(figura de la derecha).
Figura 4.49: Diagrama de ojo a la salida del DA, para una señal 4PAM de
0.3 Vpp : 10 Gbps y 40 Gbps.
En ambos casos, se obtiene una señal de salida con una amplitud de 1.2
Vpp , donde se pueden observar de forma clara los cuatro niveles equiespaciados
cada 0.4 V. También se puede apreciar, que a medida que se incrementa la
tasa binaria el ojo se va cerrando.
A continuación, se incrementa la amplitud de la señal de entrada a 0.6
Vpp . En estas condiciones se obtienen a la salida del driver los diagramas
de ojos recogidos en la Figura 4.50, para el caso de una tasa binaria de 10
Gbps y 40 Gbps. En este caso se sigue diferenciando los cuatro niveles de la
señal de salida, sin embargo, entre los niveles inferiores hay una separación
de 0.5 V mientras que esta separación se incrementa hasta 1 V en los niveles
superiores, es decir, ya no se encuentran equiespaciados. Esto se debe a que
la señal de entrada cuenta con una potencia de unos 0 dBm, un nivel cercano
ya al punto de comprensión 1 dB.
4.5.5. Estabilidad.
Por último, se comprueba la estabilidad del driver, para lo cual se utiliza
tanto el análisis en pequeña señal cómo el análisis en gran señal utilizando
la herramienta STAN R de AMCAD Engineering, introducida en el Capı́tulo
3.
4.5.5.1. En pequeña señal.

Como se puede ver la Figura 4.51, el parámetro Stab fact es mayor que 1
y el parámetro Stab means toma un valor positivo, por tanto se puede decir
que en principio el diseño es incondicionalmente estable. Esta afirmación
se comprobará en el apartado siguiente con un estudio más riguroso de la
estabilidad, mediante un estudio de la estabilidad en gran señal.
Figura 4.51: Parámetros de estabilidad en pequeña señal del driver.
4.5.5.2. En gran señal.

Como ya se indicó en el Capı́tulo 3, el estudio de la estabilidad en
gran señal se puede llevar a cabo mediante el software STAN R . Esta
herramienta realiza una identificación de los polos y ceros, a partir de la
función de transferencia del dispositivo, que permite determinar con precisión
la estabilidad del dispositivo en un rango de frecuencias determinado [4]. esta
198 Capı́tulo 4
técnica ya ha sido utilizada anteriormente por otros autores para el estudio

de la estabilidad en gran señal de amplificadores distribuidos [5], [6].
En primer lugar, se llevaba a cabo un análisis de la estabilidad del
amplificador distribuido en AC. Para lo cual se introduce una sonda artificial
en cada uno de los drenadores del amplificador distribuido, Figura 4.52, de
forma que se pueda obtener la matriz de impedancias [4], [7].
Esta matriz no es más que la relación entre la tensión y la corriente de
cada una da las sondas. Con esta matriz la herramienta STAN R realiza un
mapa de polos y ceros, donde se pueden dar cuatro casos posibles:
Cero en el semiplano derecho.
Polo en el semiplano derecho.
Cero en el semiplano izquierdo.
Cero en el semiplano izquierdo.
Figura 4.52: Definición de simulación de estabilidad en AC mediante el

método de la sonda.
Si el dispositivo bajo estudio es inestable, presentará al menos un polo,

no cancelado por un cero, en el semiplano derecho.
En la Figura 4.53 se puede ver el mapa de polos y ceros obtenido en la
quinta etapa del amplificador distribuido, en el caso del análisis en AC. Como
se puede ver, todos los polos están en el semiplano izquierdo por lo que se
puede decir que la estabilidad en AC está garantizada.
Sin embargo, en la Figura 4.53 también se puede apreciar que existe un
par de polos complejos conjugados cuya parte real es muy pequeña, es decir,
Figura 4.53: Mapa de polos y ceros en el drenador del transistor superior de

la quinta etapa tras la simulación de AC.
se encuentran muy cerca del semiplano derecho. Estos polos, con el margen
de estabilidad más bajo, son conocidos con el nombre de polos crı́ticos y son
generados para una frecuencia de 53.29 GHz. El problema de estos polos es
que cualquier variación en un determinado parámetro puede hacer que se
desplacen hacia la derecha y hacer que el circuito oscile.
Los parámetros con mayor influencia en los polos crı́ticos son la potencia
de entrada y la frecuencia de operación. Con el fin de comprobar el margen
de estabilidad de estos polos crı́ticos se define un análisis de estabilidad en
gran señal, Figura 4.54.
Figura 4.54: Definición de simulación de estabilidad en HB mediante el

método de la sonda.
200 Capı́tulo 4
En la Figura 4.55 se puede ver el mapa de polos y ceros obtenidos

mediante el análisis en gran señal. Cabe destacar que para este análisis se
ha tenido en cuenta una frecuencia de entrada variable entrono al valor
de frecuencia del par de polos crı́ticos, de 52.5 GHz a 53.5 GHz, y una
potencia de entrada variable entre -4 dBm y 10 dBm. En esta representación
se puede apreciar como todos los polos caen en el semiplano izquierdo y
que independientemente del valor de frecuencia de entrada y potencia todos
obtienen el mismo margen de estabilidad, por lo que se puede asegurar la
estabilidad del driver bajo las condiciones de gran señal.
Figura 4.55: Mapa de polos y ceros en el drenador del transistor superior de

la quinta etapa tras la simulación en HB.
4.6. Resultados experimentales.

A continuación se presentan los resultados experimentales del driver y las
retro-simulaciones llevadas a cabo para conseguir un mejor ajuste entre las
simulaciones y las medidas. Además, se describen los principales elementos
externos necesarios para el correcto funcionamiento del driver y, por tanto,
para poder llevar a cabo las medidas.
4.6.1. Consideraciones del montaje.

Acceso de RF : Tanto la entrada como la salida del amplificador se
conectan a una lı́nea microstrip de 50 Ω mediante el uso de tres hilos de
bonding de oro de 25 µm de diámetro y 300 µm de longitud. Es deseable
que estas lı́neas se sitúen lo más cerca posible del driver, generalmente
a 100 µm, de forma que se puedan utilizar unos hilos lo más cortos
posibles.
Capacidades de desacoplo: Se debe situar en serie a los accesos

de entrada y salida del amplificador una capacidad de desacoplo de
continua. El valor de esta capacidad marca la frecuencia de corte
inferior, generalmente, para obtener una frecuencia de corte inferior
de ∼ 30 KHz es necesario utilizar una capacidad de 220 nF (valor
tenido en cuenta también durante las simulaciones).
Además, se ha utilizado una capacidad de desacoplo en el PAD de
alimentación de la puerta del transistor en puerta común. En este caso,
se ha utilizado una capacidad de de 51 pF. La conexión entre el driver y
esta capacidad se realiza a través de un hilo de bonding con las mismas
caracterı́sticas mencionadas anteriormente. Dicha capacidad ha sido
tenida en cuenta durante las simulaciones.
Por último, en el PAD de la lı́nea de drenador es necesario conectar
una capacidad de 510 pF. La conexión se realiza a través de dos hilos
de bonding con las misas caracterı́sticas fı́sicas que los utilizados en los
accesos de RF. De nuevo, esta capacidad fue tenida en cuenta durante
las simulaciones.
Alimentación de drenador: Esta alimentación se lleva a cabo

directamente a través del PAD de salida, mediante el uso de una
inductancia de 1,2 µH.
En la Figura 4.56 se puede ver un esquema del montaje utilizado para las
medidas.
Figura 4.56: Parámetros de dispersión medidos.

202 Capı́tulo 4
4.6.2. Medidas en pequeña señal.

En la Figura 4.57 se pueden ver los parámetros de dispersión obtenidos
en medida, para una tensión de drenador de 5 V y una tensión de puerta de
2 V. Es importante destacar que el amplificador no ha presentado problemas
de estabilidad durante las simulaciones.
Figura 4.57: Parámetros de dispersión medidos.
A continuación, se procede a describir en detalle estos parámetros y

a realizar una comparación con las simulaciones electromagnéticas, en las
mismas condiciones de polarización.
En primer lugar, destacar que para las condiciones de polarización
mencionadas (Vd = 5 V y Vg2 = 2 V), en medida se ha obtenido un consumo
de 110 mA, cumpliendo ası́ con las especificaciones descritas al inicio del
presente capı́tulo.
En segundo lugar, en la Figura 4.58 se representa la ganancia en pequeña
señal obtenida en medida, lı́nea continua, comparada con la obtenida a través
de las simulaciones electromagnéticas. En dicha figura se puede apreciar que
las medidas concuerdan muy bien con las simulaciones hasta una frecuencia
de 30 GHz, obteniéndose un valor de ganancia de entorno a 13 dB. También
se comprueba que en ambos casos se obtiene una caı́da de la ganancia con la
misma pendiente. Sin embargo, en medida se puede apreciar la existencia de
un pico a 35 GHz, que no habı́a sido predicho en las simulaciones y que como
se verá más adelante tiene un efecto claro en otro parámetro muy importante
en el caso de las comunicaciones ópticas, el retardo de grupo.
En tercer lugar, el driver presenta una adaptación de entrada por
debajo de los -10 dB para un rango de frecuencias de hasta 37 GHz. Si
Figura 4.58: Comparación de la ganancia medida y simulada.
se compara este parámetro con las simulaciones realizadas, Figura 4.59, se

puede comprobar que la forma de ambas curvas es idéntica en cuanto al
número de lóbulos, pero que las medidas toman un valor que difiere en 10
dB con las simulaciones para frecuencias por encima de los 35 GHz.
Figura 4.59: Comparación de la adaptación a la entrada medida y simulada.
En cuarto lugar, en la Figura 4.60 se puede ver una comparación entre

las medidas (lı́nea continua) y las simulaciones (lı́nea discontinua) de la
adaptación a la salida del amplificador. Lo primero que llama la atención
de esta figura es la diferencia entre ambos resultados, ya que no sólo no se
obtienen los mismos valores, sino que tampoco la misma forma, es decir, no
presenta el mismo número de lóbulos. Este hecho hace que esta adaptación
204 Capı́tulo 4
se encuentre por debajo de los -10 dB hasta una frecuencia de 25 GHz, por
tanto, cubriendo un rango de frecuencias mucho más reducido que en las
simulaciones (S22 6 −10 dB hasta una frecuencia de 40 GHz).
Figura 4.60: Comparación de la adaptación a la salida medida y simulada.
En quinto lugar, en la Figura 4.61 se puede observar el aislamiento entre

la entrada y la salida. En este caso, las medidas concuerdan muy bien con lo
obtenido a través de las simulaciones, tomando un valor máximo de -25 dB
a una frecuencia de 45 GHz.
Figura 4.61: Comparación del aislamiento medido y simulado.
Por último, en la Figura 4.62 se puede ver el retardo de grupo obtenido

en medida, comprobándose que la variación de este parámetro se mantiene
por debajo de los ±10 ps en la mayor parte del ancho de banda. Además,
en la Figura se aprecia un brusco incremento del retardo de grupo para una
frecuencia de 36 GHz, relacionado con el pico en la ganancia en pequeña
señal observado anteriormente.
Figura 4.62: Retardo de grupo medido.
De forma general, a la vista de las anteriores gráficas, se puede

afirmar que las simulaciones electromagnéticas describen bastante bien el
comportamiento en pequeña señal del driver, salvo para el caso de la
adaptación del puerto de salida. Este hecho hace necesario que se realicen
unas nuevas simulaciones con el objetivo de que las medidas se ajusten mejor
a las simulaciones (ver apartado 4.6.4).
4.6.3. Medidas en potencia.

Una vez obtenidas las medidas en pequeña señal se procede a comprobar
el comportamiento en potencia del driver a través de las medidas que se
describen a continuación. Cabe destacar que no se han observado problemas
de estabilidad durante las medidas.
En la Figura 4.63 se puede ver la ganancia en potencia del amplificador
en función de la potencia de entrada para una serie de frecuencias. Mediante
esta gráfica es posible comprobar que de nuevo existe una frecuencia, 35 GHz,
para la cual la ganancia toma un valor muy elevado, 15.5 dB. Para el resto
de frecuencias se obtiene una ganancia de 14 dB ±1 dB.
206 Capı́tulo 4
Figura 4.63: Ganancia en potencia en función de la potencia de entrada y la

frecuencia.
En la Figura 4.64 se ha representado la evolución de la potencia de salida

en función de la potencia de entrada y de la frecuencia de operación. Esta
figura nos permite determinar la potencia de saturación y el P1dB a la
salida del dispositivo en función de la frecuencia. Estos parámetros se han
representado de forma más clara en la Figura 4.65.
Figura 4.64: Potencia de salida en función de la potencia de entrada y la

frecuencia.
Como se puede ver en la Figura 4.65 la potencia de saturación se sitúa

en torno a 18.9 dBm con una variación de ±0.84 dBm. Si bien la variación
es algo mayor que lo estimado mediante las simulaciones, el valor nominal se
ajusta muy bien. Por su parte el punto de compresión 1dB se sitúa en torno
a los 16 dBm de potencia de salida para la mayor parte del ancho de banda
del dispositivo.
Figura 4.65: Potencia de saturación y P1dB en función de la frecuencia.
Por último, en la Figura 4.66 se puede ver la evolución del consumo del
driver en función de la potencia de entrada, comprobándose que el driver
presenta un consumo de 110 mA en su zona lineal de funcionamiento.
Figura 4.66: Corriente de drenador en función de la potencia de entrada.

208 Capı́tulo 4
4.6.4. Retro-simulaciones.
A la vista de los resultados experimentales, se consideró necesario
estudiar a que se debı́an las diferencias encontradas entre las medidas y las
simulaciones realizadas. Este estudio se basa en realizar nuevas simulaciones
utilizando el modelo electromagnético del driver y considerando modelos
más completos de los componentes externos o, incluso, añadiendo nuevos
elementos; configurando lo que se conoce como retro-simulaciones.
Teniendo en cuenta que el desajuste se encuentra sobre todo en la salida,
la retro-simulación se va a centrar en la lı́nea de drenador.
En primer lugar, en las simulaciones se sustituye la capacidad ideal
de 510 pF conectada a la lı́nea de drenador por el modelo serie-paralelo
proporcionado por el fabricante, Figura 4.67 [8]. Además, se tiene en cuenta
que dicha capacidad se conecta al amplificador a través de dos hilos de
bonding, los cuales pueden ser simulados en ADS R mediante el elemento
ribbon. Estas modificaciones formaran lo que se ha nombrado con el nombre
de retro-simulación v1 en las gráficas que se van a mostrar a continuación.
Figura 4.67: Modelo de la capacidad de la lı́nea de drenador (510 pF).
En segundo lugar, además de las anteriores modificaciones, se sustituye

también la capacidad ideal de desacoplo de la alimentación de puerta por su
respectivo modelo serie-paralelo, Figura 4.68 [8]. Además, de nuevo se va a
tener en cuenta el hilo de bonding que conecta dicha capacidad al circuito. En
este caso, también se tienen en cuenta los tres hilos de bonding de los accesos
de RF. Estas modificaciones formaran lo que se ha nombrado con el nombre
de retro-simulación v2 en las gráficas que se van a mostrar a continuación.
Una vez definidos estos dos casos de retro-simulación se procede a

comparar los resultados experimentales con las nuevas simulaciones.
Figura 4.68: Modelo de la capacidad de la alimentación de puerta (51 pF).
En la Figura 4.69 se puede ver la ganancia en pequeña señal medida

comparada con las retro-simulaciones de este parámetro.
Figura 4.69: Comparación de la ganancia medida y simulada.
Como puede verse en la anterior figura, teniendo en cuenta el modelo de

la capacidad de la lı́nea de drenador y sus hilos de bonding ya se obtiene el
pico que no habı́a sido predicho con las anteriores simulaciones. Si además
se tiene en cuenta el resto de elementos se ajusta algo mejor la curva, pero
la mejora no es muy significativa.
210 Capı́tulo 4
En la Figura 4.70 se observa una comparativa entra la adaptación de la

entrada medida y las dos retro-simulaciones realizadas. En dicha gráfica se
puede apreciar que teniendo en cuenta todos los elementos se consigue un
mejor ajuste con las medidas.
Figura 4.70: Comparación de la adaptación de la entrada medida y simulada.
Por último, en la Figura 4.71 se puede comprobar el efecto de introducir

en las simulaciones los modelos de las capacidades de desacoplo y de los hilos
de bonding. Con esta comparativa se comprueba que la lı́nea de drenador es
muy sensible a los elementos que se conectan a ella. Por este motivo, es muy
importante que se utilicen los modelos más completos de dichos elementos
de forma que se tenga en cuenta en mayor medida su efecto.
Figura 4.71: Comparación de la adaptación a la salida medida y simulada.
Destacar que en las retro-simulaciones de la adaptación de salida existe

un glitch a 3 GHz, el cual está relacionado con la frecuencia definida en la
herramienta que permite obtener el modelo de la capacidad de desacoplo de

la lı́nea de drenador (ver Figura 4.67).
Al tratarse de un diseño monolı́tico no existe la posibilidad de hacer
ninguna modificación en el diseño para mejorar la adaptación de la salida.
Sin embargo, si es posible reducir la longitud de los hilos de bonding a 200 µm
y añadir un hilo adicional que conecte la lı́nea de drenador con la capacidad
de desacoplo de dicha lı́nea. Estas modificaciones mejoran significativamente
la adaptación de la salida como se puede ver en la Figura 4.72 (lı́nea con
cı́rculos).
Figura 4.72: Adaptación a la salida tras las modificaciones.
La mejora de la adaptación de la salida también se ve reflejada en la

ganancia en pequeña señal, Figura 4.73, reduciéndose el rizado de dicho
parámetro.
Figura 4.73: Ganancia tras la modificaciones.

212 Capı́tulo 4
4.7. Conclusiones.
En el presente capı́tulo se ha descrito el procedimiento llevado a cabo
para el diseño de un amplificador distribuido orientado a las comunicaciones
ópticas. Dicho procedimiento tiene como principal ventaja la de evitar las
optimizaciones a ciegas, que en muchos casos pueden dar como solución una
que no sea la más óptima.
El proceso de diseño se inicia con la obtención de los parámetros iniciales
del amplificador. Para lo cual, en primer lugar es necesario seleccionar el
tamaño del transistor. Esta selección tiene mucha influencia en el consumo
final del dispositivo, en el retardo de grupo, en la ganancia, entre otros
parámetros, siendo por tanto un punto crı́tico del diseño. Seguidamente,
es necesario determinar la estructura de la celda de ganancia y realizar un
estudio del número óptimo de etapas de ganancia.
Una vez obtenidos los valores iniciales de los componentes que
conformarán el diseño, es el momento de realizar las optimizaciones. Como se
ha visto en el capı́tulo, los valores de los parámetros optimizados se desvı́an
bastante poco de los obtenidos inicialmente, validando ası́ la utilidad del
procedimiento de diseño seguido.
A continuación, se procede a realizar las simulaciones a nivel esquemático
para posteriormente pasar el diseño a su representación fı́sica, es decir, a
realizar su layout. El proceso de generación del layout final es un proceso largo
y no trivial, que requiere tener en cuenta diferentes consideraciones de diseño
y que necesita de sucesivos reajustes. Esta representación permite realizar
las simulaciones electromagnéticas, las cuales permiten a su vez obtener una
respuesta más real del comportamiento del driver a altas frecuencias. Para
que el resultado de las simulaciones electromagnéticas sea lo más preciso
posible, es necesario definir correctamente los parámetros de la simulación.
Por un lado, es importante que el rango que se cubra con la simulación sea
al menos dos veces la frecuencia de corte del dispositivo y, por otro lado, que
el mallado sea lo suficientemente denso como para representar correctamente
el diseño.
Por tratase de un amplificador orientado a las comunicaciones ópticas
es recomendable realizar un análisis temporal del dispositivo. Como se ha
visto en este capı́tulo la forma más sencilla de determinar las caracterı́sticas
temporales del driver es a través de los diagramas de ojo, ya que de forma
directa y visual es posible determinar su comportamiento.
Antes de fabricar el dispositivo es recomendable realizar un estudio
robusto de la estabilidad que tenga en cuenta tanto la estabilidad en pequeña
señal como la estabilidad en gran señal, para lo cual se puede utilizar
herramientas como STAN R .

A la vista de las medidas llevadas a cabo se ha visto que las simulaciones
electromagnéticas se ajustan bastante bien a las medidas, salvo para el caso
de la adaptación del puerto de salida. Este hecho ha puesto de manifiesto
la sensibilidad de la lı́nea de drenador, viéndose la necesidad de utilizar
los modelos de los componentes externos para ajustar en mayor medida su
comportamiento. Si bien no es posible realizar ninguna modificación en el
diseño para mejorar dicha adaptación, es posible mejorarla en gran medida
añadiendo un hilo de bonding y reduciendo su longitud.
A modo de resumen en la Tabla 4.7 se recogen los principales resultados
obtenidos en medida comparados con las especificaciones iniciales del driver.
Tabla 4.7: Comparativa entre las especificaciones y las medidas.

Parámetros Especificaciones Medidas
Mı́nimo Tı́pico Máximo Mı́nimo Tı́pico Máximo
Corriente de drenador 120 mA 110 mA
Ancho de Banda (3dB) (GHz) 0 40 0 40
Ancho de Banda (1dB) (GHz) 0 35 0 32
S(1,1) (dB) -20 -15 -12 -10
S(2,2) (dB) -20 -15 -10 -2
S(2,1) (dB) 11 13
Variación retardo de grupo (ps) ± 10 ± 10
Psat (dBm) 19 19
Para finalizar, en la Tabla 4.8 se comparan los resultados obtenidos

con otros amplificadores distribuidos en tecnologı́a AsGa orientados a
comunicaciones ópticas con tasas binarias de 40 Gbps.
Tabla 4.8: Comparativa de resultados con otros trabajos.

Trabajo BW 3dB(dB) S21 (dB) S11 (dB) S22 (dB) Psat (dBm) P1dB (dBm) GDV (ps)
[9] 35 16 -5 -5 − − ±10
[10] 36.5 11.3 -11.5 -8.5 − 24 ±15
[11] 40 16 -8 -10 − 22 ±13
[12] 40 15.8 − − 22.5 − −
[12] 43 10.7 − − 19 − −
[13] 45 15 -15 -10 − 20 ±10
[14] 50 11.2 -10 -10 − 10.6 ±7.5
[15] 50 12.5 -15 -10 − − ±7.5
[16] 55 13 -12 -19 − − ±8 (Hasta 40 GHz)
[16] 65 8 -10 -10 − − ±3 (Hasta 30 GHz)
Este trabajo 40 13 -10 -10 19 16 ±10
Para finalizar, destacar que a la vista de la anterior tabla se puede

concluir que el diseño aquı́ presentado representa el estado del arte de los
amplificadores distribuidos orientados a las comunicaciones ópticas.
214 Capı́tulo 4
Bibliografı́a
[1] Quik-Pack. Microelectronic Packaging & Assemble

Solutions, Datasheet QP-QFN32-5MM-.5MM, 2010.
[2] Dueme, P., Aperce, G. and Lazar, S., Advanced design for wideband
MMIC power amplifiers. 12th Annual Symposium on Gallium Arsenide
Integrated Circuit (GaAs IC), 1990.
[3] Bahl, I.J. and Trivedi, D.K., A Designer’s Guide to Microstrip Line.
Microwaves, 1977.
[4] Anakabe, A., Collantes, J.M. and Portilla, J., Analysis and
elimination of parametric oscillations in monolithic power amplifiers.
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2002.
[5] Narendra, K., Paoloni, C., Limiti, E. and Collantes, J.M., High
performance 1.5W pHEMT Distributed Power Amplifier with Adjustable
Inter-Stage Cascaded Network for 10-2000 MHz. 14th Conference on
Microwave Techniques, 2008.
[6] Narendra, K., Collantes, J.M., Paoloni, C. and Limiti, E.,

Parametric oscillations in distributed power amplifiers. Electronics
Letters, vol. 45, no. 25, 2009.
[7] Jugo, J., Portilla, J., Anakabe, A., Suarez, A. and Collantes,
J.M., Closed-loop stability analysis of microwave amplifiers. IEE
Electronics Letters, vol. 37, no. 4, 2001.
[8] Dielectric Laboratories, Software de modelado de capacidades.

Página web: http://dliextra.net/capcad/DiCaps.aspx.
[9] Milivojevic, B., Hoffmann, S., Thiede, A., Noé, R., Leblanc,
R. and Wroblewsk, B., Distributed Amplifiers for Transmitter and
Receiver of a 40 Gbit/s DPSK Optical Transmission System. Gallium
Arsenide applications symposium, 2004.
215
216 Capı́tulo 4
[10] Häfele, M., Trasser, A., Beilenhoff, K. and Schumacher, H.,

A GaAs Distributed Amplifier with an Output Voltage of 8.5Vpp for 40
GB/s Modulators. European Gallium Arsenide and Other Semiconductor
Application Symposium, 2005.
[11] Häfele, M., Beilenhoff, K. and Schumacher, H., A GaAs

Distributed Amplifier with more than 7Vpp Output for 40 GBit/s
Modulators. German Microwave Conference, 2005.
[12] Virk, R.S., Camargo, E., Hajji, R., Parker, S., Benelbar, R.,
Notomi, S. and Ohnishi, H., 40-GHz MMICs for optical modulator
driver applications. IEEE MTT-S International Microwave Symposium
Digest, 2002.
[13] Shigematsu, H., Sato, M., Hirose, T. and Watanabe, Y., A

54-GHz distributed amplifier with 6-VPP output for a 40-Gb/s LiNbO3
modulator driver. IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 37, no. 9,
2002.
[14] Häfele, M., Schworer, C., Beilenhoff, K. and Schumacher,

H., A GaAs PHEMT Distributed Amplifier with Low Group Delay Time
Variation for 40 GBit/s Optical Systems. 33rd European Microwave
Conference, 2003.
[15] Wolf, G., Demichel, S., Leblanc, R., Blache, F., Lefevre,
R., Dambrine, G. and Happy, H., A metamorphic GaAs HEMT
distributed amplifier with 50 GHz bandwidth and low noise for 40 Gbits/s
optical receivers. European Gallium Arsenide and Other Semiconductor
Application Symposium, 2005.
[16] Mouzannar, W., Jorge, F., Vuye, S., Dutisseuil, E. and

Lefevre, R., 40 Gbit/s high performances GaAs pHEMT high voltage
modulator driver for long haul optical fiber communications. 24th
Annual Technical Digest Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC)
Symposium, 2002.
Capı́tulo 5
Diseño de un Amplificador
Distribuido: Quad Driver
Una vez obtenida cierta experiencia en el diseño de un amplificador

distribuido orientado a las comunicaciones ópticas, en el presente capı́tulo
se destallará el diseño de un predriver de cuatro canales capaz de operar con
tasas binarias tı́picas de 28 Gbps.
El principal objetivo de esta diseño es el poder integrar en un mismo die
un driver de cuatro canales, evitando ası́ la dispersión de los parámetros en
el proceso de fabricación. Además, se buscará minimizar la sensibilidad de la
lı́nea de drenador a los elementos externos que a ella se deben conectar.
A partir de las especificaciones y siguiendo el proceso de diseño descrito
en el anterior capı́tulo, se obtienen los valores iniciales de un canal del
driver. Una vez optimizados estos valores y dando por bueno los resultados
a nivel esquemático, se obtiene la presentación fı́sica del diseño y se realizan
sus correspondientes simulaciones electromagnéticas. Una vez validado el
comportamiento de uno de los canales, se procede a implementar los otros
tres canales, a realizar las simulaciones electromagnéticas y comprobar la
influencia entres las distintas lı́neas.
Al final del capı́tulo, se recogen una serie de recomendaciones para llevar
a cabo las medidas del diseño.
5.1. Especificaciones.
A continuación, se procede a diseñar un driver con cuatro canales, cada
uno de los cuales debe cumplir con las especificaciones que se recogen en la
Tabla 5.1. Como se puede ver en dicha tabla, las especificaciones del diseño
han sufrido muy pocas variaciones con respecto al diseño anterior. Cabe
217
218 Capı́tulo 5
destacar que en este caso el consumo máximo se reduce considerablemente y

que se produce una relajación de los parámetros de adaptación.
Además de estas especificaciones generales, cada canal deberá cumplir
con las especificaciones recogidas en la Tabla 5.2, de forma que se garantice
su correcto funcionamiento como driver.
Tabla 5.1: Especificaciones generales de cada canal del driver.

S(1,1) (dB) -12.5 -10
S(2,2) (dB) -12.5 -10
S(2,1) (dB) 12
Variación retardo de grupo (ps) ± 10
Figura de ruido (10 GHz) (dB) 2.5
Psat (dBm) 18
Voltaje de drenador (V) 7
Corriente de drenador (mA) 80 100
Rango de temperaturas (o C) -40 25 85
Degradación especificaciones con la temperatura 1.5 dB
Tabla 5.2: Especificaciones de cada canal.

