Video1: Transistores BJT

Este transistor es controlado por corriente a diferencia de los transistores FET los
cuales son controlados por Voltajes.
El inventor de los transistores BJT fue William Bradford Schochley, Premio Nobel de
Física.

Imaginar un diodo entre las partes, se forma un diodo, La región P (región

positiva) simples es el ánodo del diodo y la región N (región negativa) será
el cátodo del diodo.

NPN PNP
la dirección de la flecha indica que tipo de transistor es ya que s es la
dirección a la que apunta en diodo. Ambos diodos se encuentran en
oposición.
Ley de las corrientes de Kirchhoff: La suma de todas las corrientes que
entran a un punto (nodo o unión), es igual a la suma de todas las
corrientes que salen de ese punto. IE = IB+IC
La corriente de IB siempre será de 100 a 200 menor a la de IC.
El 1% de los electrones del emisor se recombinan con los huecos de la
base
IC>>IB
La corriente de Colector es casi igual a la del Emisor.
Con la Unión PNP es exactamente los mismo, perro debido a que las
regiones P (Colector, Emisor) se encuentran dopadas con huecos (cargas
positivas), para poder hacer operar al transistor BJT en la configuración
PNP, es necesario voltear las fuentes, cambiamos su polaridad.
 Video2: Curvas de transistor, región activa, región de corte, región
saturación.
Conceptos producto del modelo Ebers-MOLL primeros trabajadores de
esta área

La ganancia de corriente de cd de un transistor es la relación de la

corriente continua de colector y la corriente continua de la base.
Ganancia de corriente CD