DISPOSITIVOS

1- El Diodo
2 Transistor Bipolar
3 Transistor MOS
4 - Amplificador operacional

Dpto. Ing.Electrnica y Comunicaciones Universidad de Zaragoza

Dispositivos
1.- Diodos

1 - El Diodo
1.1 - Caractersticas elctricas
1.2 Modelo y caracterizacin del diodo
a) Modelo de gran seal y continua
b) Dinmica de la conmutacin
c) Modelo de pequea seal
1.3 El diodo zner
1.4- Otros tipos de diodos

1.1 - Caractersticas elctricas de un diodo semiconductor

Nomenclatura y curva caracterstica
IAK = Is ( e qVAK / KT 1 )

Is: corriente de saturacin inversa

q: carga del electrn
K: constante de Boltzman
T: K
KT/q 25mV

iAK

vAK

iAK

Aplicando tensin inversa no hay

conduccin de corriente
VR

v AK

ruptura inversa
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V=0,7V(Silicio)
0,3V (Germanio)
1,4V (GaAs)

Al aplicar tensin
directa en la unin
es posible la
circulacin de
corriente elctrica,
superada la
tensin umbral,
V
4

K iAK

1.2 - Modelos del diodo: a) Modelo de gran seal y continua

vAK

3 Aproximacin

2 Aproximacin

1 Aproximacin
iAK

iAK

i
1
AK
rd v AK

iAK

rd
v AK
vAK

vAK

ri M

0,7V

0,7V

Si VAK 0.7V
iAK>0A

Si VAK 0V

Si VAK 0.7V

0,7V

ON

Si 0 < VAK < 0.7V

0,7V

OFF

Si VAK < 0V
OFF

rd

iAK>0A

iAK>0A

ON

ON

iAK=0A

Si VAK < 0.7V

iAK=0A
OFF

Si VAK 0V

iAK=0A

iKA>0A

OFF
ri M
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Resumen expresiones modelos diodos gran seal

Estado

Aplicacin

Expresiones
modelo

ON
CONDUCCIN

Conmutacin:
Interruptor
cerrado

VAK = V
(VAK = 0 / 0,7 v)

OFF
CORTE

Conmutacin:
Interruptor
abierto

IAK = 0 A

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Expresiones comprobacin

IAK 0 A

VAK V

1.2. - Limitaciones del modelo del diodo gran seal

K iAK

iAK
Corriente mxima
Lmite trmico, seccin
del conductor

vAK
Tensin inversa mxima
Ruptura de la Unin por
avalancha

vAK

600 V / 6000 A
VR (Tensin inversa mxima)= 100V
IOMAX (AV)(Corriente directa mxima) =150mA
VF (Cada de Tensin directa)=1V
IR (Corriente inversa (a tensin dada)) = 25 nA

200 V / 60 A
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VR (Tensin inversa mxima)= 1000V

IOMAX (AV)(Corriente directa mxima) =1A
VF (Cada de Tensin directa)=1V
IR (Corriente inversa (a tensin dada)) = 50 nA
7

1.2.b Dinmica de la Conmutacin del diodo

UE

iS
+

UE

R
iS

Baja frecuencia

iS

Alta frecuencia

trr = tiempo de recuperacin inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en

el cual el diodo conduce corriente inversa.
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trr limita la velocidad

de conmutacin.
8

1.2.c - Modelos del diodo: Modelo de pequea seal (informativo)

- VAK variable con el tiempo

iAK

- Frecuencia alta
vAK

- Capacidades parsitas

POLARIZACIN DIRECTA

POLARIZACIN INVERSA

rd CD nF

ri MCT pF

rd
CD

rd, ri: resistencia equivalente

CD: capacidad de difusin
CT: capacidad de transicin

ri
CT

CD >> CT

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1.3 - El diodo Zner: regulacin de tensin

Diodo especial que se recupera de una ruptura zner:
Tensin constante con corriente variable
Curva caracterstica del Diodo Zner

vAK

i AK

Tensin Zner

Mnimo de
corriente inversa

Modelo en gran seal

en zona zner

Lmite de potencia
mxima

IZmax= Pmax /Vz

Expresin bsica:
IZmin < IZ < IZmax= Pmax /Vz
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vAK
i AK
Vz rz
Valor de Vz por fabricacin
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Resumen expresiones modelos diodos gran seal