Tasa binaria 10 Gbps 28 Gbps
Amplitud de señal de entrada 400 mVpp 600 mVpp
Amplitud del diagrama de ojo de salida 1.5 V 2.5 V
Cruce de amplitud 50 %
Jitter (RMS) 0.5 ps 1 ps
Tiempo de subida (20 %-80 %) 10 ps
Tiempo de bajada (20 %-80 %) 10 ps
Undershoot 5%
Overshoot 5%
A parte de las anteriores especificaciones, el diseño deberá tener en

cuenta una serie de consideraciones en cuanto al tamaño, la estrategia de
polarización y la sensibilidad de la lı́nea de drenador. Estas consideraciones
se describen con más en detalle en le siguiente apartado.
Diseño de un Amplificador Distribuido: Quad Driver 219
5.1.1. Consideraciones.
5.1.1.1. Tamaño.
Está previsto que el diseño se integre en el mismo encapsulado del
diseño anterior, es decir, en un encapsulado QFN de 5 mm de lado, que
cuenta con 32 pines y proporciona una superficie útil de 3200x3200 µm2 .
Es importante tener en en cuenta que en la superficie útil, además del
diseño que aquı́ se describe, deben ir situados los elementos externos. Por
lo tanto, se considerará que la superficie con la que se cuenta para el driver
de cuatro canales es de 2850x3060 µm2 . Teniendo en cuenta que el diseño
final contará con cuatros amplificadores distribuidos, la superficie que se tiene
para cada uno de ello es de 2850x765 µm2 .
5.1.1.2. Estrategia de alimentación.

En este caso, la alimentación de drenador (Vd ) no se realizará a través
del puerto de salida, sino que se deberá realizar a través de la carga de
la lı́nea de drenador, de forma que se pudiese utilizar una única tensión
de polarización para las cuatro lı́neas del driver.
La alimentación de la puerta del transistor en puerta común (Vg2 ) se

deberá poder realizar siguiendo dos estrategias:
• De igual forma que en el diseño anterior, es decir, a través de la

inyección de una tensión externa de alimentación.
• Haciendo uso de la tensión de drenador a través de un divisor de
tensión.
Además, este diseño deberá permitir introducir una nueva tensión de

polarización para la puerta del transistor en fuente común (Vg1 ), para
lo cual se utilizará la carga de la lı́nea de puerta.
5.1.1.3. Sensibilidad.
Con este diseño se busca reducir la sensibilidad de la lı́nea de drenador a
los elementados externos que deben ser conectados a ella.
5.2. Generación del layout de un único canal.

Teniendo en cuenta que la componente Y del diseño se ha visto muy
reducida con respecto al diseño anterior, siendo tan sólo de 765 µm, se
220 Capı́tulo 5
decide utilizar una etapa menos en el amplificador. De esta forma, se tiene

más espacio para reducir la altura de los meandros de las secciones de lı́nea
entre etapas, pudiendo en alguno de los casos hacer secciones rectas. Sin
embargo, la reducción del número de etapas conlleva un aumento del ancho
de puerta utilizado en el diseño anterior, ya que las especificaciones marcan
una ganancia en pequeña señal muy similar.
Teniendo esto en cuenta y siguiendo el proceso de diseño descrito en el
anterior capı́tulo, se obtienen los valores iniciales de cada uno de los canales
del driver. Una vez optimizados estos valores (Tabla 5.3) y dando por bueno
los resultados a nivel esquemático, es posible realizar la presentación fı́sica
del diseño.
Tabla 5.3: Valores de los componentes que conforman cada uno de los canales
del driver.
Parámetro Valor
Número de etapas 5
Número de dedos (NOF) 2
Anchura de la puerta (Ugw) 40 µm
Tensión de drenador (Vd ) 7V
Tensión de puerta (Vg1 ) -0.2 V
Tensión de puerta (Vg2 ) 1.75 V
Capacidad adicional (C1) 0.10 pF
lg 200 µm
ld 312 µm
wg 30 µm
wd 40 µm
A la hora de realizar el layout se debe tener en cuenta las consideraciones

enumeradas anteriormente.
En primer lugar, al realizar la alimentación de drenador por la carga de
esta lı́nea, es necesario que dicha carga sea capaz de soportar la corriente que
por ella podrı́a pasar, fijando ası́ la anchura mı́nima de la carga a 100 µm.
En segundo lugar, se tiene que tener en cuenta que en este caso la lı́nea de
puerta debe contar con un PAD y una capacidad a masa para poder realizar
la alimentación. Sin embargo, en este caso no hay que tener especial cuidado
con la anchura de la carga de la lı́nea de puerta, ya que es de esperar que no
exista apenas consumo.
En tercer lugar, se debe incluir en el diseño un divisor de tensión (Figura
5.1) que pase de los 7 V del drenador a los 1.75 V que se requieren para la
alimentación de la puerta del transistor en puerta común. Esta relación entre
tensiones marca la relación entre las resistencias del divisor de forma que se
tiene que:
R2
Vg2 = Vd
R1 + R2
Vg2 R2
=
Vd R1 + R2
y teniendo en cuenta los valores de Vd y Vg2 recogidos en la Tabla 5.3, la

relación entre resistencias debe ser
1,75 R2
=
7 R1 + R2
R2 = 3R1 (5.1)
Figura 5.1: Divisor de tensión.
Por último, durante el desarrollo de esta Tesis, se tuvo la posibilidad de

analizar diseños de amplificadores distribuidos desarrollados con anterioridad
por Vectrawave, viéndose que dichos diseños presentaban menor sensibilidad
a los elementos externos. Tras una serie de pruebas, se llegó a la conclusión, de
que esta sensibilidad se debı́a en gran parte al reducido valor de la capacidad
de la lı́nea de drenador integrada en el diseño.
Considerando todo lo anterior, el aspecto del layout de un único canal
queda representado en la Figura 5.2.
5.3. Simulaciones electromagnéticas 1 canal.

Una ver obtenido el layout del diseño, se lleva a cabo su simulación
electromagnética, de forma que se obtenga el modelo electromagnético del
amplificador.
222 Capı́tulo 5
Figura 5.2: Layout de un canal del driver (2630 µm x 705 µm).
Al igual que en el diseño anterior, en primer lugar se define el tipo de

substrato, es decir, se selecciona el substrato básico el cual no cuenta con la
capa de protección denominada BCB.
A continuación, se definen los parámetro de la simulación
electromagnética, el cual es un punto fundamental para obtener un
buen modelo del diseño. En primer lugar, se selecciona una simulación
adaptativa, con un número máximo de puntos igual a 50, en un rango
de frecuencias que cubre de los 0 GHz a los 80 GHz. Destacar, que en la
simulación no se han tenido en cuenta ni los transistores ni las capacidades,
para ambos elementos se tomarán sus modelos de la librerı́a PL15-12 a nivel
esquemático.
Por último, de igual forma que en el diseño del Capı́tulo 4, se toma
como frecuencia de mallado la frecuencia máxima de simulación (80 GHz),
se selecciona una densidad de mallado de 50 celdas por longitud de onda y
se selecciona la opción de reducción de mallado.
A continuación, se describen los resultados obtenidos, haciendo uso del
modelo electromagnético del amplificador, en pequeña señal, en gran señal
y mediante el análisis temporal. Destacar que si no se especifica otra cosa,
las simulaciones se han realizado para una temperatura de 25o C, teniendo
en cuenta los modelos de las capacidades descritos en el apartado 4.6.4 y
considerando además los hilos de bonding de las distintas conexiones, de
forma análoga a como se hizo en las retro-simulaciones del diseño anterior.
De manera general y si no se dice lo contrario, se utilizará el divisor de tensión
como forma de alimentación.

En este apartado, se procede a presentar las simulaciones de algunos de
los parámetros fundamentales del diseño del distribuido. Además, en este
apartado se realizará el estudio del efecto de la variación de la temperatura
y la sensibilidad del amplificador.

En primer lugar, destacar que bajo las condiciones de polarización
recogidas en la Tabla 5.3, se obtiene un consumo de continua de sólo 85.35
mA, es decir, se obtiene un valor muy por debajo de lo marcado como valor
máximo en las especificaciones.
En la Figura 5.3 quedan recogidos todo los parámetros de dispersión del
amplificador, para los cuales se ha echo uso del modelo electromagnético.
Figura 5.3: Parámetros de dispersión de un canal.
En la anterior figura se puede ver que el diseño presenta un buen

aislamiento entre la entrada y la salida, con un valor máximo de -22.3 dB.
Esta misma figura permite comprobar que la adaptación del diseño tanto
a la entrada como a la salida presenta unos valores muy buenos. En el caso
de la entrada, la adaptación se mantiene por debajo de los -13.75 dB en
la mayor parte de su ancho de banda, tomando un valor máximo de -12.15
dB para una frecuencia de 34 GHz. Mientras que en el caso de la salida, la
adaptación se mantiene en general por debajo de los -15 dB, tomando un
valor máximo de -12.15 dB a una frecuencia de 35 GHz. Cabe destacar, que
estos parámetros se mantienen por debajo de los -7 dB para frecuencias de
hasta 60 GHz y que el salto brusco que presenta el parámetro de S22 en
torno a 3 GHz es debido al modelo de la capacidad de desacoplo de la lı́na
de drenador.
En cuanto a la ganancia en pequeña señal, destacar que ésta alcanza un
valor de entorno a 12 dB, presentando una caı́da de 3 dB a una frecuencia
de 43.5 GHz. En la Figura 5.4 se puede ver con más claridad la ganancia en
pequeña señal del amplificador y su reducido rizado, lo que permite obtener
una ganancia de 12.56 dB con un rizado de ±0,5 dB en un ancho de banda de
224 Capı́tulo 5
40.5 GHz. Como pasaba en el parámetro S22 existe un cambio brusco en la

ganancia en torno a 3 GHz, y de nuevo es debido al mismo hecho, al modelo
de la capacidad de la lı́nea de drenador.
Figura 5.4: Ganancia en pequeña señal de un canal.
En la Figura 5.5 se puede observar la evolución de la figura de ruido

a la salida del amplificador comparada con la figura mı́nima que se podrı́a
alcanzar. Se comprueba que para frecuencias por encima de los 10 GHz ambas
curvas muestran una pequeña diferencia. El diseño que aquı́ se describe,
presenta una figura de ruido en la banda de trabajo por debajo de los 6 dB,
presentando tan sólo 2.35 dB para 10 GHz.
Figura 5.5: Figura de ruido de un canal.
Por su parte, el distribuido presenta una variación del retardo de grupo,

Figura 5.6, de tan sólo ±5 ps en un rango de frecuencia de hasta 28 GHz,
incrementándose este valor hasta los ±12,5 ps en el caso de considerar todo
el ancho de banda. Además, destacar que al igual que en la ganancia y en la

adaptación de salida existe un salto brusco en el retardo de grupo en torno
a 3 GHz, efecto de la capacidad de desacoplo.
Figura 5.6: Retardo de grupo de un canal.
Por último, como se puede ver la Figura 5.7, el parámetro Stab fact toma
un valor mı́nimo de 1.7 , es decir, es mayor que 1 y el parámetro Stab means
toma un valor positivo, por tanto se puede decir que en principio el diseño
es incondicionalmente estable.
Figura 5.7: Estabilidad en pequeña señal de un canal.
Para finalizar, destacar que se han obtenido los mismos resultado en el

caso de no utilizar el divisor de tensión como medio de polarización de la
puerta del transistor en puerta común, es decir, utilizando una fuente de
tensión externa de 1.75 V.
226 Capı́tulo 5
5.3.1.1. Variación con la temperatura.

En esta sección se procede a describir el efecto que tiene la variación de
la temperatura del circuito, entre -40o C y 85o C, en los parámetros descritos
anteriormente.
En la Figura 5.8 se observa que dicha variación de la temperatura
provoca un cambio significativo en la ganancia en pequeña señal. A medida
que se incrementa la temperatura la ganancia disminuye, existiendo una
degradación máxima de 1.1 dB, lo que está por debajo de lo 1.5 dB requeridos
por las especificaciones. .
Figura 5.8: Variación de la ganancia en pequeña señal con la temperatura.
Sin embargo, esta misma variación de la temperatura apenas parece

afectar a las adaptaciones de la entrada y la salida como se puede ver en
la Figura 5.9.
Figura 5.9: Variación de la adaptación con la temperatura.
De igual forma, la figura de ruido y el retardo de grupo apenas se ven

influenciados por dicha variación de temperatura, hecho que se puede apreciar

en la Figura 5.10 y en la Figura 5.11, respectivamente.
Figura 5.10: Variación de la figura de ruido con la temperatura.
Figura 5.11: Variación del retardo de grupo con la temperatura.
En las condiciones de polarización descritas en la Tabla 5.3, se pasa de un

consumo total de 84.97 mA a un consumo de 85.39 mA en el caso de -40o C
y 85o C, respectivamente.
5.3.1.2. Sensibilidad del driver.

Teniendo en cuenta la degradación que sufrió la adaptación de salida
medida con respecto a la simulada en el diseño del capı́tulo anterior,
se considera importante realizar un estudio del efecto de utilizar o no
los modelos de las capacidades de desacoplo e hilos de bonding en las
simulaciones del presente circuito.
228 Capı́tulo 5
En la Figura 5.12 se puede comparar la ganancia en pequeña señal

obtenida en el caso: de no tener en cuenta los hilos de bonding y de utilizar
capacidades ideales (lı́nea discontinua); y en el caso de considerar dichos
hilos y los modelos de las capacidades de desacoplo, que representarı́a una
situación más real (lı́nea continua). En este parámetro se aprecia que en el
caso más real la ganancia muestra un mayor rizado, pero la diferencia no es
muy significativa.
Figura 5.12: Comparativa de la ganancia en pequeña señal con elementos

ideales y reales.
En cuanto a las adaptaciones, de manera general, el caso más real es

el que proporciona peores valores de estos parámetros. Sin embargo, tanto
a la entrada como a la salida, se obtiene la misma forma en ambos casos.
Por tanto, este diseño presenta una lı́nea de drenador mucho menos sensible
que el anterior diseño, por lo que las medidas deberı́an ajustarse mejor a las
simulaciones que aquı́ se presentan.
Figura 5.13: Comparativa de la adaptación con elementos ideales y reales.


En primer lugar, en la Figura 5.14 se puede apreciar que la ganancia
en gran señal cuando el amplificador esta trabajando en régimen lineal (-15
dBm) se ajusta muy bien a la forma de la ganancia en pequeña señal. En
esta figura también es posible apreciar que a medida que se incrementa la
potencia de entrada, la diferencia entre la ganancia en potencia y la ganancia
en pequeña señal se hace evidente.
Figura 5.14: Comparativa entre la ganancia en pequeña señal y la ganancia

obtenida para tres potencias de entrada: -15 dBm, 0 dBm y 5 dBm.
En la Figura 5.15 se puede ver la evolución de la ganancia en potencia

para unas frecuencias de entrada de: 10 GHz, 20 GHz, 30 GHz y 40 GHz.
Figura 5.15: Ganancia en potencia en función de la potencia de entrada.
En la anterior gráfica se puede apreciar que la ganancia cae 1 dB para

230 Capı́tulo 5
potencias de entrada de 5 dBm, salvo para el caso de 40 GHz que es de tan

sólo 1 dBm. Para dichos valores de potencia de entrada, se puede obtener
la potencia de salida asociada mediante el análisis de la Figura 5.16, que en
este caso es de: 16 dBm para 10, 20 y 30 GHz; y de 12 dBm para 40 GHz.
Además, dicha figura también permite determinar la potencia de saturación
del dispositivo: 18.1 dBm ±0.5 dBm, en el caso de no tener en cuenta la
frecuencia de 40 GHz, y 17.35 dBm ±1.35 dBm si se tiene en cuenta.


A continuación se realiza un análisis temporal del distribuido, mediante
la utilización del diagrama de ojo.
Como en el capı́tulo anterior, se ha utilizado un generador psudo-aleatorio
de 231 − 1 bits proporcionado por ADS R , (ver Apéndice B). Este generador
permite que el usuario defina la tasa binaria, la amplitud de la señal de
entrada y el tipo de modulación: NRZ y 4PAM, entre otras.
A continuación, se muestran los diagramas de ojo obtenidos a la salida
del amplificador en el caso de tener una tasa binaria de 28 Gbps y 40 Gbps.
Además, se presentan simulaciones que permiten determinar el efecto de la
variación de la tensión de entrada y de la modificación de la modulación.

En primer lugar, se considera una señal de entrada del tipo NRZ, con una
amplitud de 0.4 Vpp o lo que es lo mismo con una potencia de entrada de -4
dBm, garantizando ası́ que el amplificador se encuentra en su zona lineal de

trabajo, y se varı́a la tasa binaria.
binaria de 28 Gbps, en la cual se puede apreciar la buena apertura del ojo,
pudiéndose diferenciar de forma clara el nivel del 0 y del 1 lógico.
Vpp y 28 Gbps.
En dicha gráfica también se aprecia que el umbral de decisión se encuentra

en la mitad del diagrama del ojo, en concreto al 49.49 %, que presenta un
tiempo de subida de 11.1 ps, un tiempo de bajada de 10.57 ps y un jitter de
0.54 ps.
Para el caso de tener una señal de entrada con una tasa binaria de 40
Gbps, el diagrama de ojo obtenido a la salida se representa en la Figura
5.18. De nuevo en esta gráfica se puede apreciar que el umbral de decisión se
encuentra casi en la mitad del diagrama del ojo, en concreto al 48.83 %, que
presenta un tiempo de subida de 9.8 ps, un tiempo de bajada de 9.8 ps y un
jitter de 0.68 ps.
Vpp y 40 Gbps.
232 Capı́tulo 5
Los anteriores diagramas de ojo permiten comprobar que el incremento

de la tasa binaria tiene un claro efecto en la señal de salida, produciéndose
un incremento en el jitter. En las condiciones anteriores, Vin=0.4 Vpp , o lo
que es lo mismo una señal de -4 dBm de potencia, con las dos tasas binarias
se obtiene una señal de salida de 1.7 Vpp , lo que supone una potencia de
salida de 8.6 dBm. Teniendo esto en cuenta, es posible calcular la ganancia
en tensión del driver: Gv = 8,6 − (−4) = 12,6 dB, valor que concuerda con
las simulaciones mostradas en los apartados anteriores.
En segundo lugar, se considera una nueva señal de entrada del tipo NRZ,
pero en este caso con una amplitud de 0.6 Vpp o lo que es lo mismo con una
potencia de entrada de 0 dBm.
binaria de 28 Gbps. En dicha gráfica también se aprecia que el umbral de
decisión se encuentra más o menos en la mitad diagrama del ojo, en concreto
al 50.99 %, que presenta un tiempo de subida de 11.3 ps, un tiempo de bajada
de 10.18 ps y un jitter de 0.65 ps.
Vpp y 28 Gbps.

binaria de 40 Gbps. En esta gráfica también se puede apreciar que el umbral
de decisión se encuentra casi en la mitad del diagrama del ojo, en concreto al
50.56 %, que presenta un tiempo de subida de 10.71 ps, un tiempo de bajada
de 9.75 ps y un jitter de 0.63 ps.
En las condiciones de Vin=0.6 Vpp , o lo que es lo mismo una señal de 0
dBm de potencia, con las dos tasas binarias se obtiene una señal de salida
de 2.5 Vpp , lo que supone una potencia de salida 11.9 dBm. Teniendo esto en
cuenta, es posible calcular la ganancia en tensión del driver: Gv = 11,9 − 0 =
11,9 dB, algo más bajo que en el caso anterior.
A la vista de los cuatro diagramas de ojo comentados, se puede apreciar
que el aumento de la tensión de entrada supone empeorar los tiempos de
Figura 5.20: Diagrama de ojo para a la salida del DA, una señal NRZ de 0.6
Vpp y 40 Gbps.
subida y el jitter. Sin embargo, los valores obtenidos siguen estando dentro de
los márgenes marcados por las especificaciones. Por tanto, se puede garantizar
el buen funcionamiento de este dispositivo en los sistemas OC-192 y OC-768
con señales del tipo NRZ.
5.3.3.2. Señal 4PAM.

En primer lugar, se considera una señal de entrada con cuatro niveles del
tipo 4PAM y con una amplitud de 0.4 Vpp . En estas condiciones se obtienen
a la salida del driver los diagramas de ojos recogidos en la Figura 5.21, para
el caso de una tasa binaria de 28 Gbps (figura de la izquierda) y 40 Gbps
(figura de la derecha). En ambos casos, se obtiene una señal de salida con
una amplitud de 1.7 Vpp , donde se pueden observar de forma clara los cuatro
niveles equiespaciados cada 0.57 V.
A continuación, se incrementa la amplitud de la señal de entrada a 0.6

234 Capı́tulo 5
Vpp . En estas condiciones se obtienen a la salida del driver los diagramas de

ojos recogidos en la Figura 5.22, para el caso de una tasa binaria de 28 Gbps
y 40 Gbps. En este caso se sigue diferenciando los cuatro niveles de la señal
de salida, sin embargo, ya no se encuentran equiespaciados.
0.6 Vpp : 28 Gbps y 40 Gbps, con Vg1 = −0,2 V.
Con la intención de mejorar la separación entre los diferentes niveles, se

reduce la tensión de la puerta del transistor en fuente común, pasando de
-0.2 V a -0.25 V. En estas condiciones, se obtiene a la salida los diagramas
mostrados en la Figura 5.23, donde se puede apreciar una clara mejora en el
espaciado entre los diferentes niveles.
0.6 Vpp : 28 Gbps y 40 Gbps, con Vg1 = −0,25 V.
5.4. Generación del layout del driver de

cuatro canales.
Una vez validado el diseño de amplificador distribuido para ser utilizado
en cada uno de los canales del driver, se procede a generar el layout del driver
completo.
En la Figura 5.24 su puede ver la representación fı́sica del driver de cuatro
canales. Para generar este layout simplemente ha sido necesario replicar el
amplificador descrito anteriormente sin realizar ninguna modificación en su
diseño, debido a que ya se habı́a tenido especial cuido en no superar unas
medidas máximas.
Figura 5.24: Layout del diseño final (2840 µm x 3055 µm).
Como se puede apreciar existe bastante separación entre las diferentes

lı́neas de dos canales adyacentes, por lo que en principio no deberı́a existir
mucha interferencia entre los diferentes amplificadores. A continuación se
procede a comprobar, a través de la obtención del modelo electromagnético
del driver, que se obtiene la misma respuesta en cada uno de los cuatro
canales.
236 Capı́tulo 5
5.5. Simulaciones electromagnéticas 4

canales.
Al igual que para un único canal, en primer lugar se define como substrato
de las simulaciones el substrato básico.
A continuación, se define una simulación adaptativa del diseño desde
0 GHz hasta 80 GHz, con un número de puntos igual a 50. De nuevo,
durante esta simulación no se han tenido en cuenta ni los transistores ni
las capacidades, para ambos elementos se tomarán sus modelos de la librerı́a
PL15-12 a nivel esquemático.
Por último, se toma como frecuencia de mallado la frecuencia máxima de
simulación (80 GHz), se selecciona una densidad de mallado de 50 celdas por
longitud de onda y se selecciona la opción de reducción de mallado.
En el siguiente apartado se describen los resultados obtenidos en cada
uno de los canales, haciendo uso del modelo electromagnético. Destacar que
si no se especifica otra cosa, las simulaciones se han realizado para una
temperatura de 25o C, teniendo en cuenta los modelos de las capacidades
descritos en el apartado 4.6.4 y considerando además los hilos de bonding de
las distintas conexiones. Además, de manera general se utilizará el divisor de
tensión como forma de alimentación.

En primer lugar, en la Figura 5.25 se puede ver la ganancia en pequeña
señal de cada uno de los canales, comparada con la ganancia obtenida con
un único canal (cı́rculos).
Figura 5.25: Ganancia en pequeña señal de cada uno de los canales.

A simple vista se puede afirmar que no existe diferencia entre la respuesta

de un único canal y la obtenida por cada uno de los canales en el diseño
completo. Sin embargo, si se toma el canal inferior como el canal de referencia
y se representa la diferencia de la ganancia de este canal con el resto de
canales, Figura 5.26, se puede concluir que la diferencia máxima es de tan
sólo 0.06 dB.
Figura 5.26: Diferencia de ganancia.
Por otro lado, la adaptación a la entrada y a la salida de cada uno de

los canales se puede ver en la Figura 5.27, donde se puede apreciar que se
obtienen los mismos resultados expuestos en el apartado 5.2.
Figura 5.27: Adaptaciones de entrada y salida de los cuatro canales.
Esto mismo sucede para el caso del retardo de grupo, Figura 5.28, donde
no se aprecia apenas diferencia entre los distintos canales y la respuesta
obtenida para un único canal.
238 Capı́tulo 5
Figura 5.28: Retardo de grupo de cada uno de los canales.
Por último en la Figura 5.29 se puede ver el peor caso de interferencia

entre canales, fruto del acoplamiento entre el drenador y la puerta de dos
canales adyacentes. Destacar que la interferencia entre canales adyacentes
está por debajo de los -20 dB en la mayor parte del ancho de banda y que
presenta un máximo de -15 dB para una frecuencia de 41 GHz.
Figura 5.29: Interferencia entre canales adyacentes.
A la vista de estos resultados, se puede afirmar que la respuesta de cada

uno de los canales se ajusta a lo descrito en el apartado 5.3 para el caso de
un único canal aislado. Sin embargo, es recomendable estudiar el efecto de
la interferencia entre canales mediante una simulación temporal, escogiendo
en este caso el diagrama de ojo como método más directo y visual.

A continuación se obtienen los diagramas de ojo a la salida de cada uno
de los canales del driver para el caso de una señal de entrada del tipo NRZ
y 4PAM con una tasa binaria de 28 Gbps y de 40 Gbps.

En primer lugar, en la Figura 5.30 se puede ver el diagra de ojo a la
salida de cada uno de los cuatro canales, teniendo en cuenta una señal de
entrada del tipo NRZ y una amplitud de 0.4 Vpp . En estas condiciones, a
simple vista se observa que los cuatro diagramas de ojo son muy similares y
han mantenido la amplitud de la señal de salida con respecto a la simulación
de un canal de forma individual.
Figura 5.30: Diagrama de ojo a la salida de los cuatro canales para una señal
de entrada del tipo NRZ con amplitud 0.4 Vpp y una tasa binaria de 28 Gbps.
En la Figura 5.31 se recopilan los principales parámetros de los diagramas

de ojo mostrados con anterioridad. Esta recopilación es de gran utilidad para
comprobar la similitud entre los distintos diagramas de ojo. Analizando cada
uno de los parámetros se comprueba que los diagramas de ojo de los canales
internos presentan peores prestaciones en cuanto a SNR y a jitter. Este
empeoramiento, puede ser debido a la interferencia entre canales adyacentes,
ya que los canales internos cuentan con dos canales adyacentes, mientras
que los canales de los extremos sólo cuentan con uno, por tanto, tienen más
fuentes de interferencia.
240 Capı́tulo 5
Figura 5.31: Resumen de los parámetros de los diagramas ojo de la Figura

5.30.
A continuación, manteniendo la amplitud de la señal de entrada y el tipo

de modulación, se aumenta la tasa binaria hasta los 40 Gbps, obteniéndose
los diagramas de ojo a la salida de cada canal mostrados en la Figura 5.32.
de entrada del tipo NRZ con amplitud 0.4 Vpp y una tasa binaria de 40 Gbps.
Como se puede observar en dicha figura, la amplitud del diagrama se

mantiene casi invariante con respecto al anterior caso. Sin embargo, si se
hace un análisis de lo parámetro recogidos en la Figura 5.33, se comprueba
que tanto el jitter como la relación señal a ruido se han visto afectadas por el
incremento de la tasa binaria. Además, de nuevo se puede apreciar que son

los canales intermedios los que presentan perores prestaciones.
Figura 5.33: Resumen de los parámetros de los diagramas de la Figura 5.32.
5.5.2.2. Señal 4PAM.
A continuación, se obtiene el diagrama de ojo a la salida de los cuatro

canales del driver, para una señal de entrada del tipo 4PAM, una amplitud
de 0.4 Vpp y una tasa binaria de 40 Gbps.
de entrada del tipo 4PAM con amplitud 0.4 Vpp y una tasa binaria de 40
Gbps.
242 Capı́tulo 5
En este caso, se pueden distinguir claramente los cuatro niveles en todos

los diagramas de ojo, además de comprobar que se encuentras equiespaciados.
Sin embargo, al aumentar la amplitud de la señal de entrada a 0.6 Vpp , Figura
5.35, los niveles del diagrama de ojo a la salida de cada canal dejan de estarlo,
efecto que ya se vio cuando se realizó la simulación de un canal de forma
aislada.
de entrada del tipo 4PAM con amplitud 0.6 Vpp y una tasa binaria de 40
Gbps.
Al igual que en el caso de un único canal aislado, existe la posibilidad

de mejorar notablemente el espaciado entre los distintos niveles, mediante la
disminución de la tensión de la puerta de los transistores en fuente común,
obteniéndose los diagramas de ojos a la salida de cada canal mostrados en la
Figura 5.36.
5.6. Consideraciones para el montaje.

