Diseño de Celdas Analógicas de Un Circuito Integrado para Medida de Impedancias Por Telemetría Inductiva

N° tesis: jcb
PROYECTO FIN DE CARRERA
Presentado a
LA UNIVERSIDAD DE LOS ANDES

FACULTAD DE INGENIERÍA
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
Para obtener el título de
INGENIERO ELECTRÓNICO
por
Juan Sebastián Moya Baquero
Diseño de celdas analógicas de un circuito integrado para medida de

impedancias por telemetría inductiva.
Sustentado el día mes de año frente al jurado:
Composición del jurado
- Asesor: Fredy Enrique Segura Quijano Ph. D., Universidad de Los Andes
- Coasesor: Juan Carlos Bohórquez Reyes Ph. D., Universidad de Los Andes
- Jurados : Antonio García Rozo, Profesor Titular. Universidad de Los Andes

Diseño de un circuito integrado para medida de impedancias por telemetría inductiva
2
Contenido
INTRODUCCIÓN ...................................................................................................................... 6
1 OBJETIVOS.................................................................................................................... 6
1.1 Objetivo General ...................................................................................................... 6
1.2 Objetivos Específicos .............................................................................................. 6
1.3 Alcance y productos finales ..................................................................................... 7
2 DESCRIPCIÓN DE LA PROBLEMÁTICA Y JUSTIFICACIÓN DEL TRABAJO .... 7
3 MARCO TEÓRICO, CONCEPTUAL E HISTÓRICO .................................................. 8
3.1 Marco Teórico .......................................................................................................... 8
3.2 Marco Conceptual .................................................................................................. 14
3.3 Marco Histórico ..................................................................................................... 14
4 DEFINICION Y ESPECIFICACION DEL TRABAJO .............................................................. 14
4.1 Definición .............................................................................................................. 14
4.2 Especificaciones ..................................................................................................... 14
5 METODOLOGÍA DEL TRABAJO.............................................................................. 15
5.1 Plan de trabajo ....................................................................................................... 15
5.2 Búsqueda de información ...................................................................................... 16
5.3 Alternativas de desarrollo ...................................................................................... 17
6 TRABAJO REALIZADO ..................................................................................................... 17
6.1 Descripción del Resultado Final ............................................................................ 18
6.2 Trabajo computacional .......................................................................................... 18
7 VALIDACIÓN DEL TRABAJO ............................................................................................ 19
7.1 Metodología de prueba .......................................................................................... 19
7.2 Validación de los resultados del trabajo ................................................................ 19
7.3 Evaluación del plan de trabajo ............................................................................... 36
8 DISCUSIÓN ..................................................................................................................... 37
9 CONCLUSIONES ............................................................................................................. 38
10 TRABAJO FUTURO ................................................................................................ 39
11 AGRADECIMIENTOS ................................................................................................... 39
12 REFERENCIAS ............................................................................................................. 40
13 APENDICES ................................................................................................................. 40
13.1 Apéndice 1.......................................................................................................... 40
13.2 Apéndice 2.......................................................................................................... 42
3
Índice de figuras
Figura 1. Esquema correspondiente a la telemetría inductiva. ............................................... 8

Figura 2. Esquema general de un sensor que utiliza telemetría inductiva. ............................. 8
Figura 3. Fuente de corriente tipo Bootstrap Reference. ........................................................ 9
Figura 4. Puntos de operación a partir de las corrientes que atraviesan al transistor y la
resistencia R. ......................................................................................................................... 10
Figura 5. Configuración correspondiente al rectificador. ..................................................... 11
Figura 6. Configuración correspondiente al amplificador operacional. ............................... 12
Figura 7. Configuración para poder obtener la ganancia en DC, la ganancia por ancho de
banda y el margen de fase..................................................................................................... 13
Figura 8. Actividades realizadas según el desarrollo del proyecto....................................... 16
Figura 9. Diagrama de Gantt correspondiente a las actividades realizadas del proyecto. .... 16
Figura 10. Diagrama de bloques correspondiente al trabajo realizado a lo largo del
proyecto. ............................................................................................................................... 18
Figura 12. Simulación correspondiente al valor de la corriente de la fuente tipo Bootstrap
reference. .............................................................................................................................. 22
Figura 13. Simulación correspondiente a la variación del valor de la corriente con respecto
a la variación en temperatura. ............................................................................................... 22
Figura 14. Simulación correspondiente a la variación de la corriente de salida con respecto
a variaciones en la alimentación. .......................................................................................... 23
Figura 15. Esquemático correspondiente al rectificador de onda completa. ........................ 23
Figura 16. Simulación correspondiente a la onda completa rectificada. .............................. 24
Figura 17. Simulación correspondiente al valor del voltaje a la salida del rectificador con
una carga de 100 kΩ. ............................................................................................................ 24
Figura 18. Esquemático correspondiente al rectificador doblador. ...................................... 25
Figura 19. Simulación correspondiente a la salida del rectificador doblador con una carga
RC de 20 pF y 100 kΩ respectivamente. .............................................................................. 25
Figura 20. Configuración correspondiente a un rectificador triplicador. ............................. 26
Figura 21. Simulación correspondiente al rectificador triplicador. ...................................... 26
Figura 22. Simulación comparativa correspondiente a los tres tipos de rectificadores. ....... 27
Figura 23. Esquemático correspondiente al amplificador operacional................................ 28
Figura 24. Simulación correspondiente al margen de fase en grados y a la magnitud en dB
cuando no hay capacitancia de compensación. .................................................................... 29
Figura 25. Simulación correspondiente a la corriente de entrada del amplificador
operacional............................................................................................................................ 29
Figura 26. Simulación correspondiente a la corriente saliente del amplificador operacional.
.............................................................................................................................................. 30
Figura 27. Simulación correspondiente a la magnitud del voltaje en dB y a la fase de la
señal en grados. .................................................................................................................... 30
Figura 28. Layout correspondiente a la fuente de corriente. ................................................ 31
Figura 29. Símbolo con las propiedades correspondientes a la fuente de corriente. ............ 31
Figura 30. Simulación correspondiente a la corriente de salida de la fuente de corriente. .. 32
Figura 31. Layout correspondiente al rectificador de onda completa. ................................. 32
Figura 32. Símbolo con las propiedades correspondientes del layout del rectificador. ....... 33
4
Figura 33. Simulación correspondiente al símbolo del layout del rectificador. ................... 33
Figura 34. Simulación correspondiente al símbolo del layout del rectificador con un
condensador de 20 pF a la salida. ......................................................................................... 33
Figura 35. Layout correspondiente al amplificador operacional. ......................................... 34
Figura 36. Símbolo con las propiedades correspondientes al layout del amplificador
operacional............................................................................................................................ 34
Figura 37. Simulación de la magnitud y del margen de fase del amplificador operacional. 35
Figura 38. Simulación correspondiente a la señal de alimentación y al valor de la corriente
de salida de la fuente de corriente. ....................................................................................... 41
Figura 39. Simulación correspondiente a la corriente del transistor . ............................ 42
5
Índice de tablas
Tabla 1. Valores de los componentes utilizados en la simulación de la fuente de corriente.

.............................................................................................................................................. 21
Tabla 2. Valores de los componentes utilizados en la simulación del rectificador. ............. 24
Tabla 3. Comparación del valor de salida para diferentes topologías del rectificador. ........ 27
Tabla 4. Valores de los componentes utilizados en la simulación del amplificador
operacional............................................................................................................................ 28
Tabla 5. Tabla comparativa entre los resultados de los layouts y los del esquemático ........ 35
Tabla 6. Potencias disipadas por cada uno de los módulos. ................................................. 36
Tabla 7. Plan de trabajo en la propuesta de tesis. ................................................................. 36
Tabla 8. Plan de trabajo realizado a lo largo del proyecto. .................................................. 36
Tabla 9. Señal de alimentación de la fuente de corriente. .................................................... 41
6
INTRODUCCIÓN
Dentro de las líneas de investigación del Centro de Microelectrónica de la Universidad de

