igual manera, la corriente iD en el diodo

3.1. CARACTERÍSTICAS DEL se DIODO

referencia como positiva cuando circula de
ánodo a cátodo.
nte fluye a Puede observarse
El diodo en la curva
es un dispositivo característica
electrónico de gran que, si la tensión
importancia, que posee vD dos
es positiva
terminales:en el
l diodo en la el ánodo y el cátodo. El símbolo del diodo se muestra en la
diodo, pasa un flujo de corriente grande incluso con pequeñas tensiones. Esta condi- Figura 3.1(a), mientras
que indica la
ción se que en la Figura
denomina 3.1(b) se muestra
polarización directa.su característica tensión-corriente.
Así, la corriente Como seave
fluye fácilmente en la del
través
Figura 3.1(a), la tensión vD en el diodo se toma como positiva de ánodo a cátodo. De
diodo enigual la dirección que indica la flecha o el símbolo del diodo.
manera, la corriente iD en el diodo se referencia como positiva cuando circula de
res
amente
Por ánodo a cátodo. valores moderadamente negativos de vD, la corriente iD es muy
otra parte, para
pequeña. APuede
esto observarse CENTRO
se le llama TECNOLÓGICO DE AVANZADA
s de La , la
vDcorriente fluye a enregión
la curvadecaracterística
polarización que,inversa, como
si la tensión puede
vD es verse
positiva en la
en el
muydel diodo curva
iD estravés en la característica diodo. AREA
Si seDE MECATRÓNICA
diodo, pasa un flujo de corriente grande incluso con pequeñas tensiones. Esta condi-sufi-
del aplica una tensión de polarización inversa
dirección que indica la
flecha. cientementeCódigo:
ción CM03 al polarización
segrande
denomina diodo,ELECTRÓNICA
directa.
su modo deDE POTENCIA
Así, la corriente
operación fluye
entra enfácilmente
la regióna través del
de ruptura
Laboratorio: D-24
ca una tensión diodo
Duración: en la
2 dirección
Hs que indica
DISPOSITIVOS la flecha o
SEMICONDUCTORES:el símbolo del
DIODOS
inversa o zona de avalanza, permitiendo el flujo de una elevada corriente. Mientrasdiodo.
Para valores
zaciónmoderadamenteque2.1.
Por otra
la potencia parte, para
disipada
Características en valores
el diodomoderadamente
no Diodos negativos de
eleve demasiado su vtemperatura,
D, la corriente iel
D es muy de
modo
mente grande
negativos de v , la pequeña. A esto se le llamade los
región de polarización inversa, como puede verse en la
permite
corriente
D
D
trabajo en
el i es muy curvaruptura inversadel
característica nodiodo.
destruirá
Si seelaplica
dispositivo. De de
una tensión hecho, veremos
polarización que asufi-
inversa menu-
na corriente.
pequeña. do se hace
Objetivos trabajar deliberadamente a los diodos en la región de
cientemente grande al diodo, su modo de operación entra en la región de ruptura ruptura inversa.
Si se aplica una tensión inversa o zona de avalanza, permitiendo el flujo de una elevada corriente. Mientras
1. Conocer las características y parámetros de los diodos.
de polarización que la potencia disipada en el diodo no eleve demasiado su temperatura, el modo de
suficientemente grande
Diodos de pequeña señal
al diodo, permite el trabajo en ruptura inversa no destruirá el dispositivo. De hecho, veremos que a menu-
2.1.1.
flujo de una corriente. do seCaracterísticas del Diodoa los diodos en la región de ruptura inversa.
hace trabajar deliberadamente
Para fabricar
El diododiodos, se utilizan
es un dispositivo diversos
electrónico de materiales y estructuras.
gran importancia, que posee Por el momento,
dos terminales:
limitaremos
el ánodo
Diodosynuestro estudio
cátodo.
el de aseñal
los del
El símbolo
pequeña diodos
diodode silicio de
se muestra en pequeña señal, ,que
la Figura 2.1.(a) pueden
mientras
que en la Figura 2.1.(b) se muestra su característica tensión-corriente. Como se ve en la
2.1.(a),
Parala fabricar vD en el
tensión diodos, se diodo se diversos
utilizan toma como positivay de
materiales ánodo a Por
estructuras. cátodo. De igual
el momento,
limitaremos nuestro iD silicio de pequeña señal, que pueden
manera, la corriente iD enestudio
el diodoa los diodos de
se referencia como positiva cuando circula de ánodo
a cátodo. Ánodo Cátodo
+ vD − iD
Ánodo Cátodo
(a) Símbolo del circuito
+ vD −
(a) Símbolo del Diodo
(a) Símbolo del circuito
iD

iD

vD
vD
Región Región de Región de
Región Región de Región de
de ruptura polarización polarización
de ruptura polarización polarización
inversa inversa inversa
inversa directa
directa

(b) (b) Curva característicatensión-corriente

tensión-corriente
(b) Curva
Curva característica
característica tensión-corriente
Figura 3.1. Diodo semiconductor.
Figura
Figura 3.1. Diodo semiconductor.
2.1:Diodo semiconductor.