Acceso de RF : Tanto la entrada como la salida de cada uno de los
canales se debe conectar una lı́nea microstrip de 50 Ω mediante el uso
de tres hilos de bonding de oro de 25 µm de diámetro y 200 µm de
longitud. Es deseable que estas lı́neas se sitúen lo más cerca posible del
driver, generalmente a 100 µm, de forma que se puedan utilizar unos
hilos lo más cortos posibles.
Capacidades de desacoplo: Se debe situar en serie a los accesos de
de entrada del tipo 4PAM con amplitud 0.6 Vpp , una tasa binaria de 40 Gbps
con Vg1 = −0,25 V.
entrada y salida de cada uno de los canales una capacidad de desacoplo

de continua. El valor de esta capacidad marca la frecuencia de corte
inferior, generalmente, para obtener una frecuencia de corte inferior de
∼ 30 KHz es necesario utilizar una capacidad de 220 nF.
Además, se ha de utilizar una capacidad de desacoplo en el PAD
de alimentación de la puerta del transistor en fuente común. Esta
capacidad debe tener un valor de al menos 51 pF. La conexión entre
cada uno de los amplificadores y esta capacidad se realizará a través
de dos hilos de bonding con las mismas caracterı́sticas mencionadas
anteriormente.
Por último, en el PAD de la lı́nea de drenador es necesario conectar una
capacidad de al menos 510 pF. La conexión se realizará a través de dos
hilos de bonding con las misas caracterı́sticas fı́sicas que los utilizados
en los accesos de RF.
Alimentaciones: La alimentación de drenador se realizará a través

del PAD de la lı́nea de drenador situado a continuación de la carga de
dicha lı́nea mediante el uso de una inductancia de 1,2 µH.
De forma general, la alimentación de la puerta del transistor en puerta
común se realizará mediante el uso del divisor de tensión, para lo cual
se deberán conectar los PAD de Vgs2 mediante un hilo de bonding. Si
244 Capı́tulo 5
se desease utilizar una alimentación externa no se realizarı́a la anterior

conexión, pero serı́a necesario añadir una nueva capacidad externa de
desacoplo, como en el caso de Vg1 .
En la Figura 5.37 se puede ver un esquema del montaje propuesto para

las medidas de cada uno de los canales.
Figura 5.37: Conexionado recomendado en cada canal.
5.7. Conclusiones.
En el presente capı́tulo se ha presentado el diseño de un driver con cuatro
canales implementados mediante amplificadores distribuidos.
Este diseño supone la continuación del estudio realizado en el Capı́tulo 4,
intentando mejorar las prestaciones del mismo y sobre todo reduciendo las
sensibilidades encontradas en dicho diseño.
En primer lugar, destacar que la reducción del tamaño del amplificador ha
supuesto un gran reto, provocando la necesidad de la disminución del número
de etapas para poder ası́ reducir la altura de los meandros de las secciones
de lı́neas interetapas. Sin embargo, las especificaciones de la ganancia se han
mantenido, por lo que ha sido necesario aumentar el tamaño de la puerta de
los transistores utilizados. Como era de esperar, teniendo en cuenta el estudio
realizado en el Capı́tulo 3, este aumento del tamaño se ha visto reflejado en
el aumento de la variación del retardo de grupo, si bien es cierto que en la
mayor parte del ancho de banda del diseño este variación sigue tomando un
valor muy pequeño ±5 ps.
Es importante tener en cuenta que en este diseño se ha modificado la
forma de alimentar la lı́nea de drenador. La nueva alimentación es llevada
a cabo a través de la carga de dicha lı́nea, por lo que su anchura debe ser
tal que pueda soportar la corriente máxima marcada en las especificaciones.

Esta forma de alimentación permite que los cuatro canales puedan compartir
una fuente externa.
En cuanto a las alimentaciones de las puertas de los transistores, destacar
que este diseño cuenta con una nueva fuente de polarización, Vg1 , lo que
permite ajustar el punto de polarización de los transistores y mejorar la
separación entre los diferentes niveles de la modulación 4PAM a la salida de
cada distribuido. Por su parte, Vg2 , puede ser inyectada de igual forma que
en el diseño anterior, pero también puede hacer uso de la tensión de drenador
haciendo uso de un divisor de tensión.
Gracias a las simulaciones del driver completo, se ha comprobado que la
interferencia entre canales tiene una gran influencia en el diagrama de ojo
a la salida de cada canal, siendo más significativo en el caso de los canales
intermedios.
Cabe resaltar, que ha sido posible reducir la sensibilidad del diseño,
gracias al aumento de la capacidad integrada en la lı́nea de drenador.
Para finalizar, destacar que considerando el desajunte entre medidas y
simulaciones del diseño anterior, debido fundamentalmente a los modelos
de capacidades, en este diseño dichos modelos han sido tenidos en cuenta
durante todo el proceso. Por tanto, se espera que con el uso de estos modelos
y la reducción de la sensibilidad, los resultados experimentales se ajusten en
mejor a las simulaciones, sin necesidad de realizar una retro-simulación.
A modo de resumen en la Tabla 5.4 se recogen los principales resultados
obtenidos en simulación comparados con las especificaciones iniciales.
Tabla 5.4: Comparativa entre las especificaciones y las simulaciones de cada

canal.
Parámetros Especificaciones Simulaciones EM
Mı́nimo Tı́pico Máximo Mı́nimo Tı́pico Máximo
Corriente de drenador (mA) 80 100 85.35
Ancho de Banda (3dB) (GHz) 0 40 0 43.5
Ancho de Banda (1dB) (GHz) 0 35 0 40.5
S(1,1) (dB) -12.5 -10 -13.75 -12.15
S(2,2) (dB) -12.5 -10 -15 -12.15
S(2,1) (dB) 12 12.56
Variación retardo de grupo (ps) ± 10 ±5 ± 12.5
Figura de ruido (10 GHz)(dB) 2.5 2.35
Psat (dBm) 18
En la Tabla 5.5 se comparan los resultados de simulación obtenidos, con

otros driver de cuatro canales. A la vista de los parámetros recogidos en dicha
tabla, se puede apreciar que el diseño aquı́ presentado cuenta con el mayor
246 Capı́tulo 5
ancho de banda y una ganancia intermedia a los otros dos diseños. Además,
permite obtener a la salida una amplitud de 1.5 Vpp operando con velocidades
de hasta 40 Gbps. Destacar también que el diseño de este trabajo cuenta con
los tiempos de subida y bajada más bajos y un jitter RMS del mismo orden
que el presentado por el trabajo [1]. Sin embargo, cuenta con el peor crosstalk
o interferencia entre canales.
Tabla 5.5: Comparativa de resultados con otros Quad- driver.

Trabajo Tecno. BW3 dB(GHz) S21(dB) Crosstalk(dB) Vout (Vpp ) Tasa(Gbps) tf , tr (ps) JitterRM S (ps)
[1] - 25 11 -30 1.5 28 12.5 0.6
[2] InP HBT 36 15 -20 1.5 50 - -
Este Trabajo AsGa 43.5 12.35 -15 1.5 40 10 0.7
Para finalizar, remarcar que se espera poder fabricar este driver en un

próximo run de la tecnologı́a PL-1512.
Bibliografı́a
[1] Qorvo, Datasheet TGA4851-SL, 4 Channel 28 Gb/s QSFP28 Modulator

Driver, 2015.
[2] Wakita, H., Nagatani, M. and Nosaka, H., 36-GHz-bandwidth

quad-channel driver module using compact QFN package for optical
coherent systems. Electrical Design of Advanced Packaging and Systems
(EDAPS), 2016.
247
248 Capı́tulo 5
Capı́tulo 6
Conclusiones y lı́neas futuras
6.1. Introducción.
En el presente capı́tulo se describen las principales conclusiones obtenidas
del desarrollo de la Tesis Doctoral que aquı́ se presenta, sus aportaciones en
el área de la amplificación distribuida, ası́ como las lı́neas futuras que se
sugieren estudiar a partir del presente trabajo.
Si bien es cierto que al finalizar cada uno de los capı́tulos se han expuesto
las principales conclusiones derivadas de los mismos, la finalidad de este
capı́tulo es la de recopilar las principales conclusiones realizadas a lo largo
de la presente Tesis, de forma que se tenga una visión más clara y global del
trabajo desarrollado.
Este capı́tulo está estructurado en cinco apartados. En el primero
se realiza un resumen de la motivación de la presente Tesis y las
principales conclusiones obtenidas del desarrollo de la misma. En el segundo
apartado se enumeran las principales aportaciones obtenidas de este trabajo
de investigación. A continuación, se presentan las principales lı́neas de
investigación propuestas para su estudio. Por último, en los dos restantes
apartados se enumeran las publicaciones surgidas durante el proceso de
investigación y los proyectos de I+D que han permitido realizar una
investigación en el ámbito de la amplificación distribuida y su aplicación
a las comunicaciones ópticas que ha dado como fruto la presente Tesis.
6.2. Resumen y Conclusiones.

El trabajo presentado a lo largo de los anteriores capı́tulos supone
una recopilación del trabajo de investigación realizado en el área de la
amplificación distribuida aplicada a las comunicaciones ópticas con altas
249
250 Capı́tulo 6
tasas binarias, y que ha sido posible gracias a los diferentes proyectos

desarrollados tanto en la empresa VectraWave, como en el Departamento
de Ingenierı́a de Comunicaciones de la Universidad de Cantabria.
El trabajo realizado ha servido para comprender en mayor profundidad

el funcionamiento de los amplificadores distribuidos y el efecto de la elección
de las distintas topologı́as de celda de ganancia en parámetros como: la
impedancia imagen de las lı́neas de puerta y drenador, la frecuencia de
corte, el coeficiente de atenuación, la constante de fase, la ganancia y, sobre
todo, en el retardo de grupo. La mejora en el conocimiento de este tipo de
amplificadores ha sido posible aplicarla en el ámbito comercial a través del
diseño de drivers orientados a sistemas de hasta 40 Gbps.
Durante el desarrollo de este trabajo de investigación, se han abordado

una serie de etapas fundamentales y necesarias en todo proyecto de
investigación. En una fase inicial, se realizó un estudio de los sistemas
de comunicaciones ópticos y la posibilidad de utilizar en estos sistemas
los amplificadores distribuidos. A continuación, se realizó un estudio del
estado del arte de los amplificadores orientados a las comunicaciones ópticas
y sus principales parámetros de diseño. Posteriormente, se continuó con
la parte más teórica de la Tesis, donde se realizó el estudio de las
celdas de ganancia más utilizadas y su influencia en los diferentes
parámetros. Seguidamente, se aplicaron estos conocimientos en el diseño de
un amplificador distribuido orientado a sistemas de comunicaciones ópticas
(Single Driver ). Finalmente, una vez fabricado el diseño, se procedió a
obtener los resultados experimentales del mismo, para posteriormente
analizar y valorar dichos resultados. Del análisis realizado a las medidas,
se detectaron algunas deficiencias en el diseño, que fueron solventadas en un
nuevo diseño. Este nuevo diseño (Quad Driver ), no sólo tenı́a como finalidad
el mejorar las deficiencias del anterior, sino que suponı́a un reto en cuanto a
la combinación de tamaño, número de canales del driver y prestaciones. Cabe
destacar que ambos driver han sido empleados en diferentes proyectos a nivel
europeo y que en el caso del Single Driver ya está siendo comercializado. Por
otro lado, a medida que se iba realizando el estudio ha sido posible compartir
los avances y resultados obtenidos a través de la participación en diferentes
congresos nacionales.
A continuación se describen en más detalle los principales resultados y

conclusiones obtenidas durante el desarrollo de la presente Tesis Doctoral.
Conclusiones y lı́neas futuras 251
6.2.1. Estudio teórico de las diferentes topologias de

celda de ganancia.
Los amplificadores distribuidos están compuestos por N celdas de
ganancias distribuidas a lo largo de dos lı́neas de transmisión. La elección
de la topologı́a de dichas celdas tiene un gran efecto en las prestaciones del
amplificador, por lo que es recomendable estudiar el efecto de cada una de
ellas a través de métodos analı́ticos como el método utilizado en esta Tesis,
el método de los parámetros imagen.
El método utilizado en este trabajo permite obtener la impedancia imagen
de cada una de las lı́neas del amplificador y comprobar la respuesta en
frecuencia de las mismas. A través del estudio de dicha impedancia, en las
diferentes celdas, se puede ver la dificultad de adaptar la lı́nea de puerta
en amplios rangos de frecuencia. Además, en el caso de las topologı́as en
cascodo se ha podido comprobar que la lı́nea de drenador será la que marque
la frecuencia de corte inferior y que además su impedancia tomará un valor
máximo de 46 Ω. A través de este método también ha sido posible comprobar
que la frecuencia de corte superior viene determinada por la lı́nea de puerta,
debido a que la capacidad Cgs es mucho mayor que la capacidad Cds , y que
una forma de incrementar esta frecuencia es a través de la inserción de una
capacidad adicional en la puerta del transistor en fuente común.
Por otro lado, mediante el estudio de las celdas elementales de las
diferentes topologı́as también ha sido posible estudiar otros parámetros como:
el coeficiente de atenuación, la constante de fase o la variación del retardo de
grupo.
Mientras que la lı́nea de puerta marca la frecuencia de corte superior,
la lı́nea de drenador es la que marca la atenuación. Por lo tanto, si se
quiere aumentar la ganancia del amplificador es necesario que se reduzca
el coeficiente de atenuación de dicha lı́nea, por ejemplo, mediante el uso de
una topologı́a en cascodo.
Por último, el estudio realizado del retardo de grupo ha puesto de
manifiesto que a medida que se incrementa el tamaño de los transistores
de las celdas de ganancia, la variación de retardo de grupo aumentada
independientemente de la topologı́a. Sin embargo, en el caso de utilizar
transistores de gran tamaño se obtiene una variación del retardo de grupo
menor en el caso de las topologı́as en cascodo. Además, se ha comprobado
que las celdas de ganancia que hacen uso de transistores con tamaños
equivalentes, pero distinto número de dedos y anchura de puerta, presentan
una variación del retardo de grupo mayor en el caso de un número de dedos
superior.
252 Capı́tulo 6
6.2.2. Diseño y evaluación del Single Driver.

A la hora de llevar a cabo el diseño de un amplificador distribuido es
recomendable evitar las optimizaciones a ciegas, para lo cual es útil utilizar
el procedimiento descrito en el Capitulo 4. Este método se basa en considerar
las celdas elementales de las lı́neas como secciones R constante, de forma que
se obtengan los valores iniciales de las inductancias de las lı́neas y a partir
de aquı́ iniciar el proceso de optimización.
En los amplificadores distribuidos orientados a las comunicaciones
ópticas, es aconsejable que se realice un análisis temporal, siendo el diagrama
de ojo la herramienta más visual y directa para obtener su comportamiento
temporal.
Del proceso de diseño y medida del Single Driver se ha comprobado
que para que las medidas se ajusten lo mejor posible a las simulaciones es
recomendable que:
A la hora de realizar el modelo electromagnético del amplificador se

considere un rango de frecuencias de al menos el doble de su ancho de
banda y que el número de celdas sea el suficiente para que se considere
correctamente el diseño.
Se consideren en las simulaciones los modelos de las capacidades

externas de desacoplo y los hilos de bonding, sobre todo si, como es
el caso del diseño presentado, la lı́nea de drenador presenta mucha
sensibilidad a los elementos que a ella han de ser conectados.
Para finalizar, destacar que un estudio completo de la estabilidad,

mediante herramientas que permitan un análisis de la estabilidad en gran
señal, permite garantizar el correcto funcionamiento del amplificador en
medidas.
6.2.3. Diseño del Quad Driver.

En primer lugar destacar que la reducción del tamaño de cada lı́nea
del driver, ha supuesto un reto importante, ya que ha sido necesario la
modificación del número de etapas, el aumento de la anchura de la puerta
de los transistores y, por tanto, se ha empeorado la variación del retardo de
grupo.
Sin embargo, este diseño ha permitido comprobar las ventajas de añadir
un nuevo punto de polarización (Vg1 ), ya que ha permitido mejorar el
espaciado entre los distintos niveles del diagrama de ojo obtenido a la salida
del distribuido.
También relacionado con la polarización, destacar que al introducir la

polarización por la carga de drenador, en vez de por la salida, permite que se
pueda utilizar una única fuente de tensión para alimentar dicha lı́nea en los
cuatro canales que conforman el driver. Además, dicha polarización ha sido
utilizada para alimentar las puertas de los transistores en puerta común, para
lo cual se ha hecho uso de un divisor de tensión. En este sentido, destacar que
si bien es beneficioso el uso del divisor, ya que se reduce el número de fuentes
necesarias y el número de capacidades externas, es posible no utilizarlo y
realizar la alimentación de forma más común, como en el caso del diseño del
Single Driver.
Las simulaciones realizadas al driver completo, es decir, considerando los
cuatro canales, ha permitido detectar la influencia que la interferencia entre
canales tiene en el diagrama de ojo obtenido a la salida de cada uno de ellos.
Siendo los canales intermedios los más afectados por dichas interferencias y,
por tanto, los que mas modificados ven sus parámetros del diagrama de ojo.
Por último, destacar que este diseño también ha permitido estudiar la
sensibilidad de la lı́nea de drenador y compensarla en gran medida mediante
el incremento de la capacidad implementada en dicha lı́nea. Por lo que se
espera que las medidas futuras realizadas a este diseño se ajusten en mayor
medida a las simulaciones presentadas para este driver.
6.3. Nuevas aportaciones.

En primer lugar, caben destacar las aportaciones teóricas aportadas al
estudio de los amplificadores distribuidos. Hasta este momento, se habı́a
realizado un estudio de las celdas formadas por transistores en fuente común
y su efecto en parámetros como la impedancia imagen de las lı́neas, la
frecuencia de corte, el coeficiente de atenuación, la constante de fase y la
ganancia, pero no se habı́a estudiado el retardo de grupo. Además, se ha
completado el estudio para la topologı́a en cascodo y dos modificaciones
de la misma. En este punto, se considera importante recalcar que toda la
formulación ha sido implementada en diferentes rutinas de Matlab R , de
forma que para cualquier topologı́a de las descritas en esta Tesis y cualquier
tamaño de transistor de la tecnologı́a PL15-12 se puede obtener el parámetro
deseado de forma automática. Además, estas rutinas pueden ser adaptadas
de forma sencilla a otras tecnologı́as modificando únicamente los parámetros
en pequeña señal de los modelos proporcionados por la foundry.
En segundo lugar, destacar la aportación al análisis temporal de los
amplificadores distribuidos. Para lo cual ha sido necesario: indagar en las
posibilidades que ofrece ADS R para este cometido, estudiar la mejor forma
254 Capı́tulo 6
de aplicarlas en los diseños presentados en esta Tesis y comprender los

resultados obtenidos de forma que pudiesen ser relacionados con otros
obtenidos mediante otro tipo de análisis, pequeña señal o balance armónico.
Por último, destacar los dos diseños realizados, los cuales forman parte
del estado del arte de los amplificadores distribuidos aplicados a las
comunicaciones ópticas, como demuestra su uso en los diferentes proyectos y
en su comercialización. Y sobre todo cabe destacar el diseño del Quad Driver,
el cual ha permitido la implementación de cuatro canales de amplificación
en un mismo die con unas dimensiones muy reducidas y unas prestaciones
que le hacen candidato para su uso en sistemas de comunicaciones ópticas
de hasta 40 Gbps.
6.4. Lı́neas Futuras de Investigación.

A continuación se indican las lı́neas futuras de investigación que podrı́an
ser interesantes para desarrollar en próximos proyectos de investigación.
La lı́nea más directa surgida de esta investigación es la de completar

el estudio de la estabilidad del Quad Driver descrito en el Capı́tulo
5, fabricarlo y realizar las medidas necesarias para validar el diseño,
siguiendo las recomendaciones descritas en dicho capı́tulo, y comprobar
la reducción de la sensibilidad de amplificador.
Estudiar la posibilidad de incluir en el diseño del Quad Driver alguna

de las capacidades externas de desacoplo, de forma que no se necesite
tanta superficie fuera del driver. Además, serı́a recomendable estudiar
la posibilidad de poder realizar el conexionado de los diferentes puntos
de alimentación de los cuatro canales dentro del diseño.
La implementación en los diseños aquı́ descritos de cargas activas en

la lı́nea de drenador, de forma que permitan obtener una adaptación
correcta de dicha lı́nea, proporcionen una adecuada polarización a cada
etapa y permitan un cierto control en la ganancia del amplificador. De
esta forma, los amplificadores distribuidos aquı́ presentados no sólo
podrán ser usados como drivers, sino también como preamplificadores
y postamplificadores en los receptores ópticos.
Teniendo en cuenta que los diseños presentados en esta Tesis están

destinados a las comunicaciones ópticas, serı́a interesante explorar las
distintas posibilidades de optimización del diagrama de ojo obtenido a
la salida de dichos diseños.
Como se ha recalcado a lo largo de este documento, el retardo de grupo

tiene una gran influencia en la distorsión de la señal, por lo que serı́a
de gran interés estudiar nuevas técnicas de ecualización que puedan ser
implementada en los amplificadores distribuidos.
Otra lı́nea de investigación posible relacionada con la ganancia, podrı́a

ser mejorar la planitud de la misma. En este sentido se podrı́a explorar
la posibilidad de utilizar técnicas como la retroalimentación o la
disminución paulatina de las lı́neas del amplificador distribuidos.
Finalmente, podrı́a ser interesante aplicar las técnicas aquı́ presentadas

en otros circuitos como filtros activos de alta frecuencia, osciladores,
amplificadores de ganancia variable y switch activos.
6.5. Publicaciones.
1. L. Diego, A. Herrera, B. Haentjens, Amplificador MMIC distribuido
para uso de pre-driver en sistemas de 40 Gbits/s, XXX Simposium
Nacional de la Unión Cientı́fica Internacional de Radio (URSI),
Pamplona, 2015.
2. L. Diego, B. Haentjens, A. Herrera, Amplificador distribuido 0-28GHz

para aplicaciones ópticas, XXIX Simposium Nacional de la Unión
Cientı́fica Internacional de Radio (URSI), Valencia, 2014.
6.6. Proyectos relacionados con la

investigación desarrollada.
1. Proyecto SENDATE, del Celtic-Plus Smart Connected World,
(2016-2019).
2. Proyecto SOPA (Support on Power Amplifier Design), de VectraWave

en colaboración con el Grupo de Ingenierı́a de Microondas y Sistemas
de Radiocomunicaciones de la Universidad de Cantabria, (2013-2017).
3. Proyecto SASER, del Celtic-Plus Smart Connected World, (2012-2015).
4. Proyecto HORFI TECNOLOGÍAS DE RF PARA TERMINALES

MIMO DE BANDA ULTRA-ANCHA (TEC2012-38402-C04-04), del
Ministerio de Economı́a y Competitividad, (2013-2015).
256 Capı́tulo 6
5. Proyecto SISTEMAS UWB MULTIELEMENTO Y

RECONFIGURABLES PARA APLICACIONES AVANZADAS DE
SEÑAL: MICROELECTRONICA DE RF (TEC2009-14219-C03-03),
del Ministerio de Ciencia e Innovación, (2010-2013).
Apéndice A
Redes de dos puertos
El presente apéndice tiene como finalidad la descripción de los principales

parámetros de una red de dos puertos. La definición de dichos parámetros
permitirá comprender en mayor profundidad el desarrollo teórico de los
amplificadores distribuidos, descrito en el Capı́tulo 3 del presente documento.
A.1. Introducción
Una red de dos puertos, como la mostrada en la Figura A.1, es una red
compuesta por cuatro terminales. Por ello, algunos libros denominan a los
cuadripolos como redes de dos puertos. Un ejemplo de este tipo de redes son
los amplificadores o los filtros.
Generalmente, en una red de dos puerto, se define un par de terminales
como puerto de entrada y otro par de terminales como puerto de salida.
Además, al terminal superior se le identifica como el positivo y por él entran
las corrientes, tal y como se puede ver en la Figura A.1.
Figura A.1: Definición estándar de una red de dos puertos.
Para poder llevar a cabo la caracterización de una red de este tipo, es

necesario identificar las variables del circuito.
En el caso de una red de dos puertos, es posible definir cuatro variables:
el voltaje de entrada V1 , la corriente de entrada I1 , el voltaje de salida V2 y la
257
258 Apéndice A
corriente de salida I2 . Dichas variables quedan definidas como se muestra en

la Figura A.1. A través de dichas variables es posible obtener las ecuaciones
de un circuito lineal de dos puertos y modelar el comportamiento de dicha
red desde los terminales.
En primer lugar, para obtener dichas ecuaciones, es necesario seleccionar
dos de las cuatro variables como variables independientes y las otras dos
como variables dependientes. En segundo lugar, las ecuaciones lo que hacen
es expresar las variables dependientes como una combinación lineal de las
variables independientes. Los coeficientes de las mencionadas combinaciones
lineales se conocen con el nombre de parámetros de la red. Existen distintos
conjuntos de parámetros, dependiendo de qué variables se hayan seleccionado
como variables independientes.
En este apéndice se van a describir los parámetros recogidos la Tabla A.1,
[1].
Tabla A.1: Parámetros de una red dos puertos.