los Andes (CMUA), el desarrollo de aplicaciones en donde se utilicen tecnologías de diseño
actual, es parte fundamental de los objetivos del grupo. Una de las líneas que tiene
interés, busca orientarse a aplicaciones donde se involucre el estudio de diferentes tipos
de sensores con toda la circuitería de medida, los cuales permitan realizar
caracterizaciones en situaciones donde es difícil tener equipos completos y de alto costo.
Es así como en este proyecto se busca realizar el diseño de algunas celdas necesarias para
el diseño de un circuito integrado en tecnología CMOS estándar, en donde se involucren
todos los elementos necesarios para poder realizar la medida de un sensor (por ejemplo
impedancias), por medio de telemetría inductiva.
Este trabajo básicamente se basa en el diseño, simulación e implementación en "full

custum" de algunas celdas necesarias para el diseño final del circuito integrado que
permita realizar una medida inalámbrica.
Para realizar el diseño, la universidad cuenta con las herramientas de Mentor Graphics,
que permiten el diseño de las celdas análogas como son: el rectificador para generar una
tensión continua a partir de la onda que llega de la telemetría inductiva, el regulador de
tensión, el circuito de acondicionamiento y medida, una bobina integrada y el sensor. Para
este proyecto cada uno de los bloques diseñados será independiente de manera que cada
bloque se pueda caracterizar de forma autónoma.
1 OBJETIVOS
1.1 Objetivo General
 Diseño de celdas básicas en tecnología AMI 0.5u necesarias para el diseño de un

circuito integrado para la medida de un sensor de impedancias por medio de
telemetría inductiva.
1.2 Objetivos Específicos
 Diseño, simulación eléctrica e implementación del layout de algunos bloques

funcionales del sistema, a partir del estudio de diferentes topologías buscando
lograr una optimización en cuanto a área, consumo y desempeño: estos bloques
son: Un rectificador integrado, una fuente de corriente de referencia, un
amplificador operacional que maneje una carga de salida de 20 pF.
 Estudio y comparación de topologías de rectificadores integrados para su posterior

implementación en layout.
7
 Diseño de una fuente de corriente de polarización con estabilidad frente a cambios

en temperatura y tensión de alimentación.
 Diseño de un amplificador operacional de propósito general.
 Realimentación de los tutoriales existentes sobre la herramienta MENTOR

GRAPHICS y mejoramiento de los mismos.
1.3 Alcance y productos finales
 Se han de crear librerías con las celdas básicas de diseño de circuitos integrados
para esta tecnología.
 Simulación de cada una de las celdas diseñadas y documentación del proceso de

diseño de cada una de ellas.
 Se mostrará el diseño electrónico realizado y se culminará cada celda con su

respectivo layout.
2 DESCRIPCIÓN DE LA PROBLEMÁTICA Y JUSTIFICACIÓN DEL TRABAJO
Dentro del marco del proyecto de investigación SIMIO: “Sistemas integrados para
microsistemas inalámbricos operativos”, en el que participa el Centro de Microelectrónica,
se busca el uso de tecnologías CMOS estándar para implementar en un mismo circuito
integrado la parte de los sensores y la parte electrónica, lo que abre la posibilidad de
nuevas aplicaciones. Un ejemplo claro se ha dado en el campo de la medicina, en donde
el uso de este tipo de sistemas ha permitido controlar de manera precisa el
comportamiento o la evolución del sistema de los pacientes.
La posibilidad de lograr un buen acoplamiento en un enlace inductivo es un campo que se

sigue investigando debido a las múltiples aplicaciones y beneficios que se pueden dar
dado que el sistema no requiere de baterías. Adicionalmente se puede hacer que el
consumo de energía disminuya considerablemente ya que el sensor se activa únicamente
cuando se realiza la medición.
En la literatura se presentan muy pocos circuitos integrados que logren incluir tanto la
parte electrónica como la parte sensórica usando tecnologías CMOS estándar sin post-
procesos complejos.
8
3 MARCO TEÓRICO, CONCEPTUAL E HISTÓRICO
3.1 Marco Teórico
La telemetría inductiva es un método que permite transmitir información vía inalámbrica

por medio de dos bobinas acopladas. En seguida se presenta un esquema para poder
visualizar correctamente dicha situación.
Figura 1. Esquema correspondiente a la telemetría inductiva.
En la Figura 1, se puede muestra un esquema de funcionamiento del método de

telemetría inductiva. La bobina externa le envía energía e información a la bobina interna
inalámbricamente, esta última al recibir dicha señal la transmite a los diferentes bloques a
los cuales está conectada para que estos puedan encenderse y funcionar de manera
correcta.
Un esquema completo del sistema se presenta en la Figura 2. Se tiene la unidad de lectura

con un esquema basado en amplificador en resonancia clase E y la unidad sensora en donde
están todos los elementos necesarios para completar una medida. En la Figura 2, se pueden
observar los módulos básicos que integran el sensor. Entre dichos módulos, se van a
diseñar tanto a nivel de esquemático como a nivel de layout la fuente de corriente, el
rectificador y el amplificador operacional.
Figura 2. Esquema general de un sensor que utiliza telemetría inductiva.
a) Fuente de corriente
9
Al realizar el diseño de una fuente de corriente, la principal consideración a tener en
cuenta es la capacidad de reducir o eliminar completamente la sensibilidad frente a
cambios en la temperatura y frente a variaciones en la alimentación. Existen diferentes
fuentes de corriente de referencia, las cuales tienen características que varían según la
tensión de alimentación, la disposición de los transistores o elementos que las conforman
o las topologías que se utilizan. Una de las alternativas se basa en la configuración
conocida como tipo “bootstrap reference”, la cual se presenta en la Figura 3.
Figura 3. Fuente de corriente tipo Bootstrap Reference.
Para generar la corriente de referencia , se han de igualar las corrientes de la

resistencia R y la del transistor de la siguiente manera.
= (1)
= * * (2)
Las formas de las corriente de (1) y (2) se muestran en la Figura 4. Al despejar en (1) y (2)
para , se obtiene lo siguiente:
*R = + (3)
Al realizar la respectiva simplificación, se obtiene (4).

= + + * (4)
10
En donde = * .
Las curvas de las corrientes que atraviesan a cada uno de estos dos elementos se
muestran a continuación.
Figura 4. Puntos de operación a partir de las corrientes que atraviesan al transistor y la resistencia R.
En la Figura 4, se pueden observar los dos puntos de operación que existen en el

momento en que ambas curvas se interceptan, dichos puntos son (0,0) y Q, el cual está
representado por sus coordenadas ( ). Esta figura se obtuvo a partir de la
caracterización de los transistores de la tecnología cuyos parámetros han sido utilizados
para el diseño y posterior simulación del módulo.
Al existir dos puntos en los que las dos curvas se interceptan, es necesario seleccionar el
que es adecuado para el funcionamiento del circuito. Dicho intercepto corresponde a Q ya
que el intercepto que está representado por las coordenadas (0,0) impide que el circuito
se encienda. Por tal razón es necesario realizar un circuito de arranque que permita
inicializar la fuente de corriente en el punto de equilibrio Q. Dicho circuito se presenta en
la Figura 3 y es el que se encuentra al interior del cuadro azul.
Inicialmente se tiene la condición que al circuito no le llega energía, por lo que no hay una
tensión que alimente dicho circuito. Una vez empieza a llegar energía, el transistor
empieza a funcionar de manera que empieza a llegar corriente de la fuente, dicho
transistor una vez encendido comienza a inyectar corriente a través del transistor que
es el transistor junto a la resistencia que permiten fijar la corriente. Al inyectar dicha
corriente, el voltaje drain del transistor que es el mismo que el voltaje source del
transistor comienza a aumentar a tal punto que el voltaje gate-source del transistor
disminuye hasta el punto en que el voltaje de umbral es mayor que el voltaje gate-
source y por lo tanto el transistor se apaga. Al apagarse el transistor , el circuito de
arranque se apaga colocando en funcionamiento la fuente de corriente en el punto de
equilibrio Q.
b) Rectificador
11
En el diseño de rectificadores integrados se busca el diseño de un rectificador integrado,

el cual permita minimizar las pérdidas por sustrato las cuales son las más relevantes en
este tipo de celdas. Otro inconveniente es la caída de tensión del diodo generado con el
transistor debida al voltaje de umbral del mismo, la cual es prácticamente inevitable.
Algunas tecnologías disponen de transistores con tensión umbral muy baja, los cuales
pueden ser adecuados para lograr una mejor configuración. Otros autores explorar la
posibilidad de cambiar los diodos por resistencias controladas para reducir este mismo
efecto
El diseño del rectificador integrado de este proyecto se basa en transistores en