Estado

Aplicacin

Expresiones
modelo

ON
CONDUCCIN

Conmutacin:
Interruptor
cerrado

VAK = V

Expresiones comprobacin

IAK 0 A

(VAK = 0 / 0,7 v)
OFF
CORTE

Conmutacin:
Interruptor
abierto

IAK = 0 A

{-Vz } VAK V
(comparar con Vz slo si zner)

ZNER

Regula V

VAK = -Vz

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IAK 0 A

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1.4 Otros tipos de diodos

1.4.1 - El diodo LED: Light Emitting Diode
1.4.2 - El fotodiodo
1.4.3 - Clulas fotovoltaicas
1.4.4 - Diodo Schottky

1.4.1 - El diodo LED: Light Emitting Diode

Smbolo
K

Circuito polarizado en directa

i

AK

iON

IFmax

vON

iON

AK

Expresin bsica:
R = (V Von) / Ion

Curva caracterstica
decenas de mA
Punto de
polarizaci
n del LED

= vON

Cuando un electrn pasa de un nivel de energa superior a uno

inferior (se recombina con un hueco), emite un fotn cuya energa
equivale al salto de energa del electrn

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La energa de la partcula-onda fotn define su longitud

de onda su color no se debe al plstico, sino al
material semiconductor

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1.4.2 - El fotodiodo
Smbolo y conexin

Polarizado en inversa

Modelo

i
V

iL
R

iopt

Vout

vout RiL R f luz

Cuando un electrn recibe un cuanto de energa adecuado,

pasa de la banda de valencia a la de conduccin (generacin
e--h+)

Cuanta ms energa reciben los electrones de un

semiconductor, ms electrones saltan a la banda de
conduccin se hace ms conductor (en inversa).
Se usan en el tercer cuadrante.

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Expresin bsica:
I = f(luz)

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1.4.3 - Clulas fotovoltaicas (informativo)

i
VCA

V
Zona
uso

iCC

Cuando incide luz en una unin PN, la

caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
cuadrante.
El dispositivo puede usarse como generador.

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Paneles de
clulas
fotovoltaicas

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1.4.4 - Diodo Schottky

A NIVEL PRACTICO: CAMBIAN Vf, Ir, tr

id

IOmax

VR
iR

VF

Vd

BAL99LT1G
VR =
70 V
IOMAX (AV)= 100 mA
VF =
1V
IR =
2,4 uA
Precio = 0,04

Tensin inversa mxima

Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa

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Dispositivos muy rpidos (capacidades

parsitas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Cadas directas mas bajas (tensin umbral
0,3 V).

Unin Metal-semiconductor N. Producindose

el llamado efecto schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Aplicaciones en electrnica digital y de
potencia

BAS70LT1G
VR =
70 V
IOMAX (AV)= 70 mA
VF =
410 mV
IR =
0,1 uA
Precio = 0,23

Tensin inversa mxima

Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa
16

1.4.5 Asociaciones y aplicaciones de los diodos I (informativo)

DISPLAY 7 segmentos

Puente rectificador
Monofsico
LED RGB

Trifsico

Diodo de alta tensin

Pantallas

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1.4.5 Asociaciones y aplicaciones de los diodos II (informativo)

Comunicaciones por fibra ptica

Iluminacin

Detectores reflexin de objeto

Detectores
de humo
Objetivo

Sensores de
color

LED azul
LED

LED verde
LED rojo

Fotodiodo

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Detectores de barrera
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1.4.5 Asociaciones y aplicaciones de los diodos III (informativo)

Lectores pticos

Comunicacin
inalmbrica
infrarroja

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DISPOSITIVOS
2.- Transistores bipolares

2 Analoga hidrulica
Regulacin: FUENTE DE
CORRIENTE CONTROLADA

Conmutacin: On / Off

NPN: Colector

Colector
Base

Base

+
Emisor

Emisor

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3.2.2 - Zona Activa: b) Cmo esperamos que sea el funcionamiento?