Nombre Variables Variables Ecuaciones
dependientes independientes
Impedancia V1 ,V2 I1 ,I2 V1 = z11 I1 + z12 I2
V2 = z21 I1 + z22 I2
Admitancia I1 ,I2 V1 ,V2 I1 = y11 V1 + y12 V2
I2 = y21 V1 + y22 V2
Hı́brido V1 ,I2 I1 ,V2 V1 = h11 I1 + h12 V2
I2 = h21 I1 + h22 V2
Transmisión V1 ,I1 V2 ,−I2 V1 = AV2 − BI2
I1 = CV2 − DI2
A.2. Parámetros de impedancia

Para modelar una red de dos puertos con parámetros de impedancia, o
parámetros Z, se debe elegir como variables independientes a las corrientes, I1
e I2 . Pudiéndose definir las ecuaciones del cuadripolo de la siguiente manera.
V1 = z11 I1 + z12 I2
V2 = z21 I1 + z22 I2 (A.1)
Los parámetros z11 , z12 , z21 y z22 son conocidos con el nombre de
parámetros de impedancia o de forma simplificada parámetros Z. Las
Ecuaciones A.1 pueden ser expresadas en forma matricial de la forma
Redes de dos puertos 259

V1 z11 z12 I1 I1
= = z (A.2)
V2 z21 z22 I2 I2

donde la matriz z se conoce con el nombre de matriz de impedancias
de una red de dos puertos.
Para medir o calcular cada uno de los parámetros z es necesario excitar
un puerto y dejar el otro en circuito abierto.
Los parámetros z11 y z21 se calculan excitando el puerto 1 y dejando

en circuito abierto el puerto 2, es decir, I2 = 0.
• El parámetro z11 se conoce con el nombre de impedancia de

entrada con la salida en circuito abierto y puede ser calculado
mediante la siguiente relación.
V1
z11 = (A.3)
I1 I2 =0

transferencia con la salida en circuito abierto, y de manera
análoga al parámetro anterior, este puede ser calculado mediante
la expresión
V2
z21 = (A.4)
I1 I2 =0
Por otro lado, los parámetros z12 y z22 se calculan excitando el puerto
2 y dejando en circuito abierto el puerto 1, es decir, I1 = 0.

transferencia con la entrada en circuito abierto.
V1
z12 = (A.5)
I2 I1 =0
• El parámetro z22 se conoce con el nombre de impedancia de salida

con la entrada en circuito abierto.
V2
z22 = (A.6)
I2 I1 =0
Todos los parámetros definidos hasta ahora son impedancias, por lo tanto
tienen dimensiones de ohmios (Ω).
260 Apéndice A
A.3. Parámetros de admitancia

Para obtener los parámetros de admitancia, o parámetros Y, se deben
expresar las corrientes I1 e I2 en función de las tensiones V1 y V2 . Por lo que
las ecuaciones que definen el funcionamiento del cuadripolo vienen dadas por
la Ecuación A.7.
I1 = y11 V1 + y12 V2
V2 = y21 V1 + y22 V2 (A.7)
Los parámetros y11 , y12 , y21 y y22 son conocidos con el nombre de
parámetros de admitancia o de forma simplificada parámetros Y. Las
Ecuaciones A.7 pueden ser expresadas en forma matricial de la forma

I1 y11 y12 V1 V1
= = y (A.8)
I2 y21 y22 V2 V2

donde la matriz y se conoce con el nombre de matriz de admitancias de
una red de dos puertos.
Para medir o calcular cada uno de los parámetros y es necesario excitar
un puerto y dejar el otro puerto en circuito cerrado.
Los parámetros y11 y y21 se calculan excitando el puerto 1 y dejando
en circuito cerrado el puerto 2, es decir, V2 = 0.
• El parámetro y11 se conoce con el nombre de admitancia de

entrada con la salida en corto circuito.
I1
y11 = (A.9)
V1 V2 =0

transferencia con la salida en corto circuito.
I2
y21 = (A.10)
V1 V2 =0
Mientras que los parámetros y12 y y22 se calculan excitando el puerto

2 y dejando en circuito cerrado el puerto 1, es decir, V1 = 0.

transferencia con la entrada en corto circuito.
I1
y12 = (A.11)
V2 V1 =0
• El parámetro y22 se conoce con el nombre de admitancia de salida

con la entrada en corto.
I2
y22 = (A.12)
V2 V1 =0
Los anteriores parámetros son admitancias, y por tanto, tienen
dimensiones de siemens (S). Estos parámetros expresan corrientes en función
de voltajes, mientras que los parámetros de impedancia expresan voltajes en
función de corrientes. Por lo tanto, es fácil demostrar que estos parámetros
son inversos, lo que hace que se pueda obtener
la−1
matriz de admitancias como
la inversa de la matriz de impedancias, y = z .
A.4. Parámetros hı́bridos

Los parámetros hı́bridos, o parámetros H, se definen en términos de una
mezcla de variables. En este caso se escogen como variables independientes
la I1 y el V2 , por lo que finalmente el comportamiento del cuadripolo viene
dado por el siguiente par de ecuaciones
V1 = h11 I1 + h12 V2
I2 = h21 I1 + h22 V2 (A.13)
Los parámetros h11 , h12 , h21 y h22 son conocidos con el nombre de
parámetros hı́bridos o de forma simplificada parámetros H. Las Ecuaciones
A.13 pueden ser expresadas en forma matricial de la forma

V1 h11 h12 I1 I1
= = h (A.14)
I2 h21 h22 V2 V2

donde la matriz h se conoce con el nombre de matriz h de una red de
dos puertos.
Para obtener cada uno de los parámetros h es necesario excitar un puerto
y dejar el otro puerto en circuito cerrado o en circuito abierto, dependiendo
del parámetro a calcular.
Los parámetros h11 y h21 se calculan excitando el puerto 1 y dejando
en circuito cerrado el puerto 2, es decir, V2 = 0.
• El parámetro h11 se conoce con el nombre de impedancia de

entrada con la salida en cortocircuito.
V1
h11 = (A.15)
I1 V2 =0
262 Apéndice A
• El parámetro h21 se conoce con el nombre de ganancia de corriente

con la salida en corto circuito.
I2
h21 = (A.16)
I1 V2 =0
Por otro lado, los parámetros h12 y h22 se calculan excitando el puerto
2 y dejando en circuito abierto el puerto 1, es decir, I1 = 0.
• El parámetro h12 se conoce con el nombre de ganancia inversa de

voltaje con la entrada en circuito abierto.
V1
h12 = (A.17)
V2 I1 =0
• El parámetro h22 se conoce con el nombre de admitancia de salida

con la entrada en circuito abierto.
I2
h22 = (A.18)
V2 I1 =0
Los parámetros h no tienen una única dimensión: el parámetro h11 es una

impedancia, y por tanto, tiene dimensiones de ohmios; el parámetro h22 es
una admitancia, por lo que sus dimensiones son los siemens; y los parámetros
h12 y h21 son funciones de transferencia, es decir, son adimensionales.
A.5. Parámetros de transmisión

Los parámetros de transmisión expresan las variables del puerto de
entrada, V1 e I1 , en función de las variables del puerto de salida, V2 e I2 .
Por lo tanto, las ecuaciones de la red pueden ser definidas de la siguiente
manera
V1 = AV2 − BI2
I1 = CV2 − DI2 (A.19)

Los parámetros A, B, C y D son conocidos con el nombre de parámetros
transmisión o de forma simplificada parámetros T. Las Ecuaciones A.19
pueden ser expresadas en forma matricial de la forma

V1 A B V2 V2
= = t (A.20)
I1 C D −I2 −I2

donde la matriz t se conoce con el nombre de matriz de transmisión de
una red de dos puertos.
Para obtener cada uno de los parámetros t es necesario excitar el
puerto de entrada y cortocircuitar o dejar en circuito abierto el puerto de
salida, dependiendo del parámetro a calcular. Aplicando las condiciones de
cortocircuito (V2 = 0) y de circuito abierto (I2 = 0) en las Ecuaciones A.19,
se obtienen las expresiones de cada uno de los parámetros t.
El parámetro A se conoce con el nombre de ganancia inversa de voltaje

con la salida en circuito abierto.
V1
A= (A.21)
V2 −I2 =0
El parámetro B se conoce con el nombre de impedancia de transferencia

negativa con la salida en cortocircuito.
V1
B= (A.22)
−I2 V2 =0
El parámetro C se conoce con el nombre de admitancia de transferencia

con la salida en circuito abierto.
I1
C= (A.23)
V2 −I2 =0
El parámetro D se conoce con el nombre de ganancia inversa de

corriente negativa con la salida en cortocircuito.
I1
D= (A.24)
−I2 V2 =0
Los parámetros t, como en el caso de los parámetros hı́bridos, no tienen

una única dimensión: el parámetro B es una impedancia, y por tanto, tiene
dimensiones de ohmions; el parámetro C es una admitancia, por lo que
sus dimensiones son los siemens; y los parámetros A y D son funciones de
transferencia, es decir, son adimensionales.
Es importante destacar que estos parámetros son especialmente útiles
cuando se tienen dos redes conectadas en cascada y se quiere modelar el
conjunto (ver apartado A.7).
264 Apéndice A
A.6. Conversión entre parámetros

Una vez obtenido un tipo concreto de parámetros, para una determinada
red, es posible obtener los otros utilizando para ello las expresiones recogidas
en la Tabla A.2, [1].
Tabla A.2: Tabla de conversión de parámetros de una red de dos puertos.

Parámetros Parámetros dados
desados [z] [y] [h] [t]

 y
22 −y 12
 
∆ h h12
 
A ∆t

z11 z12  ∆y ∆   h22 h22  C C 
[z]  −y21 y11y   −h 1  1 D
z21 z22 21
∆y ∆y  h22 h22   C C 
z22 −z12 1 −h12 D −∆t
 

 ∆z y y
 −z21 ∆ h11 h11 
z 11 12 B B 
[y]
 
z11  y21 y22
h
21 ∆h   −1 A 
 ∆z ∆z   1 −y  h11 h11 B B
∆z z12 12 B ∆t
 z22 z22   y11 y11  h11 h12 D D
[h]  −z21 1   y21 ∆y   −1 C 
h21 h22
z 22 z22 y
 −y11 y 11 D D

z11 ∆z

22 −1   −∆h −h11 
 z21 z21   y21 y   h21 h21  A B
[t]  1 z22   −∆y −y2111   −h −1 
22 C D
z21 z21 y21 y21 h21 h21
∆z = z11 z22 − z12 z21 ∆y = y11 y22 − y12 y22
∆h = h11 h22 − h12 h22 ∆t = AD − BC
Para la obtención de la expresiones recogidas en la anterior tabla, se

ha asumido que los cuatro tipos de parámetros existen. Sin embargo, en
la realidad hay ciertas redes de dos puertas que no cuentan con alguno de
los conjuntos de parámetros, por lo que no podrı́an ser utilizadas dichas
expresiones.
Autores como Frickey [2] han propuesto expresiones más complejas para
llevar a cabo las conversiones entre parámetros dónde se tiene en cuenta la
posibilidad de conectar al cuadripolo una fuente o una carga compleja.
A.7. Interconexión de redes de dos puertos

En algunas aplicaciones resulta muy útil ver un circuito como la conexión
de varios subcircuitos, tratando a cada uno de estos como redes de dos
puertos. En la Figura A.2 se muestran cuatro de las posibles interconexiones

de dos redes de dos puertos N1 y N2 .
Figura A.2: Conexión entre redes de dos puertos.
Al tratar un circuito como la conexión entre dos subcircuitos, permite

determinar los parámetros del circuito en función de los parámetros de los
subcircuitos que lo conforman.
En el caso de la interconexión en cascada, Figura A.2(a), la matriz de
transmisión de la interconexión queda definida por la siguiente expresión
[t] = [t1 ][t2 ] (A.25)

donde [t1 ] y [t2 ] son las matrices de transmisión de los subcircuitos N1 y N2 ,
respectivamente. Para el caso de la interconexión en serie, Figura A.2(b),
la matriz de impedancia de la interconexión queda definida por la siguiente
expresión
[z] = [z1 ] + [z2 ] (A.26)

donde [z1 ] y [z2 ] son las matrices de impedancia de los subcircuitos N1
y N2 , respectivamente. En circuito de la Figura A.2(c) corresponde a la
interconexión en paralelo. Como era de esperar por la dualidad de la red,
la matriz de admitancias de la interconexión queda definida por la siguiente
expresión
266 Apéndice A
[y] = [y1 ] + [y2 ] (A.27)

donde [y1 ] y [y2 ] son las matrices de admitancia de los subcircuitos N1
y N2 , respectivamente. Finalmente, en la Figura A.2(d) se representa la
interconexión serie-paralelo, cuya matriz hı́brida es
[h] = [h1 ] + [h2 ] (A.28)

donde [h1 ] y [h2 ] son las matrices hı́bridas de los subcircuitos N1 y N2 ,
respectivamente.
En resumen, existe una clara y simple relación entre los parámetros de
una red de dos puertos y los parámetros de los subcircuitos que conforman
dicha red. Para la derivación de las expresiones anteriores es necesario asumir
que la conexión de dos redes de dos puertos no modifica los parámetros de
los subcircuitos. Esta suposición es válida en el caso de la interconexión
en cascada en condiciones generales. Sin embargo, para las otras tres
configuraciones la validez de esta suposición es más problemática.
A.8. Impedancia de entrada y salida

A.8.1. Impedancia de entrada
La impedancia de entrada de un cuadripolo, Zin , puede ser definida como
el cociente entre la tensión en el puerto de entrada y la corriente que penetra
por dicho puerto. Dicha impedancia, es la impedancia que presenta la red
de dos puertos a el generador conectado a los terminales de entrada. La
impedancia de entrada dependerá del valor de la carga conectada a los
terminales de salida.
Figura A.3: Cuadripolo conectado a un generador y a una carga externos.
La impedancia de entrada puede ser calculada mediante el cociente de las

ecuaciones correspondientes a los parámetros de transmisión de una red de
dos puertos, Ecuación A.19.
V1 = AV2 − BI2
I1 = CV2 − DI2
El cociente de dichas ecuaciones proporciona un expresión de la impedancia

de entrada en función de los parámetros de transmisión de la red de dos
puertos y de la tensón y la corriente de salida, es decir, de la impedancia de
carga, ZL .

AV2
−I2 +B
V1 AV2 − BI2 −I2 AZL + B
Zin = = = = (A.29)
I1 CV2 − DI2 CV2 CZL + D
−I2 +D
−I2
A.8.2. Impedancia de salida

La impedancia de salida de un cuadripolo, Zout , se define como el cociente
entre la tensión en el puerto de salida y la corriente que penetra por dicho
puerto. El cálculo de esta impedancia se puede llevar a cabo de forma análoga
a la impedancia de entrada, haciendo uso en ente caso de la Ecuación A.30.
−1
V2 A B V1
= (A.30)
−I2 C D I1
Teniendo en cuenta la siguiente igualdad
−1
A0 B 0

A B −1
= 0 0 = t (A.31)
C D C D
la Ecuación A.30 se puede escribir como:
V2 = A0 V1 + B 0 I1
− I2 = C 0 V1 + D0 I1 (A.32)
El cociente de las anteriores ecuaciones proporciona una expresión de la
impedancia de salida en función de los parámetros de transmisión inversos
de la red de dos puertos y de la tensón y la corriente de entrada, es decir, de
la impedancia del generador, ZG .
A0 V1

0
I1 +B
V2 A0 V1 + B 0 I1 I1 A0 ZG + B 0
Zout = = = = (A.33)
−C 0 V1

I2 −C 0 V1 − D0 I1 −C 0 ZG − D0
I1 − D0
I1
268 Apéndice A
En el caso de un cuadripolo pasivo: A0 = D, B 0 = −B, C 0 = C y D0 =

A. Por tanto, la impedancia de salida puede ser definida a través de los
parámetros de transmisión y de la impedancia del generador, de manera que
quedarı́a la siguiente expresión.
DZG − B
Zout = (A.34)
CZG − A
A.9. Adaptación de impedancias

A.9.1. Máxima transferencia de energı́a
La máxima transferencia de energı́a entre un generador con impedancia
interna ZG y una carga, ZL , conectada a sus extremos, se produce cuando
existe adaptación entre dichas impedancias.
En un régimen sinusoidal, esto ocurre cuando la impedancia de carga es
igual al conjugado de la impedancia interna del generador.
A.9.2. Impedancia caracterı́stica

Cuando la conexión entre el generador y la impedancia de carga se
realizada a través de un cuadripolo, lo deseable es que la impedancia de
entrada del cuadripolo sea igual a la impedancia de carga, y que ésta a
su vez sea el conjugado de la impedancia interna del generador. Ya que en
este caso se producirı́a la máxima transferencia de energı́a. Evidentemente,
si la conexión entre la carga y el generador se hiciese de manera directa la
transferencia de energı́a serı́a mayor.
Teniendo en cuenta la expresión de la impedancia de entrada de un
cuadripolo definida anteriormente y imponiendo que la impedancia de
entrada del cuadripolo sea igual a la impedancia de carga, y llamando a
este valor Zi , impedancia imagen de una red de dos puertos la Ecuación
A.29 quedarı́a:
AZi + B
Zi = (A.35)
CZi + D
Operando quedarı́a
CZi2 + (D − A) Zi − B = 0
Es posible calcular el valor de Zi mediante la resolución de la ecuación

de segundo grado anterior:
q
− (D − A) ± (D − A)2 + 4BC
Zi = (A.36)
2C
Considerando el caso de un cuadripolo simétrico (A=D), la impedancia
imagen se puede calcular mediante la siguiente relación:
r
B
Zi = (A.37)
C
A.10. Caso particular: Red en T

Los parámetros descritos hasta ahora se han obtenido para el caso de un
cuadripolo genérico, es decir, para un circuito con una topologı́a arbitraria.
Sin embargo, en muchas ocasiones es de utilidad relacionar estos parámetros,
por ejemplo los de transmisión, con una topologı́a determinada. Existen
una serie de topologı́as caracterı́sticas de los cuadripolos, entre las que se
encuentra la red en T, Figura A.4.
Figura A.4: Red en T.
A continuación, se describe el proceso de obtención de los parámetros de

transmisión de una red en T. Este desarrollo será de gran ayuda a la hora
de trabajar con amplificadores distribuidos, ya que tanto la lı́nea de puesta
como la lı́nea de drenador pueden ser definidas como redes de dos puertos
con una topologı́a en T.
En primer lugar, se calculan los parámetros que se obtienen al dejar en
circuito abierto el puerto de salida, parámetros A y C. Para ello, se definen
las ecuaciones de las dos mallas del circuito de la Figura A.4, teniendo en
cuenta que −I2 = 0.
Malla de entrada:

Z1 Z1
V1 = I1 + I1 Z2 = I1 + Z2 (A.38)
2 2
Malla de salida:
V2 = I1 Z2 (A.39)
270 Apéndice A
Teniendo en cuenta la definición del parámetro A, dada por la Ecuación

A.21, es necesario obtener una relación entre la tensión de entrada y de salida.
Para ello, bastarı́a con dividir la Ecuación A.38 entre la Ecuación A.39.
Z1
V1 + Z2 Z1 + 2Z2 Z1
= 2 = =1+
V2 Z2 2Z2 2Z2
V1 Z1
A= ⇒A=1+ (A.40)
V2 −I2 =0 2Z2
Por otro lado, teniendo en cuenta la definición del parámetro C, dada por
la Ecuación A.23, bastarı́a con despejar Z2 de la Ecuación A.39 y calcular su
inversa.
V2 1 I1
Z2 = → =
I1 Z2 V2
I1 1
C= ⇒C= (A.41)
V2 −I2 =0 Z2
En segundo lugar, se calculan los parámetros que se obtienen al dejar en
cortocircuito el puerto de salida, parámetros B y D. Para ello, se definen las
ecuaciones de las dos mallas del circuito de la Figura A.4, teniendo en cuenta
en este caso que V2 = 0.
Malla de entrada:
Z1
V1 = I1 + Z2 (I1 + I2 ) (A.42)
2
Malla de salida:
Z1
0 = I2 + Z2 (I1 + I2 ) (A.43)
2
A continuación se despeja la variable I1 de la Ecuación A.43.
Z1
0 = I2 + Z2 I1 + Z2 I2
2
Z1
0 = I2 Z2 + + Z2 I1
2

I2 Z1
I1 = − Z2 + (A.44)
Z2 2
Teniendo en cuenta la definición del parámetro B, dada por la Ecuación
A.22, es necesario obtener una relación entre la tensión de entrada y la
corriente de salida. Para ello, lo primero es sustituir la variable I1 de la
Ecuación A.42 por el valor obtenido en la Ecuación A.44 y, a continuación,
obtener la relación entre la tensión de entrada y la corriente de salida.

I2 Z1 Z1 I2 Z1
V1 = − Z2 + + Z2 − Z2 + + Z2 I2
Z2 2 2 Z2 2
Z1 Z1 Z1
V1 = −I2 Z2 + − I2 Z2 − I2 + Z2 I2
2Z
2 2 2
4Z1 Z2 + Z1 2

Z1 2Z2 + Z1 Z1
V1 = −I2 + = −I2
2Z2 2 2 4Z2
2 2
V1 4Z1 Z2 + Z1 Z1
= = Z1 +
−I2 4Z2 4Z2
V1 Z1 2
B= ⇒ B = Z1 + (A.45)
−I2 V2 =0 4Z2
Por otro lado, teniendo en cuenta la definición del parámetro D, dada
por la Ecuación A.24, bastarı́a con obtener la relación entre la corriente de
entrada y salida. Esta relación puede ser obtenida de forma directa a través
de la Ecuación A.44.

I1 1 Z1 1 Z1 + 2Z2 Z1
= Z2 + = =1+
−I2 Z2 2 Z2 2 2Z2
I1 Z1
D= ⇒D =1+ (A.46)
−I2 V2 =0 2Z2
Una vez obtenidos los parámetros de transmisión de una red en T y
teniendo en cuenta que este tipo de red, como se puede ver en la Figura
A.10, es simétrica, se puede obtener la impedancia imagen a través de la
Ecuación A.37.
v
Z2
u
u Z1 + 1
r u r
B u 4Z2
p Z1
Zi = =u = Z1 Z2 1 + (A.47)
C t 1 4Z2
Z2
272 Apéndice A
Bibliografı́a
[1] Thomas, R.E., Rosa, A.J. and Toussaint, G.J., The Analysis and
Design of Linear Circuits, 8th Edition, John Willey & Sons Inc., 2011.
[2] Frickey, D.A., Conversion between S, Z, Y, h, ABCD, and T

Parameters wich are valid for complex source and load impedances, IEEE
Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol.42, NO.2, 1994.
273
274 Apéndice A
Apéndice B
Diagrama de ojo
En el presente apéndice se lleva a cabo una descripción de las principales

caracterı́sticas que pueden ser obtenidas mediante la interpretación del
diagrama de ojo. Además, se describe las principales herramientas con
las que cuenta ADS R para simular el diagrama de ojo y las principales
consideraciones que deben ser tenidas en cuenta por el usuario.
Adicionalmente, se recoge en este apéndice las mascaras de los
diagramas de ojo definidas por la Unión Internacional de Telecomunicaciones
(ITU), utilizadas para verificar que los diagramas de ojo cumplen unas
especificaciones mı́nimas.
B.1. Introducción
A la hora de determinar las caracterı́sticas de un sistema de
comunicaciones existen diversas técnicas y medidas que pueden ser llevadas a
cabo, como son la medición de la tasa de errores de bits (BER), la atenuación
del sistema, la relación señal a ruido (S/N), entre otras.
Sin embargo, en algunos sistemas se hace necesario llevar a cabo un
análisis de las formas de onda de los pulsos que se propagan por el sistema,
determinando su forma, el desfase, los niveles de ruido, la potencia de las
señales, etc. El análisis de estas caracterı́sticas reunidas en un único diagrama
da origen a lo que se conoce como el diagrama de ojo.
El diagrama de ojo es una forma intuitiva de representar las señales,
que permite, a través de la observación de su apariencia, obtener las
caracterı́sticas fundamentales del sistema. En el caso de los sistemas de
comunicaciones ópticas, el diagrama de ojo es la herramienta más utilizada en
la literatura para la caracterización de los transmisores y receptores ópticos.
A continuación se describe cómo interpretar los principales parámetros
275
276 Apéndice B
del diagrama de ojo y cómo obtenerlo, tanto en simulación como en medida.
B.2. Definición
De forma sencilla, el diagrama de ojo puede ser visto como la
superposición de las posibles combinaciones de unos y ceros en un rango
de tiempo o cantidad de bits determinados.
Por ejemplo, en una secuencia de 3 bits se tiene un total de 23 posibles
combinaciones. La superposición de estas 8 secuencias forman el diagrama
de ojo. En la Figura B.1 se pueden observar las diferentes secuencias y el
resultado final de la superposición de las mismas.
Figura B.1: Construcción del diagrama de ojo mediante la superposición de

las formas de onda correspondientes a todas las posibles secuencias de bits.
B.2.1. Análisis de los parámetros del diagrama de ojo

El análisis del diagrama de ojo puede ser llevado a cabo mediante dos
métodos distintos pero muy relacionados entre si.
Diagrama de ojo 277
El primero se refiere al análisis de las caracterı́sticas de la forma de

onda del pulso: los tiempos de subida (risetime), de bajada (falltime),
el jitter, el overshoot y el undershoot. Estas caracterı́sticas están
relacionadas con las cuatro propiedades fundamentales del diagrama
de ojo: el nivel cero, el nivel uno, el cruce de amplitud y el cruce de
tiempo (ver Figura B.2).
Figura B.2: Parámetros del diagrama de ojo.
Nivel del 1 lógico: Corresponde a la medición del valor promedio del

nivel de un uno lógico, bon .
Nivel del 0 lógico: Corresponde a la medida del valor medio del nivel
cero lógico, bof f .
Cruce de amplitud: Se refiere al nivel de voltaje en el cual se

produce la apertura del ojo y su posterior cierre (umbral de
decisión).
Cruce de tiempo: Se refiere al tiempo en el que se produce la

apertura del ojo y su posterior cierre. El tiempo transcurrido entre
dos cruces de tiempo es el periodo de bit.
278 Apéndice B
Tiempo de subida: Una vez ubicados los niveles de cero y uno lógico,
se obtiene el tiempo relacionado entre el 20 % y 80 % del valor
máximo de amplitud del pulso (nivel de 1). El tiempo entre ambos
rangos es el que se conoce como tiempo de subida. Es importante
destacar que algunos fabricantes definen este parámetro entre el
10 % y el 90 %, lo cual será importante tener en cuenta a la hora
de comparar especificaciones de diferentes fabricantes [1].
Tiempo de bajada: Una vez ubicados los niveles de cero y uno

lógico, se obtiene el tiempo relacionado entre el 20 % y 80 % del
valor mı́nimo de amplitud del pulso (nivel de 0). El tiempo entre
ambos rangos es el que se conoce como tiempo de bajada. Al
igual que en el tiempo de subida, algunos fabricantes definen este
parámetro entre el 10 % y el 90 % [1].
Overshoot: En el caso del overshoot del 1 lógico, se puede definir

como la diferencia entre el valor promedio del nivel del 1 lógico
y el máximo valor del nivel 1. Mientras que el overshoot del 0
lógico, se puede definir como la diferencia entre el valor promedio
del nivel del 0 lógico y el mı́nimo valor del nivel 0.
Undershoot: En el caso del undershoot del 1 lógico, se puede definir

como la diferencia entre el valor promedio del nivel del 1 lógico
y el mı́nimo valor del nivel 1. Mientras que el undershoot del 0
lógico, se puede definir como la diferencia entre el valor promedio
del nivel del 0 lógico y el máximo valor del nivel 0.
Jitter: Corresponde básicamente a una desviación de fase respecto de

la posición ideal en el tiempo de una señal digital que se propaga
en un canal de transmisión.
Mientras que el otro método consiste en comparar el diagrama de ojo

obtenido con una máscara preestablecida. Dichas máscaras se definen
en función de la velocidad y del tipo de señal con la que se esta
trabajando. Esta comparación permite controlar las caracterı́sticas del
diagrama de ojo de forma que se evite la excesiva degradación de la
sensibilidad del receptor [2]. De forma sencilla se puede decir que una
máscara define regiones especificas en el diagrama de ojo que las señales
no deberı́a sobrepasar, garantizando ası́ el desempeño óptimo en el
sistema de comunicaciones.
Diagrama de ojo 279
La Figura B.3 muestra los parámetros que especifican la máscara

del diagrama de ojo del transmisor para una señal NRZ a diferentes
velocidades de transmisión [3].
Figura B.3: Máscara del diagrama ojo definida por la ITU-T para una señal
óptica transmitida del tipo NRZ.
B.3. Simulación
Para llevarar a cabo un análisis del diagrama de ojo con un simulador de
circuitos como Advanced Design System (ADS) de Keysight Technologies R ,
sin necesidad de realizar ningún postprocesado especial, se puede seguir el
siguiente procedimiento.
En primer lugar, es necesario conectar, a la entrada del dispositivo que se
quiere testar, una fuente de tensión que sea capaz de generar una secuencia
pseudoaletoria de bits y trabajar en el dominio del tiempo. En ADS R dicha
fuente puede ser encontrada con las siglas VtPRBS. En la Figura B.4 se puede
observar los cuatro puertos con los que cuenta la fuente y las principales
caracterı́sticas de una fuente VtPRBS. En el ejemplo los parámetros han
280 Apéndice B
sido definidos de forma que se genere una señal de 40 Gbps (BitRate), de

amplitud de 0.1 V, con una secuencia de 231 −1 bits y unos tiempos de subida
y baja con un valor de 10 psec. Cabe destacar que la fuente VtPRBS puede
generar señales de múltiples niveles, pudiéndose ası́ simular modulaciones
como NRZ o 4-PAM, entre otras.
Figura B.4: Fuente pseudoaleatoria de bits.
En segundo lugar, es necesario conectar a la salida del dispositivo una

sonda, en concreto una eye probe. Esta sonda cuenta con una resistencia
interna de 50 Ohm y permite visualizar el diagrama de ojo a la salida del
dispositivo. Este elemento de ADS R también permite configurar los diferentes
parámetros del diagrama de ojo que se quieren visualizar de forma numérica:
tiempo de subida, tiempo de bajada, jitter, amplitud, anchura, etc.
Además de utilizar los dos elementos descritos anteriormente, para
obtener una simulación correcta es necesario definir de forma adecuada la
simulación temporal. Para lo cual en la paleta de ADS R se debe seleccionar
la simulación de transitorio (Transient) y definir los parámetros como se
muestran en la Figura B.5. En el ejemplo mostrado, se han definido los
parámetros de forma que se simule una señal binaria compuesta de 1000
bits transmitidos a 40 Gbps. A la hora de llevar a cabo la simulación, es
importante definir correctamente el tiempo máximo y el paso que se tomará,
de forma que se muestre correctamente y transcurra el tiempo suficiente para
ver el diagrama de ojo completo.
En la Figura B.6 se puede ver el resultado obtenido de la simulación
anteriormente descrita. En la Figura B.6 (a), se ha representado el diagrama
Diagrama de ojo 281
Figura B.5: Configuración de la simulación temporal.
de ojo de una señal NRZ con una tasa binaria de 40 Gbps. Mientras que
en la Figura B.6 (b), se puede comprobar el valor numérico de los diferentes
parámetros de dicho diagrama de ojo, de forma que es fácil la interpretación
de los resultados obtenidos en simulación.
Figura B.6: (a) Diagrama de ojo simulado con ADS R para una señal
pseudoaleatoria de 40 Gbps y (b) parámetros de dicho diagrama.
En las nuevas versiones de ADS R existe una herramienta que permite

obtener el diagrama de ojo de forma más automatizada. Esta herramienta es
la conocida con el nombre de FrontPanel y tiene el aspecto que se puede ver
en la Figura B.7 [4].
Esta herramienta proporciona la misma información que el anterior
procedimiento. Sin embargo, dicha información es más completa,
proporcionando otros parámetros del diagrama de ojo como el factor de
apertura. Además, permite hacer la comparación entre el diagrama de ojo y
una máscara definida por el propio usuario, siguiendo las recomendaciones
de organismo como la ITU.
Independientemente del procedimiento seguido, para que no exista ningún
tipo de problema durante la simulación es importante destacar que no se
deben utilizar capacidades de bloqueo de continua ni bobinas de alimentación
ideales.
282 Apéndice B
Figura B.7: Apariencia del FrontPanel [4].
B.4. Medidas
En la Figura B.8 se puede ver la configuración necesaria para realizar
la medición del diagrama de ojo mediante un osciloscopio. El generador
de pulsos es el encargado de generar una señal de datos, por ejemplo una
señal NRZ, y una señal de reloj. La señal de datos, la codificación de una
secuencia pseudoaleatoria de bits (PBRS), es introducida en el dispositivo
que se quiere testar (DUT). Este dispositivo genera una señal de salida que
debe ser introducida en el puerto vertical del osciloscopio. Para visualizar
correctamente el diagrama de ojo, se debe introducir en el osciloscopio la
señal de reloj generada previamente por el generador de pulsos.
Figura B.8: Configuración para la medida del diagrama del ojo con un
osciloscopio.
Bibliografı́a
[1] Säckinger, E., Broadband Circuits for Optical Fiber Communication,

[2] ITU-T Recommendation G.691, Optical interfaces for single channel

STM-64 and other SDH systems with optical amplifiers, 2006.
[3] ITU-T Recommendation G.659.1, Optical transport network physical

layer interfaces, 2016.
[4] Agilent Thechnologies, Eye Diagram Measurements in Advanced

Design System, 2006.
283
Apéndice C
Tecnologı́a PL-1512
En el presente apéndice se lleva a cabo una descripción general de la

tecnologı́a de fabricación de arseniuro de galio.
A continuación, se presentan las caracterı́sticas de la tecnologı́a PL15-12,
escogida para el diseño de los amplificadores distribuido descritos en la
presente Tesis Doctoral.
Para finalizar, se enumeraran los componentes disponibles en dicha
tecnologı́a, ası́ como sus modelos equivales.
C.1. Tecnologı́a de Arseniuro de Galio.