configuración de diodos. A continuación en la Figura 5 se muestra una topología básica
seleccionada, en donde los transistores que actúan como diodos son los transistores M1 y
M2.
Figura 5. Configuración correspondiente al rectificador.
Dicha configuración permite rectificar la onda entrante de manera completa a partir de la

conmutación de los transistores. La conmutación se presenta por pares, es decir, los
transistores y funcionan en el semi-ciclo positivo de la onda, mientras que los
transistores y funcionan en el semi-ciclo negativo de la onda. Al lograr rectificar la
onda en ambos semi-ciclos, se llega a una rectificación de onda completa.
Debido a que la transmisión de energía entre las dos bobinas tiene muchas pérdidas por el
tamaño que se busca en las mismas, las pérdidas que se generan en el canal de
comunicación (aire) son grandes al igual que el acoplamiento es muy pequeño. Dado esto,
la energía que llega al chip integrado es muy poca y por tal motivo es necesario realizar un
doblador y en algunas aplicaciones hasta un triplicador para lograr que el enlace entregue
la energía suficiente. Sin embargo hay que tener cuidado en el tamaño que dichos
rectificadores pueden ocupar ya que el área ocupada por éstos disminuye
12
considerablemente a medida que los valores de las capacidades que éstos necesitan para
funcionar.
Las topologías correspondientes al doblador y al triplicador se basan en la topología de la

Figura 5 y se presentan en la sección 7.2 Validación de los resultados del trabajo.
c) Amplificador operacional.
Los amplificadores operacionales son dispositivos electrónicos que tienen como entrada
un par diferencial que permite la amplificación de la señal diferencial de entrada a partir
de una ganancia diseñada. Dichas configuraciones tienen un comportamiento propio en el
régimen de la frecuencia, ya que la ganancia del amplificador varía a medida que la
frecuencia cambia. Por tal motivo es necesario realizar también un análisis en el dominio
frecuencial. El esquema correspondiente del amplificador operacional se presenta a
continuación.
Figura 6. Configuración correspondiente al amplificador operacional.
La Figura 6 está compuesta por tres partes. La primera parte está compuesta por el
transistor , el cual corresponde a la etapa de entrada. Por dicha entrada proviene la
corriente de la fuente tipo bootstrap reference. La segunda parte está integrada por los
transistores , , , y , los cuales corresponden a la etapa diferencial del
módulo del amplificador operacional. Finalmente, los transistores y hacen parte
del tercer conjunto, el cual corresponde a la etapa de salida del operacional. Un detalle a
tener en cuenta es que el transistor es un transistor que permite desconectar o no al
amplificador operacional de todo chip integrado. Debido a que se debe realizar un análisis
para poder ajustar la ganancia al valor que se desea, las consideraciones a tener en cuenta
son bastantes y por lo tanto el número de variables del diseño aumenta. Por tal motivo, se
presentan en seguida las consideraciones más importantes para el diseño.
13
Consideraciones:
1) < 2.2* (5)
2) = (6)
3) = (7)
4) = 10* (8)
(Se planteó desde el principio polarizar con una fuente de corriente de 10 µA)
Donde corresponde a la capacitancia que conecta a la terminal positiva con la salida del
amplificador y representa la capacitancia de carga, la cual tiene un valor de 20 pF y
representa la impedancia de una sonda de un osciloscopio. Esto en el caso de colocar el
amplificador como elemento para medir nodos internos del circuito integrado.
Finalmente, para poder realizar las pruebas de ganancia en DC, de ancho de banda, la
función de transferencia de lazo abierto y de margen de fase, es necesario utilizar la
configuración que se observa en la Figura 7.
Figura 7. Configuración para poder obtener la ganancia en DC, la ganancia por ancho de banda y el margen de fase.
La principal especificación que debe tener este circuito de medida es que R >> . En el
momento en que el circuito está funcionando en corriente directa (DC), el condensador C
se comporta como un circuito abierto. Al funcionar C como un circuito abierto, la caída de
voltaje sobre la resistencia R es nula, por lo tanto el voltaje en el terminal negativo es
idéntico al terminal de salida y entonces la resistencia R funciona como un corto circuito.
Dicha configuración corresponde a un amplificador de ganancia unitaria en bajas
frecuencias.
14
En el caso en que se prueba el dispositivo para altas frecuencias, el condensador C
funciona como un corto circuito ya que su reactancia , donde ω = 2*π*f, toma
valores pequeños. En este caso el terminal negativo está conectado a tierra y por tal
motivo, se realiza la prueba correspondiente a la ganancia en modo diferencial en el rango
de frecuencias correspondientes a lo deseado.
3.2 Marco Conceptual
En cuanto a los conceptos y normas utilizadas en este trabajo, es necesario indicar

desde un principio que existía una limitante a nivel de la tecnología, ya que ésta tiene
como tamaño mínimo de los transistores utilizados un valor de 0.5 µm. Por otra parte,
es necesario decir que todos los parámetros y propiedades de cada uno de los
dispositivos se limitaban a la tecnología y por lo tanto al kit de diseño del fabricante.
3.3 Marco Histórico
El centro de microelectrónica de la Universidad de los Andes está nuevamente

impulsando las líneas de investigación con respecto al diseño de circuitos integrados
de aplicación específica. Debido a esto, el número de dispositivos en esta área en los
últimos años no es alto y por tal motivo el número de trabajos previos es poco.
Como desarrollos previos se tiene el trabajo de grado realizado por el ingeniero José
Guillermo Daza González, el cual lleva por nombre Circuitos Integrados para la
enseñanza de electrónica en la Universidad de los Andes (2010).
4 DEFINICION Y ESPECIFICACION DEL TRABAJO

4.1 Definición
Diseñar de tres módulos correspondientes que hacen parte de un chip integrado. Se

desea realizar el diseño esquemático de cada uno de estos, con sus correspondientes
celdas de layouts. Dicho circuito integrado tiene como fin, el poder realizar mediciones
de impedancias de líquidos. Este tipo de circuitos también podrían integrarse al
interior de seres vivos y por tal razón es de carácter obligatorio que los materiales que
los componen sean bio-compatibles con el medio en el cual se encuentra.
4.2 Especificaciones
15
En una primera instancia, es necesario indicar que la principal limitante que se dio en
el trabajo a realizar fueron las dimensiones mínimas que el kit de diseño soportaba.
Dicha limitante correspondía a un ancho y un largo de mínimo 0.5 µm de los
transistores. A parte de esto, existían unas limitantes espaciales para cada una de las
celdas a diseñar o por lo menos del chip integrado como tal ya que si bien no existían
unas dimensiones mínimas o máximas para las celdas, el área y volumen del integrado
como tal deben ser similares a los chips integrados que se encuentran en el mercado.
5 METODOLOGÍA DEL TRABAJO
En una primera instancia, se realizó la búsqueda adecuada de la teoría

correspondiente a cada uno de los módulos que se deseaban diseñar. El primer
módulo del cual se buscó y adquirió dicha información fue el de la fuente de corriente.
Una vez escogido el tipo de fuente de corriente que más se ajustara a las
especificaciones iniciales, se realizaron los cálculos teóricos que permitían determinar
el valor de la corriente deseada. Siguiente a esto, se implementó la topología
correspondiente de dicha fuente a nivel de esquemático, se realizaron las simulaciones
pertinentes y se hicieron los ajustes necesarios. Por último, se realizó un banco de
pruebas para comprobar la respuesta del dispositivo frente a diferentes variables que
pudieran afectar el funcionamiento del dispositivo.
La metodología anteriormente descrita fue la que se llevó a cabo para cada uno de los
módulos que se tenían pensado diseñar. Es necesario aclarar que hubo resultados
teóricos que no concordaron exactamente con los resultados simulados y por tal razón
se tuvieron que realizar algunos ajustes a los parámetros de los diseños.
5.1 Plan de trabajo
A continuación se enlistan en el diagrama de Gantt, las actividades realizadas durante

el desarrollo del proyecto.
16
Figura 8. Actividades realizadas según el desarrollo del proyecto.
Figura 9. Diagrama de Gantt correspondiente a las actividades realizadas del proyecto.
5.2 Búsqueda de información
En cuanto a la búsqueda de información, se puede decir que existen dos referencias