C
B

Podemos pensar en un
equivalente con 2
diodos entre E y C

La conduccin
entre C y E no
debera ser
posible

E
E

Pero por su proximidad

las uniones PN se
influyen entre si: uniones
acopladas

iR

FiF

iF

RiR
E

Aparece el efecto transistor:

La capacidad de conducir
corriente de la unin C-B es
proporcional a la corriente de
base ()

Las
corrientes en
las uniones
se afectan
mutuamente
(EbbersMoll).
Predomina la
corriente del
emisor

Ic = Ib

B
E

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22

3.2.2 - Zona Activa: d) Modelo de gran seal

NPN:

VC
VB

VCE

Imponemos:
VBE = 0.7V
VCE 0.7V

VBE

VE

IB

VB

IC

VCE 0.7V

VBE = 0.7V
IE

PNP:

VE

VEB
VB

VEC

IE
Imponemos:
VEB = 0.7V
VEC 0.7V

VC

VC

VE
VE

VEB = 0.7V
IB

VB

VEC 0.7V

IC
VC

NPN-PNP

VBE = 0.7V IC = FIE F < 1; (F 0.995) factor de inyeccin

=Sentido real

VCE > 0.7V IC = FIB F 100 300; factor de amplificacin

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3.2.3 - Zona de saturacin: a) Modelo de gran seal

NPN:

VC
VB

VCE

Imponemos:
VBE = 0.7V
VCE = 0.2V

VBE

IC

VE

IB

VB

VCE = 0.2V

VBE = 0.7V
IE

PNP:

VE

VEB
VB

VEC

IE
Imponemos:
VEB = 0.7V

IB

VC

=Sentido real

VE
VE

VEB = 0.7V

VEC = 0.2V

NPN-PNP

VC

VB
IC

VEC = 0.2V
VC

IC < FIB

VBE = 0.7V

IE = IB + IC

VCE = 0.1-0.2V (idealmente 0V)

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3.2.4 - Zona activa inversa: modelo de gran seal

CLAVES:

Polarizacin inversa de B-E y polarizacin directa de B-C.

Equivalente a la zona activa cambiando emisor por colector.
Por construccin se dopa ms el emisor que el colector para obtener F
elevada.
Ese diseo provoca: R < 1 NO UTILIZADO

NPN-PNP
=Sentido real

VBC = 0.7V

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IE = RIC
IE = RIB

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Resumen expresiones modelos transistores BJT

Estado

Polarizacin
b-e

Polarizacin
b-c

Aplicacin

Expresiones
modelo

CORTE

Inversa

inversa

Conmutacin:
Interruptor
abierto

IB = IC = IE = 0 A VBE < 0.7V

ACTIVA

Directa

Inversa

Lineal:
amplifica,
regula

SATURACIN

Directa

Directa

Conmutacin:
Interruptor
cerrado

VBE = 0.7V
IC = FIB
VBE = 0.7V
VCE = 0.1-0.2V

Expresiones
comprobacin

VCE 0.7V
(descarto saturacin)

IB 0

(descarto corte)

IC < FIB

(idealmente 0V)

Condicin estricta
[VCE 0.7V]
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3.3 - Configuraciones y curvas del BJT

3.3.1 - Configuraciones amplificadoras del BJT
3.3.2 - Curvas caractersticas del transistor bipolar

3.3.1 - Configuraciones amplificadoras del BJT

TERMINAL DE
ENTRADA

TERMINAL DE
SALIDA

CONFIGURACION
(TERMINAL COMUN)

EMISOR

COLECTOR

BASE COMUN

BASE

COLECTOR

EMISOR COMUN

BASE

EMISOR

COLECTOR COMUN

REGLAS:

La entrada siempre es la base si est libre

La salida siempre es el colector si est libre

Si un terminal est conectado a tensin continua, es el terminal comn

Un terminal puede ser comn sin estar conectado a tensin continua

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3.3.2 - Curvas caractersticas del transistor bipolar

Curvas paramtricas de salida de la configuracin en Emisor Comn:

i

curvas
isoampricas:
para iB constante

iB4
iB3

iB crece

iB2
iB1

ACTIVA
DIRECTA

vCE
SATURACION (vCE 0.1-0.2V, vCE< 0.7V )

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CORTE (iB=0)

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6.1.1 - El transistor NPN como interruptor controlable

Interruptor controlable con NPN:

Modo ON:
Para vcontrol alta, el transistor NPN
conduce en modo saturacin
(VCE=0V): la resistencia de carga
RCarga recibe toda la tensin Vcc.

VCC

Modo OFF:
Para vcontrol baja, el transistor
NPN entra en corte (VCE=Vcc): la
resistencia de carga RCarga no
recibe tensin.

RCarga

vcontrol RB

vo

vcontrol
Vcc
vcontrol-ON

vo
Vcc

ON
OFF

OFF
ON

0V

Condicin de diseo:
RB < RCarga ( vControl-ON V) / ( VCC VCE-sat ) RCarga vControl-ON / VCC

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