El arseniuro de galio es un semiconductor de gap directo perteneciente
al grupo III-V. En concreto, este semiconductor está compuesto por dos
elementos: el arsénico (As) y el galio (Ga).
La tecnologı́a AsGa presenta una serie de ventajas frente a otras
tecnologı́as, como el silicio (Si) o el silicio-germanio (SiGe). Dentro de estas
ventajas cabe destacar: la mayor movilidad de los electrones, lo que permite
trabajar a frecuencias más elevadas; una baja conductividad térmica; y un
mayor coeficiente de expansión térmica. Sin embargo, tiene una importante
desventaja frente a estas otras tecnologı́as, su elevado coste de fabricación,
hasta tres veces superior.
Por otro lado, esta tecnologı́a presenta una clara ventaja frente a otras
tecnologı́as utilizadas a altas frecuencias, como las tecnologı́as GaN, y es su
gran madurez. Este hecho hace que se cuente con modelos muy completos
de todos los componentes, tanto activos como pasivos, pudiéndose ajustar en
gran medida los resultados experimentales con las simulaciones.
285
286 Apéndice C
C.2. Proceso PL15-12.

El proceso PL15-12 ha sido desarrollado, por WIN Semiconductors R ,
para aplicaciones como: amplificadores saturados, amplificadores lineales,
amplificadores de bajo ruido, amplificadores de banda ancha, switch de banda
ancha y mezcladores.
Esta tecnologı́a se caracteriza por ofrecer transistores pHEMT con una
longitud de puerta de 0.15 µm capaces de soportar una tensión de drenador
máxima de 4 V. En la Tabla C.1 se recogen las principales caracterı́sticas de
esta tecnologı́a.
Tabla C.1: Parámetros principales de la tecnologı́a PL15-12.

PL15-12
Longitud de la puerta 0.15 µm
Tensión de pinch-off (Id=1mA/mm) -0.7 V
Idss (Vg =0V, Vd =1.5V) 300 mA/mm
Idmax (Vg =0.5V, Vd =1.5V) 525 mA/mm
Máxima gm (Vd =1.5V) 580 mS/mm
Tensión de ruptura, VDG (Ig =1mA/mm) 9V
fT (Vd =1.5V) 100 GHz
Fmax (Vd =1.5V) 150 GHz
2x75 µm Psat @29GHz 580 mW/mm (Vd =4V)
8x25 µm Fmin @40GHz 1.1 dB
Capacidad MIM 400 pF/mm
Resistencia TFR 50 Ohm/square
Resistencia MESA 230 Ohm/square
Para la fabricación de este proceso de WIN R , PL15-12, se utiliza una serie

de máscaras con las que se realizan cada uno de los componentes. Cada una
de estas capas son depositadas sobre un substrato de 100 µm de espesor, a
través de un proceso de 12 pasos, dando como resultado la sección tranversal
mostrada en la Figura C.1.
C.2.1. Consideraciones generales del Layout.

Al trabajar con la tecnologı́a PL15-12, la foundry impone una serie de
reglas que deben ser cumplidas para garantizar la correcta fabricación de los
dispositivos. Estas reglas se pueden resumir en:
Tecnologı́a PL-1512 287
Figura C.1: Corte transversal de la tecnologı́a PL15-12.
1. El transistor ha de situarse de forma que los dedos del transistor se

sitúen paralelos al eje X.
2. Las estructuras geométricas deben ser diseñadas usando un grid de 0.1

µm a excepción de la puerta que debe utilizar un grid de 0.05 µm.
3. La áreas totalmente cerradas (donuts) no están permitidas en ninguna

capa de metalización ni tampoco en la capa TFR.
4. La capa de metalización Gate está reservada para la puerta.
5. Para transistores con un ancho de puerta superior a 10 µm la definición

de su puerta se realizará mediante un contacto óhmico, en caso
contrario se realizará a través de la capa MESA.
6. Se aconseja a los usuarios que se abstengan de modificar los elementos

diseñados por WIN R .
7. El tamaño mı́nimo del circuito es 550x550 µm2 .
8. El único método de corte es el láser.
9. El etiquetado se llevará a cabo mediante la capa de metalización 1 (Met

1).
288 Apéndice C
C.3. Los componentes de la tecnologı́a.

C.3.1. Transistores.
El transistor HEMT definido en esta tecnologı́a, Figura C.2, viene
determinado por el número de dedos (NOF) y la anchura de la puerta (Ugw).
El parámetro NOF puede tomar valores comprendidos entre 2 y 8, siendo
únicamente posibles los valores pares. Mientras que el parámetro Ugw, puede
tomar valores comprendidos entre 20 y 100 µm.
Figura C.2: Transistor FET: a) nivel esquemático y b) layout.
En la Figura C.3 se observa el modelo en pequeña señal del transistor FET

definido para esta tecnologı́a. Cabe destacar que todos los componentes que
conforman el modelo vienen definidos por el número de dedos y la anchura
de la puerta. Además, los parámetros gm, Cgs , Cgd , Cds , Ri y Rds dependen
también del punto de polarización.
Los componentes parásitos pueden ser obtenidos mediante las siguientes
relaciones:
RG = 3,179 ∗ (2 ∗ U gw ∗ 1E6)/(75 ∗ N OF )
RD = 3,106 ∗ (2 ∗ 75)/(N OF ∗ U gw ∗ 1E6)
RS = 2,945 ∗ (2 ∗ 75)/(N OF ∗ U gw ∗ 1E6)
LG = 25,69 ∗ (2 ∗ U gw)/(N OF ∗ 75E − 6)
LD = 20,62 ∗ (2 ∗ 75E − 6)/(N OF ∗ U gw)
LS = 4,67 ∗ (2 ∗ 75E − 6)/(N OF ∗ U gw)
CP G = 5,83 ∗ (N OF ∗ U gw)/(2 ∗ 75E − 6)
CP D = 0,057 ∗ (N OF ∗ U gw ∗ 1e6) + 8,62
El resto de componentes, como ya se ha mencionado, dependen además

de la polarización. En la tabla de la Tabla C.2 se recogen estos parámetros
por unidad de longitud para dispositivos con anchuras de puerta de 20 y 25
µm.
Figura C.3: Modelo en pequeña señal de un transistor FET de la librerı́a

PL15-12.
A continuación se describen las ecuaciones necesarias para escalar los

componentes recogidos en la Tabla C.2.
GM = GM 0 ∗ (N OF ∗ U gw)/(4 ∗ 25E − 6)
T AU = T AU 0 ∗ (N OF ∗ U gw)/(4 ∗ 25E − 6)
CGS = CGS0 ∗ (N OF ∗ U gw)/(4 ∗ 25E − 6) + 300/(N OF ∗ U gw ∗ 1E6)
CGD = CGD0 ∗ (N OF ∗ U gw)/(4 ∗ 25E − 6) + 80/(N OF ∗ U gw ∗ 1E6)
RIS = RIS0
CDS = CDS0 ∗ (N OF ∗ U gw)/(4 ∗ 25E − 6) − 160/(N OF ∗ U gw ∗ 1E6)
RDS = RDS0 ∗ (4 ∗ 25E − 6)/(N OF ∗ U gw) + 1000/(N OF ∗ U gw ∗ 1E6)
En la tabla de la Figura C.3 se recogen los modelos de estos parámetros

por unidad de longitud para dispositivos con anchuras de puerta de 50 y 100
µm.
A continuación se describen las ecuaciones necesarias para escalar los
componentes recogidos en la Figura C.3.
GM = GM 0 ∗ (N OF ∗ U gw)/(2 ∗ 75E − 6)
T AU = T AU 0
CGS = CGS0 ∗ (N OF ∗ U gw)/(2 ∗ 75E − 6)
CGD = CGD0 ∗ (N OF ∗ U gw)/(2 ∗ 75E − 6)
RIS = RIS0
CDS = CDS0 ∗ (N OF ∗ U gw)/(2 ∗ 75E − 6)
RDS = RDS0 ∗ (2 ∗ 75E − 6)/(N OF ∗ U gw)
290 Apéndice C
Tabla C.2: Componentes del modelo en pequeña señal del transistor FET
(anchura de puerta de 20 y 25 µm).
C.3.2. Diodos.
Si bien los diodos no formaran parte del diseño del amplificador
distribuido, a continuación se describen algunos detalles de este componente.
Los diodos de la librerı́a PL15-12 vienen definidos por el número de dedos
y la anchura de la puerta, es decir, los mismos parámetros de los transistores
FET, lo cual era de esperar ya que los diodos son en realidad transistores
cortocircuitados.
Figura C.4: Topologı́a de un diodo de la tecnologı́a PL15-12.

Tabla C.3: Componentes del modelo en pequeña señal del transistor FET
(anchura de puerta de 50 y 100 µm).
C.3.3. Resistencias.
C.3.3.1. TFR.
Este tipo de resistencia es una resistencia de pelı́cula delgada con la que
se pueden obtener valores comprendidos entre 6 y 500 Ohm. Como se puede
observar en la Figura C.5 su definición depende de la distancia entre los
contactos (L) y la anchura de la capa activa (W). Los anteriores parámetros
pueden tener como mı́nimo un valor de 5 µm.
Figura C.5: Resistencia TFR: a) nivel esquemático y b) layout.

292 Apéndice C
Conociendo las dimensiones de la resistencia, W y L, es posible calcular de

forma analı́tica el valor equivalente de su resistencia mediante las siguientes
relaciones:
RS = 50 ∗ (1 + Dtr)
RC = 16
R = RS ∗ (L/W ) + RC/(W ∗ 1E6)
donde Dtr es la variación del proceso de este tipo de resistencias. El rango

de esta variación se encuentra entre el -6 % y el 4 %.
C.3.3.2. MESA.
Por su parte, con una resistencia MESA es posible obtener valores de

resistencia comprendidos entre 13 y 4180 Ohm. Al igual que la resistencia
TFR, su definición depende de la distancia entre los contactos (L) y la
anchura de la capa activa (W). Los anteriores parámetros pueden tener como
mı́nimo un valor de 5 µm.
Figura C.6: Resistencia MESA: a) nivel esquemático y b) layout.
De nuevo, conociendo las dimensiones de la resistencia, W y L, es posible

calcular de forma analı́tica el valor equivalente de su resistencia mediante las
siguientes relaciones:
RS = (700 ∗ (W ∗ 1E6)− 1,57 + 230) ∗ (1 + Dmr)

RC = 440
R = RS ∗ (L/W ) + RC/(W ∗ 1E6)
donde Dmr es la variación del proceso de este tipo de resistencias. El

rango de esta variación se encuentra entre el -6 % y el 11 %.
C.3.4. Capacidades.
La librerı́a PL15-12 cuenta con un tipo de capacidad denominado MIM.
Con este tipo de capacidad, y esta librerı́a, se pueden obtener capacidades
comprendidas entre 0.01 pF y 4 pF.
Como puede verse en la Figura C.7, este componente viene definido
por dos parámetros: la anchura (W), definida como la anchura de la capa
denominada Met2; y la longitud (L), definida como la longitud de la capa
Met2 hasta llegar a la capa SPAN.
Figura C.7: Capacidad MIM: a) nivel esquemático y b) layout.
A través de los parámetros W y L de la capacidad es posible determinar

el valor equivalente de la capacidad, para lo cual se hace uso de las siguientes
relaciones:
Cp = 0,406 ∗ W ∗ 1E6 ∗ L ∗ 1e6
Cf = 0,2839 ∗ (W ∗ 1E6 + L ∗ 1E6) − 0,383
C = Cp + Cf
C.3.5. Bobinas.
C.3.5.1. Circulares.
En el caso de las bobinas circulares, Figura C.8, la librerı́a PL15-12
cuenta con 20 valores predefinidos de inductancias cuyos modelos proceden
de simulaciones electromagnéticas. Además, esta librerı́a permite que el
usuario defina su propia inductancia, para lo cual debe escoger la anchura
de la lı́nea (W), el diámetro (D), la separación entre lı́neas y las vueltas
(T). En el segundo caso, WIN R recomienda llevar a cabo simulaciones
electromagnéticas ya que no garantiza la exactitud del modelo a nivel
esquemático.
294 Apéndice C
En la Figura C.9 se pude ver el modelo equivalente de una bobina circular

y las ecuaciones que definen los valores de cada uno de los componentes que
forman dicho modelo.
Figura C.9: Modelo equivalente de una inductancia circular.
C.3.5.2. Cuadradas.
La librerı́a PL15-12 permite utilizar también inductancias cuadradas,
Figura C.10. En este caso, la librerı́a cuenta con 8 valores predefinidos de
inductancia y, al igual que en la bobina redonda, el usuario puede definir

su propia inductancia. En el caso de que el usuario decida definir su propia
inductancia, WIN R recomienda llevar a cabo simulaciones electromagnéticas
del componente, ya que de nuevo no garantiza la exactitud del modelo
utilizado.
En la Figura C.11 se pude ver el modelo equivalente de una bobina circular

y las ecuaciones que definen los valores de cada uno de los componentes que
forman dicho modelo.
Figura C.11: Modelo equivalente de una inductancia cuadrada.

296 Apéndice C
C.3.6. Lı́neas microstrip.

La conexión entre los diferentes componentes que conforman un
dispositivo es llevada a cabo mediante lı́neas mirostrip. Dichas lı́neas vienen
definidas por su anchura y su longitud. Además, para la definición de las
mismas es posible utilizar diferentes configuraciones, dependiendo del número
de capas de metalización utilizadas:
Metalización 1: Met1.
Metalización 2: Met2.
Metalización 1 y 2: Met1-Met2.
Es importante tener esto en cuenta, ya que la intensidad máxima que

puede atravesar una sección de lı́nea microstip dependerá: de su anchura y
de las capas que la forman.
C.3.7. Back-vias.
El componente denominado back-via, Figura C.12, permite realizar pasos
o conexiones a masa en el circuito. Son unos agujeros que atraviesan el
substrato para interconectar la masa de la parte inferior con la superior.
Figura C.12: Back-via: a) nivel esquemático y b) layout.
Es importante destacar que es posible que este componente tenga varios

puntos de acceso. Sin embargo, debido a la dificultad del modelado de este
caso, es aconsejable realizar simulaciones electromagnéticas.
Bibliografı́a
[1] Win Semiconductors, PL15-12, 0.15um InGaAs pHEMT Low Noise

Device Model Handbook, 2014.
297
Apéndice D
Rutinas de Matlab R
En el presente apéndice se recogen los códigos de Matlab R utilizados para

la representación de las expresiones teóricas descritas en el Capı́tulo 4.
D.1. Impedancia Imagen.

D.1.1. Fuente común.
1 x =25; % Ancho de l a p u e r t a
2 y=2; % Numero de dedos
3 z =2; % Vds
4 t = −0.1; % Vgs
5
6 %% Parametros de l a t e c n o l o g i a
7
8 %Gm tau Cgs Cgd Ri Cds Rds Cgd −−>20&25 um

9
10 Parametros1 =[18 0 . 4 60 29 4 11 650 2 9 ;

11 29 0 . 4 75 26 4 11 500 2 6 ;
12 41 0 . 4 90 24 4 11 370 2 4 ;
13 52 0 . 4 110 22 4 11 320 2 2 ;
14 60 0 . 2 84 25 4 14 210 2 5 ;
15 64 0 . 2 97 23 4 14 240 2 3 ;
16 68 0 . 2 115 22 4 14 260 2 2 ;
17 68 0 . 2 126 20 4 14 280 2 0 ;
18 78 0 . 4 90 22 4 15 155 2 2 ;
19 77 0 . 4 100 20 4 15 210 2 0 ;
20 76 0 . 4 115 19 4 15 240 1 9 ;
21 72 0 . 4 121 18 4 15 260 1 8 ] ;
299
300 Apéndice D
22 %Gm tau Cgs Cgd Ri Cds Rds Cgd−−>50&100 um

23
24 Parametros2 =[21 0 . 6 80 32 2 11 650 3 2 ;

25 35 0 . 6 92 28 2 11 400 2 8 ;
26 55 0 . 6 120 26 2 11 270 2 6 ;
27 70 0 . 6 145 24 2 11 230 2 4 ;
28 82 0 . 5 110 26 1 13 165 2 6 ;
29 87 0 . 5 125 24 1 13 175 2 4 ;
30 95 0 . 5 150 22 1 13 185 2 2 ;
31 95 0 . 5 170 21 1 13 195 2 1 ;
32 110 0 . 5 125 24 0 . 1 15 120 2 4 ;
33 109 0 . 5 140 22 0 . 1 15 155 2 2 ;
34 108 0 . 5 158 20 0 . 1 15 184 2 0 ;
35 103 0 . 5 172 19 0 . 1 15 185 1 9 ] ;
36
37 A=[1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 ] ;
38
39 %% V a l o r e s modelo t r a n s i s t o r
40 VDS=z ;
41 VGS=t ;
42
43 i f VGS==−0.5
44 i i =1:4;
45 e l s e i f VGS==−0.3
46 i i =5:8;
47 else
48 i i =9:12;
49 end
50
51 i n d 1=f i n d (A==VDS) ;
52
53
54 f o r j j =1: l e n g t h ( i n d 1 )
55 i n d 1 1=i n d 1 ( j j ) ;
56 f o r k=1: l e n g t h ( i i )
57 i i 1= i i ( k ) ;
58 i f i n d 1 1==i i 1
59 i n d 2=i n d 1 1 ;
60 end
61 k=k+1;
62 end
63 j j = j j +1;
64 end
Rutinas de Matlab 301
65
66 i f x<50
67 Par=Parametros1 ( ind2 , : ) ;
68 else
70 end
71
72 Ri0=Par ( 5 ) ;
73 Cgs0=Par ( 3 ) ∗1 e −15;
74 Cds0=Par ( 6 ) ∗1 e −15;
75 Cgd0=Par ( 8 ) ∗1 e −15;
76 Rds0=Par ( 7 ) ;
77 gm0=Par ( 1 ) ∗1 e −3;
78 UGW=x ∗1 e −6; % Anchura de p u e r t a
79 NOF=y ; % Numero de dedos
80
81 i f x<50
82
83 %% % %
Se e s c a l a n l o s p a r a m e t ro s d e l modelo 20−25
84 Ri=Ri0 ;
85 Cgs=Cgs0 ∗1 e15 ∗ ( (NOF∗UGW) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ) +(300/(NOF∗UGW∗1 e6 ) ) ;
86 Cgs=Cgs ∗1 e −15;
87 Cds=Cds0 ∗1 e15 ∗ ( (NOF∗UGW) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ) −(160/(NOF∗UGW∗1 e6 ) ) ;
88 Cgd=Cgd0∗1 e15 ∗ ( (NOF∗UGW) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ) +(80/(NOF∗UGW∗1 e6 ) ) ;
89 Cgd=Cgd∗1 e −15;
90 Cds=Cds∗1 e −15;
91 Rds=Rds0 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF∗UGW) ) +(1000/(NOF∗UGW∗1 e6 ) ) ;
92 gm=gm0∗ (NOF∗UGW) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
93 else
94
95 %% % %Se e s c a l a n l o s p a r a m e t ro s d e l modelo 50−100

96 Ri=Ri0 ;
97 Cgs=Cgs0 ∗1 e15 ∗ ( (NOF∗UGW) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
98 Cgs=Cgs ∗1 e −15;
99 Cds=Cds0 ∗1 e15 ∗ ( (NOF∗UGW) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
100 Cds=Cds∗1 e −15;
101 Cgd=Cgd0∗1 e15 ∗ ( (NOF∗UGW) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
102 Cgd=Cgd∗1 e −15;
103 Rds=Rds0 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF∗UGW) ) ;
104 gm=gm0∗ (NOF∗UGW) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
105
106 end
107
302 Apéndice D
108 % Calculos
109
110 f =0e9 : 3 e9 : 8 0 e9 ; % F r e c u e n c i a
111 w=2.∗ p i . ∗ f ;
112
113 Z0=50;
114 Lg=Z0 ˆ 2 . ∗ Cgs ;
115 Ld=Z0 ˆ 2 . ∗ Cds ;
116
117
118 % Linea de Drenador

119 Z1d=j ∗w. ∗ Ld ;
120 Z2d=Rds . / ( j . ∗w. ∗ Cds . ∗ Rds ) ;
121 Zid=s q r t ( Z1d . ∗ Z2d ) . ∗ s q r t (1+Z1d . / ( 4 . ∗ Z2d ) ) ; % Real
122
123 Zid2=s q r t ( Ld . / Cds ) . ∗ s q r t (1+Z1d . / ( 4 . ∗ Z2d ) ) ; % Aproximacion

124
125
126 % Linea de Puerta

127 Z1g=j . ∗w. ∗ Lg ;
128 Z2g=Ri +1./( j . ∗w. ∗ Cgs ) ;
129
130 Z i g=s q r t ( Z1g . ∗ Z2g ) . ∗ s q r t (1+Z1g . / ( 4 . ∗ Z2g ) ) ; % Real

131
132 Z i g 2=s q r t ( Lg . / Cgs ) . ∗ s q r t (1+Z1g . / ( 4 . ∗ Z2g ) ) ; % Aproximacion

133
134 % Representacion
135 figure (1)
136 p l o t ( f , r e a l ( Zid2 ) , ’−o ’ )
137 h o l d on
138 p l o t ( f , imag ( Zid2 ) , ’−> ’ )
139 t i t l e ( ’ Impedancia imagen l i n e a d r e n a d o r ’ )
140 l e g e n d ( ’ Parte r e a l (Ohm) ’ , ’ Parte i m a g i n a r i a (Ohm) ’ )
141 x l a b e l ( ’ F r e c u e n c i a ( Hz ) ’ )
142 y l a b e l ( ’ Zid (Ohm) ’ )
143
144 figure (2)

145 p l o t ( f , r e a l ( Z i g 2 ) , ’−o ’ )
146 h o l d on
147 p l o t ( f , imag ( Z i g 2 ) , ’−> ’ )
148 t i t l e ( ’ Impedancia imagen l i n e a p u e r t a ’ )
151 y l a b e l ( ’ Z i g (Ohm) ’ )
D.1.2. Cascodo.
1 Ri =50;
2
3 %T r a n s i s t o r i n f e r i o r
6 z =2; % Vds
7 t = −0.1; % Vgs
8
9 %T r a n s i s t o r s u p e r i o r
10 xx =25; % Ancho de l a p u e r t a
11 yy =2; % Numero de dedos
12 z z =2; % Vds
13 t t = −0.1; % Vgs
14
16

18
19 Parametros1 =[18 0 . 4 60 29 4 11 650 2 9 ;

20 29 0 . 4 75 26 4 11 500 2 6 ;
21 41 0 . 4 90 24 4 11 370 2 4 ;
22 52 0 . 4 110 22 4 11 320 2 2 ;
23 60 0 . 2 84 25 4 14 210 2 5 ;
24 64 0 . 2 97 23 4 14 240 2 3 ;
25 68 0 . 2 115 22 4 14 260 2 2 ;
26 68 0 . 2 126 20 4 14 280 2 0 ;
27 78 0 . 4 90 22 4 15 155 2 2 ;
28 77 0 . 4 100 20 4 15 210 2 0 ;
29 76 0 . 4 115 19 4 15 240 1 9 ;
30 72 0 . 4 121 18 4 15 260 1 8 ] ;
32
33 Parametros2 =[21 0.6 80 32 2 11 650 3 2 ;

34 35 0.6 92 28 2 11 400 2 8 ;
35 55 0.6 120 26 2 11 270 2 6 ;
36 70 0.6 145 24 2 11 230 2 4 ;
37 82 0.5 110 26 1 13 165 2 6 ;
38 87 0.5 125 24 1 13 175 2 4 ;
304 Apéndice D
39 95 0 . 5 150 22 1 13 185 2 2 ;
40 95 0 . 5 170 21 1 13 195 2 1 ;
41 110 0 . 5 125 24 0 . 1 15 120 2 4 ;
42 109 0 . 5 140 22 0 . 1 15 155 2 2 ;
43 108 0 . 5 158 20 0 . 1 15 184 2 0 ;
44 103 0 . 5 172 19 0 . 1 15 185 1 9 ] ;
45
46 A=[1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 ] ;
47
48 %% V a l o r e s modelo t r a n s i s t o r i n f e r i o r
49 VDS1=z ;
50 VGS1=t ;
51
52 i f VGS1==−0.5
53 i i =1:4;
54 e l s e i f VGS1==−0.3
55 i i =5:8;
56 else
57 i i =9:12;
58 end
59
60 i n d 1=f i n d (A==VDS1) ;
61
62 f o r j j =1: l e n g t h ( i n d 1 )
63 i n d 1 1=i n d 1 ( j j ) ;
64 f o r k=1: l e n g t h ( i i )
65 i i 1= i i ( k ) ;
66 i f i n d 1 1==i i 1
67 i n d 2=i n d 1 1 ;
68 end
69 k=k+1;
70 end
71 j j = j j +1;
72 end
73
74 i f x<50
76 else
78 end
79
80 Ri01=Par ( 5 ) ;
81 Cgs01=Par ( 3 ) ∗1 e −15;
82 Cds01=Par ( 6 ) ∗1 e −15;
83 Rds01=Par ( 7 ) ;
84 Cgd01=Par ( 8 ) ∗1 e −15;
85 gm01=Par ( 1 ) ∗1 e −3;
86 UGW1=x ∗1 e −6; % Anchura de p u e r t a
87 NOF1=y ; % Numero de dedos
88
89 i f x<50
90 %% Se e s c a l a n l o s p a r a m e t r o s d e l modelo 20−25
91 Ri1=Ri01 ;
92 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
93 +(300/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
94 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
95 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
96 −(160/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
97 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
98 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
99 +(80/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
100 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
101 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) )
102 +(1000/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
103 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
104 else
106 Ri1=Ri01 ;
107 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
108 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
109 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
110 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
111 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) ) ;
112 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
113 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
114 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
115 end
116
117
118 %% V a l o r e s modelo t r a n s i s t o r s u p e r i o r
119
120 VDS2=z z ;
121 VGS2=t t ;
122
123 i f VGS2==−0.5
124 i i i =1:4;
306 Apéndice D
125 e l s e i f VGS2==−0.3
126 i i i =5:8;
127 else
128 i i i =9:12;
129 end
130
131 i n d 1 1=f i n d (A==VDS2) ;

132
133
134 f o r j j j =1: l e n g t h ( i n d 1 1 )
135 i n d 1 1 1=i n d 1 1 ( j j j ) ;
136 f o r kk =1: l e n g t h ( i i i )
137 i i 1 1= i i i ( kk ) ;
138 i f i n d 1 1 1==i i 1 1
139 i n d 2 2=i n d 1 1 1 ;
140 end
141 kk=kk +1;
142 end
143 j j j = j j j +1;
144 end
145
146 i f xx<50
147 Par2=Parametros1 ( ind22 , : ) ;
148 else
150 end
151
152 Ri02=Par2 ( 5 ) ;
153 Cgs02=Par2 ( 3 ) ∗1 e −15;
154 Cds02=Par2 ( 6 ) ∗1 e −15;
155 Rds02=Par2 ( 7 ) ;
156 Cgd02=Par2 ( 8 ) ∗1 e −15;
157 gm02=Par2 ( 1 ) ∗1 e −3;
158 UGW2=xx ∗1 e −6; % Anchura de p u e r t a
159 NOF2=yy ; % Numero de dedos
160
161 i f xx<50
163 Ri2=Ri02 ;
164 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
165 +(300/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
166 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
167 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
168 −(160/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
169 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
170 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
171 +(80/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
172 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
173 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) )
174 +(1000/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
175 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
176 else
178 Ri2=Ri02 ;
179 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
180 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
181 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
182 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
183 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
184 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
185 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) ) ;
186 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
187 end
188
189 % Calculos
190
191 f =0e9 : 3 e9 : 8 0 e9 ; % F r e c u e n c i a
192 w=2.∗ p i . ∗ f ;
193
194 Z0=50;
195 Lg=Z0 ˆ 2 . ∗ Cgs1
196
197 Ct1=Cgs2+Cds1 ;
198 Ceq = 1 . / ( 1 . / Ct1 +1./ Cds2 ) ;
199 Ldc=(Z0 ˆ 2 ) . ∗ Ceq
200
201 % Li ne a de Drenador
202 aux1=Rds2 ./(1+ j . ∗w. ∗ Rds2 . ∗ Cds2 ) ;
203 aux2=(1+ j . ∗w. ∗ Ri2 . ∗ Cgs2 ) . / ( j . ∗w. ∗ Cgs2 ) ;
204 aux3=(Rds1 ./(1+ j . ∗w. ∗ Rds1 . ∗ Cds1 ) ) ;
205
206
207 Z1dc=j ∗w. ∗ Ldc ;

208 Z2dc=aux1+(aux2 . ∗ aux3 ) . / ( aux2+aux3 ) ;
209
210 Z i d c=s q r t ( Z1dc . ∗ Z2dc ) . ∗ s q r t (1+Z1dc . / ( 4 . ∗ Z2dc ) ) ; % Real

308 Apéndice D
211
212 Z i d c 2=s q r t ( Ldc . / Ceq ) . ∗ s q r t (1+Z1dc . / ( 4 . ∗ Z2dc ) ) ; % Aproximada

213
214 % Linea de Puerta

215 Z1gc=j . ∗w. ∗ Lg ;
216 Z2gc=Ri1 +1./( j . ∗w. ∗ Cgs1 ) ;
217
218 Z i g c=s q r t ( Z1gc . ∗ Z2gc ) . ∗ s q r t (1+ Z1gc . / ( 4 . ∗ Z2gc ) ) ; % Real

219
220 Z i g c 2=s q r t ( Lg . / Cgs1 ) . ∗ s q r t (1+ Z1gc . / ( 4 . ∗ Z2gc ) ) ; % Aproximada

221
223 figure (1)
224 p l o t ( f , r e a l ( Z i d c 2 ) , ’−o ’ )
225 h o l d on
226 p l o t ( f , imag ( Z i d c 2 ) , ’−> ’ )
230 y l a b e l ( ’ Zid (Ohm) ’ )
231
232 figure (2)

233 p l o t ( f , r e a l ( Z i g c 2 ) , ’−o ’ )
234 h o l d on
235 p l o t ( f , imag ( Z i g c 2 ) , ’−> ’ )
239 y l a b e l ( ’ Z i g (Ohm) ’ )
D.1.3. Cascodo + C1.