esenciales para la realización del trabajo. Dichas referencias son la [2] y la [5] ya que
corresponden a las bases teóricas y ejemplares del trabajo que se llevó a cabo. La
primera corresponde al trabajo de investigación realizado por el profesor Ph. D. Fredy
Enrique Segura Quijano en el Tercer Ciclo de Ingeniería Electrónica de la Universidad
Autónoma de Barcelona. En dicho trabajo se utilizaron sensores químicos en conjunto
con la técnica de telemetría inductiva para poder transmitir información
inalámbricamente. Algunos de los bloques que componen dicho sistema se han
expuesto a lo largo de este trabajo y se pueden ver de forma clara en la Figura 2. A
partir de dicha figura se logra comprender el funcionamiento del sistema al cual se
desea llegar y por lo tanto se inicia con la búsqueda de información correspondiente a
17
cada uno de los módulos. Dicha búsqueda de información en parte se obtiene del
mismo documento, aunque a su vez ésta es adquirida de la referencia [5], la cual
corresponde a un libro guía que se presenta posibles estrategias para poder diseñar en
tecnología CMOS algunos de los módulos deseados.
5.3 Alternativas de desarrollo
Básicamente se consideraron dos alternativas diferentes a la hora de realizar el diseño

e implementación de cada uno de los módulos que se tenían pensado realizar. Por un
lado se estudiaron de manera simple las configuraciones de cada uno de los módulos y
se continuó a realizar las correspondientes simulaciones. Cabe destacar que esta
alternativa no es de tipo aleatoria ya que por más sencilla que haya sido la búsqueda
de la información con respecto a cada módulo, se tuvieron siempre en cuenta las
especificaciones y consideraciones de cada uno de estos.
En cuanto a la segunda alternativa, se puede decir que ésta consistió en realizar una
búsqueda amplia y mucho más importante con respecto a cada uno de estos módulos.
En otras palabras, esta segunda alternativa es mucho más teórica que la primera y por
tal razón su duración fue más larga.
Es importante destacar que ambas técnicas fueron complementarias en el diseño y
simulación de cada uno de los módulos, ya que la primera permitía obtener una idea
correcta o cercana de los resultados a los cuales se quería llegar. A parte de esto, esta
primera alternativa también permitía contemplar las opciones erradas o no deseadas.
La segunda alternativa por su parte permitía un mejor acercamiento al resultado
deseado y una mejor comprensión del funcionamiento de cada uno de los módulos.
6 TRABAJO REALIZADO
Como se ha dicho anteriormente, las diferentes partes que conforman el trabajo

realizado se hicieron de manera secuencial, es decir que existían unos requisitos
previos a cumplir para poder avanzar en el trabajo. Al principio se realizó la
correspondiente búsqueda de la información que permitía obtener una mejor idea de
cada uno de los módulos. Dicha información fue consultada en artículos, papers, libros
y proyectos de grado. Siguiente a esto, se realizaron las diferentes pruebas y
simulaciones de los esquemáticos de cada uno de los módulos escogidos. Una vez
obtenidos los resultados deseados y sobre todo avalados por el asesor, se prosiguió a
sintetizar los layouts de cada uno de los módulos para realizar su posterior simulación.
Finalmente, se realizó la comparación entre las simulaciones obtenidas en los
esquemáticos y las simulaciones obtenidas en los layouts. A continuación se presenta
el diagrama de bloques correspondiente al trabajo realizado.
18
Figura 10. Diagrama de bloques correspondiente al trabajo realizado a lo largo del proyecto.
6.1 Descripción del Resultado Final
El resultado final del proyecto de grado se obtuvo siguiendo la metodología que se

presentó en la sección 6 TRABAJO REALIZADO. En cuanto al resultado final, se puede
decir que se deja la documentación correspondiente a los esquemáticos escogidos
para cada uno de los módulos con su respectiva teoría. Por otro lado se entregan los
layouts simulados correspondientes a cada uno de los módulos escogidos con sus
propias dimensiones y por último se presentan los archivos de texto de cada uno de
estos.
6.2 Trabajo computacional
Gran parte del tiempo que se estipuló para realizar el trabajo se basa justamente en
trabajo computacional debido a que se está realizan el diseño de los módulos del
sensor. Como se ha dicho a lo largo del proyecto, la herramienta de simulación que
permitió el diseño de los módulos es Mentor Graphics. Dicha herramienta permitió
realizar el diseño de los módulos a partir de dos tipos de simulaciones. La primera
corresponde a la implementación del diseño de los módulos por medio de
esquemáticos que permiten comprobar el funcionamiento de dichos diseños.
Siguiente a esto, se generaron los layouts correspondientes a cada uno de los módulos
permitiendo la generación de los archivos de texto que describen la distribución de los
módulos y que incluyen las capacitancias parásitas existentes. Finalmente se realiza la
posterior simulación de los layouts al incluir los archivos de texto para poder comparar
dichas simulaciones con las simulaciones obtenidas a partir de los esquemáticos.
19
La otra herramienta computacional que se utilizó es la versión 0.641 de MetaPost, la
cual es una herramienta que permite la generación de gráficos e imágenes para
documentos. En este trabajo, se sintetizaron las imágenes correspondientes a los
esquemáticos de los diferentes módulos.
7 VALIDACIÓN DEL TRABAJO
7.1 Metodología de prueba
Al principio de cada uno de los diseños de los módulos, se plantearon las especificaciones
que cada uno de estos debía tener. Por tal motivo las pruebas a realizar consistían
esencialmente en obtener los parámetros o especificaciones que se habían planteado
desde un principio. Sin embargo para todos los módulos que se diseñaron se realizaron
pruebas de interconexión de cargas para poder observar y comprobar cómo el módulo
respondía frente a esto.
Primero se realizó la simulación de los esquemáticos para poder verificar el
funcionamiento de éstos frente a las cargas que se incluían. Siguiente a esto, se realizó la
síntesis del layout para poder lograr dimensionar cada una de las celdas. Se verificaron las
reglas de diseño de dichos layouts y posterior a esto se generaron los archivos de texto.
Luego se crearon unos símbolos a los cuales se les asignaron las propiedades que se
obtuvieron de los archivos texto para poder realizar la simulación de los layouts. Por
último, se realizó una comparación entre las simulaciones de los esquemáticos y las
simulaciones de los layouts.
7.2 Validación de los resultados del trabajo
A continuación se presentan los resultados correspondientes a los esquemáticos de la

fuente de corriente, del rectificador y del amplificador operacional.
a) Fuente de corriente.
Como principal especificación se planteo el diseño de una fuente de corriente que

generara 1 A y que fuese alimentada por una fuente DC de 3.3 V.
Como se especificó anteriormente, la corriente que atraviesa la resistencia depende de los
parámetros que se encuentran en la siguiente expresión.
= = + + * (9)
El valor de la resistencia R se encuentra a partir de la anterior ecuación.
En donde corresponde al voltaje umbral del transistor tipo n, es decir:
= + γ*( ) (10)
20
El parámetro 2* corresponde al potencial de superficie para inversión fuerte.

Para obtener el valor del voltaje de umbral es necesario adquirir los valores de los
parámetros con los que trabaja el diseñador del kit. Al indagar en este último, se pueden
obtener los siguientes valores de los parámetros.
= 0.742 V
γ = 0.883
2* = 0.897 V.
Es necesario indicar que los valores anteriormente expuestos correspondes a los

parámetros propios correspondientes a los transistores tipo n. En cuanto al voltaje source-
body , es necesario indicar que para esta configuración de la fuente de corriente, dicho
voltaje corresponde al mismo voltaje .
Por lo tanto la ecuación (10) queda de la siguiente forma.
= 0.742 + 0.883*( ). (11)
Al resolver la siguiente ecuación, se encuentra un valor = 1.1775 V.

Siguiente a esto, se encuentra el valor correspondiente al . Dicho parámetro está
compuesto por el parámetro de transconductancia, el ancho del transistor y el largo del
transistor. La ecuación correspondiente se encuentra a continuación.
= * . Donde k’ corresponde a la transconductancia, W corresponde al ancho del

transistor y L representa el largo del transistor. El valor de la transconductancia k’, se
encuentra a partir de la siguiente expresión.
= * = * . (12)
Los valores de y según el kit de diseño se encuentran a continuación.
= 4.898*
= 8.854*
= 3.9
= *
= 1.35* m.
Por lo tanto k’ = 4.898* * = 1.25* .

