Historia de la Memoria RAM ³La memoria RAM es una memoria volátil, es un tipo de memoria temporal que pierden sus

datos cuando se quedan sin energía. Se utiliza generalmente para almacenar temporalmente datos, con este trabajo pretendemos mostrar la historia y la evolución de la memoria RAM a través del tiempo desde un punto de vista técnico.´ Mensionaremos clases de memorias. FPM-RAM Fecha de introducción: 1990 Descripción de la tecnología Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos las más rápidas y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la cpu. La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. El acceso más rápido de la FPM RAM es de 5-3-3-3 ciclos de reloj para la lectura a ráfagas de cuatro datos consecutivos. Velocidad de transferencia: 200 MB/s EDO-RAM Fecha de introducción: 1994 Descripción de la tecnología Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos). Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168. Velocidad de transferencia: 320 MB/s BEDO-RAM Fecha de introducción: 1997 Descripción de la tecnología Es una evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz. Velocidad de transferencia: Ofrece tasas de transferencia desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s 1997

SDR SDRAM Descripción de la tecnología Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior. Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos en ordenadores de sobremesa y en módulos SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los ordenadores portátiles.

y

PC66 Fecha de introducción: 1997 Velocidad de transferencia La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.

y

PC100 Fecha de introducción: 1998 Velocidad de transferencia La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s.

2 GB/s. No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj.DDR200 Fecha de introducción: 2001 Velocidad de transferencia 1600 MB/s y PC2100 . y PC1600 . El número simplemente señala la velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar.7 GB/s. por ejemplo.y PC133 Fecha de introducción: 1999 Velocidad de transferencia La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz. disponibles en encapsulado DIMM. Por lo tanto el DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue diseñado o para velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado. el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). Trabaja a una frecuencia de 533 MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4.DDR266 Fecha de introducción:A mediados del 2003 Velocidad de transferenciaTecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 333 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 2.DDR266 Fecha de introducción: 2002 Velocidad de transferencia 2133 MB/s y PC2100 . DDR-SDRAM Descripción de la tecnología Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM).8 GB/s. PC4800 ± DDR600 Fecha de introducción: A mediados del 2004 Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 600 MHz con un bus de 150MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 4. que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. y .2 GB/s. y PC3200 ± DDR400 Fecha de introducción: Junio del 2004 Velocidad de transferencia Esta tecnología de memoria RAM DDR que trabaja a una frecuencia de 400 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 3. temporización de 7. y PC4200 ± DDR533 Fecha de introducción: A mediados del 2004 Velocidad de transferencia Tecnologías de memoria RAM que trabajan por encima de los 533MHz de frecuencia ya son consideradas DDR2 y estas tienen 240 pines.5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB.

y PC6400 ± DDR800 Fecha de introducción: A finales del 2004 Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 200MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.5V mientras que las DDR2 trabajan a 2.53 GB/s.3 GB/s.4 GB/s.4 GB/s.40 GB/s @ 1800 MHz y DDR3 ± 2000 Fecha de introducción: Marzo de 2008 (pruebas) Velocidad de transferencia 16. Trabajan a un voltaje de 1. y DDR3 ± 1066 Fecha de introducción: Mayo del 2007 Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR3 que trabaja a una frecuencia de 1066MHz con un bus de 133MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 8.667 GB/s @ 1333 MHz y DDR3 ± 1600 Fecha de introducción: Julio de 2007 Velocidad de transferencia de la información 12. dándoles la ventaja de menor consumo de energía.80 GB/s @ 1600 MHz y DDR3 ± 1800 Fecha de introducción: Agosto de 2007 Velocidad de transferencia 14. y DDR3 ± 1333 Fecha deintroducción: Mayo de 2007 Velocidad de transferencia De las primeras memorias clasificadas como de ³Low-Latency´ con velocidades de transferencia de 10. y DDR3 ± 800 Fecha de introducción: Junio del 2004 Velocidad de transferencia Posee el mismo número de pines que la DDR2. puesto que la muesca esta ubicada en un lugar diferente. A pesar de eso son incompatibles con las DDR2.5.0 GB/s @ 2000 MHz .y PC5300 ± DDR667 Fecha de introducción: A finales del 2004 Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5. Trabaja a una frecuencia de 800 MHz con un bus de 100MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 6.

que hacen en total 3.12 GB/s @ 266MHz y RAMBUS PC700 Fecha de introducción: 1999 Velocidad de transferencia 1. PDA. las peticiones de ciertos ser resueltas por esta rápida memoria. se ha ido incrementando progresivamente.06 GB/s por canal. al igual que la capacidad de las mismas.6 GB/s @ 133MHz y hasta 3. reproductores portátiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento portátiles. basadas en NOR y NAND. Se basa en un principio muy similar al de la memoria caché utilizada en los procesadores actuales. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB. pero fueron introducidas al mercado (las de tipo NOR) en 1988 por Intel. . aunque la nueva generación de tarjetas permitirá velocidades de hasta 30 MB/s. pequeños electrodomésticos. que hacen en total 2.84 GB/s @ 356 MHz y RAMBUS PC800 Fecha de introducción: 1999 Velocidad de transferencia 1.42 GB/s por canal. En 1988 Toshiba anunció el tipo NAND en el ISSCC. Con ello. que hacen en total 2. Velocidad de transferencia de la información: Hasta 1.2 GB/s @ 400 MHz ESDRAM Fecha de introducción: A mediados de año de 1999 Descripción de la tecnología Esta memoria incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM. a continuación las características: Fecha de introducción Fueron inventadas en 1984 (ambos tipos NOR y NAND) por Toshiba y presentadas también en ese año en el IEEE-IEDM. se caracterizan por utilizar dos canales en vez de uno con 184 pines y un bus de 16-bit y RAMBUS PC600 Fecha de introducción: 1999 Velocidad de transferencia 1.RDRAM Descripción de la tecnología También llamadas Rambus. cámaras de fotos digitales. generalmente la velocidad es mayor en lectura que en escritura.2 GB/s @ 150 MHz Flash Memory Este tipo de memoria se utiliza principalmente para almacenamiento. pero actualmente Windows Vista nos la opción de utilizarla también como memoria RAM. aumentando las prestaciones. Descripción de la tecnología Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos móviles. Las más comunes actualmente tienen una velocidad de transferencia de ~20 MB/s. Velocidad de transferencia La velocidad de transferencia de estas tarjetas.6 GB/s por canal.