1 Ri =50;
2
6 z =2; % Vds
7 t = −0.1; % Vgs
8

12 z z =2; % Vds
13 t t = −0.1; % Vgs
14
16

18
19 Parametros1 =[18 0 . 4 60 29 4 11 650 2 9 ;

20 29 0 . 4 75 26 4 11 500 2 6 ;
21 41 0 . 4 90 24 4 11 370 2 4 ;
22 52 0 . 4 110 22 4 11 320 2 2 ;
23 60 0 . 2 84 25 4 14 210 2 5 ;
24 64 0 . 2 97 23 4 14 240 2 3 ;
25 68 0 . 2 115 22 4 14 260 2 2 ;
26 68 0 . 2 126 20 4 14 280 2 0 ;
27 78 0 . 4 90 22 4 15 155 2 2 ;
28 77 0 . 4 100 20 4 15 210 2 0 ;
29 76 0 . 4 115 19 4 15 240 1 9 ;
30 72 0 . 4 121 18 4 15 260 1 8 ] ;
32
33 Parametros2 =[21 0 . 6 80 32 2 11 650 3 2 ;

34 35 0 . 6 92 28 2 11 400 2 8 ;
35 55 0 . 6 120 26 2 11 270 2 6 ;
36 70 0 . 6 145 24 2 11 230 2 4 ;
37 82 0 . 5 110 26 1 13 165 2 6 ;
38 87 0 . 5 125 24 1 13 175 2 4 ;
39 95 0 . 5 150 22 1 13 185 2 2 ;
40 95 0 . 5 170 21 1 13 195 2 1 ;
41 110 0 . 5 125 24 0 . 1 15 120 2 4 ;
42 109 0 . 5 140 22 0 . 1 15 155 2 2 ;
43 108 0 . 5 158 20 0 . 1 15 184 2 0 ;
44 103 0 . 5 172 19 0 . 1 15 185 1 9 ] ;
45
46 A=[1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 ] ;
47
49 VDS1=z ;
50 VGS1=t ;
51
52 i f VGS1==−0.5
53 i i =1:4;
310 Apéndice D
54 e l s e i f VGS1==−0.3
55 i i =5:8;
56 else
57 i i =9:12;
58 end
59
60 i n d 1=f i n d (A==VDS1) ;
61
62 f o r j j =1: l e n g t h ( i n d 1 )
63 i n d 1 1=i n d 1 ( j j ) ;
64 f o r k=1: l e n g t h ( i i )
65 i i 1= i i ( k ) ;
66 i f i n d 1 1==i i 1
67 i n d 2=i n d 1 1 ;
68 end
69 k=k+1;
70 end
71 j j = j j +1;
72 end
73
74 i f x<50
76 else
78 end
79
80 Ri01=Par ( 5 ) ;
81 Cgs01=Par ( 3 ) ∗1 e −15;
82 Cds01=Par ( 6 ) ∗1 e −15;
83 Rds01=Par ( 7 ) ;
84 Cgd01=Par ( 8 ) ∗1 e −15;
85 gm01=Par ( 1 ) ∗1 e −3;
88
89 i f x<50
91 Ri1=Ri01 ;
92 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
93 +(300/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
94 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
95 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
96 −(160/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
97 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
98 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
99 +(80/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
100 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
101 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) )
102 +(1000/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
103 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
104 else
106 Ri1=Ri01 ;
107 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
108 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
109 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
110 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
111 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) ) ;
112 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
113 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
114 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
115 end
116
117
119
120 VDS2=z z ;
121 VGS2=t t ;
122
123 i f VGS2==−0.5
124 i i i =1:4;
125 e l s e i f VGS2==−0.3
126 i i i =5:8;
127 else
128 i i i =9:12;
129 end
130
131 i n d 1 1=f i n d (A==VDS2) ;

132
133
135 i n d 1 1 1=i n d 1 1 ( j j j ) ;
136 f o r kk =1: l e n g t h ( i i i )
137 i i 1 1= i i i ( kk ) ;
138 i f i n d 1 1 1==i i 1 1
139 i n d 2 2=i n d 1 1 1 ;
312 Apéndice D
140 end
141 kk=kk +1;
142 end
143 j j j = j j j +1;
144 end
145
146 i f xx<50
148 else
150 end
151
152 Ri02=Par2 ( 5 ) ;
153 Cgs02=Par2 ( 3 ) ∗1 e −15;
154 Cds02=Par2 ( 6 ) ∗1 e −15;
155 Rds02=Par2 ( 7 ) ;
156 Cgd02=Par2 ( 8 ) ∗1 e −15;
157 gm02=Par2 ( 1 ) ∗1 e −3;
160
161 i f xx<50
163 Ri2=Ri02 ;
164 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
165 +(300/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
166 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
167 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
168 −(160/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
169 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
170 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
171 +(80/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
172 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
173 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) )
174 +(1000/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
175 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
176 else
178 Ri2=Ri02 ;
179 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
180 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
181 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
182 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
183 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;

184 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
185 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) ) ;
186 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
187 end
188
189 % Calculos
190
191 f =0e9 : 3 e9 : 8 0 e9 ; % F r e c u e n c i a
192 w=2.∗ p i . ∗ f ;
193
194 Z0=50;
195 Lg=Z0 ˆ 2 . ∗ Cgs1
196
197 C1=50e −15; % Capacidad a d i c i o n a l

198
199 Ct = 1 . / ( 1 . / Cgs2 +1./C1) ;

200 Cx=Ct+Cds1 ;
201 Ceq = 1 . / ( ( 1 . / Cds2 ) +(1./Cx) ) ;
202
203 Ldcc1=(Z0 ˆ 2 ) . ∗ Ceq

204
205
207 aux11=Rds2 ./(1+ j . ∗w. ∗ Rds2 . ∗ Cds2 ) ;
208 aux22=Ri2 +1./( j . ∗w. ∗ C1) +1./( j . ∗w. ∗ Cgs2 ) ;
209 aux33=(Rds1 ./(1+ j . ∗w. ∗ Rds1 . ∗ Cds1 ) ) ;
210
211 Z1dcc1=j ∗w. ∗ Ldcc1 ;

212 Z2dcc1=aux11+(aux22 . ∗ aux33 ) . / ( aux22+aux33 ) ;
213
214 Z i d c c 1 e x a c=s q r t ( Z1dcc1 . ∗ Z2dcc1 ) . . .

215 . ∗ s q r t (1+ Z1dcc1 . / ( 4 . ∗ Z2dcc1 ) ) ; % Real
216
217 Z i d c c 1=s q r t ( Ldcc1 . / Ceq ) . . .

218 . ∗ s q r t (1+ Z1dcc1 . / ( 4 . ∗ Z2dcc1 ) ) ; % Aproximada
219
220 % Li ne a de Pueta
221
222 Z1gcc1=j . ∗w. ∗ Lg ;

223 Z2gcc1=Ri1 +1./( j . ∗w. ∗ Cgs1 ) ;
224
225 Z i g c c 1 e x a c=s q r t ( Z1gcc1 . ∗ Z2gcc1 ) . . .

314 Apéndice D
226 . ∗ s q r t (1+ Z1gcc1 . / ( 4 . ∗ Z2gcc1 ) ) ; % Real

227
228 Z i g c c 1=s q r t ( Lg . / Cgs1 ) . . .

229 . ∗ s q r t (1+ Z1gcc1 . / ( 4 . ∗ Z2gcc1 ) ) ; % Aproximada
230
232
233 figure (1)

234 p l o t ( f , r e a l ( Z i d c c 1 ) , ’−o ’ )
235 h o l d on
236 p l o t ( f , imag ( Z i d c c 1 ) , ’−> ’ )
240 y l a b e l ( ’ Zid (Ohm) ’ )
241
242 figure (2)

243 p l o t ( f , r e a l ( Z i g c c 1 ) , ’−o ’ )
244 h o l d on
245 p l o t ( f , imag ( Z i g c c 1 ) , ’−> ’ )
249 y l a b e l ( ’ Z i g (Ohm) ’ )
D.1.4. Cascodo + C1 + C2.

1 Ri =50;
2
6 z =2; % Vds
7 t = −0.1; % Vgs
8
12 z z =2; % Vds
13 t t = −0.1; % Vgs
14
16

18
19 Parametros1 =[18 0 . 4 60 29 4 11 650 2 9 ;

20 29 0 . 4 75 26 4 11 500 2 6 ;
21 41 0 . 4 90 24 4 11 370 2 4 ;
22 52 0 . 4 110 22 4 11 320 2 2 ;
23 60 0 . 2 84 25 4 14 210 2 5 ;
24 64 0 . 2 97 23 4 14 240 2 3 ;
25 68 0 . 2 115 22 4 14 260 2 2 ;
26 68 0 . 2 126 20 4 14 280 2 0 ;
27 78 0 . 4 90 22 4 15 155 2 2 ;
28 77 0 . 4 100 20 4 15 210 2 0 ;
29 76 0 . 4 115 19 4 15 240 1 9 ;
30 72 0 . 4 121 18 4 15 260 1 8 ] ;
32
33 Parametros2 =[21 0 . 6 80 32 2 11 650 3 2 ;

34 35 0 . 6 92 28 2 11 400 2 8 ;
35 55 0 . 6 120 26 2 11 270 2 6 ;
36 70 0 . 6 145 24 2 11 230 2 4 ;
37 82 0 . 5 110 26 1 13 165 2 6 ;
38 87 0 . 5 125 24 1 13 175 2 4 ;
39 95 0 . 5 150 22 1 13 185 2 2 ;
40 95 0 . 5 170 21 1 13 195 2 1 ;
41 110 0 . 5 125 24 0 . 1 15 120 2 4 ;
42 109 0 . 5 140 22 0 . 1 15 155 2 2 ;
43 108 0 . 5 158 20 0 . 1 15 184 2 0 ;
44 103 0 . 5 172 19 0 . 1 15 185 1 9 ] ;
45
46 A=[1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 ] ;
47
49 VDS1=z ;
50 VGS1=t ;
51
52 i f VGS1==−0.5
53 i i =1:4;
54 e l s e i f VGS1==−0.3
55 i i =5:8;
56 else
57 i i =9:12;
58 end
316 Apéndice D
59
60 i n d 1=f i n d (A==VDS1) ;
61
62 f o r j j =1: l e n g t h ( i n d 1 )
63 i n d 1 1=i n d 1 ( j j ) ;
64 f o r k=1: l e n g t h ( i i )
65 i i 1= i i ( k ) ;
66 i f i n d 1 1==i i 1
67 i n d 2=i n d 1 1 ;
68 end
69 k=k+1;
70 end
71 j j = j j +1;
72 end
73
74 i f x<50
76 else
78 end
79
80 Ri01=Par ( 5 ) ;
81 Cgs01=Par ( 3 ) ∗1 e −15;
82 Cds01=Par ( 6 ) ∗1 e −15;
83 Rds01=Par ( 7 ) ;
84 Cgd01=Par ( 8 ) ∗1 e −15;
85 gm01=Par ( 1 ) ∗1 e −3;
88
89 i f x<50
91 Ri1=Ri01 ;
92 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
93 +(300/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
94 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
95 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
96 −(160/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
97 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
98 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
99 +(80/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
100 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
101 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) )
102 +(1000/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
103 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
104 else
106 Ri1=Ri01 ;
107 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
108 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
109 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
110 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
111 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) ) ;
112 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
113 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
114 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
115 end
116
117
119
120 VDS2=z z ;
121 VGS2=t t ;
122
123 i f VGS2==−0.5
124 i i i =1:4;
125 e l s e i f VGS2==−0.3
126 i i i =5:8;
127 else
128 i i i =9:12;
129 end
130
131 i n d 1 1=f i n d (A==VDS2) ;

132
133
135 i n d 1 1 1=i n d 1 1 ( j j j ) ;
136 f o r kk =1: l e n g t h ( i i i )
137 i i 1 1= i i i ( kk ) ;
138 i f i n d 1 1 1==i i 1 1
139 i n d 2 2=i n d 1 1 1 ;
140 end
141 kk=kk +1;
142 end
143 j j j = j j j +1;
144 end
318 Apéndice D
145
146 i f xx<50
148 else
150 end
151
152 Ri02=Par2 ( 5 ) ;
153 Cgs02=Par2 ( 3 ) ∗1 e −15;
154 Cds02=Par2 ( 6 ) ∗1 e −15;
155 Rds02=Par2 ( 7 ) ;
156 Cgd02=Par2 ( 8 ) ∗1 e −15;
157 gm02=Par2 ( 1 ) ∗1 e −3;
160
161 i f xx<50
163 Ri2=Ri02 ;
164 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
165 +(300/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
166 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
167 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
168 −(160/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
169 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
170 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
171 +(80/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
172 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
173 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) )
174 +(1000/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
175 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
176 else
178 Ri2=Ri02 ;
179 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
180 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
181 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
182 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
183 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
184 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
185 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) ) ;
186 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
187 end
188
189 % Calculos
190
191 f =0e9 : 3 e9 : 8 0 e9 ; % F r e c u e n c i a
192 w=2.∗ p i . ∗ f ;
193
194 % Capacidades a d i c i o n a l e s
195 C1=50e −15;
196 C2=800e −15;
197
198 Z0=50;
199
200 Ct = 1 . / ( 1 . / Cgs2 +1./C1) ;

201 Cx=Ct+Cds1 ;
202 Ceq = 1 . / ( ( 1 . / Cds2 ) +(1./Cx) ) ;
203 Ldcc1c2=(Z0 ˆ 2 ) . ∗ Ceq
204
205 Ceq2 = 1 . / ( ( 1 . / C2) +(1./ Cgs1 ) ) ;

206 Lgcc1c2 =(Z0 ˆ 2 ) . ∗ Ceq2
207
208
210 aux111=Rds2 ./(1+ j . ∗w. ∗ Rds2 . ∗ Cds2 ) ;
211 aux222=Ri2 +1./( j . ∗w. ∗ C1) +1./( j . ∗w. ∗ Cgs2 ) ;
212 aux333=(Rds1 ./(1+ j . ∗w. ∗ Rds1 . ∗ Cds1 ) ) ;
213
214 Z1dcc1c2=j ∗w. ∗ Ldcc1c2 ;

215 Z2dcc1c2=aux111+(aux222 . ∗ aux333 ) . / ( aux222+aux333 ) ;
216
217 Z i d c c 1 c 2=s q r t ( Ldcc1c2 . / Ceq ) . . .

218 . ∗ s q r t (1+ Z1dcc1c2 . / ( 4 . ∗ Z2dcc1c2 ) ) ; % Aproximada
219
220 % Li ne a de Pueta
221
222 Z1gcc1c2=j . ∗w. ∗ Lgcc1c2 ;

223 Z2gcc1c2=Ri1 +1./( j . ∗w. ∗ Cgs1 ) +1./( j . ∗w. ∗ C2) ;
224
225
226 Z i g c c 1 c 2=s q r t ( Lgcc1c2 . / Ceq2 ) . . .

227 . ∗ s q r t (1+ Z1gcc1c2 . / ( 4 . ∗ Z2gcc1c2 ) ) ; % Aproximada
228
230
320 Apéndice D
231 figure (1)

232 p l o t ( f , r e a l ( Z i d c c 1 c 2 ) , ’−o ’ )
233 h o l d on
234 p l o t ( f , imag ( Z i d c c 1 c 2 ) , ’−> ’ )
238 y l a b e l ( ’ Zid (Ohm) ’ )
239
240 figure (2)

241 p l o t ( f , r e a l ( Z i g c c 1 c 2 ) , ’−o ’ )
242 h o l d on
243 p l o t ( f , imag ( Z i g c c 1 c 2 ) , ’−> ’ )
246 y l a b e l ( ’ Z i g (Ohm) ’ )
D.2. Coeficiente de atenuación y constante

de fase.
3 z =2; % Vds
4 t = −0.1; % Vgs
5
7

9
10 Parametros1 =[18 0 . 4 60 29 4 11 650 2 9 ;

11 29 0 . 4 75 26 4 11 500 2 6 ;
12 41 0 . 4 90 24 4 11 370 2 4 ;
13 52 0 . 4 110 22 4 11 320 2 2 ;
14 60 0 . 2 84 25 4 14 210 2 5 ;
15 64 0 . 2 97 23 4 14 240 2 3 ;
16 68 0 . 2 115 22 4 14 260 2 2 ;
17 68 0 . 2 126 20 4 14 280 2 0 ;
18 78 0 . 4 90 22 4 15 155 2 2 ;
19 77 0 . 4 100 20 4 15 210 2 0 ;
20 76 0 . 4 115 19 4 15 240 1 9 ;
21 72 0 . 4 121 18 4 15 260 1 8 ] ;
23
24 Parametros2 =[21 0 . 6 80 32 2 11 650 3 2 ;

25 35 0 . 6 92 28 2 11 400 2 8 ;
26 55 0 . 6 120 26 2 11 270 2 6 ;
27 70 0 . 6 145 24 2 11 230 2 4 ;
28 82 0 . 5 110 26 1 13 165 2 6 ;
29 87 0 . 5 125 24 1 13 175 2 4 ;
30 95 0 . 5 150 22 1 13 185 2 2 ;
31 95 0 . 5 170 21 1 13 195 2 1 ;
32 110 0 . 5 125 24 0 . 1 15 120 2 4 ;
33 109 0 . 5 140 22 0 . 1 15 155 2 2 ;
34 108 0 . 5 158 20 0 . 1 15 184 2 0 ;
35 103 0 . 5 172 19 0 . 1 15 185 1 9 ] ;
36
37 A=[1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 ] ;
38
40 VDS=z ;
41 VGS=t ;
42
43 i f VGS==−0.5
44 i i =1:4;
45 e l s e i f VGS==−0.3
46 i i =5:8;
47 else
48 i i =9:12;
49 end
50
51 i n d 1=f i n d (A==VDS) ;
52
53
54 f o r j j =1: l e n g t h ( i n d 1 )
55 i n d 1 1=i n d 1 ( j j ) ;
56 f o r k=1: l e n g t h ( i i )
57 i i 1= i i ( k ) ;
58 i f i n d 1 1==i i 1
59 i n d 2=i n d 1 1 ;
60 end
61 k=k+1;
62 end
322 Apéndice D
63 j j = j j +1;
64 end
65
66 i f x<50
68 else
70 end
71
72 Ri0=Par ( 5 ) ;
73 Cgs0=Par ( 3 ) ∗1 e −15;
74 Cds0=Par ( 6 ) ∗1 e −15;
75 Cgd0=Par ( 8 ) ∗1 e −15;
76 Rds0=Par ( 7 ) ;
77 gm0=Par ( 1 ) ∗1 e −3;
80
81 i f x<50
82
83 %% % %
84 Ri=Ri0 ;
86 Cgs=Cgs ∗1 e −15;
89 Cgd=Cgd∗1 e −15;
90 Cds=Cds∗1 e −15;
92 gm=gm0∗ (NOF∗UGW) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
93 else
94

96 Ri=Ri0 ;
97 Cgs=Cgs0 ∗1 e15 ∗ ( (NOF∗UGW) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
98 Cgs=Cgs ∗1 e −15;
99 Cds=Cds0 ∗1 e15 ∗ ( (NOF∗UGW) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
100 Cds=Cds∗1 e −15;
101 Cgd=Cgd0∗1 e15 ∗ ( (NOF∗UGW) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
102 Cgd=Cgd∗1 e −15;
103 Rds=Rds0 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF∗UGW) ) ;
104 gm=gm0∗ (NOF∗UGW) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
105
106 end
107
108 % Calculos
109
111 Z1d=j ∗w. ∗ Ld ;
112 Z2d =1./( j . ∗w. ∗ Cds ) ;
113
114 b e t a d=w. ∗ s q r t ( Cds . ∗ Ld ) ;

115 a l p h a d =( s q r t ( Ld . / Cds ) ) . / ( Rds . ∗ s q r t (4−w. ∗w. ∗ Cds . ∗ Ld ) ) ;
116
117
118 % Li ne a de Puerta
119 Z1g=j . ∗w. ∗ Lg ;
120 Z2g=Ri +1./( j . ∗w. ∗ Cgs ) ;
121
122 b e t a g=w. ∗ s q r t ( Cgs . ∗ Lg ) ;

123 a l p h a g=w. ∗w. ∗ Ri . ∗ Cgs . ∗ s q r t ( Lg . ∗ Cgs ) . . .
124 . ∗ s q r t ( 1 . / ( 4 + ( 2 . ∗w. ∗ Ri . ∗ Cgs ) .ˆ2 −w. ∗w. ∗ Lg . ∗ Cgs ) ) ;
125
127 figure (1)
128 subplot (1 ,2 ,2)
129 p l o t ( f , b et a d , ’−o ’ )
130 h o l d on
131 p l o t ( f , b e t a g , ’−> ’ )
132 t i t l e ( ’ Constante de f a s e ’ )
133 l e g e n d ( ’ Drenador ’ , ’ Puerta ’ )
135 y l a b e l ( ’ rad /m’ )
136 subplot (1 ,2 ,1)
137 p l o t ( f , a lp ha d , ’−o ’ )
138 h o l d on
139 p l o t ( f , a l p h a g , ’−> ’ )
140 t i t l e ( ’ Atenuacion ’ )
143 y l a b e l ( ’Np/m’ )
D.2.2. Cascodo.
1 Ri =50;
324 Apéndice D
6 z =2; % Vds
7 t = −0.1; % Vgs
8
12 z z =2; % Vds
13 t t = −0.1; % Vgs
14
16

18
19 Parametros1 =[18 0 . 4 60 29 4 11 650 2 9 ;

20 29 0 . 4 75 26 4 11 500 2 6 ;
21 41 0 . 4 90 24 4 11 370 2 4 ;
22 52 0 . 4 110 22 4 11 320 2 2 ;
23 60 0 . 2 84 25 4 14 210 2 5 ;
24 64 0 . 2 97 23 4 14 240 2 3 ;
25 68 0 . 2 115 22 4 14 260 2 2 ;
26 68 0 . 2 126 20 4 14 280 2 0 ;
27 78 0 . 4 90 22 4 15 155 2 2 ;
28 77 0 . 4 100 20 4 15 210 2 0 ;
29 76 0 . 4 115 19 4 15 240 1 9 ;
30 72 0 . 4 121 18 4 15 260 1 8 ] ;
32
33 Parametros2 =[21 0 . 6 80 32 2 11 650 3 2 ;

34 35 0 . 6 92 28 2 11 400 2 8 ;
35 55 0 . 6 120 26 2 11 270 2 6 ;
36 70 0 . 6 145 24 2 11 230 2 4 ;
37 82 0 . 5 110 26 1 13 165 2 6 ;
38 87 0 . 5 125 24 1 13 175 2 4 ;
39 95 0 . 5 150 22 1 13 185 2 2 ;
40 95 0 . 5 170 21 1 13 195 2 1 ;
41 110 0 . 5 125 24 0 . 1 15 120 2 4 ;
42 109 0 . 5 140 22 0 . 1 15 155 2 2 ;
43 108 0 . 5 158 20 0 . 1 15 184 2 0 ;
44 103 0 . 5 172 19 0 . 1 15 185 1 9 ] ;
45
46 A=[1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 ] ;
47
49 VDS1=z ;
50 VGS1=t ;
51
52 i f VGS1==−0.5
53 i i =1:4;
54 e l s e i f VGS1==−0.3
55 i i =5:8;
56 else
57 i i =9:12;
58 end
59
60 i n d 1=f i n d (A==VDS1) ;
61
62 f o r j j =1: l e n g t h ( i n d 1 )
63 i n d 1 1=i n d 1 ( j j ) ;
64 f o r k=1: l e n g t h ( i i )
65 i i 1= i i ( k ) ;
66 i f i n d 1 1==i i 1
67 i n d 2=i n d 1 1 ;
68 end
69 k=k+1;
70 end
71 j j = j j +1;
72 end
73
74 i f x<50
76 else
78 end
79
80 Ri01=Par ( 5 ) ;
81 Cgs01=Par ( 3 ) ∗1 e −15;
82 Cds01=Par ( 6 ) ∗1 e −15;
83 Rds01=Par ( 7 ) ;
84 Cgd01=Par ( 8 ) ∗1 e −15;
85 gm01=Par ( 1 ) ∗1 e −3;
326 Apéndice D
88
89 i f x<50
91 Ri1=Ri01 ;
92 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
93 +(300/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
94 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
95 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
96 −(160/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
97 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
98 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
99 +(80/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
100 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
101 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) )
102 +(1000/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
103 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
104 else
106 Ri1=Ri01 ;
107 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
108 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
109 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
110 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
111 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) ) ;
112 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
113 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
114 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
115 end
116
117
119
120 VDS2=z z ;
121 VGS2=t t ;
122
123 i f VGS2==−0.5
124 i i i =1:4;
125 e l s e i f VGS2==−0.3
126 i i i =5:8;
127 else
128 i i i =9:12;
129 end
130
131 i n d 1 1=f i n d (A==VDS2) ;