Para un = .
El valor de es 1.25* = 6.25* .
21
Al remplazar los valores obtenidos anteriormente en la ecuación (9), se encuentra el valor
de la resistencia. A continuación se observa el procedimiento.
= = + + * . (10)
Al despejar para R, se obtiene un valor R = 1.234 MΩ.

El diseño correspondiente a la fuente de corriente se observa en la Figura 3.
A continuación se exponen los valores que se utilizaron para realizar las simulaciones
correspondientes. Antes de presentar dichos resultados, es necesario indicar que las
nomenclaturas de los transistores utilizadas a continuación corresponden a las
encontradas en la Figura 3.
Tabla 1. Valores de los componentes utilizados en la simulación de la fuente de corriente.
Transistor W/L
7 µm/8 µm
20 µm/8 µm
7 µm/8 µm
40 µm/8 µm
40 µm/8 µm
40 µm/8 µm
40 µm/8 µm
40 µm/8 µm
40 µm/8 µm
65 µm/8 µm
65 µm/8 µm
Como se dijo en la parte teórica de la fuente de corriente, la resistencia utilizada es 1.234

MΩ.
La simulación correspondiente a la salida de la fuente de corriente se observa en seguida.

22
Figura 11. Simulación correspondiente al valor de la corriente de la fuente tipo Bootstrap reference.
En la Figura 11, se puede observar la salida correspondiente a la fuente de corriente tipo

bootstrap reference. Se logra constatar que el valor de la corriente es de
aproximadamente 1.00599 A.
Sin embargo, el resultado previo no es suficiente para poder aceptar el diseño de la fuente
ya que se desea identificar a su vez la respuesta de dicha fuente de corriente frente a
variaciones en la temperatura y variaciones en la alimentación. A continuación se
presentan los resultados correspondientes a ambas variaciones.
Figura 12. Simulación correspondiente a la variación del valor de la corriente con respecto a la variación en
temperatura.
Para una variación en temperatura de 10˚C a 30˚C (Δ 20˚C), se tiene un Δ I = 1.38µ-0.98µ =

0.4µA.
23
Figura 13. Simulación correspondiente a la variación de la corriente de salida con respecto a variaciones en la
alimentación.
Para una variación de 100 mVAC pico a pico, se tiene un ΔI = 1.25 µ - 0.78 µ = 0.47 µA.
Al observar ambos resultados, se puede identificar que realmente para ambos casos existe
una variación del valor de la corriente de salida. Sin embargo, dicha variación es tolerable
y por tal razón los resultados son aceptados.
b) Rectificador.
En cuanto al rectificador, la principal especificación corresponde a que en la salida de este

dispositivo se debe obtener un voltaje rectificado superior a 3.3 V para después poderlo
regular.
A continuación se observa el esquema de dicho módulo.
Figura 14. Esquemático correspondiente al rectificador de onda completa.
Antes que presentar dichos resultados, es necesario indicar que las nomenclaturas
utilizadas a continuación corresponden a las encontradas en la Figura 5.
24
Tabla 2. Valores de los componentes utilizados en la simulación del rectificador.
Transistor
60 µm/8 µm
60 µm/8 µm
60 µm/8 µm
60 µm/8 µm
Al colocar una resistencia de 100 kΩ como carga, se puede observar la salida rectificada de
este dispositivo. El resultado se observa a continuación.
Figura 15. Simulación correspondiente a la onda completa rectificada.
Al colocar un condensador de 20 pF como carga, se puede observar la salida rectificada de

este dispositivo antes que entre al regulador como tal. El resultado se observa a
continuación.
Figura 16. Simulación correspondiente al valor del voltaje a la salida del rectificador con una carga de 100 kΩ.
Para una señal AC a la entrada de 5 V pico, el valor de la señal rectificada es de

aproximadamente 2.2 V. Dado esto, es necesario realizar nuevas modificaciones al
rectificador debido a que la señal de salida no permite alcanzar el valor deseado para que
después éste pueda ser regulado y así obtener un valor DC de 3.3 V.
25
Dado esto, se modifica la configuración para poder aumentar el valor del voltaje a la salida
del rectificador. La modificación se presenta a continuación.
Figura 17. Esquemático correspondiente al rectificador doblador.
Esta configuración corresponde a un rectificador doblador, es decir cada uno de estos

bloques representa el rectificador que se diseño anteriormente, permitiendo obtener a la
salida un valor mayor que el de la configuración anterior.
La simulación correspondiente a esta nueva configuración se observa en seguida.
Figura 18. Simulación correspondiente a la salida del rectificador doblador con una carga RC de 20 pF y 100 kΩ
respectivamente.
Al observar la simulación de la Figura 18, se puede verificar que el valor de salida es

aproximadamente de 5 V. Como se puede comprobar, el valor obtenido es mayor que el
valor de 3.3 V deseado. Es cierto que el nuevo valor rectificado tiene una magnitud más
grande y por tal motivo podría generar problemas en el circuito integrado debido a su
magnitud, sin embargo dicho valor puede reducirse disminuyendo el valor de entrada.
26
Debido a que la energía que llega al chip integrado a veces no puede ser suficiente para
activar el circuito de manera adecuada, se presenta una nueva topología correspondiente
a un rectificador triplicador permitiendo alcanzar valores de voltaje mayores. Dicha
topología se presenta a continuación.
Figura 19. Configuración correspondiente a un rectificador triplicador.
El rectificador triplicador que se presenta en la Figura 19 está compuesto principalmente

del rectificador que se encuentra en la Figura 14 junto con capacitancias que permiten
mantener y aumentar el voltaje a la salida frente a las dos configuraciones anteriores.
La simulación correspondiente a dicha topología se presenta a continuación.
Figura 20. Simulación correspondiente al rectificador triplicador.
Al observar la simulación de la Figura 20, se puede verificar que el valor de salida es

aproximadamente de 6.8 V. Como se puede comprobar, el valor obtenido es mayor que el
valor de 3.3 V deseado. Para poder comparar de manera correcta las tres salidas, se
presenta en la Figura 21 una simulación comparativa de dichas salidas.
27
Figura 21. Simulación comparativa correspondiente a los tres tipos de rectificadores.
A continuación se presenta una tabla comparativa entre las diferentes configuraciones de

los rectificadores.
Tabla 3. Comparación del valor de salida para diferentes topologías del rectificador.
Topología del rectificador Valor de la salida (V)

Sencilla 2.2
Doblador 5
Triplicador 6.8
Como se puede observar en la Tabla 3, entre más grande sea el tipo de configuración
mayor será el valor de voltaje a la salida. Sin embargo, como se puede constatar en las
configuraciones del doblador y del triplicador, el número de capacitancias que están
interconectadas a dichos circuitos va en aumento debido a la complejidad del circuito.
Estas capacitancias ocupan un área importante en el chip integrado y por tal motivo es
necesario obtener un rectificador que permita justamente alcanzar un valor superior a 3.3
V pero que a su vez no ocupe tanto espacio.
c) Amplificador Operacional.
El esquema correspondiente al amplificador operacional se observa a continuación.

28
Figura 22. Esquemático correspondiente al amplificador operacional.
A continuación se exponen los valores que se utilizaron para realizar las simulaciones
correspondientes. Antes de presentar dichos resultados, es necesario indicar que las
nomenclaturas utilizadas a continuación corresponden a las encontradas en la Figura 6.
Tabla 4. Valores de los componentes utilizados en la simulación del amplificador operacional.
Transistor
20 µm/10 µm
20 µm/10 µm
20 µm/10 µm
20 µm/10 µm
50 µm/8 µm
90 µm/8 µm
74 µm/8 µm
80 µm/8 µm
80 µm/8 µm
Por último, es necesario indicar que el valor de la capacitancia que permite obtener la
estabilidad deseada, tiene un valor de 4 pF.
A continuación se presenta la simulación correspondiente al amplificador operacional sin
la capacitancia que permite alcanzar la estabilidad.
29
Figura 23. Simulación correspondiente al margen de fase en grados y a la magnitud en dB cuando no hay capacitancia
de compensación.
A partir de la Figura 23, se puede observar que para una magnitud de 0 dB, se obtiene una
fase de 166.71357 grados, es decir un margen de fase de 180 - 166.71357 = 13.2864
grados. Este último resultado obliga a introducir una capacitancia que permita justamente
dicha compensación. A continuación se observan los resultados correspondientes para
obtener la estabilidad del sistema. En un principio se verifican las simulaciones
correspondientes a las corrientes de entrada y de salida del amplificador operacional. En
una primera instancia se presenta la corriente de entrada.
Figura 24. Simulación correspondiente a la corriente de entrada del amplificador operacional.
En una segunda instancia se presenta la simulación correspondiente a la corriente de

