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Licenciatura en Ingeniería en Mecatrónica
Entregable 3
Realizar una descripción de las siguientes leyes:
1.- Ley de Gauss para el campo eléctrico:
El flujo del campo eléctrico a travésde cualquier superficie cerrada es igual a la carga
q contenida dentro de la superficie, dividida por la constante ε0.
La superficie cerrada empleada para calcular el flujo del campo eléctrico se denomina
superficie gaussiana.
Es una de las ecuaciones de Maxwell, y está relacionada con el teorema de la
divergencia, conocido también como teorema de Gauss. Fue formulado por Carl
Friedrich Gauss en 1835.
Para aplicarla es necesario conocer previamente la dirección y el sentido de las líneas
de campo generadas por la distribución de carga. La elecciónde la superficie gaussiana
dependerá de cómo sean estas líneas.
Semana 16:
Describir las propiedades de reflexión y refracción en una
fibra óptica usada para la transmisión de datos.
En una fibra óptica el material interno tiene un índice de refracción másgrande que
el material que lo rodea. El ángulo de la incidencia de la luzes límite o crítico para la
base y su revestimiento y se produce una reflexión interna total que preserva la
energía transportada por la fibra.
Sabemos que la transmisión de información a través de fibra óptica se realiza
mediante la luz, pero antes de analizar la importancia que tienenlos fenómenos de
reflexión y refracción en la transmisión, vamos a ver la estructura de la fibra óptica.
En una manguera de fibra óptica, lo que primero que encontramos en su parte
exterior, es una cubierta protectora de polietileno, similar a cualquier tipo de cable. A
continuación, dependiendo de las condiciones en las que estará instalada la
manguera, encontramos otras capas quele darán la rigidez y protección adecuada
frente al medio. En la zona interior es donde se encuentran las fibras ópticas
propiamente dichas, inmersas en un gel protector. Cada una de estas fibras ópticas
se compone de un núcleo rodeado completamente de un revestimiento, que está
protegido por una cubierta plástica.
Tanto el núcleo como el revestimiento se componen de óxido de silicio (SiO2), que es
uno de los materiales más abundantes en la tierra. Este es el mismo material que se
emplea para la fabricación de los semiconductores. Al igual que en los
semiconductores el SiO2 se dopacon impurezas.
González Mosqueda Alan Josué 392849 aj.gonzalezmosqueda@ugto.mx
Licenciatura en Ingeniería en Mecatrónica
El objeto de este dopaje es que núcleo y revestimiento tengan unas propiedades físicas
distintas. El núcleo ha de tener un índice de refracción (n1) mayor que el índice de
refracción (n2) del revestimiento. Cuando esto se produce, la luz se refleja de tal
manera que no es capazde atravesar la superficie entre ambos medios reflejándose
completamente, sin existir refracción. A este comportamiento se le denomina
reflexión interna total.