Características mecánicas y eléctricas de los

componentes electrónicos utilizados para el proyecto

de seguidor de luz, su simulado 3d, PCB y el soporte
respectivo

Juan José Suárez Medina - Jaider Moya Barrios

Universidad Tecnológica de Bolívar
Electrónica I
Carlos Arenas
29/09/2023
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Elementos del cirucito

Diodo 1N40004: Proporciona una caída de tensión máxima de 0.93V en

polarización directa. soporta hasta un máximo voltaje pico en inverso 400V, hasta
280VRMS en temperatura ideal de 25 °C. Viene en Empaque DO-41. Ideal para
implementación de rectificador para fuente de alimentación o supresor de picos de corriente
en bobinas o relés. Especificaciones: Corriente directa: 1A. Máxima corriente sobretensión:
30A. Pico Corriente inverso: 5 uA. Voltaje inverso RMS: 280 V. Máximo voltaje inverso: 50
V. Potencia de disipación: 30 W. Tiempo de recuperación promedio: 2 us. Rango de
temperatura: -55°C 150°C.
Transistor 2N3904: Este dispositivo está diseñado como amplificador e
interruptor de propósito general. El rango dinámico útil se extiende a 100 mA como
interruptor y a 100 MHz como amplificador. Especificaciones: Voltaje colector – base: 40 V.
Voltaje colector – emisor: 60 V. Voltaje emisor – base: 6 V. Corriente colector: 200 mA.
Disipación de potencia: 625 mW. Rango de temperatura: -55 °C 150 °C. Empaque: TO-92.
Transistor TIP31: El transistor TIP31C hace parte de la familia de
semiconductores de potencia en encapsulado plástico TO-220 de muy alto desempeño que
puede usarse en diseños relacionados con aplicaciones de audio y conmutación rápida. Su
complemento es el TIP32C. Características: Transistor tipo: NPN Corriente máxima de
colector: 3A Voltaje máximo Colector-Emisor: 100V Voltaje de saturación colector-emisor
(Max) @,Ib,Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Máxima potencia: 2W Temperatura de operación
máxima: 150°C Encapsulado TO-220.
Transistor TIP32: TIP32C Transistor BJT PNP -100V / -3A TO-220,
semiconductor bipolar de alta potencia de juntura PNP. Este transistor es capaz de disipar
hasta 40W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 3A o que requieran
tensiones de hasta 100VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su
potencia de disipación máxima. Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE)
que varia de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 10 y 50. Dispositivo diseñado para
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el procesamiento de señales, administración de potencia, dispositivos portátiles, electrónica

de consumo e industrial, puede operar como amplificador de audio y driver. Principales
Características: Tipo de Encapsulado: TO-220 Transistor complementario TIP31C
Transistor equivalente a TIP32, TIP32A, TIP32B, NTE292 Transistor de Unión Bipolar
BJT Tipo PNP Voltaje Colector - Emisor (VCE): -100V Voltaje Colector - Base (VCB):
-100V Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V Corriente Colector (IC): -3A Corriente Base (IB):
-1A Potencia Máxima Disipada (PD): 40W Ganancia Máxima (hFE): 50 Frecuencia de
Trabajo (FT): 3 MHz.
fotoresistencia: Fotoresistencia LDR Fotocelda 10mm, es una resistencia que
disminuye su valor al aumentar la intensidad de la luz que incide sobre ella. Dentro de la
aplicaciones más populares para este sensor de luz tenemos: Sistemas de iluminación de
acuarios o reservas de animales, sistemas de alumbrado, medidor de luz para flash, radio
despertador, sistema de señalización en carretera, entre otros. Principales Características:
Voltaje de Operación Máximo: 200V Potencia Máxima: 200mW Pico Espectral: 560nm
Resistencia a 10 Lux: 10KΩ Resistencia en Oscuridad Máxima: 1M Ω Tiempo de
Respuesta: 30ms (milisegundos)
Motor dc: Eje de salida: 2.0mm. Voltaje: 3 V – 6V DC. Velocidad: 5000 RPM
3V-16500 rpm 6V. Peso: 14 g.
Resistencias de 27 y 1k ohms: ambas son de 1/2 Watt.
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PCB y simulado 3d

Figura 1
Esquema de circuito impreso

Figura 2
Visualización frontal 3d del diseño
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Figura 3
Diseño de la estructura