Idealmente los diodos se comportan de la siguiente manera:

Si la tensión vD > VF , el diodo conduce iD 6= 0, a esta configuración se la llama

polarización directa.
Si la tensión vD < VF , el diodo está bloqueado iD = 0, a esta configuración se la
llama polarización inversa.

Pedro Ramírez <pedroramirez22@gmail.com> 1

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AREA DE MECATRÓNICA
Código: CM03 ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Laboratorio: D-24
Duración: 2 Hs DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: DIODOS

La tensión VF , es la tensión de forward(en directa), es la tensión a partir de la

cual el diodo pasa de su estado de bloqueo a conducción. Una vez que el diodo está
conduciendo, existe una corriente máxima que no debe ser sobrepasada, esta corriente es
llamada corriente en directa IF .
Cuando el diodo está en polarización inversa, idealmente la corriente iD = 0, pero en
realidad circula una pequeña corriente del K al A, a esta corriente se la llama corriente en
reversa IR , es una corriente muy pequeña en el orden de los ηA, Al aumentar la tensión
en polarización inversa, aumenta la IR , a tal punto que a cierta tensión el diodo no logra
soportar y se daña, a esta tensión en inversa máxima se la llamaCapítulo 3. Diodos y circuitos con diodos
voltaje de ruptura VR . 1

iD

10 mA

"Codo"

vD
−100 V −1 nA 0,6 V

Figura 3.2. Curva característica

Figura 2.2: Curva tensión-corriente para un diodo
característica tensión-corriente típico
de un dediodo
cierto silicio de pequeña
señal a una temperatura de 300o K. Tenga en cuenta los cambios de escala.
De la Figura 2.2 se pueden sacar los siguientes parámetros

VF = 0,6V .
encontrarse comúnmente en circuitos electrónicos de baja y media potencia. Uno de
IF = 10mA.
esos diodos discretos es el 1N4148, distribuido por varios fabricantes. Los diodos en
IR = −1ηA.
los circuitos integrados tienen características similares a las de los diodos discretos de
pequeña señal.
EnVlaR = −100V
Figura 3.2. se muestra la curva característica de un diodo típico de silicio de
pequeña señal trabajando a una temperatura de 300o K. Observe que las escalas para la
Hayyque
tensión tener en en
la corriente cuenta la potencia
la región máxima que
de polarización el diodo
directa está diseñado
son diferentes a lasautilizadas
soportar
en la región de polarización inversa. Esto ayuda a presentar con claridad los detalles
de la curva característica ya que los Pvalores
D = vDde × corriente
iD son mucho más pequeños, (2.1)
y
los de tensión mucho más grandes, en la región de polarización inversa
Recordemos que mientras más potencia disipa el diodo más se calienta. que en la re-
gión de polarización directa.
En la región de polarización directa, los diodos de silicio de pequeña señal condu- A medida que aume
cen muy poca corriente (mucho menos de 1 mA), hasta que se aplica una tensión di- la temperatura, la
tensión de codo
recta de 0,6 a 0,7 V (suponiendo que el diodo se encuentra a una temperatura de apro- disminuye a razón d
ximadamente 300o K). Entonces, la corriente aumenta muy rápidamente a medida que aproximadamente 2
mV/K.
se sigue incrementando la tensión. Decimos que la curva característica de polarización
directa presenta un codo sobre los 0,6 V. A medida que aumenta la temperatura, la
Pedro Ramírez
tensión de codo<pedroramirez22@gmail.com>
disminuye a razón de aproximadamente 2 mV/K. 2
En la región de polarización inversa, para diodos de silicio de pequeña señal a Una regla empírica
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Código: CM03 ELECTRÓNICA DE POTENCIA
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2.1.2. Análisis de Línea de Carga

La curva característica tensión-corriente de los diodos no es lineal. Los métodos grá-
ficos constituyen un enfoque para analizar este tipo de circuitos. Capítulo 3. Diodos y circuitos con d
Por ejemplo, consideremos el circuito de la Figura 2.3.
Supongamos que los valores de VSS y de R se conocen, y que deseamos hallar iD y vD.
Así, la Ecuación (3.1) tiene dos incógnitas, por loiDque se necesita otra relación entre iD
y vD para hallar una solución. La +relaciónvDnecesaria − se ve de forma gráfica en la Figura
3.5, en la que se muestra la curva característica tensión-corriente del diodo.
Podemos obtener la solución − V trazando la Ecuación (3.1) en los mismos ejes que la
+ SS R
curva característica del diodo. Como esta ecuación es lineal, se representa como una
línea recta que se puede dibujar si hallamos dos puntos que satisfagan la ecuación.
Un método sencillo para hallar estos puntos es suponer que iD % 0. Entonces la Ecua-
ción (3.1) queda así: Figura vD %2.3: VSS.Circuito
Este para
par elde valores
análisis aparece
de la línea como el punto A en la
de carga.
Figura 3.5. Hallamos un segundo punto suponiendo que vD % 0, en cuyo caso la ecua-
ción queda Aplicando
como laiDley
%de VSStensiones
/R. Estadepareja
Kirchoff,depodemos
valoresescribir
aparece como el punto B en la
Figura 3.5. Entonces, uniendo los puntos A y B, se obtiene una línea que se denomina
VSS = RiD + vD
línea de carga. El punto de trabajo es la intersección de la línea de carga (2.2) y la curva
característica del diodo.
Supongamos que losElvalores
puntodede VSStrabajo
y de R representa
se conocen, ylaque solución
deseamossimultánea
hallar iD y de la
v
EcuaciónD . Así, la Ecuación 2.2 tiene dos incógnitas,
(3.1) y de la característica del diodo. por lo que se necesita otra relación entre iD
y vD para hallar una solución. La relación necesaria se ve de forma gráfica en la Figura
2.4, en la que se muestra la curva característica tensión-corriente del diodo.