salida del amplificador operacional.
30
Figura 25. Simulación correspondiente a la corriente saliente del amplificador operacional.
En la Figura 25, se observa que por el amplificador operacional está atravesando una
corriente de aproximadamente 10 µA, resultado que concuerda con el resultado teórico
esperado.
Finalmente, se presentan los resultados correspondientes al margen de fase y a la
magnitud de la señal en dB.
Figura 26. Simulación correspondiente a la magnitud del voltaje en dB y a la fase de la señal en grados.
En la Figura 26, se puede observar que para una magnitud de 0 dB, se obtuvo una fase de
-134 grados. Por lo tanto el margen de fase correspondiente a dicho amplificador
operacional es de -134 – (-180) = 46 grados. En la Figura 26 se puede observar que el
ancho de banda del amplificador operacional es de aproximadamente 316 kHz.
A continuación se presentan los resultados correspondientes a los layouts de la fuente de

corriente, del rectificador, del amplificador operacional y del regulador.
a) Fuente de corriente.
31
A continuación se observa el layout correspondiente a la fuente de corriente.
Figura 27. Layout correspondiente a la fuente de corriente.
Las dimensiones de la celda de diseño que se presenta en la Figura 27 son 271.990 µm de

alto por 268.800 µm de ancho.
Para corroborar el funcionamiento del layout, se realizó la simulación correspondiente
que se observa a continuación.
Figura 28. Símbolo con las propiedades correspondientes a la fuente de corriente.
A continuación se presenta la simulación correspondiente a la corriente de salida de la

fuente tipo bootstrap reference.
32
Figura 29. Simulación correspondiente a la corriente de salida de la fuente de corriente.
En la anterior simulación se puede observar que a la salida de la fuente de corriente hay

un valor de 1.0158 µA, el cual corresponde al resultado que era de esperarse.
b) Rectificador.
A continuación se observa el layout correspondiente al rectificador.
Figura 30. Layout correspondiente al rectificador de onda completa.

largo por 72.690 µm de ancho.
que tiene en cuenta los archivos de texto generados una vez las reglas de diseño del
layout han sido verificadas. Dichas archivos son adjudicados al símbolo que se presenta a
continuación.
33
Figura 31. Símbolo con las propiedades correspondientes del layout del rectificador.
En la Figura 31 se presenta el símbolo correspondiente al layout del rectificador. Dicho

símbolo tiene una señal de 5 V pico a una frecuencia de 13 MHz en su entrada Vip
mientras que en su entrada Vin, entra una señal de 5 V pico a una frecuencia de 13 MHz
aunque ésta se encuentra desfasada 180˚ con respecto a la señal de Vip. Dichas señales
poseen las mismas propiedades que las correspondientes a las señales que permitieron
simular el esquemático de este mismo módulo. A continuación se presenta la simulación
correspondiente.
Figura 32. Simulación correspondiente al símbolo del layout del rectificador.
En la Figura 32, se observan las dos ondas entrantes y la onda de salida. Dicha onda de
salida corresponde a una onda rectificada completa. Finalmente se incluye una carga
capacitiva de 20 pF a la salida para obtener una onda rectificada previa a su regulación.
Figura 33. Simulación correspondiente al símbolo del layout del rectificador con un condensador de 20 pF a la salida.
34
En la Figura 33, se observa una onda con un valor de 2.2 V aproximadamente junto con un
rizado. Esta onda es la que entra en el regulador.
Los resultados obtenidos concuerdan con los adquiridos en la etapa previa
correspondiente a la simulación de los esquemáticos.
c) Amplificador Operacional.
A continuación se observa el layout correspondiente al amplificador operacional.
Figura 34. Layout correspondiente al amplificador operacional.

largo por 448.910 µm de ancho.
que tiene en cuenta los archivos de texto generados una vez las reglas de diseño del
layout han sido verificadas. Dichas archivos son adjudicados al símbolo que se presenta a
continuación.
Figura 35. Símbolo con las propiedades correspondientes al layout del amplificador operacional.
Como prueba final se realiza el análisis frecuencial de dicho amplificador. La magnitud y el

margen de fase se presentan a continuación.
35
Figura 36. Simulación de la magnitud y del margen de fase del amplificador operacional.
En la Figura 36 se observa que para una magnitud de 0 dB, se obtiene una fase de
aproximadamente -100 grados. Por lo tanto el margen de fase de dicho amplificador es de
-100 - (-180) = 80 grados. Por lo tanto el sistema sigue siendo estable. A parte de esto, se
puede constatar que la frecuencia a la cual se obtiene una magnitud de 0 dB es de 27.267
kHz. Dicho valor corresponde al ancho de banda del amplificador operacional.
Finalmente, se presenta una tabla comparativa entre los resultados de las simulaciones de
los layouts y los resultados de las simulaciones de los esquemáticos.
Tabla 5. Tabla comparativa entre los resultados de los layouts y los del esquemático
Módulo Parámetro Simulación del Simulación del

Layout esquemático
Fuente de Corriente 1.0158 µA 1.00599 A
corriente
Rectificador Voltaje 2.2 V 2.2 V
Sencillo
Amplificador Margen de fase 80 grados 46 grados
Operacional
Frecuencia de 27.267 kHz 316 kHz
corte para 0 dB
Al realizar la comparación a partir de la Tabla 5, se puede comprobar que los resultados

de la fuente de corriente y del rectificador son prácticamente los mismos. Sin embargo,
para el amplificador operacional los resultados no son cercanos aunque se utilizaron los
mismos parámetros y características. Con dichos resultados se puede corroborar que a
mayor margen de fase, el ancho de banda es menor. Por lo tanto si se desea obtener una
buena estabilidad del sistema, se debe sacrificar ancho de banda. Para poder justificar
dichas diferencias, es necesario hablar de las capacitancias parásitas que se generan en el
36
layout y que justamente modifican el funcionamiento del amplificador operacional en el
dominio de la frecuencia.
Por último y no menos importante, se presenta una tabla en donde se presentan las
potencias disipadas por cada uno de los módulos.
Tabla 6. Potencias disipadas por cada uno de los módulos.
Módulo Potencia (µW)

Fuente de corriente 44.9831
Rectificador sencillo 0
Amplificador Operacional 41.3812
7.3 Evaluación del plan de trabajo
A continuación se presenta el plan de trabajo presentado en la propuesta de la tesis.
Tabla 7. Plan de trabajo en la propuesta de tesis.
Semana 1 Revisión del estado del arte y generación de diagrama de bloques y