Inventada en 1956 permitía a los usuarios modificarla sólo una vez con la aplicación de pulsos de alto voltaje. ya que el usuario podía pedir gran cantidad de PROMs vacías y programarlas con el contenido necesario elegido por los diseñadores. Todas estas tecnologías mejoraron la versatilidad y flexibilidad de la ROM aunque el costo por chip incrementaba. Más tarde en 1983 se inventó la EEPROM. la única manera de arreglarlo es cambiando físicamente la ROM. En 2007. Eliminó los problemas 1 y 2 antes mencionados. Si un producto tiene un error en la máscara. Aún más importante. Esto acarrea serias desventajas: Sólo es económico comprarlas en grandes cantidades. la BIOS. Los teléfonos móviles y los asistentes personales digitales (PDA) suelen tener programas en memoria ROM (o por lo menos en memoria flash). Una razón de que todavía se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad ya que los discos son más lentos. En 1971 se desarrolló la memoria de sólo lectura programable y borrable (EPROM) que permitía reiniciar su contenido exponiendo el dispositivo a fuertes rayos ultravioleta. De esta manera erradicaba el punto 3 de la anterior lista. Todavía los ordenadores pueden dejar algunos de sus programas en memoria ROM. así que sólo se pueden programar durante la fabricación. Los desarrollos posteriores tomaron en cuenta estas deficiencias. . a través de un cable serial). es más frecuente que vaya en memoria flash. como una copia de un cartucho de videojuego. o el sistema de arranque oportuno del PC normalmente se encuentran en una memoria ROM. una forma de EEPROM que permitía eliminar y reprogramar contenido en una misma operación mediante pulsos eléctricos miles de veces sin sufrir ningún daño. otra vez desarrollada por Toshiba. resolviendo el conflicto número 4 de la lista ya que se podía reprogramar el contenido mientras proveyese un mecanismo para recibir contenido externo (por ejemplo. Las puertas lógicascombinacionales pueden usarse en conjunto para indexar una dirección de memoria de n bits en valores de m bits de tamaño (una tabla de consultas). pegadas a cajas de plástico aptas para ser utilizadas e introducidas repetidas veces. Uso de la ROM para almacenamiento de software Los ordenadores domésticos a comienzos de los años 1980] venían con todo su sistema operativo en ROM. De esta manera podían representar una tabla de consultas arbitraria y un lapso de propagación deductible. una mejor tolerancia a los choques físicos y una miniaturización extrema (como por ejemplo memorias USB y tarjetas de memoriaMicroSD). Algunas de las videoconsolas que usan programas basados en la memoria ROM son la SuperNintendo. Aún así. El producto entre completar el diseño de la máscara y recibir el resultado final es muy largo. La máscara ROM consistía en una cuadrícula de líneas formadas por una palabra y líneas formadas por un bit seleccionadas respectivamente a partir de cambios en el transistor. Por eso las máscaras ROM fueron la solución económica durante bastantes años. No había otra alternativa razonable ya que las unidades de disco eran generalmente opcionales. no se puede leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Con la invención de los circuitos integrados se desarrolló la máscara ROM. Estas memorias ROM. la Sega Mega Drive o la GameBoy. la Nintendo 64. Son inútiles para I+D por el hecho de que durante el desarrollo se ha de producir más de una. El producto más reciente es la memoria NAND. En medio de la década de 1980 Toshiba inventó la memoria flash. Por extensión la palabra ROM puede referirse también a un archivo de datos que contenga una imagen del programa que se distribuye normalmente en memoria ROM. ya que el usuario contrata fundiciones para producirlas según sus necesidades. pero incluso en este caso. ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros. así pues se creó la memoria de sólo lectura programable (PROM). La actualización a una nueva versión significa usar un soldador o un grupo de interruptores DIP y reemplazar el viejo chip de ROM por uno nuevo. Por lo tanto. En las máscaras ROM los datos están codificados en el mismo circuito. son conocidas como cartuchos. Los diseñadores rompieron explícitamente con el pasado diciendo que enfocaba "ser un reemplazo de los discos duros y no de la antigua ROM. hay que tener en cuenta que las nuevas tecnologías con más capacidad de modificación estuvieron diseñadas para eliminar del mercado a las ROM y reemplazarla. Actualmente los sistemas operativos en general ya no van en ROM. NAND ha avanzado bastante en su meta.Historia de la Memoria ROM El tipo más simple de ROM en estado sólido es de la misma antigüedad que la propia tecnología semiconductora.

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