iD

Punto B
VSS
vD = 0, iD =
R
Curva característica del diodo

Punto de trabajo

Línea de carga

Punto A
(vD = VSS , iD = 0)

vD
VSS

Figura 2.4: Análisis de la línea de carga

Figura 3.5. Análisis de la línea de carga del circuito de la Figura 3.4.

Ejemplo 3.1.
Pedro Ramírez Construcción de la línea de carga en un
<pedroramirez22@gmail.com> 3
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Laboratorio: D-24
Duración: 2 Hs DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: DIODOS

Podemos obtener la solución trazando la Ecuación 2.2 en los mismos ejes que la curva
característica del diodo. Como esta ecuación es lineal, se representa como una línea recta
que se puede dibujar si hallamos dos puntos que satisfagan la ecuación.
Un método sencillo para hallar estos puntos es suponer que iD = 0. Entonces la
Ecuación 2.2 queda así: vD = VSS . Este par de valores aparece como el punto A en
la Figura 2.4. Hallamos un segundo punto suponiendo que vD = 0, en cuyo caso la
ecuación queda como iD = VR SS
. Esta pareja de valores aparece como el punto B en la
Figura 2.4. Entonces, uniendo los puntos A y B, se obtiene una línea que se denomina
línea de carga. El punto de trabajo es la intersección de la línea de carga y la curva
característica del diodo. El punto de trabajo representa la solución simultánea de la
Ecuación 2.2 y de la característica del diodo.

Práctica
1. Hallar el punto de trabajo para cada valor dado, luego hallar la potencia que está
disipando el diodo.

a) VSS = 2V , y R = 100Ω; Capítulo 3. Diodos y circuitos con

iD (mA)
20

15

10

0 vD (V)
0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0

Figura 3.7. Curva característica del diodo del Ejercicio 3.1.

3.3. EL MODELO DEL DIODO IDEAL

Aunque el análisis de la línea de carga de los circuitos con diodos nos proporciona
resultados precisos y reveladores, necesitamos modelos más simples para analizar con
Pedro Ramírez <pedroramirez22@gmail.com> 4
rapidez circuitos que contengan varios diodos. Un modelo muy útil para ello es el
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Duración: 2 Hs DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: DIODOS

b) VSS = 15V , y R = 1kΩ; Capítulo 3. Diodos y circuitos con diod

iD (mA)
20

15

10

0 vD (V)
0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0

c) VFigura
SS = 1V3.7.
, y RCurva Capítulo3.1.
característica del diodo del Ejercicio
= 20Ω; 3. Diodos y circuitos con diod

iD (mA)
3.3. EL MODELO
20 DEL DIODO IDEAL

Aunque el análisis de la línea de carga de los circuitos con diodos nos proporciona
resultados precisos
15 y reveladores, necesitamos modelos más simples para analizar con
rapidez circuitos que contengan varios diodos. Un modelo muy útil para ello es el
modelo del diodo ideal, un conductor perfecto con una caída de tensión cero en con-
ducción directa.
10 En conducción inversa, el diodo ideal es un circuito abierto.
Utilizaremos esta presunción de diodo ideal si podemos considerar la caída de tensión Utilizaremo
del diodo en directa y la corriente inversa como despreciables, o si preferimos una presunción
ideal si pod
comprensión básica
5 a un análisis exacto de un circuito. La curva característica tensión- considerar l
corriente del diodo ideal se muestra en la Figura 3.8. Si iD es positiva, vD es cero, y tensión del
directo y la
decimos que el diodo está en conducción. Por otra parte, si vD es negativa, iD es cero, inversa com
y decimos que0 el diodo está al corte. vD (V) despreciabl
0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 preferimos
comprensió
Figura 3.7. Curva característica
iD del diodo del Ejercicio 3.1. un análisis
un circuito.

3.3. EL MODELO DEL DIODO IDEAL

Diodo en conducción

Aunque el análisis de la línea de carga de los circuitos con diodos nos proporciona
resultados precisos y reveladores,Diodonecesitamos
al corte modelos
vD más simples para analizar con
rapidez circuitos
Pedro que contengan varios diodos. Un modelo muy útil para ello 5es el
Ramírez <pedroramirez22@gmail.com>
modelo del diodo ideal, un conductor perfecto con una caída de tensión cero en con-