132
133
135 i n d 1 1 1=i n d 1 1 ( j j j ) ;
136 f o r kk =1: l e n g t h ( i i i )
137 i i 1 1= i i i ( kk ) ;
138 i f i n d 1 1 1==i i 1 1
139 i n d 2 2=i n d 1 1 1 ;
140 end
141 kk=kk +1;
142 end
143 j j j = j j j +1;
144 end
145
146 i f xx<50
148 else
150 end
151
152 Ri02=Par2 ( 5 ) ;
153 Cgs02=Par2 ( 3 ) ∗1 e −15;
154 Cds02=Par2 ( 6 ) ∗1 e −15;
155 Rds02=Par2 ( 7 ) ;
156 Cgd02=Par2 ( 8 ) ∗1 e −15;
157 gm02=Par2 ( 1 ) ∗1 e −3;
160
161 i f xx<50
163 Ri2=Ri02 ;
164 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
165 +(300/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
166 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
167 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
168 −(160/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
169 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
170 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
171 +(80/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
172 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
173 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) )
328 Apéndice D
174 +(1000/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
175 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
176 else
178 Ri2=Ri02 ;
179 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
180 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
181 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
182 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
183 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
184 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
185 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) ) ;
186 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
187 end
188
189 % Calculos
190
191 f =0e9 : 3 e9 : 8 0 e9 ; % F r e c u e n c i a
192 w=2.∗ p i . ∗ f ;
193
194
195 Z0=50;
196 Lg=Z0 ˆ 2 . ∗ Cgs1
197 Ct1=Cgs2+Cds1 ;
198 Ceq = 1 . / ( 1 . / Ct1 +1./ Cds2 ) ;
199 Ldc=(Z0 ˆ 2 ) . ∗ Ceq
200

202 Z1dc=j ∗w. ∗ Ldc ;
203
204 aux1=Rds2 ./(1+ j . ∗w. ∗ Rds2 . ∗ Cds2 ) ;

205 aux2=(1+ j . ∗w. ∗ Ri2 . ∗ Cgs2 ) . / ( j . ∗w. ∗ Cgs2 ) ;
206 aux3=(Rds1 ./(1+ j . ∗w. ∗ Rds1 . ∗ Cds1 ) ) ;
207
208 Z2dc=aux1+(aux2 . ∗ aux3 ) . / ( aux2+aux3 ) ;

209
210
211 A=w. ∗ Rds2 . ∗ Cds2 ;

212 B=w. ∗ Ri2 . ∗ Cgs2 ;
213 C=w. ∗ Rds2 . ∗ Cds2 ;
214 D=w. ∗ Cgs2 ;
215 E=1−B. ∗C ;
216 F=C+B+D. ∗ Rds2 ;
217 G=E−A. ∗ F ;
218 H=F+A. ∗ E ;
219 I=E . ∗ Rds2+Rds2 .∗(1 −A. ∗B) ;
220 K=F . ∗ Rds2+Rds2 . ∗ ( B+A) ;
221 L=G. ∗ I+H. ∗K;
222 M=K. ∗G−H. ∗ I ;
223 N=w. ∗ Ldc . ∗ (G. ∗G+H. ∗H) ;
224 O=N. ∗ L ;
225 P=M. ∗N;
226
227 b e t a d c=s q r t (−P . / ( L . ∗ L+M. ∗M) ) ;

228 a l p h a d c=O. / ( s q r t (−P . ∗ P−4.∗P . ∗ ( L . ∗ L+M. ∗M) ) ) ;
229
231 Z1gc=j . ∗w. ∗ Lg ;
232 Z2gc=Ri1 +1./( j . ∗w. ∗ Cgs1 ) ;
233
234 b e t a g c=w. ∗ s q r t ( Cgs1 . ∗ Lg ) ;

235 a l p h a g c=w. ∗w. ∗ Ri1 . ∗ Cgs1 . ∗ s q r t ( Lg . ∗ Cgs1 ) . . .
236 . ∗ s q r t ( 1 . / ( 4 + ( 2 . ∗w. ∗ Ri1 . ∗ Cgs1 ) .ˆ2 −w. ∗w. ∗ Lg . ∗ Cgs1 ) ) ;
237
239 figure (1)
240 subplot (1 ,2 ,2)
241 p l o t ( f , b e t a d c , ’−o ’ )
242 h o l d on
243 p l o t ( f , b e t a g c , ’−> ’ )
247 y l a b e l ( ’ rad /m’ )
248 subplot (1 ,2 ,1)
249 p l o t ( f , a l p h a d c , ’−o ’ )
250 h o l d on
251 p l o t ( f , a l p h a g c , ’−> ’ )
255 y l a b e l ( ’Np/m’ )
D.2.3. Cascodo + C1.

330 Apéndice D
1 Ri =50;
2
6 z =2; % Vds
7 t = −0.1; % Vgs
8
12 z z =2; % Vds
13 t t = −0.1; % Vgs
14
16

18
19 Parametros1 =[18 0 . 4 60 29 4 11 650 2 9 ;

20 29 0 . 4 75 26 4 11 500 2 6 ;
21 41 0 . 4 90 24 4 11 370 2 4 ;
22 52 0 . 4 110 22 4 11 320 2 2 ;
23 60 0 . 2 84 25 4 14 210 2 5 ;
24 64 0 . 2 97 23 4 14 240 2 3 ;
25 68 0 . 2 115 22 4 14 260 2 2 ;
26 68 0 . 2 126 20 4 14 280 2 0 ;
27 78 0 . 4 90 22 4 15 155 2 2 ;
28 77 0 . 4 100 20 4 15 210 2 0 ;
29 76 0 . 4 115 19 4 15 240 1 9 ;
30 72 0 . 4 121 18 4 15 260 1 8 ] ;
32
33 Parametros2 =[21 0 . 6 80 32 2 11 650 3 2 ;

34 35 0 . 6 92 28 2 11 400 2 8 ;
35 55 0 . 6 120 26 2 11 270 2 6 ;
36 70 0 . 6 145 24 2 11 230 2 4 ;
37 82 0 . 5 110 26 1 13 165 2 6 ;
38 87 0 . 5 125 24 1 13 175 2 4 ;
39 95 0 . 5 150 22 1 13 185 2 2 ;
40 95 0 . 5 170 21 1 13 195 2 1 ;
41 110 0 . 5 125 24 0 . 1 15 120 2 4 ;
42 109 0 . 5 140 22 0 . 1 15 155 2 2 ;
43 108 0 . 5 158 20 0 . 1 15 184 2 0 ;

44 103 0 . 5 172 19 0 . 1 15 185 1 9 ] ;
45
46 A=[1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 ] ;
47
49 VDS1=z ;
50 VGS1=t ;
51
52 i f VGS1==−0.5
53 i i =1:4;
54 e l s e i f VGS1==−0.3
55 i i =5:8;
56 else
57 i i =9:12;
58 end
59
60 i n d 1=f i n d (A==VDS1) ;
61
62 f o r j j =1: l e n g t h ( i n d 1 )
63 i n d 1 1=i n d 1 ( j j ) ;
64 f o r k=1: l e n g t h ( i i )
65 i i 1= i i ( k ) ;
66 i f i n d 1 1==i i 1
67 i n d 2=i n d 1 1 ;
68 end
69 k=k+1;
70 end
71 j j = j j +1;
72 end
73
74 i f x<50
76 else
78 end
79
80 Ri01=Par ( 5 ) ;
81 Cgs01=Par ( 3 ) ∗1 e −15;
82 Cds01=Par ( 6 ) ∗1 e −15;
83 Rds01=Par ( 7 ) ;
84 Cgd01=Par ( 8 ) ∗1 e −15;
85 gm01=Par ( 1 ) ∗1 e −3;
332 Apéndice D

88
89 i f x<50
91 Ri1=Ri01 ;
92 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
93 +(300/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
94 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
95 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
96 −(160/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
97 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
98 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
99 +(80/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
100 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
101 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) )
102 +(1000/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
103 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
104 else
106 Ri1=Ri01 ;
107 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
108 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
109 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
110 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
111 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) ) ;
112 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
113 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
114 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
115 end
116
117
119
120 VDS2=z z ;
121 VGS2=t t ;
122
123 i f VGS2==−0.5
124 i i i =1:4;
125 e l s e i f VGS2==−0.3
126 i i i =5:8;
127 else
128 i i i =9:12;
129 end
130
131 i n d 1 1=f i n d (A==VDS2) ;

132
133
135 i n d 1 1 1=i n d 1 1 ( j j j ) ;
136 f o r kk =1: l e n g t h ( i i i )
137 i i 1 1= i i i ( kk ) ;
138 i f i n d 1 1 1==i i 1 1
139 i n d 2 2=i n d 1 1 1 ;
140 end
141 kk=kk +1;
142 end
143 j j j = j j j +1;
144 end
145
146 i f xx<50
148 else
150 end
151
152 Ri02=Par2 ( 5 ) ;
153 Cgs02=Par2 ( 3 ) ∗1 e −15;
154 Cds02=Par2 ( 6 ) ∗1 e −15;
155 Rds02=Par2 ( 7 ) ;
156 Cgd02=Par2 ( 8 ) ∗1 e −15;
157 gm02=Par2 ( 1 ) ∗1 e −3;
160
161 i f xx<50
163 Ri2=Ri02 ;
164 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
165 +(300/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
166 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
167 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
168 −(160/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
169 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
170 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
171 +(80/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
334 Apéndice D
172 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;

173 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) )
174 +(1000/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
175 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
176 else
178 Ri2=Ri02 ;
179 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
180 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
181 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
182 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
183 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
184 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
185 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) ) ;
186 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
187 end
188
189
190 % Calculos
191
192 f =0e9 : 3 e9 : 8 0 e9 ; % F r e c u e n c i a
193 w=2.∗ p i . ∗ f ;
194
195
196 Z0=50;
197 Lg=Z0 ˆ 2 . ∗ Cgs1
198
199 C1=50e −15;

200
201 Ct = 1 . / ( 1 . / Cgs2 +1./C1) ;

202 Cx=Ct+Cds1 ;
203 Ceq = 1 . / ( ( 1 . / Cds2 ) +(1./Cx) ) ;
204
205 Ldcc1=(Z0 ˆ 2 ) . ∗ Ceq

206
207

209 AA=w. ∗ Rds2 . ∗ Cds2 ;
210 BB=w. ∗ Ri2 . ∗ Cgs2 . ∗ C1 ;
211 CC=w. ∗ Rds1 . ∗ Cds1 ;
212 DD=w. ∗ Cgs2 . ∗ C1 ;
213 EE=C1+Cgs2 ;
214 FF=Rds1 . ∗EE ;
215 GG=BB. ∗ Rds1 ;

216 HH=EE−CC. ∗BB;
217 I I =(BB+EE. ∗CC)+DD. ∗ Rds1 ;
218 KK=HH. ∗ Rds2+FF−GG. ∗AA;
219 LL=I I . ∗ Rds2+AA. ∗ FF+GG;
220 MM=HH−AA. ∗ I I ;
221 NN=AA. ∗HH+I I ;
222 OO=KK. ∗MM+LL . ∗NN;
223 PP=LL . ∗MM−KK. ∗NN;
224 QQ=w. ∗ Ldcc1 . ∗ (MM. ∗MM+NN. ∗NN) ;
225 RR=QQ. ∗OO;
226 SS=QQ. ∗PP ;
227
228 b e t a d c c 1=s q r t (−SS . / (OO. ∗OO+PP. ∗PP) ) ;

229 a l p h a d c c 1=RR. / ( s q r t (−SS . ∗ SS −4.∗SS . ∗ (OO. ∗OO+PP. ∗PP) ) ) ;
230
232
233 b e t a g c c 1=w. ∗ s q r t ( Cgs1 . ∗ Lg ) ;

234 a l p h a g c c 1=w. ∗w. ∗ Ri1 . ∗ Cgs1 . ∗ s q r t ( Lg . ∗ Cgs1 ) . . .
235 . ∗ s q r t ( 1 . / ( 4 + ( 2 . ∗w. ∗ Ri1 . ∗ Cgs1 ) .ˆ2 −w. ∗w. ∗ Lg . ∗ Cgs1 ) ) ;
236
238 figure (1)
239 subplot (1 ,2 ,2)
240 p l o t ( f , b e t a d c c 1 , ’−o ’ )
241 h o l d on
242 p l o t ( f , b e t a g c c 1 , ’−> ’ )
246 y l a b e l ( ’ rad /m’ )
247 subplot (1 ,2 ,1)
248 p l o t ( f , a l p h a d c c 1 , ’−o ’ )
249 h o l d on
250 p l o t ( f , a l p h a g c c 1 , ’−> ’ )
254 y l a b e l ( ’Np/m’ )
336 Apéndice D
1 Ri =50;
2
6 z =2; % Vds
7 t = −0.1; % Vgs
8
12 z z =2; % Vds
13 t t = −0.1; % Vgs
14
16

18
19 Parametros1 =[18 0 . 4 60 29 4 11 650 2 9 ;

20 29 0 . 4 75 26 4 11 500 2 6 ;
21 41 0 . 4 90 24 4 11 370 2 4 ;
22 52 0 . 4 110 22 4 11 320 2 2 ;
23 60 0 . 2 84 25 4 14 210 2 5 ;
24 64 0 . 2 97 23 4 14 240 2 3 ;
25 68 0 . 2 115 22 4 14 260 2 2 ;
26 68 0 . 2 126 20 4 14 280 2 0 ;
27 78 0 . 4 90 22 4 15 155 2 2 ;
28 77 0 . 4 100 20 4 15 210 2 0 ;
29 76 0 . 4 115 19 4 15 240 1 9 ;
30 72 0 . 4 121 18 4 15 260 1 8 ] ;
32
33 Parametros2 =[21 0 . 6 80 32 2 11 650 3 2 ;

34 35 0 . 6 92 28 2 11 400 2 8 ;
35 55 0 . 6 120 26 2 11 270 2 6 ;
36 70 0 . 6 145 24 2 11 230 2 4 ;
37 82 0 . 5 110 26 1 13 165 2 6 ;
38 87 0 . 5 125 24 1 13 175 2 4 ;
39 95 0 . 5 150 22 1 13 185 2 2 ;
40 95 0 . 5 170 21 1 13 195 2 1 ;
41 110 0 . 5 125 24 0 . 1 15 120 2 4 ;
42 109 0 . 5 140 22 0 . 1 15 155 2 2 ;

43 108 0 . 5 158 20 0 . 1 15 184 2 0 ;
44 103 0 . 5 172 19 0 . 1 15 185 1 9 ] ;
45
46 A=[1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 ] ;
47
49 VDS1=z ;
50 VGS1=t ;
51
52 i f VGS1==−0.5
53 i i =1:4;
54 e l s e i f VGS1==−0.3
55 i i =5:8;
56 else
57 i i =9:12;
58 end
59
60 i n d 1=f i n d (A==VDS1) ;
61
62 f o r j j =1: l e n g t h ( i n d 1 )
63 i n d 1 1=i n d 1 ( j j ) ;
64 f o r k=1: l e n g t h ( i i )
65 i i 1= i i ( k ) ;
66 i f i n d 1 1==i i 1
67 i n d 2=i n d 1 1 ;
68 end
69 k=k+1;
70 end
71 j j = j j +1;
72 end
73
74 i f x<50
76 else
78 end
79
80 Ri01=Par ( 5 ) ;
81 Cgs01=Par ( 3 ) ∗1 e −15;
82 Cds01=Par ( 6 ) ∗1 e −15;
83 Rds01=Par ( 7 ) ;
84 Cgd01=Par ( 8 ) ∗1 e −15;
338 Apéndice D
85 gm01=Par ( 1 ) ∗1 e −3;
88
89 i f x<50
91 Ri1=Ri01 ;
92 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
93 +(300/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
94 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
95 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
96 −(160/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
97 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
98 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
99 +(80/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
100 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
101 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) )
102 +(1000/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
103 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
104 else
106 Ri1=Ri01 ;
107 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
108 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
109 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
110 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
111 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) ) ;
112 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
113 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
114 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
115 end
116
117
119
120 VDS2=z z ;
121 VGS2=t t ;
122
123 i f VGS2==−0.5
124 i i i =1:4;
125 e l s e i f VGS2==−0.3
126 i i i =5:8;
127 else
128 i i i =9:12;
129 end
130
131 i n d 1 1=f i n d (A==VDS2) ;

132
133
135 i n d 1 1 1=i n d 1 1 ( j j j ) ;
136 f o r kk =1: l e n g t h ( i i i )
137 i i 1 1= i i i ( kk ) ;
138 i f i n d 1 1 1==i i 1 1
139 i n d 2 2=i n d 1 1 1 ;
140 end
141 kk=kk +1;
142 end
143 j j j = j j j +1;
144 end
145
146 i f xx<50
148 else
150 end
151
152 Ri02=Par2 ( 5 ) ;
153 Cgs02=Par2 ( 3 ) ∗1 e −15;
154 Cds02=Par2 ( 6 ) ∗1 e −15;
155 Rds02=Par2 ( 7 ) ;
156 Cgd02=Par2 ( 8 ) ∗1 e −15;
157 gm02=Par2 ( 1 ) ∗1 e −3;
160
161 i f xx<50
163 Ri2=Ri02 ;
164 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
165 +(300/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
166 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
167 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
168 −(160/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
169 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
170 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
340 Apéndice D
171 +(80/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
172 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
173 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) )
174 +(1000/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
175 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
176 else
178 Ri2=Ri02 ;
179 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
180 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
181 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
182 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
183 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
184 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
185 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) ) ;
186 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
187 end
188
189 % Calculos
190
191 f =0e9 : 3 e9 : 8 0 e9 ; % F r e c u e n c i a
192 w=2.∗ p i . ∗ f ;
193
194 Z0=50;
195 Lg=Z0 ˆ 2 . ∗ Cgs1
196
197 % Capacidades a d i c i o n a l e s
198 C1=50e −15;
199 C2=800e −15;
200
201 Ct = 1 . / ( 1 . / Cgs2 +1./C1) ;

202 Cx=Ct+Cds1 ;
203 Ceq = 1 . / ( ( 1 . / Cds2 ) +(1./Cx) ) ;
204
205 Ldcc1=(Z0 ˆ 2 ) . ∗ Ceq

206
207 Ceq2 = 1 . / ( ( 1 . / C2) +(1./ Cgs1 ) ) ;

208 Lgcc1c2 =(Z0 ˆ 2 ) . ∗ Ceq2
209

211
212 AA=w. ∗ Rds2 . ∗ Cds2 ;

213 BB=w. ∗ Ri2 . ∗ Cgs2 . ∗ C1 ;
214 CC=w. ∗ Rds1 . ∗ Cds1 ;

215 DD=w. ∗ Cgs2 . ∗ C1 ;
216 EE=C1+Cgs2 ;
217 FF=Rds1 . ∗EE ;
218 GG=BB. ∗ Rds1 ;
219 HH=EE−CC. ∗BB;
220 I I =(BB+EE. ∗CC)+DD. ∗ Rds1 ;
221 KK=HH. ∗ Rds2+FF−GG. ∗AA;
222 LL=I I . ∗ Rds2+AA. ∗ FF+GG;
223 MM=HH−AA. ∗ I I ;
224 NN=AA. ∗HH+I I ;
225 OO=KK. ∗MM+LL . ∗NN;
226 PP=LL . ∗MM−KK. ∗NN;
227 QQ=w. ∗ Ldcc1 . ∗ (MM. ∗MM+NN. ∗NN) ;
228 RR=QQ. ∗OO;
229 SS=QQ. ∗PP ;
230
231 b e t a d c c 1 c 2=s q r t (−SS . / (OO. ∗OO+PP. ∗PP) ) ;

232 a l p h a d c c 1 c 2=RR. / ( s q r t (−SS . ∗ SS −4.∗SS . ∗ (OO. ∗OO+PP. ∗PP) ) ) ;
233
235
236 AAA=w. ∗ C2 ;
237 BBB=w. ∗ Cgs1 ;
238 CCC=−AAA. ∗BBB. ∗ Ri1 ;
239 DDD=−AAA. ∗BBB;
240 EEE=AAA+BBB;
241 FFF=w. ∗ Lgcc1c2 . ∗DDD;
242 GGG=EEE. ∗ FFF ;
243 HHH=FFF . ∗CCC;
244
245
246 b e t a g c c 1 c 2=s q r t (−GGG. / (CCC. ∗CCC+EEE. ∗EEE) ) ;

247 a l p h a g c c 1 c 2=HHH . . .
248 . / ( s q r t (−GGG. ∗GGG−4.∗GGG. ∗ (CCC. ∗CCC+EEE. ∗EEE) ) ) ;
249
251 figure (1)
252 subplot (1 ,2 ,2)
253 p l o t ( f , b e t a d c c 1 c 2 , ’−o ’ )
254 h o l d on
255 p l o t ( f , b e t a g c c 1 c 2 , ’−> ’ )
342 Apéndice D

259 y l a b e l ( ’ rad /m’ )
260 subplot (1 ,2 ,1)
261 p l o t ( f , a l p h a d c c 1 c 2 , ’−o ’ )
262 h o l d on
263 p l o t ( f , a l p h a g c c 1 c 2 , ’−> ’ )
267 y l a b e l ( ’Np/m’ )
D.3. Retardo de grupo.

3 z =2; % Vds
4 t = −0.1; % Vgs
5
7

9
10 Parametros1 =[18 0 . 4 60 29 4 11 650 2 9 ;

11 29 0 . 4 75 26 4 11 500 2 6 ;
12 41 0 . 4 90 24 4 11 370 2 4 ;
13 52 0 . 4 110 22 4 11 320 2 2 ;
14 60 0 . 2 84 25 4 14 210 2 5 ;
15 64 0 . 2 97 23 4 14 240 2 3 ;
16 68 0 . 2 115 22 4 14 260 2 2 ;
17 68 0 . 2 126 20 4 14 280 2 0 ;
18 78 0 . 4 90 22 4 15 155 2 2 ;
19 77 0 . 4 100 20 4 15 210 2 0 ;
20 76 0 . 4 115 19 4 15 240 1 9 ;
21 72 0 . 4 121 18 4 15 260 1 8 ] ;
23
24 Parametros2 =[21 0 . 6 80 32 2 11 650 3 2 ;

25 35 0 . 6 92 28 2 11 400 2 8 ;
26 55 0 . 6 120 26 2 11 270 2 6 ;
27 70 0 . 6 145 24 2 11 230 2 4 ;
28 82 0 . 5 110 26 1 13 165 2 6 ;
29 87 0 . 5 125 24 1 13 175 2 4 ;
30 95 0 . 5 150 22 1 13 185 2 2 ;
31 95 0 . 5 170 21 1 13 195 2 1 ;
32 110 0 . 5 125 24 0 . 1 15 120 2 4 ;
33 109 0 . 5 140 22 0 . 1 15 155 2 2 ;
34 108 0 . 5 158 20 0 . 1 15 184 2 0 ;
35 103 0 . 5 172 19 0 . 1 15 185 1 9 ] ;
36
37 A=[1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 ] ;
38
40 VDS=z ;
41 VGS=t ;
42
43 i f VGS==−0.5
44 i i =1:4;
45 e l s e i f VGS==−0.3
46 i i =5:8;
47 else
48 i i =9:12;
49 end
50
51 i n d 1=f i n d (A==VDS) ;
52
53
54 f o r j j =1: l e n g t h ( i n d 1 )
55 i n d 1 1=i n d 1 ( j j ) ;
56 f o r k=1: l e n g t h ( i i )
57 i i 1= i i ( k ) ;
58 i f i n d 1 1==i i 1
59 i n d 2=i n d 1 1 ;
60 end
61 k=k+1;
62 end
63 j j = j j +1;
64 end
65
66 i f x<50
68 else
344 Apéndice D
70 end
71
72 Ri0=Par ( 5 ) ;
73 Cgs0=Par ( 3 ) ∗1 e −15;
74 Cds0=Par ( 6 ) ∗1 e −15;
75 Cgd0=Par ( 8 ) ∗1 e −15;
76 Rds0=Par ( 7 ) ;
77 gm0=Par ( 1 ) ∗1 e −3;
80
81 i f x<50
82
83 %% % %
84 Ri=Ri0 ;
86 Cgs=Cgs ∗1 e −15;
89 Cgd=Cgd∗1 e −15;
90 Cds=Cds∗1 e −15;
92 gm=gm0∗ (NOF∗UGW) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
93 else
94

96 Ri=Ri0 ;
97 Cgs=Cgs0 ∗1 e15 ∗ ( (NOF∗UGW) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
98 Cgs=Cgs ∗1 e −15;
99 Cds=Cds0 ∗1 e15 ∗ ( (NOF∗UGW) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
100 Cds=Cds∗1 e −15;
101 Cgd=Cgd0∗1 e15 ∗ ( (NOF∗UGW) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
102 Cgd=Cgd∗1 e −15;
103 Rds=Rds0 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF∗UGW) ) ;
104 gm=gm0∗ (NOF∗UGW) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
105
106 end
107
108 %% C a l c u l o s
109
110 gm ;
111 R1=50;
112 R2=Rds ;
113 C1=Cgs ;
114 C2=Cds ;
115 C3=Cgd ;
116 Z l =50;
117
118 f =0e9 : 1 e9 : 8 0 e9 ; % F r e c u e n c i a
119 w=2∗ p i ∗ f ;
120
121 A=(R2+Z l ) . / ( R2 . ∗ Z l ) ;
122 B=C3+C2 ;
123 C=C1 . ∗ R1+R1 . ∗ C3 ;
124 D=C3 . ∗ R1 ;
125 E=A. ∗C+B ;
126 F=E+gm. ∗D;
127 G=A−w. ∗w. ∗B. ∗C ;
128 H=G+w. ∗w. ∗ C3 . ∗D;
129 I=w. ∗ ( C3 . ∗H+gm. ∗ F) ;
130 K=−gm. ∗H+w. ∗w. ∗ C3 . ∗ F ;
131
132 dI=C3 . ∗A−3.∗w. ∗w. ∗ C3 . ∗B. ∗C+3.∗w. ∗w. ∗ C3 . ∗ C3 . ∗D+gm. ∗ F ;

133
134 dK=2.∗w. ∗gm. ∗B. ∗ C−gm . ∗ 2 . ∗w. ∗ C3 . ∗D+2.∗w. ∗ C3 . ∗ F ;

135
136
137 gd=−(( dI . ∗K−dK. ∗ I ) . / ( I . ∗ I+K. ∗K) ) ; % Retardo de grupo

138 gd2=gd+2e −12;
139
140 Var gd=(max( gd ) ) −(min ( gd ) ) % V a r i a c i o n d e l r e t a r d o de grupo

141
142 %% R e p r e s e n t a c i o n
143
144 figure (1)

145 p l o t ( f , gd )
147 y l a b e l ( ’ gd ( s ) ’ )
148 t i t l e ( ’ Retardo de grupo ’ )
D.3.2. Cascodo y Cascodo C1.

