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Universidad Autónoma de Quito

Facultad de Ingeniería de Sistemas e Informática

Nombre: Vanessa Guacho

Quinto Nivel ISIN

MEMORIAS SDRAM

DDR SDRAM

Las siglas DDR son utilizadas para abreviar el concepto "Double Data Rate", cuya definición es
memoria de doble tasa de transferencia, y se trata de una serie de módulos que están
compuestos por memorias síncronas, llamadas SDRAM, y si bien tienen el mismo tamaño de
los DIMM de SDRAM, las DDR-SDRAM poseen mayor cantidad de conectores, ya que
mientras la SDRAM normal tiene 168 pines, la DDR-SDRAM posee 184.

Las Memorias DDR trabajan transfiriendo datos a través de dos canales diferentes, de manera
simultánea y en un mismo ciclo de reloj con una transferencia de un volumen de información de
8 bytes en cada ciclo de reloj. No obstante son compatibles con procesadores más potentes en
cuanto a ciclos de reloj.

Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su
Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el
avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se
vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en
precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front
Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj desde 200 a 400 MHz.

DDR2

Es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de


acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la DRAM.

Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta
en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma
frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz
nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este

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sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es el que
guarda la información
formación para luego transmitirla fuera del modulo de memoria, este buffer en el
caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo
que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego
lu enviarlos, lo
que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los
módulos de memoria.

Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR
convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento.
rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no es
fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego
enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de
"escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria,
para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información.

Características

• Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que
permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del
núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.
• Operan tantonto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y 1,8
voltios, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento del
consumo de las DDR, que trabajaban
tra a 0 voltios y a 2,5.
• Terminación de señal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminación
integrada" u ODT) para evitar errores de transmisión de señal reflejada.

DDR3

El avance en el desarrollo de la tecnología de este tipo de Memorias RAM produjo los nuevos
módulos DDR3, cuyo fabricante más importante hasta el momento ha sido la empresa
Samsung Electronics.

El Principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer


hacer transferencias de datos ocho
veces más rápido, esto nos permite obtener velocidades pico de transferencia y velocidades de
bus más altas que las versiones DDR anteriores. Sin embargo, no hay una reducción
r en la

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latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de
512 megabits a 8 gigabytes, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 Gb.

En febrero de 2009, Samsung Electronics anunció un chip prototipo de 512 MB a 1.066 MHz (la
misma velocidad de bus frontal del Pentium 4 Extreme Edition más rápido) con una reducción
de consumo de energía de un 40% comparado con los actuales módulos comerciales DDR2,
debido a la tecnología de 80 nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas
corrientes de operación y voltajes (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 ó los 2,5 del DDR).
Dispositivos pequeños, ahorradores de energía, como computadoras portátiles quizás se
puedan beneficiar de la tecnología DDR3.

Teóricamente, estos módulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-2600
MHz, comparado con el rango actual del DDR2 de 533-1200 MHz ó 200-400 MHz del DDR.
Existen módulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por
JEDEC.

Los DIMMS DDR3 tienen 240 contactos o pins, el mismo número que DDR2; sin embargo, los
DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.

Los módulos más rápidos de tecnología DDR3 ya están listos al mismo tiempo que la industria
se preparara para adoptar la nueva plataforma de tecnología.

Considerado el sucesor de la actual memoria estándar DDR2, DDR3 promete proporcionar


significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una
disminución del gasto global de consumo.

Se prevé que la tecnología DDR3 sea dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de
banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opcion para la combinación de un sistema con
procesadores dual y quad core (2 y 4 nucleos por microprocesador). El voltaje más bajo del
DDR3 (HyperX 1,7 V contra 1,8 V con DDR2 y ValueRAM 1,5 V contra 1,8v con DDR2) ofrece
una solución térmica más eficaz para los ordenadores actuales y para las futuras plataformas
móviles y de servidor.

Debido a su nuevo diseño, la sucesora de la DDR2 incorpora importantes mejoras en el campo


de las memorias DDR SDRAM, entre las que se destaca el hecho de que puede transferir
datos a una tasa de reloj efectiva de 800-1600 Mhz, superando en gran medida a las DDR
anteriores, ya que las DDR2 tienen una tasa de 533-800 MHz y las DDR de 200-400 MHz.

Esto permite un mayor ancho de banda en los procesos, significativamente notable en el


funcionamiento de la PC, además de haber duplicado su latencia a 8 bits, con el fin de
aumentar su rendimiento, y duplicar su tasa de transferencia mínima a 6400Mbps, en
comparación a las DDR2 que poseen una tasa de 3200Mbps.

Por otra parte, las DDR3 han reducido de manera notable el consumo a 1.5V, gracias a la
implementación de la tecnología de fabricación de 80 nanómetros. Este cambio reduce el
consumo de energía y la generación de calor, por lo que aumenta la velocidad en los procesos.

En cuanto al aspecto físico, si bien las DDR3 poseen 240 pines, es decir la misma cantidad que
las DDR2, ambos tipos de memorias son incompatibles, ya que los pines han sido ubicados de
manera diferente.