Transistores Mosfet

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Efect

Transistor (transistor de efecto de campo metal oxido
semiconductor)
Los transistores bipolares tienen problemas con la corriente que
soportan y dependen de la temperatura a la que están
sometidos.
Los MOSFET de potencia son muy utilizados en aplicaciones de
baja tensión, baja potencia y conmutación resistiva en altas
frecuencias, como fuentes de alimentación conmutadas,
motores sin escobillas y aplicaciones de robótica, CNC y
electrodomésticos.
Motores, drivers de estado sólido y electrodomésticos utilizan
dispositivos de control que controlan el flujo de energía que se
transfiere a la carga. Estos dispositivos logran alta eficiencia
variando su ciclo de trabajo para regular la tensión de salida
(PWM).
 Transistores Mosfet
La modulación por ancho de pulso (PWM) de una señal o fuente
de energía es una técnica en que se modifica el ciclo de trabajo
de una señal periódica, ya sea para transmitir información o
para controlar la cantidad de energía que se envía a una carga.
El ciclo de trabajo de una señal periódica es el ancho relativo de
su parte positiva en relación con el período.
 Transistores Mosfet

Si la tensión original es de 12V el 10% equivale a una tensión

de 1,2V, el 30% de 3,6V, el 50% de 6V y el 90% 10,8V.
 Transistores Mosfet
En este ejemplo se ve como simular con pwm una onda
sinusoidal analógica.
 Transistores Mosfet
Convertidor flyback
La frecuencia de conmutación puede estar entre 50 y 100 KHz.
La tensión Vo depende del ciclo de trabajo.

Vo = Vi . N2 . D / N1 (1 - D)
 Transistores Mosfet

La siguiente es una tabla comparativa de las diversas

capacidades entre potencia y velocidad de conmutación de los
distintos dispositivos.

El GTO es un tiristor que se apaga al aplicar un pulso de

corriente negativa en la compuerta.
 Transistores Mosfet
El funcionamiento no se basa en uniones PN, como en el transistor
bipolar, si no que el movimiento de cargas se produce exclusivamente
por la presencia de campos eléctricos.
Se lo conoce como transistor de efecto de campo (FET field effect
transistor)
JFET la J se refiere a juntura
MOSFET se refiere a que sobre una capa de óxido se coloca una capa
de metal (aluminio) que posee características conductoras.
 Transistores Mosfet
Hay canal tipo N y canal tipo P (las flechas tienen el sentido contrario
al de los transistores bipolares)
 Transistores Mosfet
Regiones de operación
Regiones de corte, óhmica y de saturación.
Corte: VGS < Vt (umbral)
Ohmica:……VDS(ON) = ID(ON) . RDS(ON)
Saturación: VDS > VDSsat
 Transistores Mosfet
Curvas de entrada y de salida de un transistor MOSFET canal N con
VT = 2V.
Las curvas se obtienen al representar las variaciones de ID al
aumentar VDS para diferentes valores de VGS.
Si VGS<= VT región de corte
Si VGS>VT conducción VDS >= VGS-VT región de saturación
VDS <= VGS-VT región óhmica
 IRF 630

VDS 200V. Tensión drain-source

RDS(on) 0,4 Ω Resistencia ON
VGS +-20V. Tensión compuerta-source
ID 9 A. Corriente continua
IDM 36 A. Corriente pulsada
PD 7,4W Máxima disipación de potencia

THERMAL RESISTANCE RATINGS

PARAMETER SYMBOL TYP. UNIT
Maximum Junction-to-Ambient RthJA - 62
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface RthCS 0.50 °C/W
Maximum Junction-to-Case (Drain) RthJC 1.7
 IRF 630
Características dinámicas
td(on) 9,4 ns Retardo de encendido
tr 28 ns Tiempo de elevación
td(off) 39 ns Retardo de apagado
tf 20 ns Tiempo de caída