planteamiento del problema
Semana 3 Estudio y diseño de circuitos de alimentación y energía: Bobina, rectificador
y regulador integrados. Estudio de topologías, diseño y simulación
Semana 5 Estudio y diseño de celdas analógicas: Amplificador operacional.
Semana 8 Entrega de informe 30%: Entrega de las cedas: Amplificador operacional,
rectificador y regulador del sistema.
Semana 9 Estudio y diseño de Circuito de excitación para realizar la medida:
Generador de onda sinusoidal.
Semana 10 Estudio y diseño de circuito de medida de impedancias
Semana 13 Implementación de layouts.
Semana 14
Semana 16 Entrega de todas las celdas del sistema
Después de esto, se presenta el plan de trabajo que se realizó a lo largo del periodo de
tiempo en que se realizó el proyecto de grado.
Tabla 8. Plan de trabajo realizado a lo largo del proyecto.
Semana 1 Revisión del estado del arte, planteamiento del problema y aprendizaje y
asimilación de la herramienta de trabajo Mentor Graphics.
Semana 2 Aprendizaje y asimilación de la herramienta de trabajo Mentor Graphics.
37
Semana 3 Estudio de topologías de la fuente de corriente.
Semana 4 Diseño y simulación del esquemático de la fuente de corriente.
Semana 5 Diseño y simulación del esquemático de la fuente de corriente. Estudio de
topologías del rectificador.
Semana 6 Diseño y simulación del esquemático del rectificador. Estudio de topologías
del amplificador operacional.
Semana 7 Diseño y simulación del esquemático del amplificador operacional.
Semana 8 Entrega de informe 30%: Entrega de los esquemáticos: Rectificador y
fuente de corriente.
Implementación del layout de la fuente de corriente.
Semana 11 Implementación del layout de la fuente de corriente y del rectificador.
Semana 12 Implementación del layout de la fuente de corriente y del rectificador.
Semana 13 Redacción del documento a entregar. Implementación del layout de la
fuente de corriente. Implementación del layout del rectificador.
Semana 14 Implementación del layout del amplificador operacional.
Semana 15 Simulación de las celdas de diseño de la fuente de corriente y del
rectificador.
rectificador.
rectificador. Redacción del documento para presentársela al asesor.
Entrega del documento al asesor.
Semana 18 Últimos resultados obtenidos. Correcciones del documento y entrega de
éste al jurado.
Semana 19 Preparación de la presentación. Presentación al jurado del trabajo de
grado.
A partir de los dos planes de trabajo expuestos anteriormente, se puede decir que existen
unas diferencias considerables entre ambos, debidas a que al inicio del periodo de la
elaboración del trabajo de grado, existieron algunos inconvenientes con el kit de diseño
de la herramienta. A parte de esto es necesario indicar que el objetivo del proyecto era
bastante ambicioso debido a la cantidad de módulos que se deseaban diseñar en el
tiempo presupuestado para esto y por lo tanto existen algunos módulos del chip integrado
que no se platearon realizar.
8 DISCUSIÓN
38
Es importante destacar que al inicio del trabajo de grado, se tuvieron algunos
inconvenientes con el kit de diseño debido a que no se tenía mayor información y
experiencia en éste. Por tal motivo se dedicó un periodo de tiempo importante para el
conocimiento y correspondiente asimilación del funcionamiento de dicha herramienta de
trabajo. Una vez realizada dicha labor, se continúo con el diseño y la elaboración de cada
uno de los esquemáticos de los módulos, respetando las especificaciones que se habían
planteado desde un principio.
Posteriormente se generaron las simulaciones y correspondientes pruebas para

corroborar los resultados teóricos. Una vez encontrada una correlación entre los
resultados teóricos con los resultados obtenidos en la herramienta de diseño Mentor
Graphics, se prosiguió con la implementación de las celdas de los layouts para cada uno de
éstos. Por último, se simularon las celdas de los layouts para obtener una concordancia
con los resultados teóricos. Como se ha dicho a lo largo del proyecto, el diseño de este
sensor es bastante largo y por tal razón no se ha alcanzado a realizar en su totalidad.
Todavía se deben simular e implementar varios módulos para realizar completamente el
diseño de este sensor aunque la experiencia y conocimientos adquiridos en el diseño de
estos tres módulos son amplios y por tal motivo el proceso y el tiempo para la elaboración
de los otros módulos restantes se reducirán. Se tiene pensado continuar con la
elaboración de los módulos restantes en compañía del profesor Ph. D. Fredy Enrique
Segura Quijano y Antonio García Rozo, como proyecto de maestría.
9 CONCLUSIONES
En conclusión, se puede decir que el trabajo realizado a lo largo de este proyecto de

grado ha sido satisfactorio tanto para el autor de este documento como para el centro
de microelectrónica de la Universidad de los Andes. Es cierto que no se ha alcanzado a
diseñar en su totalidad el sensor pero esto se dio debido a la magnitud y ambición del
proyecto. Debido a que todavía faltan algunos módulos, es de entender que se debe
postergar la producción del chip integrado.
A parte de esto, se han adquirido nuevos conocimientos con respecto a la herramienta

de simulación Mentor Graphics y por lo tanto se ha obtenido una mayor asimilación de
dicha herramienta en las líneas de investigación de la universidad. Se ha realizado un
aporte en cuanto a las guías y tutoriales existentes dentro de la rama.
Finalmente, es necesario indicar que el conocimiento y experiencia que se han

obtenido y adquirido a lo largo de este proyecto permitirán al departamento de
ingeniería electrónica y eléctrica de la Universidad de los Andes y principalmente al
CMUA poder sintetizar y fabricar nuevos dispositivos para poderlos probar y patentar
posteriormente.
39
Por último, es necesario decir que los resultados que se obtuvieron para los
esquemáticos como para los layouts son cercanos para los módulos de la fuente de
corriente y el rectificador. Sin embargo, los resultados obtenidos para el amplificador
operacional no son parecidos aunque en ambas simulaciones se utilizaron los mismos
parámetros y las mismas características. Un trabajo futuro consistiría en variar el valor
de la capacitancia para poder obtener un mejor acercamiento de ambos resultados y
así tener una mejor concordancia entre el esquemático y el layout.
10 TRABAJO FUTURO
En cuanto al trabajo futuro a realizar, es necesario indicar que se tiene pensado continuar
con el diseño e implementación completos del sensor para que dicho dispositivo pueda
ser enviado a fabricación a los laboratorios Mosis. Dada la importante magnitud del
proyecto, es importante destacar que todavía existen varios módulos que se deben
sintetizar y sobre todo probar en conjunto para poder realizar un correcto diseño del
sensor. Por último, se debe seguir asimilando y conociendo la herramienta de diseño
Mentor Graphics, la cual hoy por hoy es la herramienta escogida por el departamento de
Ingeniería Electrónica y Eléctrica para desarrollar trabajos y proyectos en el área de la
microelectrónica. Finalmente, al continuar con el uso de dicha herramienta de diseño se
espera que se adquieran nuevos conocimientos con respecto a ésta y que por lo tanto
dicha información sea descrita en nuevas guías y nuevos tutoriales o que complemente los
ya existentes.
11 AGRADECIMIENTOS
Este trabajo de grado se realizó gracias al conocimiento y continuo acompañamiento de

los profesores Fredy Enrique Segura Quijano y Juan Carlos Bohórquez Reyes quienes
constante me exigieron resultados y me guiaron para adquirir mayores conocimientos en
el área de la microelectrónica. Siguiente a estos dos, me gustaría darle un sincero
agradecimiento al estudiante de maestría Luis Felipe Ariza Vesga, quién estuvo siempre
dispuesto a colaborarme con la herramienta de diseño Mentor Graphics, debido a que él
ha adquirido un bagaje de conocimientos importantes permitiendo una asimilación más
rápida del modo de funcionamiento de dicha herramienta. A parte de los mencionados
anteriormente, me gustaría también agradecer al profesor Johann Osma y al estudiante
de maestría Camilo Vélez, quienes siempre estuvieron corrigiéndome y aconsejándome
frente a los errores o mejoras que debía hacer en mi trabajo de grado. Por último, me
gustaría agradecer a todos mis compañeros, amigos y personas que me acompañaron a lo
largo de mis estudios y que siempre me apoyaron, me enseñaron y me educaron para ser
hoy por hoy la persona que soy.
40
12 REFERENCIAS
[1] K. Finkenzeller. RFID Handbook. Fundamentals and applications in contactless smart

cards and identification. Wiley, 2001.
[2] Fredy E. Segura Quijano. Sensores químicos inalámbricos: Integración de sistemas de
telemetría inductiva y transductores electroquímicos. Universidad Autónoma de
Barcelona, Barcelona, Julio 2010.
[3]Jordi Sacristan-Riquelme. Sistema implantable para la estimulación y registro de nervio
periférico. PhD tesis, UAB. 2007.
[4] www.mosis.org
[5] Phillip E. Allen and Douglas R. Holberg. CMOS Analog Circuit Design. Second Edition
Oxford.
[6] Op-Amp Simulation EE/CS 5720/6720.
[7] Using Mentor Graphics AMI 0.5u Mixed Design Kit v1.1.
[8] Weindong Liu, Xiaodong Jin, James Chen, Min-Chie Jeng, Zhihong Liu, Yuhua Cheng, Kai
Chen, Mansun Chan, Kelvin Hui, Jianhui Huang, Robert Tu, Ping K. Ko and Chenming Hu.
BSIM3V3.2.2 Mosfet Model Users’ Manual. Department of Electrical Engineering and
Computer Sciences. University of California, Berkeley, CA 94720.
[9] Eldo User’s Manual. Software Version 6.8_1 Release AMS 2006.2. ©1995-2006
Mentor Graphics Corporation. All rights reserved.
*10+ BSIMSOI4.3 Mosfet Model Users’ Manual. BSIM GROUP. December 2009.
Department of Electrical Engineering and Computer Sciences. University of California,
Berkeley, CA 94720.
[11] Luis Felipe Ariza Vesga. Tutorial 1. Creación de una compuerta Nand mediante Design
Architect y el simulador analógico Eldo. Universidad de los Andes. Departamento de
Ingeniería Eléctrica y Electrónica. Diseño VLSI. Agosto de 2010.
[12] Luis Felipe Ariza Vesga. Tutorial 2.Diseño de un inversor en IC Station. Universidad de
los Andes. Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica. Diseño VLSI. Agosto de
2010.
[13] Luis Felipe Ariza Vesga. Tutorial 3. Schematic Driven Cell Layout para AMI05.
Universidad de los Andes. Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica. Diseño VLSI.
Septiembre de 2010.
[14] Luis Felipe Ariza Vesga. Tutorial 4.Simulación de Monte Carlo para una fuente de
corriente (1 uA) independiente de la temperatura y las variaciones de VDD usando
tecnologías AMI05. Universidad de los Andes. Departamento de Ingeniería Eléctrica y
Electrónica. Diseño VLSI. Septiembre de 2010.
13 APENDICES
13.1 Apéndice 1
A continuación se presentan otras pruebas correspondientes a la fuente de corriente.