1 Ri =50;
2
346 Apéndice D
6 z =2; % Vds
7 t = −0.1; % Vgs
8
12 z z =2; % Vds
13 t t = −0.1; % Vgs
14
16

18
19 Parametros1 =[18 0 . 4 60 29 4 11 650 2 9 ;

20 29 0 . 4 75 26 4 11 500 2 6 ;
21 41 0 . 4 90 24 4 11 370 2 4 ;
22 52 0 . 4 110 22 4 11 320 2 2 ;
23 60 0 . 2 84 25 4 14 210 2 5 ;
24 64 0 . 2 97 23 4 14 240 2 3 ;
25 68 0 . 2 115 22 4 14 260 2 2 ;
26 68 0 . 2 126 20 4 14 280 2 0 ;
27 78 0 . 4 90 22 4 15 155 2 2 ;
28 77 0 . 4 100 20 4 15 210 2 0 ;
29 76 0 . 4 115 19 4 15 240 1 9 ;
30 72 0 . 4 121 18 4 15 260 1 8 ] ;
32
33 Parametros2 =[21 0 . 6 80 32 2 11 650 3 2 ;

34 35 0 . 6 92 28 2 11 400 2 8 ;
35 55 0 . 6 120 26 2 11 270 2 6 ;
36 70 0 . 6 145 24 2 11 230 2 4 ;
37 82 0 . 5 110 26 1 13 165 2 6 ;
38 87 0 . 5 125 24 1 13 175 2 4 ;
39 95 0 . 5 150 22 1 13 185 2 2 ;
40 95 0 . 5 170 21 1 13 195 2 1 ;
41 110 0 . 5 125 24 0 . 1 15 120 2 4 ;
42 109 0 . 5 140 22 0 . 1 15 155 2 2 ;
43 108 0 . 5 158 20 0 . 1 15 184 2 0 ;
44 103 0 . 5 172 19 0 . 1 15 185 1 9 ] ;
45
46 A=[1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 ] ;
47
49 VDS1=z ;
50 VGS1=t ;
51
52 i f VGS1==−0.5
53 i i =1:4;
54 e l s e i f VGS1==−0.3
55 i i =5:8;
56 else
57 i i =9:12;
58 end
59
60 i n d 1=f i n d (A==VDS1) ;
61
62 f o r j j =1: l e n g t h ( i n d 1 )
63 i n d 1 1=i n d 1 ( j j ) ;
64 f o r k=1: l e n g t h ( i i )
65 i i 1= i i ( k ) ;
66 i f i n d 1 1==i i 1
67 i n d 2=i n d 1 1 ;
68 end
69 k=k+1;
70 end
71 j j = j j +1;
72 end
73
74 i f x<50
76 else
78 end
79
80 Ri01=Par ( 5 ) ;
81 Cgs01=Par ( 3 ) ∗1 e −15;
82 Cds01=Par ( 6 ) ∗1 e −15;
83 Rds01=Par ( 7 ) ;
84 Cgd01=Par ( 8 ) ∗1 e −15;
85 gm01=Par ( 1 ) ∗1 e −3;
88
348 Apéndice D
89 i f x<50
91 Ri1=Ri01 ;
92 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
93 +(300/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
94 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
95 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
96 −(160/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
97 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
98 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
99 +(80/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
100 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
101 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) )
102 +(1000/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
103 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
104 else
106 Ri1=Ri01 ;
107 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
108 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
109 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
110 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
111 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) ) ;
112 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
113 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
114 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
115 end
116
117
119
120 VDS2=z z ;
121 VGS2=t t ;
122
123 i f VGS2==−0.5
124 i i i =1:4;
125 e l s e i f VGS2==−0.3
126 i i i =5:8;
127 else
128 i i i =9:12;
129 end
130
131 i n d 1 1=f i n d (A==VDS2) ;

132
133
135 i n d 1 1 1=i n d 1 1 ( j j j ) ;
136 f o r kk =1: l e n g t h ( i i i )
137 i i 1 1= i i i ( kk ) ;
138 i f i n d 1 1 1==i i 1 1
139 i n d 2 2=i n d 1 1 1 ;
140 end
141 kk=kk +1;
142 end
143 j j j = j j j +1;
144 end
145
146 i f xx<50
148 else
150 end
151
152 Ri02=Par2 ( 5 ) ;
153 Cgs02=Par2 ( 3 ) ∗1 e −15;
154 Cds02=Par2 ( 6 ) ∗1 e −15;
155 Rds02=Par2 ( 7 ) ;
156 Cgd02=Par2 ( 8 ) ∗1 e −15;
157 gm02=Par2 ( 1 ) ∗1 e −3;
160
161 i f xx<50
163 Ri2=Ri02 ;
164 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
165 +(300/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
166 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
167 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
168 −(160/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
169 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
170 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
171 +(80/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
172 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
173 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) )
174 +(1000/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
350 Apéndice D
175 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;

176 else
178 Ri2=Ri02 ;
179 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
180 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
181 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
182 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
183 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
184 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
185 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) ) ;
186 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
187 end
188
189 %% C a l c u l o s
190 R2=Rds1 ;
191 R3=Rds2 ;
192 C1=Cgs1 ;
193 C4=Cgs2 ;
194
195 C2=Cds1 ;
196 C5=Cds2 ;
197
198 C3=Cgd1 ;
199 C6=Cgd2 ;
200
201 Z l =50;
202 f =0e9 : 0 . 1 e9 : 8 0 e9 ; % F r e c u e n c i a
203 w=2∗ p i ∗ f ;
204
205 A=gm1 ;
206 B=gm2 ;
207 C=1./R3 ;
208 D=1./R2 ;
209 E=1./ Ri ;
210 F=C3+C1 ;
211 G=B+C+D;
212 H=C4+C5+C2+C3 ;
213 I=C+B ;
214 K=C+1./ Z l ;
215 L=C5+C6 ;
216 M=C3 . ∗ C3−F . ∗H;
217 N=E. ∗G;
218 O=A. ∗ C3+E . ∗H+G. ∗ F ;

219 P=E . ∗C ;
220 Q=F . ∗ C5 ;
221 R=E . ∗ C5+F . ∗C ;
222 S=O. ∗K+L . ∗N;
223 T=M. ∗K−O. ∗ L ;
224 U=N. ∗K;
225 V=L . ∗M;
226 X=P . ∗ I ;
227 Y=Q. ∗ I+C5 . ∗R;
228 Z=R. ∗ I+C5 . ∗ P ;
229 AA=−C5 . ∗Q;
230 BB=U−X;
231 CC=T+Y;
232 DD=S−Z ;
233 EE=V−AA;
234 FF=−A. ∗ I ;
235 GG=−C3 . ∗ C5 ;
236 HH=−A. ∗ C5+C3 . ∗ I ;
237
238 aux1=(FF+w. ∗w. ∗GG) . ∗ (BB+w. ∗w. ∗CC) ;

239 aux2=HH. ∗ (DD+w. ∗w. ∗EE) ;
240 aux3=HH. ∗ (BB+w. ∗w. ∗CC) ;
241 aux4=(DD+w. ∗w. ∗EE) . ∗ ( FF+w. ∗w. ∗GG) ;
242 aux5=aux3−aux4 ;
243 aux6=w. ∗ aux5 ;
244 aux7=aux1+w. ∗w. ∗ aux2 ;
245
246 daux6=HH. ∗BB+3.∗w. ∗w. ∗CC. ∗HH−DD. ∗ FF−3.∗w. ∗w. ∗GG. ∗DD
247 −3.∗w. ∗w. ∗EE. ∗ FF−5.∗w. ∗w. ∗w. ∗w. ∗GG. ∗EE ;
248 daux7 =2.∗w. ∗CC. ∗ FF+2.∗w. ∗GG. ∗BB+4.∗w. ∗w. ∗w. ∗GG. ∗CC
249 +2.∗w. ∗HH. ∗DD+4.∗w. ∗w. ∗w. ∗EE. ∗HH;
250
251 % Retardo de grupo

252 gd=−((daux6 . ∗ aux7−aux6 . ∗ daux7 ) . / ( aux6 . ∗ aux6+aux7 . ∗ aux7 ) ) ;
253
254 Var gd=(max( gd ) ) −(min ( gd ) ) % V a r i a c i o n d e l r e t a r d o de grupo

255
257 figure (1)
258 s e m i l o g x ( f , gd )
260 y l a b e l ( ’ gd ( s ) ’ )
352 Apéndice D

1 Ri =50;
2
6 z =2; % Vds
7 t = −0.1; % Vgs
8
12 z z =2; % Vds
13 t t = −0.1; % Vgs
14
16

18
19 Parametros1 =[18 0 . 4 60 29 4 11 650 2 9 ;

20 29 0 . 4 75 26 4 11 500 2 6 ;
21 41 0 . 4 90 24 4 11 370 2 4 ;
22 52 0 . 4 110 22 4 11 320 2 2 ;
23 60 0 . 2 84 25 4 14 210 2 5 ;
24 64 0 . 2 97 23 4 14 240 2 3 ;
25 68 0 . 2 115 22 4 14 260 2 2 ;
26 68 0 . 2 126 20 4 14 280 2 0 ;
27 78 0 . 4 90 22 4 15 155 2 2 ;
28 77 0 . 4 100 20 4 15 210 2 0 ;
29 76 0 . 4 115 19 4 15 240 1 9 ;
30 72 0 . 4 121 18 4 15 260 1 8 ] ;
32
33 Parametros2 =[21 0.6 80 32 2 11 650 3 2 ;

34 35 0.6 92 28 2 11 400 2 8 ;
35 55 0.6 120 26 2 11 270 2 6 ;
36 70 0.6 145 24 2 11 230 2 4 ;
37 82 0.5 110 26 1 13 165 2 6 ;
38 87 0.5 125 24 1 13 175 2 4 ;
39 95 0 . 5 150 22 1 13 185 2 2 ;
40 95 0 . 5 170 21 1 13 195 2 1 ;
41 110 0 . 5 125 24 0 . 1 15 120 2 4 ;
42 109 0 . 5 140 22 0 . 1 15 155 2 2 ;
43 108 0 . 5 158 20 0 . 1 15 184 2 0 ;
44 103 0 . 5 172 19 0 . 1 15 185 1 9 ] ;
45
46 A=[1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 ] ;
47
49 VDS1=z ;
50 VGS1=t ;
51
52 i f VGS1==−0.5
53 i i =1:4;
54 e l s e i f VGS1==−0.3
55 i i =5:8;
56 else
57 i i =9:12;
58 end
59
60 i n d 1=f i n d (A==VDS1) ;
61
62 f o r j j =1: l e n g t h ( i n d 1 )
63 i n d 1 1=i n d 1 ( j j ) ;
64 f o r k=1: l e n g t h ( i i )
65 i i 1= i i ( k ) ;
66 i f i n d 1 1==i i 1
67 i n d 2=i n d 1 1 ;
68 end
69 k=k+1;
70 end
71 j j = j j +1;
72 end
73
74 i f x<50
76 else
78 end
79
80 Ri01=Par ( 5 ) ;
81 Cgs01=Par ( 3 ) ∗1 e −15;
354 Apéndice D
82 Cds01=Par ( 6 ) ∗1 e −15;
83 Rds01=Par ( 7 ) ;
84 Cgd01=Par ( 8 ) ∗1 e −15;
85 gm01=Par ( 1 ) ∗1 e −3;
88
89 i f x<50
91 Ri1=Ri01 ;
92 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
93 +(300/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
94 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
95 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
96 −(160/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
97 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
98 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
99 +(80/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
100 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
101 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) )
102 +(1000/(NOF1∗UGW1∗1 e6 ) ) ;
103 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
104 else
106 Ri1=Ri01 ;
107 Cgs1=Cgs01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
108 Cgs1=Cgs1 ∗1 e −15;
109 Cds1=Cds01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
110 Cds1=Cds1 ∗1 e −15;
111 Rds1=Rds01 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF1∗UGW1) ) ;
112 gm1=gm01 ∗ (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
113 Cgd1=Cgd01 ∗1 e15 ∗ ( (NOF1∗UGW1) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
114 Cgd1=Cgd1∗1 e −15;
115 end
116
117
119
120 VDS2=z z ;
121 VGS2=t t ;
122
123 i f VGS2==−0.5
124 i i i =1:4;
125 e l s e i f VGS2==−0.3
126 i i i =5:8;
127 else
128 i i i =9:12;
129 end
130
131 i n d 1 1=f i n d (A==VDS2) ;

132
133
135 i n d 1 1 1=i n d 1 1 ( j j j ) ;
136 f o r kk =1: l e n g t h ( i i i )
137 i i 1 1= i i i ( kk ) ;
138 i f i n d 1 1 1==i i 1 1
139 i n d 2 2=i n d 1 1 1 ;
140 end
141 kk=kk +1;
142 end
143 j j j = j j j +1;
144 end
145
146 i f xx<50
148 else
150 end
151
152 Ri02=Par2 ( 5 ) ;
153 Cgs02=Par2 ( 3 ) ∗1 e −15;
154 Cds02=Par2 ( 6 ) ∗1 e −15;
155 Rds02=Par2 ( 7 ) ;
156 Cgd02=Par2 ( 8 ) ∗1 e −15;
157 gm02=Par2 ( 1 ) ∗1 e −3;
160
161 i f xx<50
163 Ri2=Ri02 ;
164 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
165 +(300/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
166 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
167 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
356 Apéndice D
168 −(160/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
169 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
170 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) )
171 +(80/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
172 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
173 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 4 ∗ 2 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) )
174 +(1000/(NOF2∗UGW2∗1 e6 ) ) ;
175 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 4 ∗ 2 5 e −6) ;
176 else
178 Ri2=Ri02 ;
179 Cgs2=Cgs02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
180 Cgs2=Cgs2 ∗1 e −15;
181 Cds2=Cds02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
182 Cds2=Cds2 ∗1 e −15;
183 Cgd2=Cgd02 ∗1 e15 ∗ ( (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ) ;
184 Cgd2=Cgd2∗1 e −15;
185 Rds2=Rds02 ∗ ( ( 2 ∗ 7 5 e −6) / (NOF2∗UGW2) ) ;
186 gm2=gm02 ∗ (NOF2∗UGW2) / ( 2 ∗ 7 5 e −6) ;
187 end
188
189 %% C a l c u l o s
190
191 C22=800e −15; %Capacida a d i c i o n a l

192 R2=Rds1 ;
193 R3=Rds2 ;
194 C1=Cgs1 . ∗ C22 . / ( Cgs1+C22 ) ;
195 C4=Cgs2 ;
196
197 C2=Cds1 ;
198 C5=Cds2 ;
199
200 C3=Cgd1 ;
201 C6=Cgd2 ;
202
203 Z l =50;
204 f =0e9 : 0 . 1 e9 : 8 0 e9 ; % F r e c u e n c i a
205 w=2∗ p i ∗ f ;
206
207 A=gm1 ;
208 B=gm2 ;
209
210 C=1./R3 ;
211 D=1./R2 ;
212 E=1./ Ri ;
213 F=C3+C1 ;
214 G=B+C+D;
215 H=C4+C5+C2+C3 ;
216 I=C+B ;
217 K=C+1./ Z l ;
218 L=C5+C6 ;
219 M=C3 . ∗ C3−F . ∗H;
220 N=E . ∗G;
221 O=A. ∗ C3+E . ∗H+G. ∗ F ;
222 P=E . ∗C ;
223 Q=F . ∗ C5 ;
224 R=E . ∗ C5+F . ∗C ;
225 S=O. ∗K+L . ∗N;
226 T=M. ∗K−O. ∗ L ;
227 U=N. ∗K;
228 V=L . ∗M;
229 X=P . ∗ I ;
230 Y=Q. ∗ I+C5 . ∗R;
231 Z=R. ∗ I+C5 . ∗ P ;
232 AA=−C5 . ∗Q;
233 BB=U−X;
234 CC=T+Y;
235 DD=S−Z ;
236 EE=V−AA;
237 FF=−A. ∗ I ;
238 GG=−C3 . ∗ C5 ;
239 HH=−A. ∗ C5+C3 . ∗ I ;
240
241 aux1=(FF+w. ∗w. ∗GG) . ∗ (BB+w. ∗w. ∗CC) ;

242 aux2=HH. ∗ (DD+w. ∗w. ∗EE) ;
243 aux3=HH. ∗ (BB+w. ∗w. ∗CC) ;
244 aux4=(DD+w. ∗w. ∗EE) . ∗ ( FF+w. ∗w. ∗GG) ;
245 aux5=aux3−aux4 ;
246 aux6=w. ∗ aux5 ;
247 aux7=aux1+w. ∗w. ∗ aux2 ;
248
249 daux6=HH. ∗BB+3.∗w. ∗w. ∗CC. ∗HH−DD. ∗ FF−3.∗w. ∗w. ∗GG. ∗DD
250 −3.∗w. ∗w. ∗EE. ∗ FF−5.∗w. ∗w. ∗w. ∗w. ∗GG. ∗EE ;
251 daux7 =2.∗w. ∗CC. ∗ FF+2.∗w. ∗GG. ∗BB+4.∗w. ∗w. ∗w. ∗GG. ∗CC
252 +2.∗w. ∗HH. ∗DD+4.∗w. ∗w. ∗w. ∗EE. ∗HH;
253
358 Apéndice D
254 % Retardo de grupo

255 gd=−((daux6 . ∗ aux7−aux6 . ∗ daux7 ) . / ( aux6 . ∗ aux6+aux7 . ∗ aux7 ) ) ;
256
257 % V a r i a c i o n d e l r e t a r d o de grupo
258 Var gd=(max( gd ) ) −(min ( gd ) )
259
261 figure (1)
262 s e m i l o g x ( f , gd )
264 y l a b e l ( ’ gd ( s ) ’ )
Apéndice E
Lista de Acrónimos
Mayúsculas
A Ampere o amperio.
A, B, C, D Parámetros de transmisión de una red de dos puertos.
AC Alternating current (corriente alterna).
ADS Advanced Design System.
AN SI American National Standards Institute (Instituto
nacional americano de estandarización).
AOM Acousto-Optic Modulator (modulador acusticoóptico).
As Arsénico.
AsGa Aseniuro de galio.
BCB Capa adicional de protección de la tecnologı́a PL15-12.
BER Bit Error Rate (error de bit).
BW1 dB Ancho de banda 1 dB.
BW3 dB Ancho de banda 3 dB.
Cds Capacidad entre el drenador y el surtidor de un
transistor FET.
Cgd Capacidad entre la puerta y el drenador de un transistor
FET.
Cgs Capacidad entre la puerta y el surtidor de un transistor
FET.
CM OS Complementary Metal Oxide Semiconductor
(semiconductor complementario de óxido metálico).
Cte Constante.
C1 Capacidad adicional en la puerta del transistor en puerta
común (F).
C2 Capacidad adicional en la puerta del transistor en fuente
común (F).
359
360 Apéndice D
D Drain o drenador de un transistor.

DA Distributed Amplifier (amplificador distribuido).
DRC Design Rule Check (chequeo de las reglas de diseño).
DU T Device under test (dispositivo bajo prueba).
EAM Electro-Absorption Modulator (modulador de
electroabsorción).
EM Simulación electromagnética.
EOM Electro-Optic Modulator (modulador electroóptico).
Exd Parámetro de progresión de la lı́nea de drenador.
Exg Parámetro de progresión de la lı́nea de puerta.
F Faradios.
F Figura de ruido.
F ET Field-Effect Transistor (transistor de efecto de campo).
Fmax Frecuencia máxima (Hz).
Fmin Figura de ruido mı́nima.
G Gate o puerta de un transistor.
Ga Galio.
GaN Nitruro de galio.
Gbps Gigabits por segundo (109 bits por segundo).
GDV Group Delay Variation (variación del retardo de grupo).
Ge Germanio.
Gf = G Ganancia directa (dB).
Gr Ganancia inversa (dB).
Gv Ganancia en tensión (dB).
H Henrio.
HB Harmonic Balance (balance armónico).
HBT Heterojunction Bipolar Transistor (transistor de
heterounión).
HEM T High Electron Mobility Transistor (transistor de alta
movilidad de electrones).
Hz Hertz o hercio (s−1 ).
H(ω) Función de transferencia.
Im Parte imaginaria de un número complejo.
IT U International Telecommunication Union (unión
internacional de telecomunicaciones).
K Factor de estabilidad de Rollet.
LCK Ley de corrientes de Kirchhoff.
Ld Inductancia de la lı́nea de drenador (H).
Lg Inductancia de la lı́nea de puerta (H).
MA Main Amplifier (amplificador principal).
Lista de Acrónimos 361
M ESF ET Metal-Semiconductor Field Effect Transistor (transistor

de efecto campo metal semiconductor).
M Hz Megahercio (106 Hz).
M1 Transistor en fuente común.
M2 Transistor en puerta común.
N Número de etapas amplificador distribuido.
N Nitrogeno.
NF Noise Figure (figura de ruido) (dB).
N Fmin Figura de ruido mı́nima (dB).
N OF Número de dedos de un transistor.
Np Neper.
N RZ Non-return-to-Zero (no retorno a cero).
P Factor numérico de Van der Ziel.
P AM Pulse-amplitude modulation (modulación de amplitud
de pulso).
P BRS Pseudorandom binary sequence (secuencia de bits
pseudoaleatoria).
Pi Potencia de entrada (W).
Po Potencia de salida (W).
PP Peak-to-peak (pico a pico).
Psat Potencia de saturación.
QF N Quad Flat No-Lead.
R Factor numérico de Van der Ziel.
Rds Resistencia entre el drenador y el surtidor de un trasistor
FET.
Re Parte real de un número complejo.
Ri Resistencia del canal.
RM S Root-Mean-Square (raı́z cuadrada media).
RZ Return-to-Zero (retorno a cero).
S Siemen (Ω−1 ).
S Source o fuente de un transistor.
SDH Synchronous Digital Hierarchy.
Si Silicio.
SiGe Silicio-germanio.
S/N Signal-to-noise ratio (dB), (relación señal a ruido).
SN R Signal-to-noise ratio (dB), (relación señal a ruido).
SON ET Synchronous Optical Networking.
T Temperatura (o C).
T ecno. Tecnologı́a de fabricación.
Tpd Tiempo de propagación de la lı́nea de drenador (rad).
362 Apéndice D
Tpg Tiempo de propagación de la lı́nea de purta (rad).

TWA Travelling Wave-Amplifier (amplificador de onda
viajera).
U gw Anchura de la puerta de un transistor (m).
UI Unit Interbal (1 periodo de bit).
V Voltaje (Voltios).
Vb Tensión de polarización (V).
Vd Tensión de drenador (V).
VDG Tensión de ruptura (V).
Vds Tensión entre el drenador y el surtidor (V).
Vg Tensión de la puerta (V).
Vgs Tensión entre la puerta y el surtidor (V).
Vg1 Tensión de la puerta del transistor en fuente común (V).
Vg2 Tensión de la puerta del transistor en puerta común (V).
Vi Tensión de entrada (V).
Vo Tensión de salida (V).
Vpp Voltios pico a pico (V).
Vrms Voltios rms (V).
Vs Tensión de modulación (V).
W Watt o vatio.
Zi Impedancia imagen o caracterı́stica.
Zid Impedancia imagen de la lı́nea de drenador.
Zig Impedancia imagen de la lı́nea de puerta.
Zd Impedancia caracterı́stica drenador.
Zg Impedancia caracterı́stica de puerta.
Z1 ,Z2 Impedancias del modelo general en T de una red de dos
puertos.
Minúsculas
a Parte real de un número complejo.

a.C Antes de Cristo.
arg Argumento o fase de una función de transferencia.
b Parte imaginaria de un número complejo.
bof f Nivel del 0 lógico.
bon Nivel del 1 lógico.
cc Cascodo.
cos Coseno.
cosh Coseno hiperbólico.
Lista de Acrónimos 363
dB Decibelios.
dB/Km Decibelios por kilómetro.
fF Femtofaradio (10−15 F).
f req Frecuencia (Hz).
ft Frecuencia de corte (Hz).
gm Transconductancia de un transistor.
h Altura del dieléctrico.
h11 , h12 , h21 , h22 Parámetros hı́bridos de una red de dos puertos.
i Posición de la celda de ganancia en el amplificador
distribuido.
kd Parámetro de inductancia mutua lı́nea de drenador.
kg Parámetro de inductancia mutua lı́nea de puerta.
ld Longitud de la lı́nea de drenador (m).
lg Longitud de la lı́nea de puerta (m).
ln Logaritmo neperiano.
m Metros.
n Número de etapas del amplificador distribuido.
nm Nanómetros (10−9 m).
n1 Índice de refracción del núcleo.
n2 Índice de refracción del revestimiento.
pF Picofaradios (10−12 F).
rad Radiantes.
rcel Posición de la celda de ganancia del amplificador
distribuido.
s Segundos.
sc Transistor en fuente común.
sin Seno.
sinh Seno hiperbólico.
t Altura de la metalización de la lı́nea microstrip.
tf Tiempo de bajada (s).
tr Tiempo de subida (s).
trms
TJ Jitter rms (s).
y11 , y12 , y21 , y22 Parámetros de admitancia de una red de dos puertos.
z11 , z12 , z21 , z22 Parámetros de impedancia de una red de dos puertos.
Letras griegas
∆ Factor de estabilidad de Rollet.

Ω Ohmio.
364 Apéndice D
α Coeficiente de atenuación (Np/m).

αd Coeficiente de atenuación de la lı́nea de
drenador(Np/m).
αg Coeficiente de atenuación de la lı́nea de puerta (Np/m).
β Constante de fase (rad/m).
βd Constante de fase de la lı́nea de drenador (rad/m).
βg Constante de fase de la lı́nea de puerta(rad/m).
ef f Permitividad efectiva del dieléctrico.
r Permitividad relativa del dieléctrico.
γ Función de propagación.
ω Frecuencia angular (rad/s).
ω Anchura de la lı́nea microstrip (m).
ωc Frecuencia angular de corte (rad/s).
ωcd Frecuencia de corte de la lı́nea de drenador (rad/s).
ωcg Frecuencia de corte de la lı́nea de puerta (rad/s).
ωd Anchura de la lı́nea de drenador (m).
ωg Anchura de la lı́nea de puerta (m).
µ Micro (10−6 ).
µ Factor de estabilidad de Edwards-Sinsky.
ηopt Número óptimo de etapas en un amplificador
distribuido.
τg Retardo de grupo (s).
φ Fase de la función de transferencia (rad).
∂ Derivada parcial.

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UNIVERSIDAD DE CANTABRIA

Departamento de Ingenierı́a de Comunicaciones

Contribución metodológica al estudio y

Autora: Laura Diego Arroyo

Tesis Doctoral para la obtención del tı́tulo de Doctora por la Universidad

Santander, Abril de 2017

Que la Tesis titulada: “Contribución metodológica al estudio y

Santander, Abril de 2017.

Fdo. Da Amparo Herrera Guardado

A la memoria de Ma Isabel Arroyo Garcı́a

Autora: Laura Diego Arroyo

Directora de la Tesis: Amparo Herrera Guardado

En los últimos años, los sistemas de comunicaciones han sufrido una

Author: Laura Diego Arroyo

PhD Advisor: Amparo Herrera Guardado

2. Introducción a las Comunicaciones Ópticas 5

3. Los amplificadores distribuidos 75

3.3.2.3. Retardo de grupo. . . . . . . . . . . . . . . . 113

4. Diseño de un Amplificador Distribuido: Single Driver 157

4.5.4. Diagrama de ojo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 191

5. Diseño de un Amplificador Distribuido: Quad Driver 217

6. Conclusiones y lı́neas futuras 249

6.2.1. Estudio teórico de las diferentes topologias de celda de

A. Redes de dos puertos 257

B. Diagrama de ojo 275

C. Tecnologı́a PL-1512 285

C.3.3.2. MESA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 292

D. Rutinas de Matlab R 299

E. Lista de Acrónimos 359

2.1. Grabado de un telégrafo óptico de Chappe. . . . . . . . . . . . 6

2.25. Comparativa entre los tiempo de respuesta de un LED (izq) y

3.1. Amplificador distribudio descrito por Ginzton et al. . . . . . . 77

3.4. Amplificador distribuido de N etapas. . . . . . . . . . . . . . . 79

3.26. Modelo en pequeña señal de la etapa de ganancia en

3.44. Esquema utilizado para el cálculo del retardo de grupo de una

4.1. Vistas del encapsulado QFN. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159

4.4. Celda de ganancia utilizando el modelo simplificado en

4.25. Substrato sin BCB definido por la librerı́a PL15-12. . . . . . . 181

5.1. Divisor de tensión. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 221

5.10. Variación de la figura de ruido con la temperatura. . . . . . . 227

5.34. Diagrama de ojo a la salida de los cuatro canales para una

A.1. Definición estándar de una red de dos puertos. . . . . . . . . . 257

B.1. Construcción del diagrama de ojo mediante la superposición

C.1. Corte transversal de la tecnologı́a PL15-12. . . . . . . . . . . . 287

C.11.Modelo equivalente de una inductancia cuadrada. . . . . . . . 295

2.1. Parámetros generadores de penalizaciones de potencia [8]. . . . 17

3.1. Correspondencia entre las impedancias de una estructura en

4.1. Especificaciones generales del amplificador distribuido. . . . . 158

4.2. Especificaciones del predriver. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 158

5.1. Especificaciones generales de cada canal del driver. . . . . . . 218

A.1. Parámetros de una red dos puertos. . . . . . . . . . . . . . . . 258

C.1. Parámetros principales de la tecnologı́a PL15-12. . . . . . . . . 286

En las últimas décadas los sistemas de comunicaciones han experimentado

Diseño de un driver de un sólo canal integrado en un encapsulado

El trabajo realizado se ha estructurado en varios bloques, cuyos resultados

manteniendo muchos de los requerimientos del anterior diseño. Además, se

El rápido crecimiento en la demanda de redes de telecomunicaciones con

2.1. Breve historia

se consideran estos sistemas en el sentido más amplio.

Figura 2.1: Grabado de un telégrafo óptico de Chappe.

Este sistema de comunicación consistı́a en una cadena de torres situadas

en cuyos extremos habı́a dos pequeñas piezas de menor longitud llamadas

Figura 2.2: Código alfabético y numérico de Chappe.