TO220
 Transistores Mosfet
.
 Transistores Mosfet
Distintos encapsulados
 Transistores Mosfet
Conectar una tira de leds.
 Transistores Mosfet
Potencia disipada
La potencia disipada es la resistencia del mismo por el cuadrado de la
corriente que lo atraviesa.
P = RDS . Id2
En la zona de corte Ics =0 por lo que la potencia es cero.
En zona de saturación Ics es grande pero Rdson es muy chica por lo
que la potencia disipada es pequeña.
En la zona óhmica Ids puede ser grande y Rds no es pequeña por lo
que la potencia disipada puede ser grande.
Por lo tanto si queremos utilizar el mosfet como interruptor
evitaremos la zona lineal porque en esta zona la energía disipada es
elevada, la cual se convierte en calor y en un incremento de
temperatura que puede dañar el transistor.
Hay casos en que debo añadir un disipador.
 Transistores Mosfet
El mosfet como inversor
La excursión de tensión es de 0 a VDD. Para el nivel bajo se busca
VGS>VT y que el transistor esté en la región óhmica en la cual
VDS<<1. Para el nivel alto se busca que trabaje en la región de corte
con VDS>>1. En este caso funciona como interruptor.
Pasa de la región de corte a la óhmica.
Cuando Vin bajo el MOSFET esta en corte y Vout alto (VDD)
Cuando Vin alto MOSFET conduce y Vout bajo
 Transistores Mosfet
En el caso de utilizar el mosfet en conmutación el flanco de subida de
la señal de compuerta debe ser muy corto en el tiempo, igual que el
de bajada. Es conveniente evitar conectar en forma directa un
microcontrolador a un Mosfet, existen drivers comerciales, el más
sencillo sería un transistor.
Pretendo que el tiempo de conmutación sea
muy corto por lo que debo reducir las
capacidades para que el mosfet no trabaje
en la zona ohmica, y así evitar pérdidas.
 Transistores Mosfet
Agregando un par de transistores más reduzco el tiempo de subida y
de bajada al conmutar los niveles de tensión.
Si tengo un alto en el primer transistor el de arriba satura, y el de
abajo está cortado saturando al mosfet.
Un nivel bajo en el primer transistor
hará que el transistor de arriba no
conduzca y el de abajo sature, lo
que hará que el mosfet se bloquee.
 Transistores Mosfet

Ventajas del mosfet respecto al bipolar

• Consumo en modo estático muy bajo.

• Mayor ganancia.
• Tamaño muy inferior.
• Gran capacidad de integración se pueden colocar hasta 200
millones en un solo chip.
• Se pueden implementar circuitos integrados sin resistencias o
condensadores.
• Controlados por voltaje ya que tienen Zin alta. (IG en nA.).
• Altísima velocidad de conmutación.
• Se utilizan en convertidores de baja potencia y alta
frecuencia.
 Transistores Mosfet
Inconvenientes de los MOSFET
• Muy sensibles a descargas electrostáticas.
• Son mas caros que sus equivalentes bipolares.
• Es relativamente difícil su protección.

Tipos de MOSFET
1 – Deplexión o empobrecimiento existe un canal aunque no se
aplique tensión en puerta.
2 – Acumulación o enriquecimiento el canal se crea cuando hay
tensión en puerta.
A su vez hay de canal N o P dependiendo del tipo de sustrato
utilizado y del tipo de portadores mayoritarios por el canal.
En el de canal N la flecha (en el esquemático) apunta al transistor.
En el de canal P la flecha (en el esquemático) sale del transistor.
Transistores Mosfet
 Transistor IGBT
El transistor IGBT (Insulate Gate Bipolar Transistor) combina
las ventajas de los bipolares y los mosfet, tienen impedancia de
entrada elevada, como los Mosfet y bajas pérdidas en conmutación,
como los BJT, pero sin el problema de su segunda ruptura, por lo que
puede trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades.
Los IGBT fueron inventados hace poco tiempo, pero su evolución ha
sido rápida debido a que han demostrado tener una resistencia de
conducción muy baja y una elevada velocidad de conmutación (pasa
de conducción a bloqueo en 2 µseg ) y la frecuencia puede estar en el
rango de 50 KHz, además de una elevada tensión de ruptura.
Los IGBT se fabrican para tensiones de 1400V y corriente de 300 A
hasta tensiones de 600V y corrientes de 50 A.
El control por tensión hace que el IGBT sea más rápido que el bipolar
pero mas lento que el mosfet. La corriente aplicada a la puerta es de
unos pocos nA. (nano amperes). Debido a esto pueden ser
controlados por circuitos integrados.
Transistor IGBT
Transistor IGBT
 Transistor IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

• Tamaño reducido, bajo coste de fabricación

• Caída de tensión reducida, independiente de la corriente
• Frecuencia máxima 20 KHz
• No soporta derivadas altas de tensión
• Límite de tensión 3300V, de corriente 1200 A
Transistor IGBT
 Transistor IGBT
BJT MOSFET IGBT

MOSFET IGBT
150V / 600 A 3300V / 1200 A
 Transistor IGBT
.
Transistor IGBT