41
Como primera prueba, se revisa el sistema de encendido de la fuente de corriente. Como
prueba principal, se fuerza una señal de alimentación de la fuente que posee las siguientes
características.
Tabla 9. Señal de alimentación de la fuente de corriente.
Tiempo (s) Valor del voltaje (V)

0 0
100 n 3.3
1m 3.3
La Tabla 9 corresponde a una simulación de 1 ms para la alimentación del sistema. Dicha

señal de alimentación a los 0 s tiene un valor de voltaje de 0 V, siguiente a esto, el valor
del voltaje aumenta de manera lineal hasta 3.3 V cuando han transcurrido 100ns desde el
inicio de la simulación. Finalmente, el valor del voltaje se mantiene constante en 3.3 V
hasta el final de la simulación, es decir 1 ms. La forma de la señal de alimentación se
observa en la parte alta de la Figura 37.
Figura 37. Simulación correspondiente a la señal de alimentación y al valor de la corriente de salida de la fuente de
corriente.
Al observar la Figura 37, se puede constatar que el valor de la corriente de la fuente es de

1 µA aproximadamente y por tal motivo el valor es aceptado.
Siguiente a esto, se realizan las pruebas correspondientes al sistema de arranque de la

fuente de corriente. Se utiliza la misma señal de alimentación de la fuente de corriente
que se presenta en la Tabla 9 para observar cómo reacciona el transistor de la Figura
3. Dicha prueba se observa a continuación.
42
Figura 38. Simulación correspondiente a la corriente del transistor .
En la Figura 38 se puede observar que mientras el valor de la alimentación no alcance los

3.3 V, el transistor va a proporcionar corriente al circuito. Una vez alcanzado el valor
de 3.3 V, el transistor se apaga, desconectando el sistema de arranque del circuito de la
fuente de corriente tipo bootstrap reference. A partir de estos resultados, se puede decir
que el sistema de arranque funciona correctamente.
13.2 Apéndice 2
A continuación se presenta a manera de ejemplo el archivo de texto correspondiente a la

celda del rectificador. Dicho archivo se obtuvo a partir de la verificación de las reglas de
diseño del layout y de un comparativo entre las conexiones y pines de dicho layout con
las del esquemático.
.include "RECTIFICADOR.pex.netlist.pex"
.subckt RECTIFICADOR GND VIN VIP GND VOP
*
* GND GND
* VIN VIN
* VOP VOP
* VON VON
* VIP VIP
MN2 N_Vop_MN2_d N_Vip_MN2_g N_Vip_MN2_s N_Gnd_MN2_b N L=8e-06 W=6e-05
MN4 N_Vip_MN4_d N_Vin_MN4_g N_Von_MN4_s N_Gnd_MN2_b N L=8e-06 W=6e-05
MN3 N_Vin_MN3_d N_Vip_MN3_g N_Von_MN3_s N_Gnd_MN2_b N L=8e-06 W=6e-05
MN1 N_Vop_MN1_d N_Vin_MN1_g N_Vin_MN1_s N_Gnd_MN2_b N L=8e-06 W=6e-05
*
.include "RECTIFICADOR.pex.netlist.RECTIFICADOR.pxi"
*
.ends
*
*

Diseño de Celdas Analógicas de Un Circuito Integrado para Medida de Impedancias Por Telemetría Inductiva

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Diseño de Celdas Analógicas de Un Circuito Integrado para Medida de Impedancias Por Telemetría Inductiva

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N° tesis: jcb

PROYECTO FIN DE CARRERA

LA UNIVERSIDAD DE LOS ANDES

Para obtener el título de

Juan Sebastián Moya Baquero

Diseño de celdas analógicas de un circuito integrado para medida de

Sustentado el día mes de año frente al jurado:

Composición del jurado

- Jurados : Antonio García Rozo, Profesor Titular. Universidad de Los Andes

Figura 1. Esquema correspondiente a la telemetría inductiva. ............................................... 8

Tabla 1. Valores de los componentes utilizados en la simulación de la fuente de corriente.

Dentro de las líneas de investigación del Centro de Microelectrónica de la Universidad de

Este trabajo básicamente se basa en el diseño, simulación e implementación en "full

1.1 Objetivo General

 Diseño de celdas básicas en tecnología AMI 0.5u necesarias para el diseño de un

1.2 Objetivos Específicos

 Diseño, simulación eléctrica e implementación del layout de algunos bloques

 Estudio y comparación de topologías de rectificadores integrados para su posterior

 Diseño de una fuente de corriente de polarización con estabilidad frente a cambios

 Diseño de un amplificador operacional de propósito general.

 Realimentación de los tutoriales existentes sobre la herramienta MENTOR

1.3 Alcance y productos finales

 Simulación de cada una de las celdas diseñadas y documentación del proceso de

 Se mostrará el diseño electrónico realizado y se culminará cada celda con su

2 DESCRIPCIÓN DE LA PROBLEMÁTICA Y JUSTIFICACIÓN DEL TRABAJO

La posibilidad de lograr un buen acoplamiento en un enlace inductivo es un campo que se

3.1 Marco Teórico

La telemetría inductiva es un método que permite transmitir información vía inalámbrica

Figura 1. Esquema correspondiente a la telemetría inductiva.

En la Figura 1, se puede muestra un esquema de funcionamiento del método de

Un esquema completo del sistema se presenta en la Figura 2. Se tiene la unidad de lectura

Figura 2. Esquema general de un sensor que utiliza telemetría inductiva.

Figura 3. Fuente de corriente tipo Bootstrap Reference.

Para generar la corriente de referencia , se han de igualar las corrientes de la

Al realizar la respectiva simplificación, se obtiene (4).

En la Figura 4, se pueden observar los dos puntos de operación que existen en el

En el diseño de rectificadores integrados se busca el diseño de un rectificador integrado,

El diseño del rectificador integrado de este proyecto se basa en transistores en

Figura 5. Configuración correspondiente al rectificador.

Dicha configuración permite rectificar la onda entrante de manera completa a partir de la

Las topologías correspondientes al doblador y al triplicador se basan en la topología de la

Figura 6. Configuración correspondiente al amplificador operacional.

1) < 2.2* (5)

3.2 Marco Conceptual

En cuanto a los conceptos y normas utilizadas en este trabajo, es necesario indicar

3.3 Marco Histórico

El centro de microelectrónica de la Universidad de los Andes está nuevamente

4 DEFINICION Y ESPECIFICACION DEL TRABAJO

Diseñar de tres módulos correspondientes que hacen parte de un chip integrado. Se

5 METODOLOGÍA DEL TRABAJO

En una primera instancia, se realizó la búsqueda adecuada de la teoría

5.1 Plan de trabajo

A continuación se enlistan en el diagrama de Gantt, las actividades realizadas durante

Figura 8. Actividades realizadas según el desarrollo del proyecto.

Figura 9. Diagrama de Gantt correspondiente a las actividades realizadas del proyecto.

5.2 Búsqueda de información

En cuanto a la búsqueda de información, se puede decir que existen dos referencias

5.3 Alternativas de desarrollo

Básicamente se consideraron dos alternativas diferentes a la hora de realizar el diseño

Como se ha dicho anteriormente, las diferentes partes que conforman el trabajo

6.1 Descripción del Resultado Final

El resultado final del proyecto de grado se obtuvo siguiendo la metodología que se